JPS61225877A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS61225877A JPS61225877A JP60067262A JP6726285A JPS61225877A JP S61225877 A JPS61225877 A JP S61225877A JP 60067262 A JP60067262 A JP 60067262A JP 6726285 A JP6726285 A JP 6726285A JP S61225877 A JPS61225877 A JP S61225877A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する
ことができる太陽電池や光検出器のような光起電力装置
に関するものである。
ことができる太陽電池や光検出器のような光起電力装置
に関するものである。
（従来の技術）
最近、非晶質半導体材料を用いた太陽電池の如き光起電
力装置は安価で量産性に優れている点などクローズアッ
プされ需要増の一途をたどっている。
力装置は安価で量産性に優れている点などクローズアッ
プされ需要増の一途をたどっている。
第２図（ａ）は！’ ７ ン（ＳＩＨ＜ ）やａｎ ７
．−、ｆｃシリコン（Ｓｉ、Ｆａ）などのＶリコン化合
物雰囲気中でのグロー放電によって生成される非晶質半
導体（ＧＤ −ａｓｉと記す）を用いた典型的な従来の
太陽電池の発電区域の断面構造図を示す。
．−、ｆｃシリコン（Ｓｉ、Ｆａ）などのＶリコン化合
物雰囲気中でのグロー放電によって生成される非晶質半
導体（ＧＤ −ａｓｉと記す）を用いた典型的な従来の
太陽電池の発電区域の断面構造図を示す。
２０１はガラスなどの透光性絶縁基板であυ、２０２は
該基板２０１に形成された透明電極であシ、２０３、２
０４ 、２０５は夫々透明電［２０２上に順次形成され
九〇Ｄ −ａｓｉ層（単に２０７と記す）であり、その
内訳はＧＤ −ａｓｉ、のＰ型層、ＧＤ −ａｓｉ （
７）１−型層及びＧＤ −ａｓｉ、のＮ型層であり、２
０６はＧＤ −ａｓ３一層２０７上に設けられた金属電
極でらる。
該基板２０１に形成された透明電極であシ、２０３、２
０４ 、２０５は夫々透明電［２０２上に順次形成され
九〇Ｄ −ａｓｉ層（単に２０７と記す）であり、その
内訳はＧＤ −ａｓｉ、のＰ型層、ＧＤ −ａｓｉ （
７）１−型層及びＧＤ −ａｓｉ、のＮ型層であり、２
０６はＧＤ −ａｓ３一層２０７上に設けられた金属電
極でらる。
第２図（１））、 （０）は上述の構造をした太陽電池
の発電区域を直列接続した光起電力装置の斜視図及び断
面図を示す。
の発電区域を直列接続した光起電力装置の斜視図及び断
面図を示す。
２０１はガラスなどの透光性絶縁基板である。
第１〜第３の発電区域２１０ 、２２０ 、２３０を位
置づける透明電極２１２ 、２２２ 、２３２は該基板
２０１上に複数個所定方向に配列被着され、次にこの透
明電極２１２ 、２２２ 、２３２上にＧＤ −ａｓｉ
層２１７．２２７．２３７が被着される。さらにこのＧ
Ｄ −ａｓｉ、層２１７、２２７ 、２３７上にアルミ
ニウム（Ａｌ）、クロム（Ｏｒ）、チｐ ン（Ｔｉ−）
などの金属電極２１６ 、２２６ 。
置づける透明電極２１２ 、２２２ 、２３２は該基板
２０１上に複数個所定方向に配列被着され、次にこの透
明電極２１２ 、２２２ 、２３２上にＧＤ −ａｓｉ
層２１７．２２７．２３７が被着される。さらにこのＧ
Ｄ −ａｓｉ、層２１７、２２７ 、２３７上にアルミ
ニウム（Ａｌ）、クロム（Ｏｒ）、チｐ ン（Ｔｉ−）
などの金属電極２１６ 、２２６ 。
２３６が被着される。
ここで形成された第１〜第３の発電区域２１０゜２２０
、２３０の直列接続構造について説明する。各電極２
１２ 、２２２ 、２３２及び２１６ 、２２６ 、２
３６は夫々延長部２１８ 、２２８ 、２３８及び２１
９ 、２２９ 、２３９を有しておシ、各発電区域２１
０ 、２２０ 、２３０のＧＤ −ａｓｉ層２１７ 、
２２７ 、２３７外で透明室１ｔＭ ２１２ 。
、２３０の直列接続構造について説明する。各電極２
１２ 、２２２ 、２３２及び２１６ 、２２６ 、２
３６は夫々延長部２１８ 、２２８ 、２３８及び２１
９ 、２２９ 、２３９を有しておシ、各発電区域２１
０ 、２２０ 、２３０のＧＤ −ａｓｉ層２１７ 、
２２７ 、２３７外で透明室１ｔＭ ２１２ 。
２２２ 、２３２の延長部２１８ 、２２８ 、２３８
と隣接する発電区域２１０ 、２２０ 、２３０の金属
電＠ ２１６ 、２２６．２３６の延長部２１９ 、２
２９ 、２３９とが重畳され直列接続が施されている。
と隣接する発電区域２１０ 、２２０ 、２３０の金属
電＠ ２１６ 、２２６．２３６の延長部２１９ 、２
２９ 、２３９とが重畳され直列接続が施されている。
（特開昭５５−１２４２７４号公報参照）この様に直列
接続された場合、各発電区域（２１０、２２０、２３０
） の透明室＠Ｃ２１２、２２２、２３２）−ＧＤ
−ａｓｉ層（２１７、２２７、２３７） 、 ＧＤ
−ａｓｉ。
接続された場合、各発電区域（２１０、２２０、２３０
） の透明室＠Ｃ２１２、２２２、２３２）−ＧＤ
−ａｓｉ層（２１７、２２７、２３７） 、 ＧＤ
−ａｓｉ。
層（２１７、２２７、２３７）−金属電極（２１６、２
２６、２３６） 、透明室ｆＭ（２１２、２２２，２３
２）の延長部（２１８、２２８、２３８）−金属電極（
２１６、２２６、２３６）の延長部（２１９、２２９、
２３９）の各接合における界面が良好な導通状態でなけ
れば、光起電力装置としての出力が向上しない。
２６、２３６） 、透明室ｆＭ（２１２、２２２，２３
２）の延長部（２１８、２２８、２３８）−金属電極（
２１６、２２６、２３６）の延長部（２１９、２２９、
２３９）の各接合における界面が良好な導通状態でなけ
れば、光起電力装置としての出力が向上しない。
（従来技術の問題点）
一般にＧＤ −ａｓｋ層上に被着する金属電極はスパッ
タリング法、イオンビーム法で形成するよシも蒸着方法
で形成した方が光起電力装置としての出力特性がよいと
言われる。これはＧＤ −ａｓｉ、層に与えるダメージ
が最も少ないと考えられるが、クロム（Ｏｒ）やチタン
（Ｔ１）などは高融点金属であるために真空蒸着方法に
は不向きである。アルミニウム（ＡＪ）を用いれば容易
に蒸着はできるものの、ＧＤ−ａｓｉ層とアルミニウム
（ＡＩ）の金属電極界面に熱拡散を起し、オーミックコ
ンタクトを阻害する層が形成され、光起電力装置の出力
特性を大きく劣化させるといり欠点があった。
タリング法、イオンビーム法で形成するよシも蒸着方法
で形成した方が光起電力装置としての出力特性がよいと
言われる。これはＧＤ −ａｓｉ、層に与えるダメージ
が最も少ないと考えられるが、クロム（Ｏｒ）やチタン
（Ｔ１）などは高融点金属であるために真空蒸着方法に
は不向きである。アルミニウム（ＡＪ）を用いれば容易
に蒸着はできるものの、ＧＤ−ａｓｉ層とアルミニウム
（ＡＩ）の金属電極界面に熱拡散を起し、オーミックコ
ンタクトを阻害する層が形成され、光起電力装置の出力
特性を大きく劣化させるといり欠点があった。
（本発明の目的）
本発明は上述の欠点を解消し、高出力特性が維持でき、
生産性にすぐれた光起電力装置を提供することを目的と
する。
生産性にすぐれた光起電力装置を提供することを目的と
する。
（問題を解決するための手段）
上述の目的を達成するために本発明は透光性絶縁基板上
に配列された複数の第１電極、該第１電極の各々に対応
し、夫々の上に順次被着された非晶質半導体層及び第２
［極を備え、隣接する第１、第２電極は該非晶質半導体
層外において互いに延びて重畳接続されている光起電力
装置において前記非晶質半導体層の第２電極側界面にニ
ッケルと化合したオーミックコンタクト層を設けるよう
にした。
に配列された複数の第１電極、該第１電極の各々に対応
し、夫々の上に順次被着された非晶質半導体層及び第２
［極を備え、隣接する第１、第２電極は該非晶質半導体
層外において互いに延びて重畳接続されている光起電力
装置において前記非晶質半導体層の第２電極側界面にニ
ッケルと化合したオーミックコンタクト層を設けるよう
にした。
（実施例）
以下本発明の光起電力装置を図面に基づいて詳説する。
第１図ｔａｌは本発明の光起電力装置の実施例の斜視図
であシ、同図（’ｂｌは構造を示す断面図である。
であシ、同図（’ｂｌは構造を示す断面図である。
１は透光性基板であシ、１２，２２．３２は酸化錫（８
ｎｕｚ） 、酸化インジウム（工ｈ＊ｏｓ）、酸化イン
ジウム・錫（工Ｔｏ）などで構成された透明の第１電扼
゛である。１７，２７．３７は光照射により発電に寄与
する光キャリアを発生するＧＤ −ａ８１．層であり、
具体的には従来例で示した様に透光性基板１側よ、９Ｆ
−１−Ｎ構造とする。こＯＧＤ −ａｓｉ、層１７゜２
’１．３７はりラン（ＳｉＨｎ） 、凹７・ソ化シリコ
ン（Ｓｉ、Ｆｉ）などのシフン化合物ガスやＰ型、Ｎ型
の決定不純物ガスを含む雰囲気中でグロー放電によシ順
次膜厚３００Ａ〜２００ＯＡである。
ｎｕｚ） 、酸化インジウム（工ｈ＊ｏｓ）、酸化イン
ジウム・錫（工Ｔｏ）などで構成された透明の第１電扼
゛である。１７，２７．３７は光照射により発電に寄与
する光キャリアを発生するＧＤ −ａ８１．層であり、
具体的には従来例で示した様に透光性基板１側よ、９Ｆ
−１−Ｎ構造とする。こＯＧＤ −ａｓｉ、層１７゜２
’１．３７はりラン（ＳｉＨｎ） 、凹７・ソ化シリコ
ン（Ｓｉ、Ｆｉ）などのシフン化合物ガスやＰ型、Ｎ型
の決定不純物ガスを含む雰囲気中でグロー放電によシ順
次膜厚３００Ａ〜２００ＯＡである。
１５．２５．３５はＧＤ −ａｓｉ、層１７ 、２７
、３７上に形成されたニッケル（Ｎ１）と化合したオー
ミックコンタクト層である。オーミックコンタクト層１
５．２５．３５はＧＤ −ａｓｉ一層１７．２７．３７
上にニッケＡ／（Ｎｉ ）を蒸着することによって形
成されるニッケルシリサイドである。との膜厚は５λ〜
１００ Ａ程である。
、３７上に形成されたニッケル（Ｎ１）と化合したオー
ミックコンタクト層である。オーミックコンタクト層１
５．２５．３５はＧＤ −ａｓｉ一層１７．２７．３７
上にニッケＡ／（Ｎｉ ）を蒸着することによって形
成されるニッケルシリサイドである。との膜厚は５λ〜
１００ Ａ程である。
１６．２６．３６はニッケルシリサイドのオーミツクコ
ンタクト層１５，２５．３５上に形成した金属の第２電
極である。この金属はアルミニウム（Ａｊ） 、 二ｙ
ケｙ（Ｎｉ、）、りａム（Ｏｒ）、ｆＰ：／（Ｔ１）、
銀（Ａｇ ）などあらゆる金属が使用され、その堆積方
法も蒸着方法をはじめスパッタリング法、イオンビーム
方法などあらゆる手法が使用できる。
ンタクト層１５，２５．３５上に形成した金属の第２電
極である。この金属はアルミニウム（Ａｊ） 、 二ｙ
ケｙ（Ｎｉ、）、りａム（Ｏｒ）、ｆＰ：／（Ｔ１）、
銀（Ａｇ ）などあらゆる金属が使用され、その堆積方
法も蒸着方法をはじめスパッタリング法、イオンビーム
方法などあらゆる手法が使用できる。
次に第１〜第３の発電区域１０，２０．３０ の直列
接続構造について説明する。
接続構造について説明する。
第１〜第３の発電区域１０，２０．３０の第１電極１２
、２２ 、３２及び第２電［１６、２６，３６は夫々
各発電区域１０，２０．３０外に延びる延長部１８．２
８°、−３８及び１９．２９を有し、第１の発電区域１
０の第２電４ｉ１６の延長部１９と第２の発電区域２０
の第１電極２２の延長部２８とが、また第２の発電区域
２０の第２電極２６の延長部２９と第３の発電区域３０
の第１電極３２の延長部３８とが夫々互いに重畳してｗ
Ｌ９ＰＣ的に接続されている。光起電力は第１の発電区
域１０の第１電極１２の延長部１８と第３の発電区域３
０の第２電極３６の延長部３８との間よシ取シ出すこと
ができる。
、２２ 、３２及び第２電［１６、２６，３６は夫々
各発電区域１０，２０．３０外に延びる延長部１８．２
８°、−３８及び１９．２９を有し、第１の発電区域１
０の第２電４ｉ１６の延長部１９と第２の発電区域２０
の第１電極２２の延長部２８とが、また第２の発電区域
２０の第２電極２６の延長部２９と第３の発電区域３０
の第１電極３２の延長部３８とが夫々互いに重畳してｗ
Ｌ９ＰＣ的に接続されている。光起電力は第１の発電区
域１０の第１電極１２の延長部１８と第３の発電区域３
０の第２電極３６の延長部３８との間よシ取シ出すこと
ができる。
次Ｋ 藝ＧＤ −ａｓｉ層１７．２７．３７と第２″Ｉ
ｌ極１６．２６．３６の界面に設は九オーミックコンタ
クト層１５．２５．３５について詳説する。このオーミ
ックコンタクト層１５．２５．３５は、電気的導通の維
持とＧＤ −ａ８１層１７，２７．３７の保護を兼ねて
いる。このオーミックコンタクト層１５゜２５．３５は
ニッケルシリサイドで形成される。ニッケ／Ｉ／（Ｎ１
．第８属） ＧＤ −ａｓｉ層１７．２７．３７に対し
てＰ型、Ｎ型番不純物として作用をせず、また比較的融
点が低い（１４５５℃、例えばＣｒ ； １８９０°Ｃ
、’ｒｉ、 ｉ １６７５℃）ため、ＧＤ −ａｓｋ層
１７゜２７．３７にダメージを与えない蒸着方法によっ
てニッケルシリサイドのオーミックコンタクト層１５、
２５ 、３５を形成できる。このオーミックコンタクト
ＦｔＩｊＪｔ５．２５．３５によって、例えば製造過程
において、ウェットエツチングやレジスト等でＧＤ −
ａｓｉ層１７，２７．３７を分離する際にＧＤ −ａ８
１一層１７，２７．３７を侵すことがなく、またオーミ
ックコンタクト層１５．２５．３５上に形成スる第２電
極１６，２６．３６の使用金属、被着方法の制隈等をな
くシ、導通状態を向上させるといういわばＧＤ −ａｓ
ｉ層１７ 、２７ 、３７と第２電極１６゜２６ 、３
６との一種の緩衝層の役割をなすものである。
ｌ極１６．２６．３６の界面に設は九オーミックコンタ
クト層１５．２５．３５について詳説する。このオーミ
ックコンタクト層１５．２５．３５は、電気的導通の維
持とＧＤ −ａ８１層１７，２７．３７の保護を兼ねて
いる。このオーミックコンタクト層１５゜２５．３５は
ニッケルシリサイドで形成される。ニッケ／Ｉ／（Ｎ１
．第８属） ＧＤ −ａｓｉ層１７．２７．３７に対し
てＰ型、Ｎ型番不純物として作用をせず、また比較的融
点が低い（１４５５℃、例えばＣｒ ； １８９０°Ｃ
、’ｒｉ、 ｉ １６７５℃）ため、ＧＤ −ａｓｋ層
１７゜２７．３７にダメージを与えない蒸着方法によっ
てニッケルシリサイドのオーミックコンタクト層１５、
２５ 、３５を形成できる。このオーミックコンタクト
ＦｔＩｊＪｔ５．２５．３５によって、例えば製造過程
において、ウェットエツチングやレジスト等でＧＤ −
ａｓｉ層１７，２７．３７を分離する際にＧＤ −ａ８
１一層１７，２７．３７を侵すことがなく、またオーミ
ックコンタクト層１５．２５．３５上に形成スる第２電
極１６，２６．３６の使用金属、被着方法の制隈等をな
くシ、導通状態を向上させるといういわばＧＤ −ａｓ
ｉ層１７ 、２７ 、３７と第２電極１６゜２６ 、３
６との一種の緩衝層の役割をなすものである。
さて、とのオーミックコンタクト層１５ 、２５ 。
３５を有する直列接続を施した光起電力装置の基板１側
から光照射を行ない、第１の発電区域１０の第１電極１
２の延長部１８と第３の発電区域３０の第２電極３６と
の間に負荷を接続すれば発生した光起電力の電流が負荷
に流れるが、このときの光電変換率は、光起電力装置の
内部抵抗に大きく左右される。この内部抵抗は第１電極
１２．２２．３２、ＧＤ−ａｓｉ、層１７，２７，３７
、第２電極１６，２６．３６の界面接続面で生じる接続
抵抗等で決まるが、本発明実施例の光起電力装置であっ
てはオーミックコンタクト層１５．２５．３５を設けた
ことにより、各発電区域１０，２０．３０内の内部抵抗
を小さくできルトトもに、ＧＤ −ａｓｉ層１７ 、２
７ 、３７への悪影響を無視して第１電極１２，２２．
３２と接続状況が最も良好な第２電極１６．２６．３６
を選択できるので全体的には光起電力装置の内部抵抗が
量も小さくできる。
から光照射を行ない、第１の発電区域１０の第１電極１
２の延長部１８と第３の発電区域３０の第２電極３６と
の間に負荷を接続すれば発生した光起電力の電流が負荷
に流れるが、このときの光電変換率は、光起電力装置の
内部抵抗に大きく左右される。この内部抵抗は第１電極
１２．２２．３２、ＧＤ−ａｓｉ、層１７，２７，３７
、第２電極１６，２６．３６の界面接続面で生じる接続
抵抗等で決まるが、本発明実施例の光起電力装置であっ
てはオーミックコンタクト層１５．２５．３５を設けた
ことにより、各発電区域１０，２０．３０内の内部抵抗
を小さくできルトトもに、ＧＤ −ａｓｉ層１７ 、２
７ 、３７への悪影響を無視して第１電極１２，２２．
３２と接続状況が最も良好な第２電極１６．２６．３６
を選択できるので全体的には光起電力装置の内部抵抗が
量も小さくできる。
（効果）
透光性絶縁基板上に配列された複数の第１電極、該第１
電極の各々に対応し、夫々の上に順次被着された非晶質
半導体層及び第２電極を備え、隣接する第１．第２電極
は該非晶質半導体層外において互いに延びて重畳接続さ
れている光起電力装置において 前記非晶質半導体層の第２に極側界面にニッケルと化合
したオーミックコンタクト層を設けることによって、非
晶質半導体層に与えるダメージ特性劣化を無視し、いか
なる金属、いかなる手法によっても第２″ｔＩＬ極を形
成でき、製造過程にウェットエツチング、レジスト塗布
などを行なっても非晶質半導体層に与える影響は皆無で
、光起電力装置の生産性が向上する。また第２電極の熱
拡散による非晶質半導体層への浸透を完全に防ぎ、非晶
質半導体層に発生した光生成キャリアを効率よく集電し
、さらに第１電極と接続抵抗の小さい金属等の材料を第
２電極として使用できるため高い出力特性をもつ光起電
力装置を実現できる。さらにオーミックコンタクト層の
存在によって第２電極の接着強度も増し、光起電力装置
としての信頼性が向上する。
電極の各々に対応し、夫々の上に順次被着された非晶質
半導体層及び第２電極を備え、隣接する第１．第２電極
は該非晶質半導体層外において互いに延びて重畳接続さ
れている光起電力装置において 前記非晶質半導体層の第２に極側界面にニッケルと化合
したオーミックコンタクト層を設けることによって、非
晶質半導体層に与えるダメージ特性劣化を無視し、いか
なる金属、いかなる手法によっても第２″ｔＩＬ極を形
成でき、製造過程にウェットエツチング、レジスト塗布
などを行なっても非晶質半導体層に与える影響は皆無で
、光起電力装置の生産性が向上する。また第２電極の熱
拡散による非晶質半導体層への浸透を完全に防ぎ、非晶
質半導体層に発生した光生成キャリアを効率よく集電し
、さらに第１電極と接続抵抗の小さい金属等の材料を第
２電極として使用できるため高い出力特性をもつ光起電
力装置を実現できる。さらにオーミックコンタクト層の
存在によって第２電極の接着強度も増し、光起電力装置
としての信頼性が向上する。
尚、本発明の実施例は第２電極に金属を用いて詳述した
が、シート抵抗の小さい導電材料であればあらゆるもの
が第２電極として使用でき特許請求の範囲を逸脱するも
のではない。
が、シート抵抗の小さい導電材料であればあらゆるもの
が第２電極として使用でき特許請求の範囲を逸脱するも
のではない。
第１図ｔａ＋及び（ｂｌは本発明の光起電力装置の実施
電力装置の斜視図及び構造を示す断面図である。 １ 、２０１−透光性基板
電力装置の斜視図及び構造を示す断面図である。 １ 、２０１−透光性基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透光性絶縁基板上に配列された複数の第１電極、該第１
電極の各々に対応し、夫々の上に順次被着された非晶質
半導体層及び第２電極を備え、隣接する第１、第２電極
は該非晶半導体層外において互いに延びて重畳接続され
ている光起電力装置において、 前記非晶質半導体層の第２電極側界面にニツケルと化合
したオーミックコンタクト層を設けたことを特徴とする
光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067262A JPS61225877A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067262A JPS61225877A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225877A true JPS61225877A (ja) | 1986-10-07 |
Family
ID=13339865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60067262A Pending JPS61225877A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225877A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171282A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH01259578A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144885A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜光電変換素子の製法 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60067262A patent/JPS61225877A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144885A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜光電変換素子の製法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171282A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH01259578A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
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