JP5549801B2 - ポリヒドロキシイミドの製造方法並びに該製造方法より得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポリヒドロキシイミドの製造方法並びに該製造方法より得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5549801B2 JP5549801B2 JP2009546248A JP2009546248A JP5549801B2 JP 5549801 B2 JP5549801 B2 JP 5549801B2 JP 2009546248 A JP2009546248 A JP 2009546248A JP 2009546248 A JP2009546248 A JP 2009546248A JP 5549801 B2 JP5549801 B2 JP 5549801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- polyhydroxyimide
- formula
- substituted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 C*NC(*(C(NC)=O)(C(O)=O)C(O)=O)=O Chemical compound C*NC(*(C(NC)=O)(C(O)=O)C(O)=O)=O 0.000 description 2
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/1064—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
Description
また本発明は上記製造法により得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化膜、並びに該硬化膜を用いた各種材料に関する。
上記(a)熱イミド化法は、イミド化反応の助剤として酸触媒や共沸溶媒を用いて加熱脱水反応を行い、イミド化する方法である。このとき、一般にポリアミック酸を180℃乃至250℃の温度に加熱して反応を実施する。
また(b)化学イミド化法は、ポリアミック酸の溶液に脱水縮合剤と閉環触媒を直接添加して加熱、乾燥する方法が知られている。脱水縮合剤としては無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等のカルボン酸無水物やDDC(ジシクロヘキシルカルボジイミド)が知られている。閉環触媒としてはトリエチルアミン等の脂肪族第三級アミン、イソキノリン、ピリジン、β−ピコリン、アミノピリジン、イミダゾール等の複素環第三級アミンなどが知られ、特に無水酢酸−ピリジン系が広く用いられている(例えば特許文献1)。
特に、電気、電子材料分野において、ポリイミドにヒドロキシ基を導入して感光性特性を付与した感光性ポリヒドロキシイミド系樹脂より作製された硬化膜は、上述のポリイミド系の特性を備えるだけでなく、高解像度や高感度を有していることが見出され、その用途が拡大し、半導体分野のみならずディスプレイ分野にまで普及し始めている。
例えば、高解像度、高感度で寸法制御性が良好なポジ型パターンを得られる材料としてポリヒドロキシイミドを用いたポジ型感光性樹脂組成物が提案されている(特許文献2)。
あるいは、例えば酸触媒(γ−バレロラクトン)と塩基(ピリジン)の存在下、非プロトン性極性溶媒(例えばNMP)と、脱水溶媒(例えばトルエン)との混合溶媒中にて、酸二無水物とジアミンを高温(180℃)加熱し、水分を共沸させて除去しながら反応を進行させることにより、直接ポリヒドロキシイミドを製造する方法なども提案されている(特許文献3)。
一方、熱イミド化法においても、製造時に180℃という高温を必要とすること、共沸脱水操作が必要となること、また直接ポリヒドロキシイミドを製造する方法においても、通常のポリイミドの製造と比べて塩基や共沸脱水溶媒の添加を要することなど、工業的製造方法という観点からみると不利な点が多かった。
さらに本発明は、上記製造方法によって得られたポリヒドロキシイミドを用いたポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
Yは、少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基を示し、
nは、1以上の整数を示す。)
で表されるポリヒドロキシイミド前駆体に、少なくとも一種類のpKaが0乃至5であるカルボン酸である酸成分を添加し、50乃至100℃の温度に加熱することにより
式(2)
で表され、重量平均分子量が3,000乃至100,000であるポリイミドを得ることを特徴とする、ポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第2観点として、前記Yが、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を含む有機基である、第1観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第3観点として、前記Yが、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を2つ以上含む有機基である、第2観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第4観点として、前記Yが、式(3)乃至式(5)で表される構造から選ばれる少なくとも1種の構造を含む、第3観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
Wは、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表し、
Z1乃至Z6は、単結合、W1で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
W1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、
p乃至xは、1以上の整数を表し、かつ、2≧p+q≧1、2≧r+s+t≧1、2≧u+v+w+x≧1を表す。)
第5観点として、前記Z1乃至Z6が、単結合、−CH2−、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−、−C(O)NH−、−O−、−S(O)2−又は−C(O)−を表す、第4観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第6観点として、前記カルボン酸が式(6)で表わされるカルボン酸である、第1観点乃至第5観点のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
W2は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表す。)
第7観点として、前記式(6)で表わされるカルボン酸が、炭素原子数1乃至6の脂肪族カルボン酸である、第6観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第8観点として、前記式(6)中、R28乃至R30が水素原子、またはハロゲン原子を表す、第7観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第9観点として、前記式(6)で表わされるカルボン酸が酢酸又はトリフルオロ酢酸である、第8観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第10観点として、前記酸成分を前記式(1)で表されるポリヒドロキシイミド前駆体の質量に対して0.1乃至2倍量添加する、第1観点乃至第9観点のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第11観点として、加熱温度が50乃至80℃である、第1観点乃至第10観点のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第12観点として、式(7)
Aは、少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基又は式(9)
R31乃至R34は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基、スルホ基、W3で置換されていてもよいフェニル基、W3で置換されていてもよいナフチル基、W3で置換されていてもよいチエニル基又はW3で置換されていてもよいフリル基を表し、
W3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表し、
Z7乃至Z9は、それぞれ独立して、単結合、W4で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、並びに、
W4は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表す。)で表される基を表す。)
で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミド前駆体(但し、ポリヒドロキシイミド前駆体には、前記少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基を含む単位構造と、前記式(9)で表される基を含む単位構造とを含む。)に、少なくとも一種類のpKaが0乃至5であるカルボン酸である酸成分を添加し、50乃至100℃の温度に加熱することにより、式(8)
で表され、重量平均分子量が3,000乃至100,000であるポリイミドを得ることを特徴とする、ポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第13観点として、前記Aにおける少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基が、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を含む有機基である、第12観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第14観点として、前記Aにおける少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基が、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を2つ以上含む有機基である、第13観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第15観点として、前記Aにおける少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基が、下記式(3)乃至式(5)で表される構造から選ばれる少なくとも1種の構造を含む有機基である、第14観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
Wは、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表し、
Z1乃至Z6は、単結合、W1で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
W1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、
p乃至xは、1以上の整数を表し、かつ、2≧p+q≧1、2≧r+s+t≧1、2≧u+v+w+x≧1を表す。)
第16観点として、前記Z1乃至Z6が、単結合、−CH2−、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−、−C(O)NH−、−O−、−S(O)2−又は−C(O)−を表す、第15観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第17観点として、上記式(9)中、R31乃至R34がメチル基を表し、Z7が−O−を表し、Z8乃至Z9がプロピレン基を表す、第12観点乃至第16観点のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第18観点として、前記カルボン酸が式(6)で表されるカルボン酸である、第12観点乃至第17観点のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
W2は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表す。)
第19観点として、前記式(6)で表わされるカルボン酸が、炭素原子数1乃至6の脂肪族カルボン酸である、第18観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第20観点として、前記式(6)中、R28乃至R30が水素原子、またはハロゲン原子を表す、第19観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第21観点として、前記式(6)で表わされるカルボン酸が酢酸又はトリフルオロ酢酸である、第20観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第22観点として、前記酸成分を前記式(7)で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミド前駆体の質量に対して0.1乃至2倍量添加する、第12観点乃至第21観点のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第23観点として、加熱温度が50乃至80℃である、第12観点乃至第22観点のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法に関する。
第24観点として、第11観点乃至第11観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法によって得られ、イミド化率85%以上であり且つ水酸基がアセトキシ化されていないポリヒドロキシイミドに関する。
第25観点として、第12観点乃至第23観点に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法によって得られ、イミド化率85%以上であり且つ水酸基がアセトキシ化されていないポリヒドロキシイミドに関する。
第26観点として、(A)成分として、第24観点に記載のポリヒドロキシイミドと、(B)成分として、光により酸を発生する化合物とを含有し、それらが(C)溶剤に溶解したポジ型感光性樹脂組成物に関する。
第27観点として、(A)成分として、第25観点に記載のポリヒドロキシイミドと、(B)成分として、光により酸を発生する化合物とを含有し、それらが(C)溶剤に溶解したポジ型感光性樹脂組成物に関する。
第28観点として、(B)成分がナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物である、第26観点又は第27観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
第29観点として、(C)溶剤が、炭素原子を4個以上有するアルコール、又はアルキルエステルからなる群より選ばれる少なくとも1種である、第26観点乃至第28観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
第30観点として、(A)成分の100質量部に基づいて、0.01乃至100質量部の(B)成分を含有する、第26観点乃至第29観点のうち何れか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
第31観点として、(D)成分として更に架橋性化合物を、(A)成分の100質量部に基づいて5乃至100質量部を含有する、第30観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
第32観点として、第26観点乃至第31観点のうち何れか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる硬化膜に関する。
第33観点として、第32観点に記載の硬化膜を有する電子部品に関する。
第34観点として、第32観点に記載の硬化膜を有する有機EL素子に関する。
第35観点として、第26観点乃至第31観点のうち何れか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、加熱乾燥した後に、紫外線を照射して現像する、レリーフパターンの形成方法に関する。
そして上述の製造工程の簡略化及びプロセス数低減により、低コスト化等をも実現できる。
また本発明は、上記製造方法によって得られるポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性組成物及びその硬化膜、並びに該硬化膜を用いた各種材料に関する。
以下、詳細を説明する。
本発明に用いるポリヒドロキシイミド前駆体は、下記式(1)で表される繰り返し単位を含み、3,000乃至100,000の重量平均分子量を有してなる。
なお、上記ポリイミド前駆体においては、前記少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基を含む単位構造と、下記式(9)で表される基を含む単位構造のいずれをも含む。
W3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表し、Z7乃至Z9は、それぞれ独立して、単結合、W3で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表す。
そしsて、W4は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表す。
なお、本発明に用いる上記テトラカルボン酸成分及びジアミン成分は特に限定されないが、得られるポリヒドロキシイミド前駆体の有機溶媒への溶解性等の観点から、該テトラカルボン酸成分及びジアミン成分の少なくとも一方が、その少なくとも一部において、フッ素を有する有機基を持つ成分を含有することが好ましい。該テトラカルボン酸成分又はジアミン成分中のフッ素を有する有機基は、特に限定されないが、ベンゼン環に直接結合した、フルオロ基やフルオロアルキル基などが好ましい。中でも溶媒への溶解性等の観点から、トリフルオロメチル基やヘキサフルオロイソプロピリデン基を有する該テトラカルボン酸成分又はジアミン成分が好ましい。また、これらの有機基には、フッ素原子が単数結合していても複数個結合していても構わない。
本発明の製造方法に用いる式(1)で表されるポリヒドロキシイミド前駆体(ポリヒドロキシアミック酸)又は式(7)で表されるポリヒドロキシイミド前駆体(ポリヒドロキシアミック酸)を構成する単量体成分として用いられ得るテトラカルボン酸成分は、テトラカルボン酸、その酸二無水物及びそれから誘導される化合物であれば特に限定されない。これらの具体例を以下に挙げる。
また、上記テトラカルボン酸成分としては、テトラカルボン酸及びその誘導体から1種又は2種以上の化合物を組み合わせて用いることができる。
本発明の製造方法に用いる上記式(1)で表されるポリヒドロキシイミド前駆体(ポリヒドロキシアミック酸)を構成する単量体成分のジアミン成分は、少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含むジアミンである。
また、上記式(7)で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミド前駆体(ポリヒドロキシアミック酸)を構成する単量体成分のジアミン成分は、少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含むジアミンと、前記式(9)で表され基を有するジアミンである。
特に好適なものとして、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン(BAPF)、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(BAPA)、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(BAHF)、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシ−フェニルエーテル(AHPE)、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシベンゾフェノン(AHPK)、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルフィド(BSDA)、(3−アミノ−4−ヒドロキシ)フェニル(3−アミノ−4−ヒドロキシ)アニリド(AHPA)、ビス−N,N'−(p−アミノベンゾイル)−ヘキサフルオロ−2,2'−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(BABHBPA)等が挙げられる。
該シロキサン含有ジアミンとして特に好適な例は、式(10)
その他のジアミン成分としては特に限定されないが、好ましくは芳香族基を含むジアミン、特にベンゼン環を1つまたはそれ以上含むジアミンであることが望ましい。
この中でも、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)や1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(DA4P)を特に好適なものとして挙げられる。
本発明の製造方法に用いるポリヒドロキシイミド前駆体(ポリヒドロキシアミック酸)は、上記テトラカルボン酸成分とジアミン成分(少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含むジアミン、又は、少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含むジアミンと前記式(9)で表される基を含むジアミン)、さらに所望によりその他のジアミン成分を有機溶媒中で重合反応させることにより得られる。
反応温度を高温に設定すると重合反応は迅速に進行し完了するが、高すぎると高分子量のポリヒドロキシイミド前駆体が得られない場合がある。
本発明に用いる上記pKaが0乃至5のカルボン酸は、好ましくは下記下記式(6)で表されるカルボン酸であることが望ましい。
これらのカルボン酸の中でも、上記式(6)中、R28乃至R30が水素原子、またはハロゲン原子を表すカルボン酸であることが好ましく、入手の容易性から酢酸又はトリフルオロ酢酸がより好ましく、安全性の観点から最も好ましいのが酢酸である。
また本発明に用いる上記カルボン酸は、pKaが3.8乃至5であるものがより好ましい。
なお、一般的なポリイミドの製造方法において脱水縮合剤として用いられる無水酢酸等の酸無水物は、本発明における上記酸成分(カルボン酸)には該当しない。
本発明のポリヒドロキシイミドの製造方法は、詳細には、前記式(1)で表されるポリヒドロキシイミド前駆体又は式(7)で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミド前駆体を有機溶媒中において、前記酸成分を添加し、50乃至100℃の温度に加熱することにより、反応させてポリヒドロキシイミドを得るものである。
上述の温度に18時間乃至24時間加熱することにより、ポリイミド化反応を進行させる。
この際に用いる貧溶媒としては特に限定されないが、メタノール、ヘキサン、ヘプタン、エタノール、トルエン、水などが例示できる。沈殿を濾過して回収した後は、上記貧溶媒で洗浄することが好ましい。
回収したポリヒドロキシイミドは常圧あるいは減圧下で、常温あるいは加熱乾燥してポリヒドロキシイミド粉末とすることができる。
このとき用いる良溶媒としては、ポリヒドロキシイミドを溶解することができれば特に限定はされないが、その例としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ピリジン、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
また、再沈殿に用いる貧溶媒として例えばアルコール類、ケトン類、炭化水素など3種類以上の貧溶媒を用いると、より一層精製の効率が上がる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、(A)成分として、前述の製造方法により製造された式(2)で表されるポリヒドロキシイミド又は式(8)で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミドと、(B)成分として、光により酸を発生する化合物とを含有し、それらが(C)溶剤に溶解したものであり、且つ、夫々所望により(D)成分の架橋性化合物、また界面活性剤等その他添加剤を含有する組成物である。
(A)成分は、前述の製造方法により製造された式(2)で表されるポリヒドロキシイミド又は式(8)で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミドである。
(B)成分の光酸発生剤は、露光等に使用される光の照射によって直接又は関節的に酸を発生し、光照射部分のアルカリ現像液への溶解性を高める機能を有するものであれば特にその種類及び構造などは限定されない。また光酸発生剤は1種又は2種以上を組み合わせて使うこともできる。
o−キノンジアジド化合物は、通常、o−キノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ基及びアミノ基から選ばれる少なくとも一方の基を有する化合物とを、塩基性触媒の存在下で縮合反応させることにより、o−キノンジアジドスルホン酸エステルもしくはo−キノンジアジドスルホンアミドとして得られる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物に用いる(C)溶剤としては、(A)成分(式(2)で表されるポリヒドロキシイミド、又は式(8)で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミド)の溶解性が高い点、(B)成分(光酸発生剤)並びに後述する他の成分との相溶性が良好である点、及びポジ型感光性樹脂組成物において取扱いが容易となる点、さらには低公害系有機溶媒である点から、炭素原子を4個以上有するアルコール又はアルキルエステルが望ましい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、(D)成分として架橋性化合物を含有することができる。(D)成分の架橋性化合物は、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる塗膜を硬化膜に転換する工程(以下、最終硬化時という。)において、(A)成分のポリヒドロキシイミドに含有される有機基と反応し得る基を有する化合物であり、また該ポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる塗膜の現像工程において、アルカリ現像液に可溶な化合物であれば、特に限定されない。
このような架橋性化合物(D)としては、例えば、マレイミド化合物、エポキシ基を2個以上含有する化合物、或いは、アミノ基の水素原子がメチロール基、アルコキシメチル基又はその両方で置換された基を有するところのメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体又はグリコールウリル等が挙げられるが、本発明においてはマレイミド化合物を使用することが好ましい。
上述の、マレイミド部位が芳香環に直結し、隣接する芳香族炭素に水素原子が直結している構造を有するマレイミド化合物としては、下記式(11)で表される化合物を挙げることができる。
特に、前記式(12)中、hとiが1であり、R48とR50が酸素原子であり、R49がジメチルメチレン基を表すことが望ましい。
なお、上記化合物の中でも、入手が容易である点から4,4’−ジマレイミドジフェニルメタン及び2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンが望ましく、さらに感光特性の観点から、2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンであることがより好ましい。
本発明における(D)成分として用いるマレイミド化合物は、2種類以上組み合わせて使用することができる。
更に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて、界面活性剤、レオロジー調整剤、シランカップリング剤等の接着補助剤、顔料、染料、保存安定剤、消泡剤、又は多価フェノール、多価カルボン酸等の溶解促進剤等を含有することができる。
上記界面活性剤は、一種単独で、又は二種以上の組合せで使用することができる。
また界面活性剤が使用される場合、その含有量は、ポジ型感光性樹脂組成物100質量%中に通常0.2質量%以下であり、好ましくは0.1質量%以下である。界面活性剤の使用量が0.2質量%を超える量に設定されても、上記塗布性の改良効果は鈍くなり、経済的でなくなる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、(A)成分のポリヒドロキシイミド、(B)成分の光酸発生剤及び(C)溶剤を含有し、所望により(D)成分の架橋性化合物及び界面活性剤などのその他添加剤のうち一種以上を更に含有することができる組成物である。
[1]:(A)成分100質量部に基づいて、0.01乃至100質量部の(B)成分を含有し、これら成分が(C)溶剤に溶解したポジ型感光性樹脂組成物。
[2]:上記[1]の組成物に、更に(D)成分を(A)成分100質量部に基づいて5乃至100質量部含有するポジ型感光性樹脂組成物。
而して、調製されたポジ型感光性樹脂組成物の溶液は、孔径が0.2μm程度のフィルタなどを用いて濾過した後、使用することが好ましい。
一般に、スピンコート、浸漬、印刷等の公知の方法により、例えば、本発明のポジ型感光性樹脂組成物をITO基板、シリコンウェハー、ガラス板、セラミックス基板、或いは酸化膜又は窒化膜などを有する基材上に塗布し、その後、温度60℃乃至160℃、望ましくは70℃乃至130℃で予備乾燥することにより、本発明のポジ型感光性樹脂組成物からなる塗膜を形成することができる。
上記のアルカリ現像液の濃度は一般に10質量%以下であり、工業的には0.1乃至3.0質量%のアルカリ性水溶液が使用される。また、アルカリ現像液は、アルコール類又は界面活性剤などを含有することもでき、これらはそれぞれ、0.05乃至10質量%程度含有することが望ましい。
以下の実施例で用いる略記号の意味は、次のとおりである。
[溶媒]
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
HBM:2−ヒドロキシイソ酪酸メチル
GBL:γ−ブチロラクトン
[アミン類]
BAHF:2,2'−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
BABHBPA:ビス−N,N’−(p−アミノベンゾイル)−ヘキサフルオロ−2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
APDS:ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
ODA:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
[酸二無水物]
DSDA:3,3’,4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物
ODPA:3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物
CBDA:シクロブタンテトラカルボン酸無水物
[添加する酸成分]
AcOH:酢酸
TFAOH:トリフルオロ酢酸
[光酸発生剤]
P200:東洋合成工業(株)製 P−200(商品名)4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール1モルと1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロリド2モルとの縮合反応によって合成される感光剤
[架橋性化合物]
BMI−80:2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン
[界面活性剤]
メガファックR−30:大日本インキ化学工業(株)製
FTX−212D:(株)ネオス製
ポリマーの重量平均分子量(以下Mwと略す)と分子量分布は、日本分光(株)製GPC装置(Shodex(登録商標)カラムKF803L及びKF805L)を用い、溶出溶媒としてジメチルホルムアミドを流量1ml/分、カラム温度50℃の条件で測定した。なお、Mwはポリスチレン換算値とした。
イミド化率は、H−NMR(JNM−LAシリーズ、日本電子(株)製)を測定し、ポリマー骨格の芳香族のプロトン比、ポリアミック酸のNH部位のプロトン比、及び水酸基のプロトン比から算出した。なお、重溶媒にジメチルスルホキシドを用いた。また、積算回数を64回とし、イミド化率を2回測定した後、平均値として算出した。
BAHF 15.2g(0.041モル)をNMP 70gに溶解し、これにDSDA 18.8g(0.041モル)を加え、室温で24時間反応させ、ポリヒドロキシアミック酸溶液を合成した。
この溶液に酸成分としてAcOH を30g添加し、60℃で20時間加熱した。その後、反応液を50wt%メタノール水溶液200gに加え、析出した沈殿をろ過後、真空オーブン(60℃18時間)で乾燥させた。得られたポリマーの収量は、29.4g(収率98.5%)であった。
また、このときのイミド化率は92%であり、水酸基が確認された。
表1に示す酸二無水物及びアミン化合物を用いて実施例1と同様の方法でポリヒドロキシアミック酸を合成し、酸成分を添加後、表1に示す温度にて20時間加熱した後、実施例1と同様の手順でポリヒドロキシイミドを製造し、回収した。
使用した酸二無水物、アミン、溶媒、及び酸成分の種類と添加量、並びに、加熱温度、収率、分子量及びイミド化率の結果を表1に示す。
BAHF 9.31g(0.025モル)とAPDS 0.702g(0.003モル)をNMP 70gに溶解し、これにCBDA 4.98g(0.025モル)を加え、室温で24時間反応させ、ポリヒドロキシアミック酸溶液を合成した。
この溶液にAcOHを30g添加し、40℃で20時間加熱した。その後、反応液を50wt%メタノール水溶液200gに加え、析出した沈殿をろ過後、真空オーブン(60℃18時間)で乾燥させた。得られたポリマーのイミド化率を測定した結果、イミド化率は3%であった。
BAHF 14.6g(0.040モル)とAPDS 1.10g(0.004モル)をNMP70gに溶解し、これにDSDA 14.2g(0.040モル)を加え、室温で24時間反応させ、ポリヒドロキシアミック酸溶液を合成した。
この溶液にNMPを200g加え、更に無水酢酸45.2g(0.440モル)及びピリジン21.0g(0.254モル)を添加し、40℃で4時間加熱した。その後、反応液を50wt%メタノール水溶液2100gに加え、析出した沈殿をろ過後、真空オーブン(40℃18時間)で乾燥させた。得られたポリマーのイミド化率を測定した結果、イミド化率は92%であったが、水酸基は全てアセトキシ化されていた。
一方、実施例よりも低温下(40℃)の条件でイミド化を行った比較例1は、殆どイミド化せず、また、従来の無水酢酸と塩基性溶媒を用いたイミド化手法を用いた比較例2においては、イミド化率は高かったものの、水酸基がアセトキシ化するという結果となった。
上述の実施例及び比較例において得られたポリマーを用いて、表2に示す組成に従い、(A)成分(ポリマー)、(B)成分(光酸発生剤)、(C)成分(溶剤)、更には(D)成分(架橋性化合物)及びフッ素系界面活性剤を所定の割合で混合し、室温で3時間以上攪拌して均一な溶液とすることにより、各実施例及び各比較例のポジ型感光性樹組成物を調製した。
得られた実施例8乃至18並びに比較例3及び4の各ポジ型感光性樹脂組成物について、感光性特性を次の手法で評価した。得られた結果を表3に示す。
ポジ型感光性樹脂組成物を段差25mm×25mmのITO基板(山容真空工業(株)製)上にスピンコーターを用いて塗布した後、温度100℃で120秒間ホットプレート上においてプリベークを行い、塗膜を形成した。なお膜厚は接触式膜厚測定器((株)ULVAC製Dektak 3ST)を用いて測定した。
得られた塗膜に1、2、3、4、5、6、7、8、9、20、30、40、50、70、90及び100μmのライン/スペースのマスクを通してキヤノン(株)製紫外線照射装置PLA−501により、紫外光を30秒間(200mJ/cm2)照射した。露光後、23℃の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(2.38質量%)に30秒間浸漬して現像を行い、現像後の膜厚を測定した。
また、現像後の塗膜を光学顕微鏡で観察し、パターン剥離なくライン/スペースが形成された最小の線幅を解像度とした。
一方、比較例3は現像液にすべて溶解し、また比較例4はポジ型パターンを得ることができなかった。
本発明のポリヒドロキシイミドの製造方法によれば、酢酸等の弱酸の使用により、100℃以下の温度条件で、ヒドロキシ基がアセトキシ基に変換することなく、すなわち、例えば感光性樹脂として利用する際に必要な現像基(ヒドロキシ基)が失活することなく、ポリヒドロキシイミドを製造することができる。
従って本発明によって得られたポリヒドロキシイミドは、イミド系樹脂の特徴である電気絶縁性、耐熱性、機械的強度及び電気特性に優れるだけだなく、感光性樹脂組成物として重要な感度及び解像度に優れた硬化膜を製造可能である、すなわち、高解像回路パターン形成が可能である硬化膜の製造への適用が可能となる。
したがって本発明のポリヒドロキシイミドは、薄膜トランジスタ(TFT)型液晶表示素子、有機EL素子等の各種ディスプレイにおける保護膜、平坦化膜、絶縁膜等の硬化膜を形成する材料として好適であり、特に、TFT型液晶素子の層間絶縁膜、カラーフィルタ、アレイ平坦化膜、反射型ディスプレイの反射膜下側の凹凸膜、有機EL素子の絶縁膜等を形成する材料としても好適である。
さらに、上述したとおり、本発明の製造方法によれば、ポリヒドロキシアミック酸からポリヒドロキシイミドを一段階で製造することができることから、従来法と比べて製造工程の簡略化、低コスト化の実現が期待でき、優れた工業的製造方法として利用可能である。
Claims (23)
- 前記Yが、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を含む有機基である、請求項1に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記Yが、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を2つ以上含む有機基である、請求項2に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記Yが、式(3)乃至式(5)で表される構造から選ばれる少なくとも1種の構造を含む、請求項3に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
Wは、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表し、
Z1乃至Z6は、単結合、W1で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
W1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、
p乃至xは、1以上の整数を表し、かつ、2≧p+q≧1、2≧r+s+t≧1、2≧u+v+w+x≧1を表す。) - 前記Z1乃至Z6が、単結合、−CH2−、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−、−C(O)NH−、−O−、−S(O)2−又は−C(O)−を表す、請求項4に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記カルボン酸が式(6)で表わされるカルボン酸である、請求項1乃至5のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
W2は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表す。) - 前記式(6)で表わされるカルボン酸が、炭素原子数1乃至6の脂肪族カルボン酸である、請求項6に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記式(6)中、R28乃至R30が水素原子、またはハロゲン原子を表す、請求項7に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記式(6)で表わされるカルボン酸が酢酸又はトリフルオロ酢酸である、請求項8に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記酸成分を前記式(1)で表されるポリヒドロキシイミド前駆体の質量に対して0.1乃至2倍量添加する、請求項1乃至9のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 加熱温度が50乃至80℃である、請求項1乃至10のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 式(7)
Aは、少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基又は式(9)
W3は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表し、
Z7乃至Z9は、それぞれ独立して、単結合、W4で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、並びに、
W4は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表す。)で表される基を表す。)
で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミド前駆体(但し、ポリヒドロキシイミド前駆体には、前記少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基を含む単位構造と、前記式(9)で表される基を含む単位構造とを含む。)に、少なくとも一種類のpKaが0乃至5であるカルボン酸である酸成分を添加し、50乃至100℃の温度に加熱することにより、式(8)
で表され、重量平均分子量が3,000乃至100,000であるポリイミドを得ることを特徴とする、ポリヒドロキシイミドの製造方法。 - 前記Aにおける少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基が、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を含む有機基である、請求項12に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記Aにおける少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基が、少なくとも1つのOH基で置換されたベンゼン環を2つ以上含む有機基である、請求項13に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記Aにおける少なくとも1つのOH基で置換された芳香族基を含む有機基が、下記式(3)乃至式(5)で表される構造から選ばれる少なくとも1種の構造を含む有機基である、請求項14に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
Wは、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表し、
Z1乃至Z6は、単結合、W1で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
W1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、
p乃至xは、1以上の整数を表し、かつ、2≧p+q≧1、2≧r+s+t≧1、2≧u+v+w+x≧1を表す。) - 前記Z1乃至Z6が、単結合、−CH2−、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−、−C(O)NH−、−O−、−S(O)2−又は−C(O)−を表す、請求項15に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 上記式(9)中、R31乃至R34がメチル基を表し、Z7が−O−を表し、Z8乃至Z9がプロピレン基を表す、請求項12乃至16のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記カルボン酸が式(6)で表されるカルボン酸である、請求項12乃至17のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
W2は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホ基又はスルホ基を表す。) - 前記式(6)で表わされるカルボン酸が、炭素原子数1乃至6の脂肪族カルボン酸である、請求項18に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記式(6)中、R28乃至R30が水素原子、またはハロゲン原子を表す、請求項19に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記式(6)で表わされるカルボン酸が酢酸又はトリフルオロ酢酸である、請求項20に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 前記酸成分を前記式(7)で表される単位構造を有するポリヒドロキシイミド前駆体の質量に対して0.1乃至2倍量添加する、請求項12乃至21のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
- 加熱温度が50乃至80℃である、請求項12乃至22のうち何れか一項に記載のポリヒドロキシイミドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009546248A JP5549801B2 (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-12 | ポリヒドロキシイミドの製造方法並びに該製造方法より得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007323639 | 2007-12-14 | ||
JP2007323639 | 2007-12-14 | ||
JP2008254178 | 2008-09-30 | ||
JP2008254178 | 2008-09-30 | ||
PCT/JP2008/072693 WO2009078365A1 (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-12 | ポリヒドロキシイミドの製造方法並びに該製造方法より得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2009546248A JP5549801B2 (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-12 | ポリヒドロキシイミドの製造方法並びに該製造方法より得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009078365A1 JPWO2009078365A1 (ja) | 2011-04-28 |
JP5549801B2 true JP5549801B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=40795481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009546248A Active JP5549801B2 (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-12 | ポリヒドロキシイミドの製造方法並びに該製造方法より得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20100304291A1 (ja) |
JP (1) | JP5549801B2 (ja) |
KR (1) | KR101588364B1 (ja) |
TW (1) | TWI458753B (ja) |
WO (1) | WO2009078365A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100304291A1 (en) | 2007-12-14 | 2010-12-02 | Kazuya Ebara | Production method of polyhydroxyimide and positive photosensitive resin composition containing polyhydroxyimide obtained by the production method |
WO2010131442A1 (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | 株式会社カネカ | ポリアミド酸溶液の製造方法及びポリイミドフィルム |
CN102786825B (zh) * | 2011-05-19 | 2016-06-01 | 三星电子株式会社 | 有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件 |
KR101362518B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2014-02-14 | 주식회사 엘지화학 | 전자소자용 절연재 |
JP5825652B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2015-12-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 電子素子用絶縁材 |
WO2014046062A1 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
EP2902847B1 (en) * | 2012-09-25 | 2019-05-08 | Toray Industries, Inc. | Positive photosensitive resin composition, and method for producing semiconductor device containing a cured film using said composition |
TWI615422B (zh) * | 2012-09-25 | 2018-02-21 | Toray Industries | 樹脂組成物、硬化膜、積層薄膜及半導體裝置之製造方法 |
KR20190009002A (ko) * | 2012-12-20 | 2019-01-25 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 내열성 수지막의 제조 방법 및 표시 장치 |
JP2017025163A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | Jnc株式会社 | 樹脂溶液組成物およびポリイミドフィルム |
CN114058304B (zh) * | 2015-12-10 | 2024-04-05 | Ppg工业俄亥俄公司 | 胺化酰亚胺组合物 |
JP7145126B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2022-09-30 | 信越化学工業株式会社 | ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド構造を含む重合体、感光性樹脂組成物、パターン形成方法、感光性ドライフィルム及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP7154184B2 (ja) * | 2019-04-15 | 2022-10-17 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品 |
CN115960352A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-14 | 深圳市道尔顿电子材料有限公司 | 一种光敏聚酰亚胺前体树脂及其制备方法和感光树脂组合物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000505119A (ja) * | 1995-08-04 | 2000-04-25 | ナショナル エアロノーティクス アンド スペース アドミンストレーション | 突出したフェニルエチニル基を含むイミドオリゴマーとコオリゴマー、及びそれら由来のポリマー |
JP2005173027A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Kyocera Chemical Corp | ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化物 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02151629A (ja) | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 芳香族ポリイミドの製造方法 |
US5114826A (en) * | 1989-12-28 | 1992-05-19 | Ibm Corporation | Photosensitive polyimide compositions |
WO2000014604A1 (fr) * | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Toray Industries, Inc. | Composition-precurseur de resine photosensible positive et procede de fabrication correspondant |
WO2001040873A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition de resine de polyimide photosensible de type positif |
US6244764B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-06-12 | Robotic Vision Systems, Inc. | Method for data matrix print quality verification |
JP2001220443A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
JP2002212287A (ja) | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Hitachi Cable Ltd | ポリイミドの製造方法 |
KR100905682B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2009-07-03 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물 |
JPWO2004050352A1 (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-30 | 株式会社カネカ | 積層体、プリント配線板およびそれらの製造方法 |
KR100782437B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-12-05 | 제일모직주식회사 | 액정 배향제 |
JP5077526B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-11-21 | 日産化学工業株式会社 | 末端に不飽和基を有する化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物 |
JP5382346B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2014-01-08 | 日産化学工業株式会社 | 熱硬化膜形成用樹脂組成物 |
US20100304291A1 (en) | 2007-12-14 | 2010-12-02 | Kazuya Ebara | Production method of polyhydroxyimide and positive photosensitive resin composition containing polyhydroxyimide obtained by the production method |
-
2008
- 2008-12-12 US US12/747,543 patent/US20100304291A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-12 TW TW097148695A patent/TWI458753B/zh active
- 2008-12-12 KR KR1020107015430A patent/KR101588364B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-12 WO PCT/JP2008/072693 patent/WO2009078365A1/ja active Application Filing
- 2008-12-12 JP JP2009546248A patent/JP5549801B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-16 US US13/742,860 patent/US8796393B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000505119A (ja) * | 1995-08-04 | 2000-04-25 | ナショナル エアロノーティクス アンド スペース アドミンストレーション | 突出したフェニルエチニル基を含むイミドオリゴマーとコオリゴマー、及びそれら由来のポリマー |
JP2005173027A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Kyocera Chemical Corp | ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200946561A (en) | 2009-11-16 |
KR101588364B1 (ko) | 2016-01-25 |
WO2009078365A1 (ja) | 2009-06-25 |
US8796393B2 (en) | 2014-08-05 |
JPWO2009078365A1 (ja) | 2011-04-28 |
US20100304291A1 (en) | 2010-12-02 |
US20130131282A1 (en) | 2013-05-23 |
TWI458753B (zh) | 2014-11-01 |
KR20100102656A (ko) | 2010-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5549801B2 (ja) | ポリヒドロキシイミドの製造方法並びに該製造方法より得られたポリヒドロキシイミドを含有するポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5477527B2 (ja) | 末端官能基含有ポリイミドを含むポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5593548B2 (ja) | ポリイミド系重合体とこれらの共重合体、並びにこれを含むポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5796712B2 (ja) | ポリヒドロキシイミドの製造方法 | |
US20040197699A1 (en) | Positive photosensitive polyimide resin composition | |
KR20180055875A (ko) | 감광성 수지 조성물 및 경화 릴리프 패턴의 제조 방법 | |
JP5435227B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化膜並びに表示素子 | |
WO2007145249A1 (ja) | 環構造を持つ高分子化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物 | |
CN111522201B (zh) | 一种正型感光性树脂组合物及其制备的固化膜与电子元件 | |
JP5263523B2 (ja) | ポリヒドロキシウレア樹脂含有ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4525937B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5054158B2 (ja) | ポジティブ型感光性組成物 | |
JP2006070096A (ja) | イミド基含有ジアミン、該イミド基含有ポリイミド前駆体、該前駆体を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型パターンの製造方法及び電子部品 | |
JP2008280261A (ja) | ヒドロキシアミド基を有するポリイミド、その前駆体、これらを用いた感光性樹脂組成物、およびこれらの硬化物 | |
JP4450136B2 (ja) | ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 | |
WO2023080007A1 (ja) | ポリイミドの製造方法、ポリイミド、ポリイミド樹脂組成物およびその硬化物 | |
CN112876679A (zh) | 一种正型感光性聚酰胺类化合物及其应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140506 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5549801 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |