JPH11103084A - 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スクリーン印刷工程にて形成する集電極の表
面の凹凸を低減してその抵抗値の低減化を図り、光電変
換特性の向上にも寄与できる太陽電池素子の製造方法を
提供する。 【解決手段】 導電ペーストのスクリーン印刷により、
太陽電池素子の集電極５を形成する際に（ｄ）、そのス
クリーン印刷処理を複数回繰り返す。この際、使用する
メッシュのパターンを異ならせて、各回のスクリーン印
刷処理を行う。複数のスクリーン印刷処理により、形成
される集電極５の表面は平坦化する。
面の凹凸を低減してその抵抗値の低減化を図り、光電変
換特性の向上にも寄与できる太陽電池素子の製造方法を
提供する。 【解決手段】 導電ペーストのスクリーン印刷により、
太陽電池素子の集電極５を形成する際に（ｄ）、そのス
クリーン印刷処理を複数回繰り返す。この際、使用する
メッシュのパターンを異ならせて、各回のスクリーン印
刷処理を行う。複数のスクリーン印刷処理により、形成
される集電極５の表面は平坦化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池素子の製
造方法及び太陽電池素子に関する。
造方法及び太陽電池素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、結晶系半導体と非晶質半導体と
を用いたｐｉｎ接合を有する太陽電池素子の構造を示す
断面図である。図５において、１は単結晶シリコン，多
結晶シリコン等の結晶系半導体からなるｎ型の結晶系シ
リコン基板である。結晶系シリコン基板１の一方の主面
上には、ｉ型の非晶質シリコン層２，ｐ型の非晶質シリ
コン層３がこの順に積層され、更にその上に、例えばＩ
ＴＯからなる透光性導電膜４及びＡｇからなる櫛形状の
集電極５が形成されている。結晶系シリコン基板１の他
方の主面上には、ｉ型の非晶質シリコン層６，ｎ型の非
晶質シリコン層７がこの順に積層され、更にその上に、
例えばＩＴＯからなる透光性導電膜８及びＡｇからなる
櫛形状の集電極９が形成されている。
を用いたｐｉｎ接合を有する太陽電池素子の構造を示す
断面図である。図５において、１は単結晶シリコン，多
結晶シリコン等の結晶系半導体からなるｎ型の結晶系シ
リコン基板である。結晶系シリコン基板１の一方の主面
上には、ｉ型の非晶質シリコン層２，ｐ型の非晶質シリ
コン層３がこの順に積層され、更にその上に、例えばＩ
ＴＯからなる透光性導電膜４及びＡｇからなる櫛形状の
集電極５が形成されている。結晶系シリコン基板１の他
方の主面上には、ｉ型の非晶質シリコン層６，ｎ型の非
晶質シリコン層７がこの順に積層され、更にその上に、
例えばＩＴＯからなる透光性導電膜８及びＡｇからなる
櫛形状の集電極９が形成されている。
【０００３】このような太陽電池素子は、次のような手
順にて製造される。まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、
結晶系シリコン基板１の一方の主面にｉ型の非晶質シリ
コン層２，ｐ型の非晶質シリコン層３を連続的に形成
し、また、他方の主面にｉ型の非晶質シリコン層６，ｎ
型の非晶質シリコン層７を連続的に形成する。次に、ス
パッタリング法にて、非晶質シリコン層３及び非晶質シ
リコン層７上に透光性導電膜４及び透光性導電膜８を形
成し、更に、スクリーン印刷法にて、透光性導電膜４及
び透光性導電膜８上に櫛形状の集電極５及び集電極９を
形成する。
順にて製造される。まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、
結晶系シリコン基板１の一方の主面にｉ型の非晶質シリ
コン層２，ｐ型の非晶質シリコン層３を連続的に形成
し、また、他方の主面にｉ型の非晶質シリコン層６，ｎ
型の非晶質シリコン層７を連続的に形成する。次に、ス
パッタリング法にて、非晶質シリコン層３及び非晶質シ
リコン層７上に透光性導電膜４及び透光性導電膜８を形
成し、更に、スクリーン印刷法にて、透光性導電膜４及
び透光性導電膜８上に櫛形状の集電極５及び集電極９を
形成する。
【０００４】このような構造の太陽電池素子では、結晶
系シリコン基板１以外の各層の形成を、プラズマＣＶＤ
法，スパッタリング法，スクリーン印刷法等の方法を用
いて全て200 ℃以下の温度で行うことができるので、基
板の反りの発生を防止でき、しかも製造コストの低減化
を図ることができる。このような構造の太陽電池素子で
は、非晶質シリコン層２，３，６，７への熱的ダメージ
を抑えるために、低温環境にて作製されるので、集電極
５，９用のＡｇペーストも低温・乾燥用のペーストが使
用されており、このため抵抗値が高くなっている。
系シリコン基板１以外の各層の形成を、プラズマＣＶＤ
法，スパッタリング法，スクリーン印刷法等の方法を用
いて全て200 ℃以下の温度で行うことができるので、基
板の反りの発生を防止でき、しかも製造コストの低減化
を図ることができる。このような構造の太陽電池素子で
は、非晶質シリコン層２，３，６，７への熱的ダメージ
を抑えるために、低温環境にて作製されるので、集電極
５，９用のＡｇペーストも低温・乾燥用のペーストが使
用されており、このため抵抗値が高くなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６は、上述した太陽
電池素子の製造方法で利用される導電性ペースト（Ａｇ
ペースト）のスクリーン印刷工程を示す模式図であり、
図６（ａ）はその処理工程の中途を示し、図６（ｂ）は
それが終了した後の電極の形状を示している。乳剤11及
びメッシュ12を一体化させ、電極を形成する部位に対応
して乳剤11を欠損させたスクリーンメッシュ17を下地体
13に被せ、スキージ14を移動させて導電ペースト15を下
地体13上に塗布して、所定幅の電極16を形成する。
電池素子の製造方法で利用される導電性ペースト（Ａｇ
ペースト）のスクリーン印刷工程を示す模式図であり、
図６（ａ）はその処理工程の中途を示し、図６（ｂ）は
それが終了した後の電極の形状を示している。乳剤11及
びメッシュ12を一体化させ、電極を形成する部位に対応
して乳剤11を欠損させたスクリーンメッシュ17を下地体
13に被せ、スキージ14を移動させて導電ペースト15を下
地体13上に塗布して、所定幅の電極16を形成する。
【０００６】このようなスクリーン印刷処理にあって
は、１回の印刷処理で120 μｍの線幅に対して40μｍの
厚さが限界でありバラツキも多い。また、図６（ｂ）に
示すように、メッシュ12のパターン形状に起因する電極
16の凹凸が大きい。このような原因により、抵抗が高く
なって、電流のロスが大きく、光電変換特性の向上を阻
害する要因となっている。
は、１回の印刷処理で120 μｍの線幅に対して40μｍの
厚さが限界でありバラツキも多い。また、図６（ｂ）に
示すように、メッシュ12のパターン形状に起因する電極
16の凹凸が大きい。このような原因により、抵抗が高く
なって、電流のロスが大きく、光電変換特性の向上を阻
害する要因となっている。
【０００７】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、スクリーン印刷工程にて形成する電極の表面の
凹凸を低減してその抵抗値の低減化を図ることができ、
光電変換特性の向上にも寄与できる太陽電池素子の製造
方法及び太陽電池素子を提供することを目的とする。
であり、スクリーン印刷工程にて形成する電極の表面の
凹凸を低減してその抵抗値の低減化を図ることができ、
光電変換特性の向上にも寄与できる太陽電池素子の製造
方法及び太陽電池素子を提供することを目的とする。
【０００８】本発明の他の目的は、タブを容易に集電極
に付けることができ、集電極とリード線との密着性も良
好となる太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子を提
供することにある。
に付けることができ、集電極とリード線との密着性も良
好となる太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る太陽電池
素子の製造方法は、導電性ペーストをスクリーン印刷し
て集電極を形成する工程を有する太陽電池素子の製造方
法において、前記導電性ペーストのスクリーン印刷処理
を複数回繰り返すことを特徴とする。
素子の製造方法は、導電性ペーストをスクリーン印刷し
て集電極を形成する工程を有する太陽電池素子の製造方
法において、前記導電性ペーストのスクリーン印刷処理
を複数回繰り返すことを特徴とする。
【００１０】請求項２に係る太陽電池素子の製造方法
は、請求項１において、前記複数回のスクリーン印刷処
理毎に、スクリーンメッシュのパターンを異ならせるこ
とを特徴とする。
は、請求項１において、前記複数回のスクリーン印刷処
理毎に、スクリーンメッシュのパターンを異ならせるこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項３に係る太陽電池素子の製造方法
は、請求項１または２において、前記導電性ペーストは
Ａｇを主成分とすることを特徴とする。
は、請求項１または２において、前記導電性ペーストは
Ａｇを主成分とすることを特徴とする。
【００１２】請求項４に係る太陽電池素子の製造方法
は、請求項１〜３の何れかにおいて、前記複数回のスク
リーン印刷処理において、１回目のスクリーン印刷処理
と２回目以降のスクリーン印刷処理とで導電性ペースト
の材料が異なっており、１回目のスクリーン印刷処理で
の導電性ペーストの材料に比べて２回目以降のスクリー
ン印刷処理での導電性ペーストの材料は、半田との接続
性が良いことを特徴とする。
は、請求項１〜３の何れかにおいて、前記複数回のスク
リーン印刷処理において、１回目のスクリーン印刷処理
と２回目以降のスクリーン印刷処理とで導電性ペースト
の材料が異なっており、１回目のスクリーン印刷処理で
の導電性ペーストの材料に比べて２回目以降のスクリー
ン印刷処理での導電性ペーストの材料は、半田との接続
性が良いことを特徴とする。
【００１３】請求項５に係る太陽電池素子は、導電性ペ
ーストの複数回のスクリーン印刷処理により形成された
集電極を備えることを特徴とする。
ーストの複数回のスクリーン印刷処理により形成された
集電極を備えることを特徴とする。
【００１４】本発明では、集電極を形成する際に、スク
リーン印刷工程を複数回繰り返す。これにより、形成し
た集電極の表面の凹凸を低減して平坦化が可能となる。
また、この際、使用するメッシュのパターンを異ならせ
て、各回のスクリーン印刷工程を行う。これにより、集
電極表面の更なる平坦化を実現できる。表面の凹凸の低
減によって、低温環境で使用される高抵抗な導電ペース
トを用いても、集電極の抵抗が高くなることを防止で
き、光電変換特性、特にF.F.（曲線因子）を向上でき
る。また、集電極の表面が平坦であるので、後工程のタ
ブ付けを容易に行える。
リーン印刷工程を複数回繰り返す。これにより、形成し
た集電極の表面の凹凸を低減して平坦化が可能となる。
また、この際、使用するメッシュのパターンを異ならせ
て、各回のスクリーン印刷工程を行う。これにより、集
電極表面の更なる平坦化を実現できる。表面の凹凸の低
減によって、低温環境で使用される高抵抗な導電ペース
トを用いても、集電極の抵抗が高くなることを防止で
き、光電変換特性、特にF.F.（曲線因子）を向上でき
る。また、集電極の表面が平坦であるので、後工程のタ
ブ付けを容易に行える。
【００１５】本発明では、２回目以降のスクリーン印刷
工程では、１回目のスクリーン印刷工程より、半田付け
性が良い材料の導電ペーストを使用する。このようにす
ると、形成される集電極の表面が半田との接続性が良好
な材質となるので、タブが付け易く電流取り出し用のリ
ード線の密着性も向上できる。
工程では、１回目のスクリーン印刷工程より、半田付け
性が良い材料の導電ペーストを使用する。このようにす
ると、形成される集電極の表面が半田との接続性が良好
な材質となるので、タブが付け易く電流取り出し用のリ
ード線の密着性も向上できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明
の太陽電池素子の製造方法の工程を示す断面図である。
示す図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明
の太陽電池素子の製造方法の工程を示す断面図である。
【００１７】まず、ｎ型の結晶系シリコン基板１の一方
の主面に、ＳｉＨ4 を用いたプラズマＣＶＤ法により、
ｉ型の非晶質シリコン層２を形成し、続いてその上に、
ＳｉＨ4 とＢ2 Ｈ6 との混合ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法により、ｐ型の非晶質シリコン層３を形成する（図
１（ａ））。また、結晶系シリコン基板１の他方の主面
に、ＳｉＨ4 を用いたプラズマＣＶＤ法により、ｉ型の
非晶質シリコン層６を形成し、続いてその上に、ＳｉＨ
4 とＰＨ3 との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、ｎ型の非晶質シリコン層７を形成する（図１
（ｂ））。
の主面に、ＳｉＨ4 を用いたプラズマＣＶＤ法により、
ｉ型の非晶質シリコン層２を形成し、続いてその上に、
ＳｉＨ4 とＢ2 Ｈ6 との混合ガスを用いたプラズマＣＶ
Ｄ法により、ｐ型の非晶質シリコン層３を形成する（図
１（ａ））。また、結晶系シリコン基板１の他方の主面
に、ＳｉＨ4 を用いたプラズマＣＶＤ法により、ｉ型の
非晶質シリコン層６を形成し、続いてその上に、ＳｉＨ
4 とＰＨ3 との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、ｎ型の非晶質シリコン層７を形成する（図１
（ｂ））。
【００１８】次に、スパッタリング法により、非晶質シ
リコン層３と非晶質シリコン層７との上に、何れもＩＴ
Ｏからなる透光性導電膜４と透光性導電膜８とをそれぞ
れ形成する（図１（ｃ））。最後に、Ａｇペーストを用
いたスクリーン印刷法により、透光性導電膜４と透光性
導電膜８との上に、集電極５と集電極９とをそれぞれ形
成する（図１（ｄ））。
リコン層３と非晶質シリコン層７との上に、何れもＩＴ
Ｏからなる透光性導電膜４と透光性導電膜８とをそれぞ
れ形成する（図１（ｃ））。最後に、Ａｇペーストを用
いたスクリーン印刷法により、透光性導電膜４と透光性
導電膜８との上に、集電極５と集電極９とをそれぞれ形
成する（図１（ｄ））。
【００１９】本発明では、上述した工程において、Ａｇ
ペーストを用いたスクリーン印刷法により集電極５を形
成する際に、スクリーンメッシュのパターンを換えて印
刷処理を２回繰り返す。図２，図３は、本発明で使用す
る、パターンが異なる２種のスクリーンメッシュと、そ
れらのスクリーンメッシュを使用して形成される電極の
形状を示す図である。図２（ａ），（ｂ）は１回目の印
刷処理に使用するスクリーンメッシュＡ，それを使用し
た場合の印刷後の電極の形状を表し、図３（ａ），
（ｂ）は２回目の印刷処理に使用するスクリーンメッシ
ュＢ，それを使用した場合の印刷後の電極の形状を表し
ている。電極を形成する部分において、スクリーンメッ
シュＡ，Ｂの横線のピーク位置がずれており、形成され
る電極の凹凸形状も異なっている。
ペーストを用いたスクリーン印刷法により集電極５を形
成する際に、スクリーンメッシュのパターンを換えて印
刷処理を２回繰り返す。図２，図３は、本発明で使用す
る、パターンが異なる２種のスクリーンメッシュと、そ
れらのスクリーンメッシュを使用して形成される電極の
形状を示す図である。図２（ａ），（ｂ）は１回目の印
刷処理に使用するスクリーンメッシュＡ，それを使用し
た場合の印刷後の電極の形状を表し、図３（ａ），
（ｂ）は２回目の印刷処理に使用するスクリーンメッシ
ュＢ，それを使用した場合の印刷後の電極の形状を表し
ている。電極を形成する部分において、スクリーンメッ
シュＡ，Ｂの横線のピーク位置がずれており、形成され
る電極の凹凸形状も異なっている。
【００２０】本発明では、１回目の印刷処理では図２に
示すようなスクリーンメッシュＡを使用し、２回目の印
刷処理では図３に示すようなスクリーンメッシュＢを使
用する。このようにして線幅0.12ｍｍの集電極５を形成
した場合の各回の印刷処理終了後における厚さのバラツ
キの実験結果を下記表１に示す。
示すようなスクリーンメッシュＡを使用し、２回目の印
刷処理では図３に示すようなスクリーンメッシュＢを使
用する。このようにして線幅0.12ｍｍの集電極５を形成
した場合の各回の印刷処理終了後における厚さのバラツ
キの実験結果を下記表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１の結果から、このように２つの異なる
パターンを有するスクリーンメッシュＡ，Ｂを用いて重
ね印刷を行うことにより、形成される電極の凹凸を低減
できていることが分かる。これは、各スクリーンメッシ
ュＡ，Ｂのパターンに起因する凹凸が重ね印刷により相
殺されたことと、Ａｇペーストは粘性が高くて印刷処理
を２回繰り返すことにより圧力の低い所にＡｇが流れた
こととに起因する。
パターンを有するスクリーンメッシュＡ，Ｂを用いて重
ね印刷を行うことにより、形成される電極の凹凸を低減
できていることが分かる。これは、各スクリーンメッシ
ュＡ，Ｂのパターンに起因する凹凸が重ね印刷により相
殺されたことと、Ａｇペーストは粘性が高くて印刷処理
を２回繰り返すことにより圧力の低い所にＡｇが流れた
こととに起因する。
【００２３】以上のようにして、メッシュのパターンを
異ならせて印刷処理を２回繰り返すことにより、図４に
示すように、表面の凹凸を低減して平坦化した集電極５
を形成することができる。
異ならせて印刷処理を２回繰り返すことにより、図４に
示すように、表面の凹凸を低減して平坦化した集電極５
を形成することができる。
【００２４】次に、以上のようにして製造された太陽電
池素子の特性について説明する。まず、集電極５の抵抗
値は、その表面の凹凸の低減に応じて、従来の方法（１
回のスクリーン印刷）で製造した太陽電池素子に比べ
て、25％だけ低減できた。また、光電変換特性の１つで
あるF.F.は、従来例が0.70であったのに対して0.75とな
り、7.1 ％向上することができた。更に、この太陽電池
素子を多数直列接続して配置した103 ｍｍ角の太陽電池
の出力を調べた結果、従来例に比して６％向上できたこ
とを確認した。
池素子の特性について説明する。まず、集電極５の抵抗
値は、その表面の凹凸の低減に応じて、従来の方法（１
回のスクリーン印刷）で製造した太陽電池素子に比べ
て、25％だけ低減できた。また、光電変換特性の１つで
あるF.F.は、従来例が0.70であったのに対して0.75とな
り、7.1 ％向上することができた。更に、この太陽電池
素子を多数直列接続して配置した103 ｍｍ角の太陽電池
の出力を調べた結果、従来例に比して６％向上できたこ
とを確認した。
【００２５】なお、上記例では、パターンが異なるスク
リーンメッシュを使用したが、同一のスクリーンメッシ
ュを用いて２回の印刷処理を繰り返した場合にも、従来
例と比較して、抵抗値を20％低減でき、F.F.も6.3 ％向
上することができた。
リーンメッシュを使用したが、同一のスクリーンメッシ
ュを用いて２回の印刷処理を繰り返した場合にも、従来
例と比較して、抵抗値を20％低減でき、F.F.も6.3 ％向
上することができた。
【００２６】また、使用する導電性ペーストとして、Ｃ
ｕペーストまたはＡｌペーストを上述のＡｇペーストに
代えて用いた場合にも、Ａｇペーストの場合と同様な特
性が得られた。
ｕペーストまたはＡｌペーストを上述のＡｇペーストに
代えて用いた場合にも、Ａｇペーストの場合と同様な特
性が得られた。
【００２７】上記例では、２回のスクリーン印刷工程に
おいて同種の導電性ペーストを使用したが、異種の導電
性ペーストを使用するようにしても良い。このような場
合には、１回目にはＡｇペーストを使用し、２回目には
このＡｇペーストより半田付け性に優れたＣｕペース
ト，Ｃｒペースト等を使用するようにすれば、後工程に
おいてタブを集電極５に付け易くなり、集電極５からタ
ブが外れ難くなり、後のプロセスで太陽電池素子が取り
扱い易くなるという利点がある。
おいて同種の導電性ペーストを使用したが、異種の導電
性ペーストを使用するようにしても良い。このような場
合には、１回目にはＡｇペーストを使用し、２回目には
このＡｇペーストより半田付け性に優れたＣｕペース
ト，Ｃｒペースト等を使用するようにすれば、後工程に
おいてタブを集電極５に付け易くなり、集電極５からタ
ブが外れ難くなり、後のプロセスで太陽電池素子が取り
扱い易くなるという利点がある。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明の太陽電池素子の
製造方法では、導電性ペーストのスクリーン印刷処理を
２回以上繰り返して集電極を形成するようにしたので、
スクリーンメッシュのパターンに起因する集電極表面の
凹凸を低減でき、集電極を低抵抗化でき、光電変換特性
の向上に寄与できる。また、この際、各印刷処理工程に
おいて、パターンが異なるスクリーンメッシュを使用す
れば、より大きな効果を奏することができる。
製造方法では、導電性ペーストのスクリーン印刷処理を
２回以上繰り返して集電極を形成するようにしたので、
スクリーンメッシュのパターンに起因する集電極表面の
凹凸を低減でき、集電極を低抵抗化でき、光電変換特性
の向上に寄与できる。また、この際、各印刷処理工程に
おいて、パターンが異なるスクリーンメッシュを使用す
れば、より大きな効果を奏することができる。
【図１】本発明の太陽電池素子の製造方法の工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の１回目のスクリーン印刷処理で使用す
るスクリーンメッシュと、それを用いた場合に形成され
る電極の形状とを示す図である。
るスクリーンメッシュと、それを用いた場合に形成され
る電極の形状とを示す図である。
【図３】本発明の２回目のスクリーン印刷処理で使用す
るスクリーンメッシュと、それを用いた場合に形成され
る電極の形状とを示す図である。
るスクリーンメッシュと、それを用いた場合に形成され
る電極の形状とを示す図である。
【図４】本発明により形成される集電極の形状を示す図
である。
である。
【図５】太陽電池素子の断面図である。
【図６】従来のスクリーン印刷工程を示す模式図であ
る。
る。
１ 結晶系シリコン基板 ２，６ 非晶質シリコン層（ｉ型） ３ 非晶質シリコン層（ｐ型） ４，８ 透光性導電膜 ５，９ 集電極 ７ 非晶質シリコン層（ｎ型） Ａ，Ｂ スクリーンメッシュ
Claims (5)
- 【請求項１】 導電性ペーストをスクリーン印刷して集
電極を形成する工程を有する太陽電池素子の製造方法に
おいて、前記導電性ペーストのスクリーン印刷処理を複
数回繰り返すことを特徴とする太陽電池素子の製造方
法。 - 【請求項２】 前記複数回のスクリーン印刷処理毎に、
スクリーンメッシュのパターンを異ならせる請求項１記
載の太陽電池素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記導電性ペーストはＡｇを主成分とす
る請求項１または２記載の太陽電池素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記複数回のスクリーン印刷処理におい
て、１回目のスクリーン印刷処理と２回目以降のスクリ
ーン印刷処理とで導電性ペーストの材料が異なってお
り、１回目のスクリーン印刷処理での導電性ペーストの
材料に比べて２回目以降のスクリーン印刷処理での導電
性ペーストの材料は、半田との接続性が良い請求項１〜
３の何れかに記載の太陽電池素子の製造方法。 - 【請求項５】 導電性ペーストの複数回のスクリーン印
刷処理により形成された集電極を備えることを特徴とす
る太陽電池素子。
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|---|---|---|---|
| JP26251497A JP4004114B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
| US09/161,003 US6091019A (en) | 1997-09-26 | 1998-09-25 | Photovoltaic element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP26251497A JP4004114B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
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|---|---|---|---|
| JP2007167066A Division JP4549367B2 (ja) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103084A true JPH11103084A (ja) | 1999-04-13 |
| JP4004114B2 JP4004114B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=17376867
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|---|---|---|---|
| JP26251497A Expired - Lifetime JP4004114B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
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- 1997-09-26 JP JP26251497A patent/JP4004114B2/ja not_active Expired - Lifetime
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