JPH06224456A - アモルファス太陽電池およびその作製方法 - Google Patents
アモルファス太陽電池およびその作製方法Info
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Abstract
原因となって発生するリーク電流を防ぎ低照度下におけ
る特性の向上を図る。 【構成】 絶縁基板上に形成された第1の電極と、第1
の電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形
成された絶縁層と、絶縁層上に形成された第2の電極と
を有し、該絶縁層には複数の開孔が形成され、該開孔部
において上記第2の電極が光電変換層と電気的に接続さ
れていることを特徴とする。
Description
うな低照度の環境において用いられる、ガラス等の絶縁
基板上に形成されるアモルファスシリコン太陽電池(以
下アモルファス太陽電池と略称する)に関する。
示すように、透光性を有するガラス等の絶縁基板11の
主表面に、透明電極12と、PIN接合が形成され光活
性層にアモルファスシリコンを用いた光電変換層13、
金属電極14とを積層形成して構成されている。
ー放電法を用いシランガスを分解し堆積させることによ
り作製される。アモルファス太陽電池の場合光電変換層
として必要な厚みは約1μmであるが、このときガラス
基板11または透明電極12の表面状態や汚れ等によ
り、透明電極12上にアモルファスシリコン膜が付着し
ない部分が発生し、光電変換層13を貫通する形で微細
なピンホール16が形成される。
3上に金属電極14を形成すると、ピンホール16にも
金属電極材料が充填され、金属電極14と透明電極12
が直接接触してしまう。このような部分は光電変換に寄
与しないばかりでなく、電気的に短絡した状態となり、
ピンホール16においてリーク電流が流れるため太陽電
池の特性が低下する原因となる。
屋外の太陽光下での利用ばかりでなく、室内の蛍光灯下
におけるようなおよそ1000ルクス以下の低照度で利
用される形態がある。この場合、照度の低下に伴い太陽
電池で発生する電流も低下するため、ピンホール16に
流れるリーク電流の影響が無視できなくなり太陽電池の
出力特性は著しく悪化する。
に光電変換層13を形成する前に行う基板の洗浄処理は
十分注意して行われるが、しかし現在の技術ではこれを
完全に防ぐことはできないため製品の歩留りを低下させ
る原因となっていた。
目的とし、太陽電池の光電変換層に生じたピンホールが
原因となって発生するリーク電流を防ぎ特性の向上を図
るものである。
ス太陽電池は、光電変換層とその上に形成された金属電
極との界面に絶縁層を設けかつ該絶縁層には複数の開孔
が形成され、該開孔部において光電変換層と金属電極が
電気的に接触する構造で構成される。
が原因で生ずる電気的ショート(短絡)不良を軽減しつ
つ十分な出力が得られるものとすることができ、製品の
歩留りを向上させることができる。
光電変換層上に絶縁層を有しているため、大きなピンホ
ールが生じていた場合でもショート、リークが発生する
確率を極めて小さくでき、さらに製造時および長期使用
時における第2の電極材料としての金属電極材料の光電
変換層へのマイグレイションをも防ぐことができ、全体
的な特性および信頼性を向上させることができる。
により説明する。
よる太陽電池を示したものである。先ず、透光性絶縁基
板であるガラス基板21上に第1の電極22を形成す
る。第1の電極22は例えば酸化スズまたはITO(酸
化スズ酸化インジュウム合金)または酸化亜鉛等を用い
た透明導電膜であり、これらは熱CVD法やスパッタ法
により形成する。次に、第1の電極22の上に光電変換
層23を形成する。光電変換層23はグロー放電法で作
製され、P型アモルファスシリコンカーバイト、真性
(I型)アモルファスシリコン、N型微結晶シリコンを
順次積層したPIN接合が構成されている。図2(b)
ではこの光電変換層23にピンホール26が存在する状
態を示している。
層24を形成する。この絶縁層24は窒化シリコンまた
は酸化シリコン膜であり、これらはグロー放電法やスパ
ッタ法で形成し得る。絶縁層24を形成する工程におい
て同時にピンホール26内にこの絶縁材料が充填され
る。
孔を形成する。開孔を形成するために、絶縁層24の上
に予め決められた所定のパターンとなるようにレジスト
膜を形成し、これをマスクとして絶縁層24の一部をエ
ッチングし光電変換層23の表面を露出させ、開孔とし
た。
によりピンホール26内に絶縁物が残る。この絶縁物に
より、その後形成される第2の電極25がピンホール2
6を貫通して第1の電極22と直接接触することを防ぐ
ことができる。従って光電変換層23を形成後に絶縁層
24を形成しさらにエッチングにより絶縁層の一部を選
択的に剥離する工程をとることは、ピンホール26が原
因となってこの部分で発生するリーク電流を防止する目
的から非常に有用な手段であった。
の全ての絶縁層を剥離するのではなく開孔を設けるのみ
であるため、光電変換層上には絶縁層を有している。こ
れにより、ある程度大きなピンホールが生じていた場合
でもショート、リークが発生する確率を極めて小さくで
きた。さらに従来であれば光電変換層上に直接第2の電
極としての金属電極が形成されていたが、本実施例の如
き光電変換層と金属電極との間に絶縁層を有する構造と
することにより、製造時および長期使用時における金属
電極材料の光電変換層へのマイグレイションをも防ぐこ
とができ、全体的な特性および信頼性を向上させること
ができた。
縁層24の上に形成され、図2(a)(b)で示される
ように絶縁層24に形成された開孔部においてのみ光電
変換層23と接触する構造になる。従って、開孔の大き
さおよび開孔と開孔の間隔が、本実施例における太陽電
池の直列抵抗を決める要素となる。
型微結晶シリコンの面積抵抗とも密接な関係をもつ。す
なわち直列抵抗はN型微結晶シリコンの面積抵抗に対し
比例して増加し、また絶縁層24に形成される開孔の大
きさに反比例して減少し、開孔と開孔の間隔に比例して
増加する。本来、太陽電池の直列抵抗は出力電力の低下
させる原因となるため十分小さくなるように設計されて
いるが、蛍光灯下のような低照度では出力電力に対し直
列抵抗の大小はあまり影響しないことが知られている。
電池の試作結果で、絶縁層24に設ける開孔の大きさと
その間隔に対し、白色蛍光灯下500ルクスでの出力電
力の変化を示している。
し、その直径を50μmから400μmまで変化させ、
また開孔の間隔(ここでは開孔の中心間距離)を500
μmから2000μmまで変化させた。
ては開孔の間隔が1000μm程度以下であれば、一般
的な構造の太陽電池と比較しても何等遜色の無い高い出
力が得られた。またピンホールによるショート、リーク
の発生は見られなかった。従って本発明の構造は、開孔
の直径および開孔の間隔を適宜定めることにより、白色
蛍光灯下の如き低照度での使用条件において、実用上問
題の無い出力電力が得られることが確認できた。もちろ
ん上記実施例と同様な結果が得られれば、開孔の大き
さ、間隔、形状は自由に設定できることはいうまでもな
い。
の太陽電池を示したものである。ガラス基板41上に第
1の電極42を形成する。第1の電極42はAlやCr
等の金属でスパッタ法により形成した。第1の電極42
の上に光電変換層43が形成される。光電変換層43は
グロー放電法を用いてN型アモルファスシリコン、真性
(I型)アモルファスシリコン、P型微結晶シリコンを
順次に積層したPIN接合で構成される。絶縁層44は
実施例1と同様な手法を用い、光電変換層43の上面に
複数の開孔を有して形成した。絶縁層44の上に形成さ
れる第2の電極45は酸化スズ、ITO、酸化亜鉛等を
用いた透明電極である。なお開孔の直径および開孔間の
距離は実施例1と同様にした。本実施例においても、ピ
ンホールによるショート、リークの発生はなく、また実
用上十分な性能を得ることができた。
の如き低照度環境下にて使用するアモルファス太陽電池
を、光電変換層のピンホールが原因で生ずる電気的ショ
ート(短絡)不良を軽減しつつ十分な出力が得られるも
のとすることができ、製品の歩留りを向上させることが
できた。
光電変換層上に絶縁層を有しているため、大きなピンホ
ールが生じていた場合でもショート、リークが発生する
確率を極めて小さくでき、さらに製造時および長期使用
時における金属電極材料の光電変換層へのマイグレイシ
ョンをも防ぐことができ、全体的な特性および信頼性を
向上させることができた。
す。
(a)は上面図、(b)は断面図を示す。
層に設けられた開孔の大きさと間隔に対する出力の変化
を示す。
す。
Claims (6)
- 【請求項1】絶縁基板上に作製されるアモルファス太陽
電池において、該絶縁基板上に形成された第1の電極
と、該第1の電極上に形成された光電変換層と、該光電
変換層上に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成され
た第2の電極とを有し、前記絶縁層には複数の開孔が形
成され、該開孔内において上記第2の電極が光電変換層
と電気的に接続されていることを特徴とするアモルファ
ス太陽電池。 - 【請求項2】前記光電変換層は少なくとも1つのPIN
接合を含み前記絶縁層と接する該光電変換層のP型また
はN型の領域は微結晶シリコンで構成されることを特徴
とする請求項1に記載したアモルファス太陽電池。 - 【請求項3】前記絶縁層は窒化シリコンまたは酸化シリ
コンで構成されることを特徴とする請求項1に記載した
アモルファス太陽電池。 - 【請求項4】前記第1の電極が透明導電膜でありかつ前
記第2の電極が金属電極であることを特徴とする請求項
1に記載したアモルファス太陽電池。 - 【請求項5】前記第1の電極が金属電極でありかつ前記
第2の電極が透明導電膜であることを特徴する請求項1
に記載したアモルファス太陽電池。 - 【請求項6】絶縁基板上に第1の電極を形成する工程
と、前記第1の電極上に光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層の上に絶縁層を形成する工程と、前記絶
縁層に複数開孔を形成する工程と、前記開孔が形成され
た前記絶縁層の上に第2の電極を形成する工程を含むア
モルファス太陽電池の作製方法。
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