JP2014504026A - 太陽電池用非接触バスバー及び非接触バスバーを製造する方法 - Google Patents
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 3
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本発明は、非接触バスバーを有する太陽電池モジュール、及び非接触バスバーを製造する方法に関する。フィンガーは、ペーストを用いて基板でスクリーン印刷される。バスバーは、基板のパッシベーション層を通して溶解しない多くの技術を用いてフィンガーの上で形成され得る。バスバーは、第1のペーストよりも高い粘度及び/又は導電率を有する第2のペーストを用いて、フィンガーの上でスクリーン印刷され得る。バスバーは、フィンガーの上に蒸着された導電トレースであってもよい。バスバーは、フィンガーに配置されるはんだ又はペーストによってコーティングされた金属線であってもよい。金属めっき技術は、また、フィンガー及び/又はバスバーを厚くするために用いられてもよい。1つ以上のドーピングステップは、フィンガー及びバスバーの下に選択エミッタを形成するために用いられてもよい。
【選択図】図3
【選択図】図3
Description
関連出願
本出願は、2011年1月13日に提出された、タイトル「非接触バスバー」の米国仮出願番号第61/432,521の優先権の利益を主張し、その開示された内容の全体をここに参照により組み込むものとする。
本発明は、太陽電池を製造するための方法の技術に関し、特に太陽電池用非接触バスバー及び非接触バスバーを製造する方法に関する。
本出願は、2011年1月13日に提出された、タイトル「非接触バスバー」の米国仮出願番号第61/432,521の優先権の利益を主張し、その開示された内容の全体をここに参照により組み込むものとする。
本発明は、太陽電池を製造するための方法の技術に関し、特に太陽電池用非接触バスバー及び非接触バスバーを製造する方法に関する。
光起電力(PV)電池として知られる太陽電池は、太陽放射を電気エネルギーに変換する。太陽電池は、一般的に、例えばさまざまな材料及び層の蒸着、ドーピング及びエッチングを含む半導体加工技術を用いて製造される。典型的な太陽電池は、ウェハ又は基板におけるpn接合を形成するためにドープされた半導体ウェハ又は基板上に製造される。基板の表面に向けられる太陽放射(例えば、光子)は、基板における電子正孔対を破壊し、電子がnドープ領域からpドープ領域へ移動する(すなわち、電流が生成される)ことを引き起こす。これにより、基板の互いに対向する2つの表面間で電圧差が生じる。電気回路に接続されたメタルコンタクトは、基板で生成された電気エネルギーを集める。
シリコン太陽電池(PVセル)は、従来の半導体加工技術に類似している方法を用いて製造される。しかし、ウェハと比べたときのPVセルの値における差は桁違いである。PV産業は、低資金及び低ランニングコストでハイスループットが得られることを必要とする。また、PVセル用基板は、一般的に、非常に薄く(例えば、<200μmの厚さ)かつもろいである。
現在、ほとんどのシリコン太陽電池は、スクリーン印刷技術によって銀ペーストを前面にスクリーン印刷して製造された。この金属は、その後、短いサーマルランプ(thermal ramp)によってフロント窒化シリコンを通して約800℃まで蒸着/溶解される。この熱サイクルの間に、ペーストにおけるガラスフリットは、窒化シリコンを溶解し、冷却すると銀を沈殿させ、また、下部のシリコンに接触する微結晶を形成する。このフロント接点の標準パターンは、100μm以下幅の一連の平行細線(フィンガー)、及びフィンガーに垂直する約2mm幅の2〜3本のバスバーである。歴史的に、これは、単一のパターンでフィンガー及びバスバーを同時にスクリーン印刷する手段である。
この金属のすべてが正面側にあるので、シャドウイングは問題になっている。したがって、これらのメタルコンタクトの幅を狭めるための努力がなされている。フィンガー幅は、60μm〜70μmに近づくことを目標とする。バスバー幅は、同様に狭くなってきている。残念ながら、導電率は幅の減少とともに減少する。業界では、何か顕著な高さでこのような微細な幅をスクリーン印刷するのに問題がある。Agペーストをマスクの微細なフィーチャから確実に押し出すために低粘度ペーストが必要であるが、残念しながら、結果としてペーストの高さ又はアスペクト比が低下する。
本発明の後述する要旨は、本発明のある態様及び特徴について基礎的な理解を提供するために含まれているものである。本要旨は、本発明の広範囲の概観ではなく、そうであるとして、本発明の鍵や重要な要素を特別に特定したりする意図でも、本発明の範囲を説明する意図でもない。その唯一の目的は、後述で提示されるより詳細な説明に対する前置として、単純化された形態における本発明のある概念を提示することである。
本発明の一態様によると、基板と、パッシベーション層と、パッシベーション層の上に複数のフィンガーのみからなる第1の層と、第1の層の上におけるバスバーとを含む太陽電池モジュールを提供しており、ここで、そのバスバーはパッシベーション層に接触しない。
第1の層は、第1のペーストを用いてスクリーン印刷により形成されてもよく、バスバーは、第2のペーストを用いてスクリーン印刷により形成されてもよい。第1のペーストは高ガラスフリットを有してもよく、第2のペーストは高導電率を有してもよい。
第1の層はペーストを用いてスクリーン印刷により形成されてもよく、バスバーは金属めっきにより形成されてもよい。
太陽電池モジュールは、窒化シリコンよりなるパッシベーション層と第1の層との間に、ドーパントインクを含んでもよい。
基板はシリコンであってもよく、パッシベーション層は窒化シリコンであってもよい。
本発明の別の態様によると、第1のペーストを用いて基板の上でフィンガーをスクリーン印刷する工程と、第2のペーストを用いてフィンガーの上でバスバーをスクリーン印刷する工程とを含む太陽電池モジュールの製造方法を提供しており、ここで、その第2のペーストは、第1のペーストよりも粘性が高い。
第1のペーストはガラスフリットを含んでもよく、第2のペーストはガラスフリットを含まない。
この方法は、バスバーをスクリーン印刷する前に、第1のペーストを蒸着する工程をさらに含んでもよい。この方法は、第1のペースト及び第2のペーストを同時蒸着する工程をさらに含んでもよい。
この方法は、フィンガーをスクリーン印刷する前に、ドーパントインクをスクリーン印刷してドーパントを拡散させる工程をさらに含んでもよい。
この方法は、フィンガーに対応する第1の領域を選択的にドーピングする工程と、バスバーに対応する第2の領域を選択的にドーピングする工程とをさらに含んでもよい。第1の領域は、フィンガーパターン化シャドーマスクを用いて選択的にドープされてもよく、第2の領域は、バスバーパターン化シャドーマスクを用いて選択的にドープされてもよい。
本発明のさらなる態様によると、第1のペーストを用いて基板の上でフィンガーをスクリーン印刷する工程と、フィンガーの上で非接触バスバーを形成する工程とを含む太陽電池モジュールの製造方法を提供している。
フィンガーの上で非接触バスバーを形成する工程は、バスバーの上で導電トレースを蒸着することを含んでもよい。導電トレースは、スクリーン印刷又はエアゾールジェットを用いて蒸着されてもよい。
この方法は、金属めっきを用いてフィンガー及びバスバーを厚くする工程をさらに含んでもよい。金属めっきは、光誘起めっきであってもよい。
フィンガーの上で非接触バスバーを形成する工程は、フィンガーの上で金属線を蒸着することを含んでもよい。金属線は、ペースト及びはんだの少なくとも一方によってコーティングされてもよい。
添付の図面は本明細書に組み込まれてその一部を構成するものであり、本発明の実施形態を例示し、詳細な説明とともに本発明の原理を説明および解説するのに役立つ。図面は、図表の態様で例示的な実施形態の主要な特徴を説明するために意図されたものである。図面は、実際の実施形態のすべての特徴を図示するものでなければ、描画要素の相対寸法を図示するものでもなく、正確な縮尺で描かれていない。
図1は、本発明の一実施形態に係る太陽電池を示している。
図2は、本発明の一実施形態に係るバスバーを有する太陽電池の端面図である。
図3は、本発明の一実施形態に係る非接触バスバーを製造する方法を示すフローチャートである。
図3Aは、本発明の実施形態に係る非接触バスバーを製造する方法を示すフローチャートである。
図3Bは、本発明の実施形態に係る非接触バスバーを製造する方法を示すフローチャートである。
図4Aは、本発明の一実施形態に係る非接触バスバーを製造する方法を示すフローチャートである。
図4Bは、本発明の一実施形態に係る非接触バスバーを製造する方法を示すフローチャートである。
図5は、本発明の一実施形態に係る非接触バスバーを製造する方法を示すフローチャートである。
図6は、本発明の一実施形態に係る非接触バスバーを製造する方法を示すフローチャートである。
本発明の実施形態は、非接触バスバーに関する。太陽電池の導電率を向上させるために、2つの変更が行われる。まず、フィンガー及びバスバーの高さを増加させることができる。スクリーン印刷ペーストのアスペクト比は、その粘度及びスクリーン/ステンシルの厚さに依存する。より高い粘度を有するペーストをバスバーに用いることによって、より厚いバスバーを形成することができる。次に、ペースト自体の導電率は、ペーストにおけるガラスフリットによって低減される。ガラスフリットは、フロント窒化シリコンパッシベーション層を溶解するために必要であり、銀がドープされた基板に接触させる。本発明の実施形態において、第1のスクリーン印刷はフィンガーを形成するために高ガラスフリットペーストによって行われ、その後、非ガラスフリットペーストである高導電性の第2のペーストはバスバーを形成するために使用され得る。この第1のペーストのアスペクト比は、配向した第2のスクリーン印刷ペーストによって増加され得る。代替として、第1の高ガラスフリットスクリーン印刷は蒸着を行うことができ、その後、金属めっきステップが行われる。
本発明の実施形態は、金属−シリコン再結合速度を減少させ且つバスバーの導電率を向上させるため、有利である。これらの新たな二段階アプローチによって、バスバーは従来の方法で形成する必要はない。第一層のためにフィンガーだけのパターンを形成した後、他の多くのプロセスを行ってバスバーを形成することができる。二重プリントの場合、高ガラスフリットを有する第1のペーストは、フィンガーだけのパターンに含有され得る一方、第2の高導電性のペーストは、フィンガー及びバスバーに含まれるか、又はバスバーのみに含まれる。特定の一実施形態において、第1のペーストはHERAEUS SOL952であり、第2のペーストはHERAEUS CL80−9381Mである。蒸着する場合、バスバー領域は、窒化シリコンパッシベーション層を通して溶解することではない。これは、合計再結合を低下させるという有益な効果を有する。
シリコン太陽電池において、金属接触領域は必要であるが、有害な再結合効果を有する。金属接触面は、接触領域の下におけるドーピングに応じて、1000fA/cm2の再結合を有することができる。Joeと呼ばれるエミッタ再結合は、フロントエミッタにおける再結合の加重和である。100μm幅の69本のフィンガー及び2mm幅の2本のバスバーを有する156mm太陽電池のために、接触面積の割合は、フィンガーだけの場合が4.4%であり、フィンガー及びバスバーの場合が7%である。良好なパッシベーションを有する優れたエミッタのために、Joeは非金属化領域で50fA/cm2〜300fA/cm2であってもよい。しかし、金属接触領域は、3000fA/cm2以上のJoeを有してもよい。典型的なセルのネットエミッタJoeは、
式:
式:
に向上する。
図1は、本発明のいくつかの実施形態に係る太陽電池100を示す。太陽電池100は、ベース104、複数のフィンガー108、2つのバスバー112を含んでいる。なお、太陽電池は、図1に示すものより少ないか、又は多いフィンガー108を含んでもよく、また、太陽電池は、2以下又は以上のバスバー112を含んでもよいことは理解されることであろう。
図2は、本発明のいくつかの実施形態に係る太陽電池100の端面図である。ベース104は、基板116、及び基板116の上に形成されるパッシベーション層120を含んでいる。フィンガー108は、パッシベーション層120に形成されている。バスバー112は、フィンガー108及びパッシベーション層120の上に形成されている。コンタクト124は、基板104におけるフィンガー108及びバスバー112とは反対側の面に形成されている。選択エミッタ(図示せず)は、基板104に形成されている。
図3は、本発明のいくつかの実施形態に係る図1及び図2の太陽電池の製造方法を示す。図3に示すように、方法300は、基板(ブロック304)に選択エミッタ(ドーピング領域)を形成する工程と、選択エミッタ(ブロック308)の上でフィンガーを形成する工程と、選択エミッタ(ブロック312)の上で非接触バスバーを形成する工程とを含んでいる。
金属接触領域下のドーピングは、高いほど金属−シリコン界面における再結合は低いものである。選択エミッタ、すなわち金属線の下の比較的高濃度ドーピング及び金属の間の比較的低濃度ドーピングへの注目は、主に銀ペーストに対する接触抵抗によって動機付けられている。さらなる利点は、金属−シリコン再結合速度又はJoeの減少である。
図3A及び図3Bは、本発明のある実施形態に係る選択エミッタを形成する詳細な方法を示す。図3Aに示すように、選択エミッタは、基板(ブロック304a)でドーパントインクをスクリーン印刷することによって形成されてもよい。その方法はまた、フィンガー及びバスバーの高濃度にドープされたパターンを作るために、リン拡散を形成する工程を含んでもよい。
なお、当然のことながら、例えば、レーザオーバードーピング及びイオン注入などの他の方法を使用してもよい。それらの方法は、バスバーの下にドーピング領域を形成することも必要であるので、スループットが低下する。レーザオーバードーピングの場合、レーザースポットはフィンガー幅の広さであり得るが、バスバー幅にはマルチプルパス又は異なるレーザー光学を必要とする。
イオン注入のために、より一般的には、シャドーマスクを利用する方法のために、図3Bに示すように、2つの蒸着ステップが必要である。図3Bに示すように、選択エミッタは、フィンガーパターン化シャドーマスクを用いて基板を選択的にドーピングし(ブロック304b−1)、バスバーパターン化シャドーマスクを用いて基板を選択的にドーピングする(ブロック304b−2)ことによって形成される。なお、当然のことながら、レーザー選択的ドーピング、注入選択的ドーピング、及びPVD選択的ドーピングなどの方法を含む、他のドーピング方法は、図3Bを参照して、上記のように、個々のドーピング領域を形成するために用いられてもよい。
図4A、図4Bは、本発明のいくつかの実施形態に係る非接触バスバーを有する太陽電池モジュールの例示的な形成方法を示す。図4A、図4Bにおいて、非接触バスバーは、第2のスクリーン印刷プロセスを用いて形成されている。具体的には、フィンガースクリーン印刷及びペースト乾燥のステップの後に、第2のスクリーン印刷ステップはバスバーをプリントすることができる。バスバー用ペーストは、高粘性ペーストであってもよく、また、フィンガーよりも高いアスペクト比を達成するために、比較的厚いスクリーンでプリントされ得る。バスバーペーストは、また、導電率を高め、窒化シリコンパッシベーションを通して溶解しようとしないガラスフリットを含まなくてもよい。特定の一実施形態において、フィンガーペーストはHERAEUS SOL952であり、バスバーペーストはHERAEUS CL80−9381Mである。
一実施形態において、図4Aに示すように、フィンガー及びバスバーは同時蒸着される。別の実施形態において、図4Bに示すように、フィンガーが最初に蒸着した後、バスバーは、フォーミングガスアニール又は他の低温アニールの間に固まる低温ペーストによってスクリーン印刷される。
具体的には、図4Aに示すように、方法400は、第1のペーストを用いて窒化シリコンパッシベーション層でフィンガーをスクリーン印刷することから始まる(ブロック404)。方法400は、第2のペーストを用いてフィンガーでバスバーをスクリーン印刷し続けることによって(ブロック408)、フィンガー及びバスバーを同時蒸着する(ブロック412)。図4Bに示すように、方法400は、第1のペーストを用いて窒化シリコンパッシベーション層でフィンガーをスクリーン印刷することから始め(ブロック404)、フィンガーを蒸着する(ブロック458)。方法400は、第2のペーストを用いてフィンガーでバスバーをスクリーン印刷することによって続け(ブロック462)、バスバーを蒸着する(ブロック466)。上記のように、特定の一実施形態において、第1のペーストはHERAEUS SOL952であり、第2のペーストはHERAEUS CL80−9381Mである。
図5は、非接触バスバーがフィンガーの上で蒸着されたシード及びめっきバスバーによって形成される太陽電池モジュールの製造方法を示す。具体的には、フィンガーのスクリーン印刷及び蒸着の後、導電トレースはバスバーのために蒸着され得る。導電トレースは、例えばスクリーン印刷、エアゾールジェットなどの方法を用いて蒸着され得る。いくつかの実施形態において、その後、フィンガー及び/又はバスバーを厚くする。いくつかの実施形態において、フィンガー及び/又はバスバーを、例えば光誘起めっき(LID)などの金属めっき技術を用いて厚くする。
具体的には、図5に示すように、方法500は、ペーストを用いて窒化シリコンパッシベーション層でフィンガーをスクリーン印刷することから始まり(ブロック504)、フィンガーを蒸着する(ブロック508)。方法500は、フィンガーで導電トレースを蒸着してバスバーを形成し続けることによって(ブロック512)。この方法は、フィンガー及びバスバーを厚くするように金属めっきすることによって選択的に続ける(ブロック516)。
図6は、固体のバスバーが非接触バスバーを形成するために使用され得る太陽電池モジュールの製造方法を示す。フィンガーのスクリーン印刷及び蒸着の後に、円形または矩形の断面の金属線は、各フィンガーに接触するように表面に配置され得る。金属線は、蒸着中又は蒸着後に配置され得る。当然のことながら、バスバーが各フィンガーに接触することが重要であるため、いくつかの実施形態において、バスバーはペースト又ははんだによってプレコートされてもよい。その金属線は、パッシベーション層を通してフィンガーを蒸着する前に、又は蒸着した後に、コーティングされてもよい。
具体的には、図6に示すように、方法600は、ペーストを用いて窒化シリコンパッシベーション層でフィンガーをスクリーン印刷することから始まり(ブロック604)、フィンガーを蒸着する(ブロック608)。方法600は、各フィンガーに被覆金属線を配置することによって続ける(ブロック612)。
なお、ここに記載したプロセスおよび技術は、本質的に特定の装置に関するものではなく、任意の適当な要素の組み合わせで実現することができる。さらに、ここでの教示に従ってさまざまなタイプの汎用デバイスを用いることができる。特定例に関連づけて本発明を説明したが、これはあらゆる点で限定的よりもむしろ例示的であることを意図している。当業者であれば多くの別の組み合わせで本発明を好適に実施できることが理解できるであろう。
また、当業者であれば、ここに開示した本発明の明細書および実施を考慮して本発明の別実施例が理解できるであろう。上記実施形態のさまざまな側面および/または構成要素は、単独または任意の組み合わせとして用いることができる。明細書および実施例は例示に過ぎず、本発明の範囲および思想は次の特許請求の範囲に示される。
Claims (20)
- 太陽電池モジュールであって、
基板と、
パッシベーション層と、
前記パッシベーション層の上に複数のフィンガーのみからなる第1の層と、
前記第1の層の上におけるバスバーと、
を含み、
前記バスバーは、前記パッシベーション層に接触しない、太陽電池モジュール。 - 請求項1に記載の太陽電池モジュールにおいて、
前記第1の層は、第1のペーストを用いてスクリーン印刷により形成され、前記バスバーは、第2のペーストを用いてスクリーン印刷により形成される、太陽電池モジュール。 - 請求項2に記載の太陽電池モジュールにおいて、
前記第1のペーストは、高ガラスフリットを有し、前記第2のペーストは、高導電率を有する、太陽電池モジュール。 - 請求項1に記載の太陽電池モジュールにおいて、
前記第1の層は、ペーストを用いてスクリーン印刷により形成され、前記バスバーは、金属めっきにより形成される、太陽電池モジュール。 - 請求項1に記載の太陽電池モジュールにおいて、
窒化シリコンよりなる前記パッシベーション層と前記第1の層との間に、ドーパントインクを含む、太陽電池モジュール。 - 請求項1に記載の太陽電池モジュールにおいて、
前記基板は、シリコンを含み、前記パッシベーション層は、窒化シリコンを含む、太陽電池モジュール。 - 太陽電池モジュールを製造する方法であって、
第1のペーストを用いて基板の上でフィンガーをスクリーン印刷する工程と、
第2のペーストを用いて前記フィンガーの上でバスバーをスクリーン印刷する工程と、
を含み、
前記第2のペーストは、前記第1のペーストよりも粘性が高い、方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記第1のペーストは、ガラスフリットを含み、前記第2のペーストは、ガラスフリットを含まない、方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記バスバーをスクリーン印刷する前に、前記第1のペーストを蒸着する工程を含む、方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記第1のペースト及び前記第2のペーストを同時蒸着する工程を含む、方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記フィンガーをスクリーン印刷する前に、ドーパントインクをスクリーン印刷してドーパントを拡散させる工程を含む、方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記フィンガーに対応する第1の領域を選択的にドーピングする工程と、
前記バスバーに対応する第2の領域を選択的にドーピングする工程と、
を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法において、
前記第1の領域は、フィンガーパターン化シャドーマスクを用いて選択的にドープされ、前記第2の領域は、バスバーパターン化シャドーマスクを用いて選択的にドープされる、方法。 - 太陽電池モジュールを製造する方法であって、
第1のペーストを用いて基板の上でフィンガーをスクリーン印刷する工程と、
前記フィンガーの上で非接触バスバーを形成する工程と、
を含む、方法。 - 請求項14に記載の方法において、
前記フィンガーの上で非接触バスバーを形成する工程は、前記バスバーの上で導電トレースを蒸着することを含む、方法。 - 請求項15に記載の方法において、
前記導電トレースは、スクリーン印刷及びエアゾールジェットからなる群より選ばれる方法を用いて蒸着される、方法。 - 請求項14載の方法において、
金属めっきを用いて前記フィンガー及び前記バスバーを厚くする工程を含む、
方法。 - 請求項17に記載の方法において、
前記金属めっきは、光誘起めっきを含む、方法。 - 請求項14に記載の方法において、
前記フィンガーの上で非接触バスバーを形成する工程は、前記フィンガーの上で金属線を蒸着することを含む、方法。 - 請求項19に記載の方法において、
前記金属線は、ペースト及びはんだの少なくとも一方によってコーティングされる、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161432521P | 2011-01-13 | 2011-01-13 | |
US61/432,521 | 2011-01-13 | ||
PCT/US2012/021355 WO2012097324A1 (en) | 2011-01-13 | 2012-01-13 | Non-contacting bus bars for solar cells and methods of making non-contacting bus bars |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014504026A true JP2014504026A (ja) | 2014-02-13 |
Family
ID=46489843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013549595A Pending JP2014504026A (ja) | 2011-01-13 | 2012-01-13 | 太陽電池用非接触バスバー及び非接触バスバーを製造する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120180862A1 (ja) |
EP (1) | EP2664036A4 (ja) |
JP (1) | JP2014504026A (ja) |
KR (1) | KR20140041401A (ja) |
CN (1) | CN103299492A (ja) |
SG (1) | SG191402A1 (ja) |
TW (1) | TW201234626A (ja) |
WO (1) | WO2012097324A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP7393496B1 (ja) | 2022-07-27 | 2023-12-06 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 選択的エミッタと金属印刷との位置合わせの改善方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120192932A1 (en) * | 2011-03-25 | 2012-08-02 | Neo Solar Power Corp. | Solar cell and its electrode structure |
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US11424372B2 (en) * | 2016-06-10 | 2022-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell, solar cell manufacturing system, and solar cell manufacturing method |
KR101894582B1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-10-04 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
CN110337423A (zh) | 2017-03-24 | 2019-10-15 | 贺利氏贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于导电膏组合物的低蚀刻和非接触式玻璃 |
CN111319369B (zh) * | 2018-12-14 | 2022-09-23 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种半导体器件两次丝网印刷方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0729189A1 (en) * | 1995-02-21 | 1996-08-28 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of preparing solar cells and products obtained thereof |
DE10239845C1 (de) * | 2002-08-29 | 2003-12-24 | Day4 Energy Inc | Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul |
WO2005093855A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Kyocera Corporation | 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電装置 |
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US8308993B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-11-13 | Basf Se | Conductive inks |
US20090293948A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell |
JP5223004B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2013-06-26 | デイ4 エネルギー インコーポレイテッド | 低温精密エッチ・バック及び不動態化プロセスで製造された選択エミッタを有する結晶シリコンpv電池 |
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KR101627217B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2016-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
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-
2012
- 2012-01-12 TW TW101101209A patent/TW201234626A/zh unknown
- 2012-01-13 SG SG2013050208A patent/SG191402A1/en unknown
- 2012-01-13 WO PCT/US2012/021355 patent/WO2012097324A1/en active Application Filing
- 2012-01-13 EP EP12734511.4A patent/EP2664036A4/en not_active Withdrawn
- 2012-01-13 JP JP2013549595A patent/JP2014504026A/ja active Pending
- 2012-01-13 KR KR1020137018296A patent/KR20140041401A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-01-13 CN CN2012800052081A patent/CN103299492A/zh active Pending
- 2012-01-13 US US13/350,614 patent/US20120180862A1/en not_active Abandoned
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JP7393496B1 (ja) | 2022-07-27 | 2023-12-06 | ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド | 選択的エミッタと金属印刷との位置合わせの改善方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103299492A (zh) | 2013-09-11 |
WO2012097324A1 (en) | 2012-07-19 |
US20120180862A1 (en) | 2012-07-19 |
SG191402A1 (en) | 2013-08-30 |
EP2664036A1 (en) | 2013-11-20 |
TW201234626A (en) | 2012-08-16 |
EP2664036A4 (en) | 2018-01-03 |
KR20140041401A (ko) | 2014-04-04 |
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