JP2004281371A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. ａ）アノード；
   ｂ）カソード；
   ｃ）該アノードと該カソードとの間に配置された複数の有機電場発光ユニットであって、少なくとも正孔輸送層及び電子輸送層を含むもの；並びに
   ｄ）各隣接有機電場発光ユニット間に配置された連結ユニットであって、順に、ｎ型ドープト有機層、界面層及びｐ型ドープト有機層を含み、該界面層が該ｎ型ドープト有機層と該ｐ型ドープト有機層との間における拡散又は反応を防止するもの
   を含んで成るカスケード式有機電場発光デバイス。
2. 該界面層がスペクトルの可視領域において９０％以上の光透過率を有する、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
3. 該界面層が、電子エネルギーバンドギャップが４．０ｅＶ未満である少なくとも１種の材料を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
4. 該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的酸化物又は非化学量論的酸化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
5. 該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的硫化物又は非化学量論的硫化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
6. 該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的セレン化物又は非化学量論的セレン化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
7. 該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的窒化物又は非化学量論的窒化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
8. 該界面層が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、カドミウム、ガリウム、タリウム、珪素、ゲルマニウム、鉛又はアンチモンの化学量論的炭化物又は非化学量論的炭化物、又はこれらの組合せ、を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
9. 該界面層が少なくとも１種の金属材料を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
10. 該界面層が、仕事関数が４．０ｅＶより高い少なくとも１種の金属材料を含む、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
11. 該界面層の厚さが０．１nm〜１０nmの範囲内にある、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
12. 該界面層の厚さが０．１nm〜５nmの範囲内にある、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
13. 該界面層が熱蒸発法で調製されたものである、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
14. 該界面層が電子ビーム蒸発法で調製されたものである、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。
15. 該界面層がイオンスパッタ法で調製されたものである、請求項１に記載のカスケード式有機電場発光デバイス。