JP5336086B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
a)半導体デバイスの「フロント面」と呼ぶ、少なくとも1つの面上にいわゆる「低温」シルクスクリーン印刷ペーストを用いて集電極フィンガ部の1組をメタライズする段階、
b)プレスを用いてこれら集電極フィンガ部上でプレス操作を実施することによって、メタライズされた集電極フィンガ部の1組を形成するシルクスクリーン印刷ペーストを、半導体デバイスを損傷することになる温度未満の温度で焼結する段階、
c)いわゆる「低温」シルクスクリーン印刷ペーストを用いてメタライズされた集電極フィンガ部の1組の上に集電極フィンガ部を互いに電気的に接続する少なくとも1つの集電極バス部をメタライズする段階。
2 第2面
3 第1面
4 非晶質半導体層
5 第2導電型非晶質半導体層
6 透明導電性酸化物層
7 メタライゼーション
8.1 集電極フィンガ部
8.i-1 集電極フィンガ部
8.i 集電極フィンガ部
8.i+1 集電極フィンガ部
8.i+2 集電極フィンガ部
8.n 集電極フィンガ部
10 プレス
11 支持具
13 ダンパ
14 プレート
15a 保護手段
15b 保護手段
16a 集電極バス部
16b 集電極バス部
17 フロント面
20 太陽電池モジュール
21a 太陽電池
21b 太陽電池
21c 太陽電池
21d 太陽電池
21e 太陽電池
21f 太陽電池
22 モジュール電極
100 半導体デバイス
Claims (17)
- 半導体デバイス(100)の製造方法であって、以下の順に実施する、
a)前記半導体デバイス(100)の「フロント面」と呼ばれる、少なくとも1つの面(17)上にシルクスクリーン印刷ペーストを用いて集電極フィンガ部(8.1から8.n)の1組をシルクスクリーン印刷法によって形成する段階と、
b)プレス(10)を用いてこれらの前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)上でプレス操作を実施することによって、前記集電極フィンガ部の1組を形成する前記シルクスクリーン印刷ペーストを、前記半導体デバイス(100)を損傷することになる温度未満の温度で焼結する段階と、
c)シルクスクリーン印刷ペーストを用いて前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)の1組の上に前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)を互いに電気的に接続する少なくとも1つの集電極バス部(16a、16b)をシルクスクリーン印刷法によって形成する段階と、
d)前記シルクスクリーン印刷ペーストの金属を半導体に浸透させる温度で、前記シルクスクリーン印刷ペーストを熱処理する段階と、
を含み、
前記焼結する段階が室温と400℃の間の温度で実施され、
前記焼結する段階が10 6 Paと2×10 8 Paの間の圧力レベルで実施され、
前記熱処理する段階が400℃未満の温度で実施されることを特徴とする方法。 - 前記半導体デバイス(100)がヘテロ接合を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 段階c)の後に、前記集電極バス部(16a、16b)を形成する前記シルクスクリーン印刷ペーストを、前記プレス(10)によって実施された前記集電極バス部(16a、16b)上のプレス操作により、前記半導体デバイス(100)を損傷することになる温度未満の温度で焼結することからなる段階を含むことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の方法。
- 前記フロント面(17)と反対側の前記半導体デバイス(100)の表面(2)に配置された金属部(7)を、前記プレス(10)によって実施された前記金属部(7)上のプレス操作によって、前記半導体デバイス(100)を損傷することになる温度未満の温度で焼結することからなる段階を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プレス(10)が水圧または空気圧プレスであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記プレス段階の間に、前記半導体デバイス(100)が前記プレス(10)と支持具(11)の間に置かれること、および前記半導体デバイス(100)を保護する手段(15a、15b)が前記半導体デバイス(100)と前記プレス(10)の間、および前記半導体デバイス(100)と前記支持具(11)の間に挿入されることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護手段(15a、15b)が、ポリエチレンテレフタラートフィルムであることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 均一にプレスするための手段(13、14)が、前記半導体デバイス(100)と前記プレス(10)の間に挿入されることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記均一にプレスする手段(13、14)が、ゴムまたはプラスチック材料製ダンパ(13)、およびシリコン製プレート(14)であることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)が互いに平行になるように配置されることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)が互いに規則的に間隔を空けて配置されることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記集電極バス部(16a、16b)が前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)の1組に対し実質的に垂直になるように配置されることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)と前記集電極バス部(16a、16b)がアルミニウムベース材料または銀などの貴金属を用いて形成されることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記集電極フィンガ部(8.1から8.n)が100μmの幅と20μmから40μmの間の厚さを有することを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記集電極バス部(16a、16b)が1.5mmの最小幅と50μmの厚さを有することを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記半導体デバイス(100)が太陽電池であることを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 直列および/または並列に接続された請求項1から13のいずれか一項に記載の方法により製造される複数の太陽電池(21aから21f)を備えることを特徴とする太陽電池(21aから21f)のモジュール(20)の製造方法。
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