JPS63245964A - 集積型太陽電池 - Google Patents
集積型太陽電池Info
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- JPS63245964A JPS63245964A JP62080363A JP8036387A JPS63245964A JP S63245964 A JPS63245964 A JP S63245964A JP 62080363 A JP62080363 A JP 62080363A JP 8036387 A JP8036387 A JP 8036387A JP S63245964 A JPS63245964 A JP S63245964A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 74
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 74
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Power Engineering (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に小面積の太陽電池セルを多数作成し
て、これらを直列または直並列に接続した集積型太陽電
池に関するものでる。
て、これらを直列または直並列に接続した集積型太陽電
池に関するものでる。
従来、基板上に小面積の太陽電池セルを多数作成し、こ
れらを直列または直並列に接続した集積型太陽電池にあ
っては、太陽電池セルの受光面側にインジウム−スズ酸
化物(以下これをITOと称す)または酸化スズ(以下
これをSnO2と称す)等からなる透明電極を形成し、
太陽電池セルの受光面に背設する面にアルミニウム、銀
等からなる金属電極を形成して、1つの太陽電池セルの
透明電極と他の太陽電池セルの金属電極とを接触させる
ことによって、直列接続を構成して、集積型太陽電池を
形成していた。
れらを直列または直並列に接続した集積型太陽電池にあ
っては、太陽電池セルの受光面側にインジウム−スズ酸
化物(以下これをITOと称す)または酸化スズ(以下
これをSnO2と称す)等からなる透明電極を形成し、
太陽電池セルの受光面に背設する面にアルミニウム、銀
等からなる金属電極を形成して、1つの太陽電池セルの
透明電極と他の太陽電池セルの金属電極とを接触させる
ことによって、直列接続を構成して、集積型太陽電池を
形成していた。
このようにした集積型太陽電池にあっては、■T O%
S n 02等の透明電極は酸化物である為に、熱が
加わったり、また長期間放置しておくだけでも、金属電
極と透明電極の接触部を介して、透明電極の成分が金属
電極を酸化させ、この接触部の接触抵抗が増大すること
になる。
S n 02等の透明電極は酸化物である為に、熱が
加わったり、また長期間放置しておくだけでも、金属電
極と透明電極の接触部を介して、透明電極の成分が金属
電極を酸化させ、この接触部の接触抵抗が増大すること
になる。
これから、太陽電池の直列抵抗成分が増加することにな
り、太陽電池の出力は低下するという問題点がある。
り、太陽電池の出力は低下するという問題点がある。
本発明は、上記問題点に鑑みて、受光面側には透明電極
を有し、受光面に背設する面には金属電極を有する太陽
電池セルを、基板上に複数個配し、前記透明電極及び金
属電極を利用して、前記複数個の太陽電池セルが、直列
または直並列に接続されてなり、少なくとも前記透明電
極と前記金属電極との直列接続部分に導電性の酸化防止
膜を形成されてなる集積型太陽電池を構成するものであ
る。
を有し、受光面に背設する面には金属電極を有する太陽
電池セルを、基板上に複数個配し、前記透明電極及び金
属電極を利用して、前記複数個の太陽電池セルが、直列
または直並列に接続されてなり、少なくとも前記透明電
極と前記金属電極との直列接続部分に導電性の酸化防止
膜を形成されてなる集積型太陽電池を構成するものであ
る。
本発明に係る集積型太陽電池は、上述のような構成から
なり、金属電極と透明電極との間に形成した酸化防止膜
が、金属電極の酸化を防止して、太陽電池の出力の低下
を防ぐものである。
なり、金属電極と透明電極との間に形成した酸化防止膜
が、金属電極の酸化を防止して、太陽電池の出力の低下
を防ぐものである。
本発明の詳細を図示した実施例に基づいて説明する。
第1図は、本発明に係る集積型太陽電池の実施例の断面
図である。
図である。
図中1は、当該太陽電池の受光面側に設けられるガラス
基板である。
基板である。
2は、ガラス基板1上に形成された、ITOまたはSn
O2または酸化亜鉛等の透明導電膜でなる透明電極であ
り、小面積の太陽電池セルに対応すべく、エツチングま
たはレーザービーム等によって分離されたものである。
O2または酸化亜鉛等の透明導電膜でなる透明電極であ
り、小面積の太陽電池セルに対応すべく、エツチングま
たはレーザービーム等によって分離されたものである。
3は、グロー放電分解法等で積層されたアモルファスシ
リコン系半導体層でなる太陽電池セルであり、該太陽電
池セル3も、透明電極2と同様に、小面積のセル毎にレ
ーザービーム等により分離されるものである。
リコン系半導体層でなる太陽電池セルであり、該太陽電
池セル3も、透明電極2と同様に、小面積のセル毎にレ
ーザービーム等により分離されるものである。
この上に裏面電極として、アルミニウム等の金属を電子
ビーム蒸着等によって、金属電極4を形成し、更に化学
エツチング等により、金属電極4を各セル毎に分離する
ものである。
ビーム蒸着等によって、金属電極4を形成し、更に化学
エツチング等により、金属電極4を各セル毎に分離する
ものである。
図例のものは、隣り合うセルを直列に接続してなるもの
であるが、パターンを適宜選択して、並列接続を組合わ
せることも可能である。
であるが、パターンを適宜選択して、並列接続を組合わ
せることも可能である。
゛ここで、金属電極4を形成する前に、透明電極2のレ
ーザービーム等によって露出せしめた部分に、メタルマ
スク等を用いて、酸化防止膜5として、金属膜もしくは
金属シリサイド層を電子ビーム蒸着等によって形成する
ものである。
ーザービーム等によって露出せしめた部分に、メタルマ
スク等を用いて、酸化防止膜5として、金属膜もしくは
金属シリサイド層を電子ビーム蒸着等によって形成する
ものである。
この酸化防止膜5に用いられる金属としては、MO%
N15Crs W、 Pds PtSMn5 Feのう
ちから選択するものとし、この膜厚は10〜200人の
範囲とする。
N15Crs W、 Pds PtSMn5 Feのう
ちから選択するものとし、この膜厚は10〜200人の
範囲とする。
ここで、太陽電池セル3としては、各種のものが利用可
能であるが、ここでは、第2図に説明用5断面図を示す
ように、受光面側から、p型アモルファスシリコンカー
バイド3a、 i型アモルファスシリコン3bSn型
アモルファスシリコン3cの順に積層させたPIN接合
型のアモルファスシリコン太陽電池を利用している。
能であるが、ここでは、第2図に説明用5断面図を示す
ように、受光面側から、p型アモルファスシリコンカー
バイド3a、 i型アモルファスシリコン3bSn型
アモルファスシリコン3cの順に積層させたPIN接合
型のアモルファスシリコン太陽電池を利用している。
本発明に係る集積型太陽電池の第1実施例は、上述のよ
うにしてなり、直列接続である太陽電池セル3の透明電
極2と金属電極4との接触部分に金属膜または金属シリ
サイド層でなる酸化防止膜5を設けている為に、ITO
または5n02または酸化亜鉛等の透明導電膜からなる
透明電極2が、アルミニウム等からなる金属電極4を、
その接触部4Bより酸化させることを防止し、このこと
から、太陽電池の特性を低下させることなく、長期間出
力を維持することが可能となるものである。
うにしてなり、直列接続である太陽電池セル3の透明電
極2と金属電極4との接触部分に金属膜または金属シリ
サイド層でなる酸化防止膜5を設けている為に、ITO
または5n02または酸化亜鉛等の透明導電膜からなる
透明電極2が、アルミニウム等からなる金属電極4を、
その接触部4Bより酸化させることを防止し、このこと
から、太陽電池の特性を低下させることなく、長期間出
力を維持することが可能となるものである。
また、アモルファスシリコン系の太陽電池を用いている
為に、コストを抑えることも可能であり、特に受光面側
のp型層にアモルファスシリコンカーバイドを利用して
いる為に、エネルギー変換効率を高めることを可能にす
るものである。
為に、コストを抑えることも可能であり、特に受光面側
のp型層にアモルファスシリコンカーバイドを利用して
いる為に、エネルギー変換効率を高めることを可能にす
るものである。
第3図は、本発明に係る集積型太陽電池の第2実施例の
断面図である。
断面図である。
この第2実施例では、第1実施例と同様に、ガラス基板
1上に、透明電極2、太陽電池セル3を積層し、レーザ
ービーム等によって、透明電極2の一部を露出させる。
1上に、透明電極2、太陽電池セル3を積層し、レーザ
ービーム等によって、透明電極2の一部を露出させる。
その後、受光面に対設する面全体に、MOlNi、Cr
5WSPds Pts Mn5Fe等の金属膜もしくは
、N0%Ni、 Cr、 W、、Pd、、 Pt、 M
n、Fe等の金属シリサイド層を蒸着する等して、酸化
防止膜5を形成する。
5WSPds Pts Mn5Fe等の金属膜もしくは
、N0%Ni、 Cr、 W、、Pd、、 Pt、 M
n、Fe等の金属シリサイド層を蒸着する等して、酸化
防止膜5を形成する。
更に、アルミニウム等の金属でなる金属電極4を形成し
、この金属電極4及び酸化防止膜5の一部を化学エツチ
ング等により分離する。
、この金属電極4及び酸化防止膜5の一部を化学エツチ
ング等により分離する。
酸化防止膜5は、透明電極2と金属電極4の接触部分4
aにあっては、透明電極2が金属電極4を酸化すること
を防止するが、太陽電池セル3と金属電極4の接触部4
bにあっては、金属拡散防止膜6として作用するもので
ある。
aにあっては、透明電極2が金属電極4を酸化すること
を防止するが、太陽電池セル3と金属電極4の接触部4
bにあっては、金属拡散防止膜6として作用するもので
ある。
即ち、アモルファスシリコン系の太陽電池であることか
ら、熱によって、裏面に取付けた金属電極4の金属成分
が、n型アモルファスシリ37層3cに拡散して、太陽
電池としての性能を劣化させるが、この金属拡散防止膜
6を形成することによって、当該太陽電池が高温になっ
ても、金属電極4の金属成分が、半導体層に拡散するこ
とを防止できるものである。
ら、熱によって、裏面に取付けた金属電極4の金属成分
が、n型アモルファスシリ37層3cに拡散して、太陽
電池としての性能を劣化させるが、この金属拡散防止膜
6を形成することによって、当該太陽電池が高温になっ
ても、金属電極4の金属成分が、半導体層に拡散するこ
とを防止できるものである。
特に、金属成分としてN0% N1% Cr等を利用し
たシリサイド層を形成した時、効果的に金属拡散を防止
することができるものである。
たシリサイド層を形成した時、効果的に金属拡散を防止
することができるものである。
本発明に係る集積型太陽電池の第2実施例は、以上のよ
うにしてなるものであり、第1実施例と同様に、透明電
極2と金属電極4の直列接続部分において、酸化防止膜
5を介して接触している為に、透明電極2が金属電極4
の成分を酸化することを防止し、太陽電池の出力低下を
防ぐとともに、酸化防止膜5の形成において、マスクを
必要としない為、製造工程が簡単になるものである。
うにしてなるものであり、第1実施例と同様に、透明電
極2と金属電極4の直列接続部分において、酸化防止膜
5を介して接触している為に、透明電極2が金属電極4
の成分を酸化することを防止し、太陽電池の出力低下を
防ぐとともに、酸化防止膜5の形成において、マスクを
必要としない為、製造工程が簡単になるものである。
また、金属電極4の金属成分が、熱によって、半導体層
に拡散することを、金属拡散防止膜6によって防止して
いる為に、熱による劣化を防ぎ、寿命の長い太陽電池を
得ることを可能にするものである。
に拡散することを、金属拡散防止膜6によって防止して
いる為に、熱による劣化を防ぎ、寿命の長い太陽電池を
得ることを可能にするものである。
第4図は、本発明に係る集積型太陽電池の第3実施例の
断面図である。
断面図である。
この第3実施例では、第1実施例と同様に、ガラス基板
1上に、透明電極2、太陽電池セル3を積層し、レーザ
ービーム等によって、透明電極2の一部を露出させる。
1上に、透明電極2、太陽電池セル3を積層し、レーザ
ービーム等によって、透明電極2の一部を露出させる。
この後、グロー放電装置を用いて水素プラズマを発生さ
せ、透明電極2の露出した部分を還元して還元N7とし
、次いで、第1実施例と同様に酸化防止膜5及び金属電
極4を形成するものである。
せ、透明電極2の露出した部分を還元して還元N7とし
、次いで、第1実施例と同様に酸化防止膜5及び金属電
極4を形成するものである。
ここで、還元層7と金属電極4の間に形成する酸化防止
膜5は、第1実施例と同様にN0% Ni、、 Cr5
W% Pd、 Pts Mn5Fe等の金属膜またはN
0% N1% Cr、W% Pd5Pts Mn5Pe
等のシリサイド層を利用するものである。
膜5は、第1実施例と同様にN0% Ni、、 Cr5
W% Pd、 Pts Mn5Fe等の金属膜またはN
0% N1% Cr、W% Pd5Pts Mn5Pe
等のシリサイド層を利用するものである。
この場合、金属膜または金属のシリサイド層を形成せず
に、還元層7と金属電極4を直接接触させることもでき
る。。
に、還元層7と金属電極4を直接接触させることもでき
る。。
本発明に係る集積型太陽電池の第3実施例は、以上のよ
うにしてなり、透明電極2と金属電極4の接触部分4a
において、透明電極2を還元して、金属成分の比率を高
めた還元層7及び酸化防止膜5を形成することによって
、酸化防止の効果を更に高めることにより、太陽電池の
出力の低下を防ぐことができるものである。
うにしてなり、透明電極2と金属電極4の接触部分4a
において、透明電極2を還元して、金属成分の比率を高
めた還元層7及び酸化防止膜5を形成することによって
、酸化防止の効果を更に高めることにより、太陽電池の
出力の低下を防ぐことができるものである。
次に本発明に係る集積型太陽電池を実際に製作して、特
性を測定した実験例を示す。
性を測定した実験例を示す。
実験例1
厚さ1.1鶴の青板ガラス上に9000人のSnO2の
透明電極を設け、この透明電極をレーザ・ビームによっ
て分離した。
透明電極を設け、この透明電極をレーザ・ビームによっ
て分離した。
その後、グロー放電分解法によって、基板温度200℃
、圧力1.Q Torrにて、p型アモルファスカーバ
イド、i型アモルファスシリコン、n型m結晶シリコン
の構成で、それぞれの厚さが、150人、6000人、
300人のシリコン半導体層を形成した。
、圧力1.Q Torrにて、p型アモルファスカーバ
イド、i型アモルファスシリコン、n型m結晶シリコン
の構成で、それぞれの厚さが、150人、6000人、
300人のシリコン半導体層を形成した。
更に、レーザ・ビームを用いて、半導体層の一部を除去
し、透明電極の一部を露出させ、この露出した透明電極
の部分に、電子ビーム蒸着により、Moによる酸化防止
膜を60人の厚さで形成し、この上にアルミニウムを5
000人の厚さで形成して、次いで、化学エツチングに
よってパターン化し、金属電極を形成した。
し、透明電極の一部を露出させ、この露出した透明電極
の部分に、電子ビーム蒸着により、Moによる酸化防止
膜を60人の厚さで形成し、この上にアルミニウムを5
000人の厚さで形成して、次いで、化学エツチングに
よってパターン化し、金属電極を形成した。
得られた太陽電池の初期特性、80℃で200時間加熱
した後の特性、及び3力月間室温で放置した後の特性を
、AM−1,100mW/cJのソーラーシミュレータ
ーを用いて測定し、その結果を第1表に示す。
した後の特性、及び3力月間室温で放置した後の特性を
、AM−1,100mW/cJのソーラーシミュレータ
ーを用いて測定し、その結果を第1表に示す。
実験例2
酸化防止膜として、Moの金属膜の代わりに、クロムシ
リサイドのターゲットを用いた電子ビーム蒸着により、
クロムシリサイド層を形成した他は、実験例1と同様に
して太陽電池を作成した。
リサイドのターゲットを用いた電子ビーム蒸着により、
クロムシリサイド層を形成した他は、実験例1と同様に
して太陽電池を作成した。
この時のクロムシリサイド層の膜厚は、40〜50人の
範囲にあった。
範囲にあった。
得られた太陽電池の特性を実験例1と同様にして、測定
した結果を第1表に示す。
した結果を第1表に示す。
実験例3
透明電極の一部を露出せしめた後、グロー放電装置を用
いて、水素プラズマを発生させ、露出した透明電極の表
面を還元させて、その後、実験例1と同様にMoを60
人の厚さで酸化防止膜として形成し、実験例1と同様に
アルミニウムによる金属電極を形成した。
いて、水素プラズマを発生させ、露出した透明電極の表
面を還元させて、その後、実験例1と同様にMoを60
人の厚さで酸化防止膜として形成し、実験例1と同様に
アルミニウムによる金属電極を形成した。
得られた太陽電池の特性は、第1表に示す通りである。
比較例1
電子ビーム蒸着によるMoの酸化防止膜を形成しなかっ
た他は、実験例1と同様にして、太陽電池を作成し、そ
の特性を測定した結果を第1表に示す。
た他は、実験例1と同様にして、太陽電池を作成し、そ
の特性を測定した結果を第1表に示す。
この第1表から明らかなように、本発明に係る実験例1
、実験例2、実験例3は、80℃で200時間加熱した
後においても、また3力月間室温で放置した後において
も、太陽電池の電流−電圧特性の短絡電流密度(JSC
)、曲線因子であるFF(フィルファクター)の値、及
びエネルギー変換効率ηの値がほとんど変化せず、加熱
や放置によって、金属電極の金属成分が透明電極によっ
て酸化されることなく、太陽電池の特性の低下を防止で
きることが理解されるものである。
、実験例2、実験例3は、80℃で200時間加熱した
後においても、また3力月間室温で放置した後において
も、太陽電池の電流−電圧特性の短絡電流密度(JSC
)、曲線因子であるFF(フィルファクター)の値、及
びエネルギー変換効率ηの値がほとんど変化せず、加熱
や放置によって、金属電極の金属成分が透明電極によっ
て酸化されることなく、太陽電池の特性の低下を防止で
きることが理解されるものである。
本発明に係る集積型太陽電池は、以上のような構成から
なり、太陽電池セルの受光面側に設けた透明電極と、受
光面に置設する面に設けた金属電極の直列接続部分にあ
って、その接触部分に酸化防止膜を設けている為に、透
明電極によって金属電極が酸化されることを防止し、こ
のことによって、接触抵抗の増大を防ぎ、太陽電池の出
力低下を防止することができるもので、即ち太陽電池の
寿命を長くして、設定範囲内での出力を長期間保持させ
ることが可能になるものである。
なり、太陽電池セルの受光面側に設けた透明電極と、受
光面に置設する面に設けた金属電極の直列接続部分にあ
って、その接触部分に酸化防止膜を設けている為に、透
明電極によって金属電極が酸化されることを防止し、こ
のことによって、接触抵抗の増大を防ぎ、太陽電池の出
力低下を防止することができるもので、即ち太陽電池の
寿命を長くして、設定範囲内での出力を長期間保持させ
ることが可能になるものである。
第1図は本発明に係る集積型太陽電池の第1実施例の断
面図、第2図は本発明に係る集積型太陽電池に用いられ
るアモルファスシリコン太陽電池の説明用断面図、第3
図は本発明に係る集積型太陽電池の第2実施例の断面図
、第4図は本発明に係る集積型太陽電池の第3実施例の
断面図である。 1;ガラス基板、 2:透明電極、3:太陽電池セ
ル、 4:金属電極、5二酸化防止膜、 6:金
属拡散防止膜、7:還元層。 特 許 出 願 人 sil淵化学工業株式会社第3
図 第4図 第1図 第2図
面図、第2図は本発明に係る集積型太陽電池に用いられ
るアモルファスシリコン太陽電池の説明用断面図、第3
図は本発明に係る集積型太陽電池の第2実施例の断面図
、第4図は本発明に係る集積型太陽電池の第3実施例の
断面図である。 1;ガラス基板、 2:透明電極、3:太陽電池セ
ル、 4:金属電極、5二酸化防止膜、 6:金
属拡散防止膜、7:還元層。 特 許 出 願 人 sil淵化学工業株式会社第3
図 第4図 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)受光面側には透明電極を有し、受光面に背設する面
には金属電極を有するアモルファスシリコン系の太陽電
池セルを、基板上に複数個配し、前記透明電極及び金属
電極を利用して、前記複数個の太陽電池セルが、直列ま
たは直並列に接続されてなり、少なくとも前記透明電極
と前記金属電極との直列接続部分に導電性の酸化防止膜
を形成されてなる集積型太陽電池。 2)太陽電池セルとして、PIN接合のアモルファスシ
リコン太陽電池を利用してなる特許請求の範囲第1項記
載の集積型太陽電池。 3)太陽電池セルとして、少なくとも受光面側がアモル
ファスシリコンカーバイドでなる太陽電池を利用した特
許請求の範囲第1項または第2項記載の集積型太陽電池
。 4)透明電極として、インジウム−スズ酸化物または酸
化スズまたは酸化亜鉛を利用してなる特許請求の範囲第
1項〜第3項記載の集積型太陽電池。 5)酸化防止膜として、金属膜または金属シリサイド層
を利用してなる特許請求の範囲第1項〜第4項記載の集
積型太陽電池。 6)酸化防止膜として、モリブデン、ニッケル、クロム
、タングステン、パラジウム、白金、マンガン、鉄のう
ちから選んだ金属成分を利用してなる特許請求の範囲第
1項〜第5項記載の集積型太陽電池。 7)酸化防止膜を10〜200Åの厚さで形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項〜第6項記載の集積
型太陽電池。 8)酸化防止膜を、太陽電池セルと金属電極との間に延
設して、金属拡散防止膜としたことを特徴とする特許請
求の範囲第1項〜第7項記載の集積型太陽電池。 9)酸化防止膜として、透明電極の金属電極との接続部
分を還元したものを利用してなる特許請求の範囲第1項
〜第8項記載の集積型太陽電池。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62080363A JPS63245964A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 集積型太陽電池 |
DE3851402T DE3851402T2 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Integrierte sonnenzelle und herstellungsverfahren. |
EP88902934A EP0311690B1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Integrated solar battery and method of producing the same |
PCT/JP1988/000319 WO1988007768A1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Integrated solar battery and method of producing the same |
US07/286,180 US4956023A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Integrated solar cell device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62080363A JPS63245964A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 集積型太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63245964A true JPS63245964A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13716175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62080363A Pending JPS63245964A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 集積型太陽電池 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4956023A (ja) |
EP (1) | EP0311690B1 (ja) |
JP (1) | JPS63245964A (ja) |
DE (1) | DE3851402T2 (ja) |
WO (1) | WO1988007768A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016092278A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
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GB2416621A (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Laminated interconnects for opto-electronic device modules |
KR101476120B1 (ko) * | 2008-06-12 | 2014-12-26 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
JP5485060B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2014-05-07 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
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US11631777B2 (en) * | 2019-03-11 | 2023-04-18 | Swift Solar Inc. | Integration of bypass diodes within thin film photovoltaic module interconnects |
US12094663B2 (en) | 2021-09-30 | 2024-09-17 | Swift Solar Inc. | Bypass diode interconnect for thin film solar modules |
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-
1987
- 1987-03-31 JP JP62080363A patent/JPS63245964A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-30 EP EP88902934A patent/EP0311690B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-30 US US07/286,180 patent/US4956023A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-30 WO PCT/JP1988/000319 patent/WO1988007768A1/ja active IP Right Grant
- 1988-03-30 DE DE3851402T patent/DE3851402T2/de not_active Expired - Lifetime
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---|---|
EP0311690A1 (en) | 1989-04-19 |
US4956023A (en) | 1990-09-11 |
DE3851402T2 (de) | 1995-01-19 |
EP0311690A4 (en) | 1990-06-26 |
WO1988007768A1 (en) | 1988-10-06 |
EP0311690B1 (en) | 1994-09-07 |
DE3851402D1 (de) | 1994-10-13 |
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