TWI309142B - Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability - Google Patents

Description

1309142 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關配置多個有機場致發光（EL)單元，以形成串 接有機場致發光裝置。 【先前技術】 雖得知有機場致發光裝置有二十年以上，但其性能限制 對許多所需之應用構成障礙。在最單形式下，有機場致發 光裝置係包括供電洞注射使用之陽極、供電子注射使用之 陰極、及夾置於此等電極之間而用以支持電荷重組且以產 生發光的有機層。此等裝置一般亦稱為有機發光二極體或 OLEDs。早期〇lEDs之代表為於1965年3月9日頒予Gurnee 等之US-A-3，172,862 ; 1965 年3月 9 日頒予Gurnee tUS-A- 3,173,050 ； "Double Injection Electroluminescence in Anthracene"，RCA Review，3〇, 322_334 (1969);及^乃年} 月9日頒予Dresner之US-A-3,710,167。此等裝置中之有機層 通#包括多環芳族烴，極厚（遠大於1微米）。結果，操作電 壓極高’經常> 1 00伏特。 · 更近期之OLEDs係包括一有機介質，由位於陽極及陰極 义間的極薄層（例如<1〇微米）所組成。其中，「有機介質」 —同係涵蓋介於該陽極與該陰極之間的薄層。縮小厚度降 低有機層電阻，使得該裝置於遠較為低之電壓·下操作。基 本又層OLED結構中（首先由Tang等人描述於us_a_4,356,429 中）與該陽極相鄰之一有機介質有機層係特別選擇以傳導電 洞，因此，稱為電洞傳輸層（HTL)，另一有機層係特別選擇 87547 1309142 以傳導電子，稱為電子傳輸層（etl)。所注射之電洞與電子 於該有機介質中重組導致有效之場致發光。 亦提出一種三層OLED，其含有介於該HTL與該ETL之間 的有機發光層（LEL)，諸如 Tang 等"Electroluminescence of Doped Organic Thin Films", J. Applied Physics, 65, 3610-3616 (1989)。該LEL—般係由摻雜有客體材料之主體材料 所構成。Tang等又於US-A-4,769,292中提出一種四層OLED， 於陽極與該HTL之間附加一電洞注射層（HIL)。此等結構產 生改良之裝置性能。 而且，為了進一步改善OLED性能，亦提出一種稱為疊層 OLED之新穎結構，其係藉著垂直堆疊數層個別OLED而製 得。Forrest 等於 US-A-5,703,436 中且 Burrows 等於 US-A-6,274,980中揭示其疊層OLED。其發明中，疊層OLED係藉 由垂直堆疊數個OLED而製得，個別發出不同顏色或相同顏 色之光。使用其疊層OLED結構，可製得於顯示器中具有較 高積合密度之全色彩發光裝置，但各OLED需要個別電源。 另一種設計中：，Jones等人於US-A-6,3 3 7,492中提出一種疊 層OLED結構，其係垂直堆疊數個OLED，而非個別定址該 堆疊物中之各OLED。Jones等人相信其疊層結構可增加亮 度輸出及操作壽命。 前述疊層OLED使用個別OLED(陽極/有機介質/陰極）作為 建材，以製得疊層OLED。此等設計中複雜之架構顯現出嚴 重之製造問題。因為堆疊物内部存在電極（内電極），故難以 在可見光範園内達到高透明度。此者降低整體裝置效率。 87547 1309142 【發明内容】 改良之整體操作穩定性之串 本發明目的#愈1、生 _ J 1系製造一種具有 接 OLED。 本發明另 接 OLED。 目的係製造—種具有改良之電壓穩定性的_ 包括下列結構之串接有機場致發光 此等目的係藉由一種 裝置達成： a) —陽極； b) —陰極； e)夕個配置於該陽極 a — 一 ^ ^ 興通陰極 < 間的有機場致發光單 疋’其中該有機場致發弁i 贫尤早70係包括至少一電洞傳輸層及 一電子傳輸層；及 d)、、配置於各相_有機場致發光單元之間的連接單元， 其中該連接單元係依序包括—n型摻雜有機層、—界面層、 及一P型摻雜有機層，其中該界面層防止介於該η型換雜有 機層與該ρ型摻雜有機層之間的擴散或反應。 本發明之優·點係為其可在不f要内電極的情況下使辛接 OLED進行操作，以降低光學損失。 本發明另一優點係該_接〇LED於操作期間具有極穩定之 驅動電壓。 本發明另一優點係為該串接OLED提供於Cd/A下測量時較 習用非串接OLED裝置改良之亮度效率。 本發明另一優點係為該串接OLED若於與習用〇le相同之 電流下搡作，具有增高之亮度。 87547 1309142 另—優點係該串接OLED若於與習用〇LED相同之亮度下 操作’則具有增長之壽命。 本發明另一優點係該串接0LEd與先前疊層0LED技術比 較時’具有較低之驅動電壓及較高之光學輸出。 本發明另一優點係該串接OLED可使用單一電壓源操作， 僅有兩電匯流排導體，將該裝置連接於外加電路。因此， 其裝置構造遠較先前技術記載者不複雜’因此可遠較簡易 且於較低成本下製造。 本發明另一優點係該串接OLED可具有調節裝置發光顏色 <新万式，其係藉由混合具有不同顏色發光之適當有機場 致發光單元而進行。 本發明另一優點係可產生高效率白色場致發光。 本發明另一優點係為該串接〇LEd可有效地使用於一燈 中。 【實施方式】 為使串接OLED有效地操作，需使構成有機EL單元及連接 單元之層的光.學透明度儘可能地高，以使該有機EL單元所 生成之輻射離開該裝置。此外，就經由該陽極離開之輻射 而5，该陽極應為透明，且該陰極可不透明、反射、或透 明。就穿經該陰極之輻射而言，該陰極應係透明，且該陽 極可為不透明、反射性或透明。構成該有機EL單元之層通 常對茲EL單元所生成之輻射係光學透明，因此其透明性通 常並非該串接0LED之結構的重點。相同地，構成該連接單 元之層了自所選擇之有機材料及適當之η型或p型摻雜劑構 87547 1309142 成，使其光學透明度可儘可能的高。 使_接OLED有效運作之另一要求係該連接單元應於兩相 鄰有機EL單元之該電予傳輸層中提供電子注射，而於該電 洞傳輸層中提供電洞注射。综合此等裝置性質，即高光學 透明度及優越之電荷注射，可使該串接〇LED具有高場致發 光效率且可於低整體驅動電壓下操作。 申接OLED之操作穩定性與連接單元之穩定性有極大關 係。尤其，該驅動電壓與有機連接單元可否提供必要之電 子注射及電洞注射極有關係。眾所周知兩相異材料緊密相 鄰可能使材料彼此擴散’或使物f跨越兩者之間的邊界而 相互擴散。當係串接〇咖時，若該擴散係發生於介於η型 摻雜有機層與ρ型摻雜有機層間之連接單元中時，該有機連 接單tl之注射性質可能因為個別η型摻雜層或ρ型摻雜層可 此不再具有无分導電性，而相應地降低。擴散或相互擴散 係與溫度及其他因素諸如電場感應移動有關。後者於串接 OLED裝置中似乎相#合理，因為〇led之操作通常需要高 達每厘米106伏特之電場。為防止串接OLED之連接單元中 的操作感應擴散，於該n型掺雜層與該p型摻雜層間導入本 發明界面層’針對相互擴散提供一障壁。 圖1出示本發明串接QLED⑽。此串接〇LED具有—陽極 U〇及一陰極140 ’丨中至少-者係透明。該陽極與該陰極 疋二配置有N個有機EL單元12〇，其中n係為大於】之整數。 等有機EL單元（依序彼此宰接於陽極及陰極）稱為120.1至 120.N其中12〇1係為第一 el單元（與陽極相鄰），而inn 87547 -10- 1309142 係為第N個單元（與陰極相鄰）。EL單元12〇 一辭係表示本發 明稱為120.1至120·N之EL單元中之任一者。當N大於2時， 存有不與陽極或陰極相鄰之有機EL單元，此等可稱為中間 有機EL單元。任兩相鄰有機£]1單元間配置有連接單元㈠❹。 總共有N-1個與N有機EL單元結合之連接單元，其係稱為 130.1至130·(Ν-1)。連接單元130.1係配置於有機EL單元12〇1 與120·2之間，連接單元130.2係配置於有機EL單元120.2與 120.3之間，而連接單元130. (N-1)係配置於有機單元 之間。連接單元13〇 一辭係表示本發明稱 為130.1至130.(N-1)之任何連接單元。串接〇LED 1〇〇係經由 電導體160外接於一電壓/電流來源15〇。， 串接OLED 100係藉著於一對接觸電極―陽極11〇與陰極 140--之間施加由電壓/電流來源15〇所生成之電位，使得陽 極110相對於陰極140係處於較正電位而操作。此外加電位 係與各單元之電阻成比例地分佈於N個有機EL單元之間。 跨越該串接0LED之電位導致電洞（帶正電载流子）自陽極ιι〇 注射至第一有-機EL單元内，而電予（帶負電載流子)自 陰極140注射至第N個有機EL單元12〇以内。相同地，電子 及電洞係於各連接單元（130.1-130.^4))中生成且自其分 離。連接單元130.(x-l) (1<xgN)之電子係注向該陽極，且 進入相鄰有機EL單元120·(χ-1)。相同地，連接單元^心以^) 中所生成之笔/同係注向該陰極’而進入相鄭有機el單元 120·χ。隨之，此等電子及電洞於其對應之有機£[單元中重 組產生光，其係經由該OLED之透明電極或電極等觀看。換 87547 • 11 - 1309142 言之，自陰極注射之電子係自第N個有機EL單元能量串接 至第1個有機EL單元，於各有機EL單元中發光。因此，本 發明傾向使用「串接OLED」一辭，而非「疊層OLED」。 有許多技術界已知可作為本發明有機EL單元之有機EL多

層結構。此等包括 HTL/ETL、HTL/LEL/ETL、HIL/HTL/LEL/ETL 、HIL/HTL/LEL/ETL/EIL、HTL/HTL/電子阻斷層或電洞阻斷 層 /LEL/ETL/EIL、HIL/HTL/LEL/電洞阻斷層 /ETL/EIL。串 接OLED中之各有機EL·單元可具有與其他有機EL·單元相同 * 或相異之結構。與該陽極相鄰之第一有機EL單元的層狀結 構以HIL/HTL/LEL/ETL為佳，而與該陽極相鄰之第N有機EL 單元的層狀結構以HTL/L.EL/ETL/EIL為佳.，且該中間有機EL 單元之層狀結構以HTL/LEL/ETL為佳。 該有機EL單元120之有機層可自小分子OLED材料或聚合 LED材料形成（雨者皆係技術界已知）或其組合物。該串接 OLED裝置中各有機EL單元中的對應有機層可與其他對應之 有機層相同或相異。部分有機EL單元可為聚合物，而其他 可為小分子。 各選擇各有機EL單元，以將性能最佳化，達到所需之屬 性，例如穿透該OLED多層結構之透光度、驅動電壓、亮度 效率、發光顏色、製造性、裝置穩定性等。 為了使串接OLED之驅動電壓最小化，期望將各個有機EL 單元製得儘可能地薄，而不犧牲場致發光效率。各有機EL 單元厚度以小於500奈米為佳，而厚度為2至200奈米更佳。 該有機EL單元中之各層厚度以200奈米或以下亦佳，而以0.1 87547 -12- 1309142 至奈米更佳。 該串接OLED中有機EL單元之數量基本上係等於或多於 2。該串接OLED中有機EL單元之數量係使得cd/A單元中之 亮度效率得到改良或最大化。 已知該習用OLED係包括一陽極、一有機介質、及一陰極。 本發明中，該串接OLED係包括一陽極、多個有機EL單元、 及一陰極’其中該連接單元係為該串接OLED中之新穎特 色。 配置於相鄰有機EL單元之間的連接單元具重要性，因其 係於該相鄰有機EL單元内提供有效之電子及電洞注射所 品。该連接單元之層狀結構係出示於圖2中。其依序包括— η型摻雜有機層131、一界面層132，及一 p型摻雜有機層 孩η型掺雜有機層131係與該有機£匕單元朝向該陽極之側面 相鄰，而該Ρ型摻雜有機層133係與該有機El單元朝向該陰 極 < 側面相鄭。該!!型摻雜有機層係經選擇，以於該相鄰電 子傳輸層提供有效之電子注射。該ρ型摻雜有機層係經選 擇’以於該相柳電洞傳輸層内提供有效之電洞注射。於該 連接單元中使用界面層防止該η型摻雜有機層與該ρ型摻雜 有機層之間可能的相互擴散或反應。為保持該串接〇led之 操作特性，該附加界面層應不使電阻增高，亦不使光學透 明度降低，否則該驅動電壓會增加，而光輸出會降低α因 此，該界面層於光譜可見光區中具有至少9〇%之光學透射 性。該界面層之化學組成及厚度會影響擴散障壁及光學性 貝因此而經最佳化。因為該有機層對於沉積期間之降解 87547 •13- 13094(4222882號專利申請案a 中文說明書替換頁(97年9'月) 特別敏感，故沉積方法亦需最佳化。 η型摻雜有機層意指該層係導電性，而電荷載流子基本上 ^電子。該電㈣數係藉由電子自該摻_傳送至該主體 材料以形成電荷-傳輪逄辦& # ω 得翰複體而铋供。視將電子給予該主體材 料之摻雜劑的濃度及效率而定，該層電導係數可自半導電性 至導電性。、相同地，ρ型摻雜有機層係意指該層係導電性，

而該電荷載流子基本上係為雷,、R 你马電洞。該電導係數係藉由電洞自 摻雜劑傳輸至該主體材斜2形4、 斗屯成電何傳輸複體而提供。視將 電洞給予該主體材料之摻雜劑 /雅則的濃度而效率而定，該層電導 係數可由半導電性至導電性。 各連接單70中之!!型摻雜有機層係包括―主體有機材料及 至少-η型摻雜劑。該„型摻雜有機層中之主體材科係包含一 小分子材料或一聚合物材料，戍 寸及具組合物。該主體材料以可 支持電子傳輸為佳。各遠技萤_ 谷連接單70中之Ρ型摻雜有機層係包含 -主體有機材料，及至少—Ρ型摻雜劑。該主體材料係包含 小分子材料或聚合物材料’或其組合物。該主體材料以可支 持電洞傳輸為佳。通常，供j 仏ni摻雜層使用之主體材料係里 於供P型摻雜層使用之主體材料，因為有傳輸類型之差里。 但在部分情況下，部分有機材料可於η型或ρ型推雜有機層中 作為主體。此等材料可去拉带 、 特针』支持電洞或電子之傳輸。摻雜適當之 η型或ρ型摻雜劑時，經摻雜 心雜 < 有機層會個別主要具有電子 輸或電洞傳輸性。該η型摻雜濃縮或Ρ型摻雜濃度以介於001 至20體積％範圍内為佳。各遠 、. 谷運接早兀之總厚度一般小於20〇 不米，以介於約1至丨5〇奈米範圍内為佳。 87547-970912.doc 14 1309142 使用於習用〇LED裝置中之電子傳輸材料代表可使用^ 型摻雜有機層之主體材料種類。㈣材料有金屬钳合類喔 星化合物，包括喔星本身之鉗合物(一般亦稱為“奎啉酚或8_ 羥基喹啉），諸如三（8-羥基喹啉基）銘。其他材料包括各種 由Tang (仍各4,356,429)所揭示之丁二埽衍生物、各種由^ Slyke等（uS-A-4,539,507)所揭示之雜環光學增白劑、三畊、 經基峻琳衍生物、及料衍生物。斷她等（AppUedphysics ⑽，80, 189 [2002])所揭示之硬羅㈤衍生物，諸如 以-雙（2，，2”-聯❹_6_基）十^基从二苯基㈣環戊 二烯’亦為可使用之主體材料。 於連接單元之η型摻雜有機層中作為n型接雜劑之材料係 包括功函數低於4.0電子伏特之金屬或金屬化合物。特別可 使用之摻雜劑係包括鹼金屬、驗金屬化合物、驗土金屬、 及驗土金屬化合物。「金屬化合物」-辭係包括有機金屬錯 合物、金屬_有機鹽、及無機鹽、氧化物及鹵化物。含有金 屬之η型摻雜劑中，特別可使用Li，Na, K，Rb，Cs，Mg, Ca，Sr,

Ba，La，Ce，Sm.，Eu，丁b，Dy，或Yb、及其無機或有機化合物。 於該連接單元之㈣有機層中作為η型摻雜劑的材料亦包括 具有強力供電子性質的有機還原劑。「強力供電予性」意指 该有機摻雜劑應可將至少部分電子電荷給予該主體，以與 该：體形成電荷-轉移複合物。有機分子之非限制實例係包 ( 瓜基）_四硫雜富瓦婦（BEDT-TTF)、四硫雜富瓦缔 ()及其衍生物。若為聚合物主體，則該摻雜劑可為前 者或亦為分子分散於該主體中或以少量成份形式 87547 •15- 1309142 與該主體共聚。 使用於習用OLED裝置中之電洞傳輪材料代表可使用於 型摻雜有機層之主體材料的可使用類型。較佳材料係包括 具有至少一個僅鍵結於竣原子（其中至少一個係為芳族環之 一員）之三價氮原子的芳族二級胺。於一型式中，該芳族二 級胺可為芳基胺，諸如單芳基胺、二芳基胺、三芳基胺 或聚合芳基胺。Brantley 等（us_A-3,567,450 及 US-A- 3,658,520)揭示其他經一或多個乙埽基取代且/或包含至少 一含活性氫基團的適當三芳基胺。更佳之芳族三級胺類別 係為 Van Slyke等（US_A-4,720,432及uS_A_5,061，569)所描述 之包括至少兩個芳族三級胺部分者。非限制實例係包括 N，N’-二（萘_ι_基）_n，N’-二苯基-聯苯胺（NPB)及N,N，_二苯基 Ν,Ν -雙（3-甲基私基）-ΐ，ι_聯苯胺_4,4，_二胺（tpd)及 Ν，Ν，Ν’，Ν’-四苯基-聯苯胺（ΤΝΒ)。 於該連接單元之ρ型掺雜有機層中作為ρ型掺雜劑的材料 係為具有強吸電子性之氧化劑。「強吸電子性」意指該有機 摻雜劑應可接受來自該主體之部分電子電荷，與該主體形 成電荷-轉移複合物。部分非限制實例係包括有機化合物諸 戈2,3,5,6-四氟_7,7,8,8 -四氰基ρ奎ρ林並二甲燒（pfTCNQ)及 TCNQ疋其他衍生物，及無機氧化劑諸如碘、、FeF3、

SbCls及邵分其他金屬鹵化物。若為聚合物主體，則該摻雜 劑可為任何前述者，或亦可為以主體分子分散或於少量成 份下與主體共聚之材料。 可於η型或ρ型摻雜有機層中作為主體之材料的實例係包 87547 -16 - 1309142 括（但不限於）：US-A-5,972,247所述之各種蒽衍生物；特定 咔唑衍生物，諸如4,4-雙（9_二咔唑基）_聯苯（CBp);及二苯 乙烯基伸芳基衍生物，諸如4,4，·雙（2,2，_二苯基乙烯基）_ι,ι，_ 聯苯及US-A-5，121，〇29所述。 可使用於該連接單元之界面層132係包括至少一種無機半 導體材料或一種以上之半導體材料的組合物。適當之半導 體材料應具有低於4〇電子伏特的電子能帶隙。該電子能帶 隙係定義為分子最高佔據分子軌道與最低未佔據分子軌道 之間的能量差.。可使用之材料類型可選自元素週期表IVA、 VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB、IVB及 VB族中所 歹J之元的化合物（例如’ VWr §cientific Products所公佈之 兀素週期表）。此等化合物係包括碳化物、矽化物、氮化物、 鱗化物、砷化物、氧化物、硫化物、硒化物、及碲化物， 與其混合物。此等半導體化合物可或為化學計量或非化學 計量狀態’即其可含有過量或不足量之金屬成份。特別可 使用於界面層132之材料有鈦、錐、铪、釩、鈮、銓、鉻、 鉬、鎢、錳、銖、鐵、釕、锇、鈷、鍺、銥、鎳、鈀、鉑、 銅、鋅、鎘、鎵、鉈、矽、鍺、鉛、及銻之半導體氧化物， 或其组合物。特別可使用於界面層132之材料亦包括硒化 辞氮化錄、竣化硬、或其組合物。 可使用於該連接單元之界面層132亦可包括至少一或多種 金屬材料’此等金屬材料中至少一種具有高於4.0電子伏特 之力函數’如 Sze於 Physics of Semiconducting Devices，第 2 版，Wiley，Ν.γ.，1981，p 251。 87547 -17- 1309142 適於構成連接單元之界面層132厚度係介於〇〇5夺米至ι〇 奈米範圍内。無機半導體材料之範圚以介於〇ι奈米至^奈 米為佳，而金屬材料以介於0 05奈米至1奈米為佳 適於構成該連接單元之界面層132係藉熱蒸發、”束某 發、或離子藏鍍沉積製得。該界面層132以藉由與：積有機 層之方法相容的熱蒸發製得為佳。 β本發明串接0LED一般係配置於一支持基材上，該陰極或 陽極可於此處與該基付接觸。與該基材接觸之電極係簡稱 為底部電極。該底部分電極傳統上係為陽極，但本發明不 限於該種結構。該基材可為透光性或不透明，視所需之光 :射方向而定。光透射性質係為經由該基材觀看虹發射所 需。該等情況下，-般採用透明玻璃或塑膠。就經由頂部 電極觀看EL發射之應用而言，該底部載體之透光特性不重 要，因此可為透光性、吸光性或反光性。使用於此種情況 =基材係包括（但不限於）玻璃、塑膠、半導體材料、矽、陶 瓮、及電路板材料。當然，需於此等裝置結構提供一透光 性頂部電極。 經由陽極110觀看EL發光時，該陽極對於所研究之發光應 係透明或貝貝透明。使用於本發明之共同透明陽極材料係 為虱化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZ0)及氧化錫，但可使用其他 金屬氧化物，包括（但不限於）掺雜鋁或銦之氧化鋅、氧化鎂 銦、及氧化鎳鹤。除了此等氧化物之外，金屬氮化物（諸如 氮化鎵）及至屬硒化物（諸如硒化鋅）、及金屬硫化物（諸如硫 化鋅）可作為該陽極。就僅經由該陰極觀看EL發光之應用而 87547 -18 - 1309142 3極之透射特性不重要，而可使用任何透明、不透明 或反射性導電性材料。此應用中之例示導體係包括（但不限 於）金上目、麵及始。典型陽極材料（透射性或非透射性) 二=问於4 G電子伏特之功函數。所需之陽極材料係藉任何 C田之機制共同沉積，諸如蒸^、滅鍍、化學氣相沉積' 或電化學機制。陽極可使用眾所周知之微影法圖案化。陽 極可視情况於施加其他層之㈣光，以降低表面粗輪度， 而使％短路減至最少，或増加反射性。 雖非始終必要，但經常可於第一有機£1^單元中提供一 HIL，以接觸該陽極m。該耻可用以改善後續有機層之薄 膜形成性質’且有助於將電職射於mTLt，降低該串接 〇LED之驅動電壓。適用於肌之材料係包括（但不限於）us_ A 4’720,432所述之樸啉化合物、us_A_6,2〇8,〇75所述之電 漿沉積氟碳化物聚合物、及部分芳族胺，例如心卿八二 (4,4’，4’’-三[(3_乙基苯基）苯基胺基]三苯基胺）。使用於前述 連接單元中之p型摻雜有機層亦可如US_A_6,423,429 Μ所述 般地使用於HrL。或據載可使用於有機EL裝置中之電洞注 射材料係描述於EP 0 891 121 A1及EP 1 029 909 A1。 有機EL單元中之HTL含有至少一種電洞傳輸化合物，諸 如芳族二級胺，其中已知後者係為含有至少一個僅鍵結於 碳原子（其中至少一個係為芳族環之成員）之三價氮原子的化 合物。於一型式中，該芳族三級胺可為芳基胺，諸如單芳 基胺、二芳基胺、三芳基胺、或聚合芳基胺。例示單體三 芳基胺係由Klupfel等人說明於US-A-3，180,730中。其他經 87547 -19- 1309142 一或多個乙烯基取代且/或包含至少一個含活性氫之基團的 適葛一方基胺係由Brantley等揭tf於US-A-3,567 450及！18_ A-3,658,520 中。 更佳類型之芳族三級胺係為包括至少兩個芳族三級胺部

分者，如 US-A-4,720,432 及 US-A-5,061，569 所描述。該HTL 可由單一芳族三級胺化合物或其混合物形成。可使用之芳 族三級胺的說明例如下： 1，1-雙（4-二-對-曱苯基胺基苯基）環己烷 1，1-雙（4-二_對-甲苯基胺基苯基）_‘苯基環己烷 4,4’-雙（二苯基胺基）聯四苯 雙（4-二甲胺基-2-甲基苯基）-苯基甲烷 N，N，N-三（對-甲苯基）胺 • 4·(二-對-甲苯基胺基）_4，_[4_(二_對_甲苯基胺基）_苯乙婦 基]二苯乙晞 \1^，：^’，]^’-四-對-曱苯基_4-4，-二胺基聯苯 N，N，N’，N’-四苯基·4,4’_二胺基聯苯 Ν，Ν，Ν’，Ν’-西-1-萘基_4,4，-二胺基聯苯 · Ν，Ν，Ν’，Ν’-四·2-萘基-4,4，-二胺基聯笨 Ν-苯基叶峻 4,4’-雙茬基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(l-萘基）-Ν-(2-萘基）胺基]聯苯 Μ”-雙[N_(l-蓁基）-Ν-苯基胺基]對-聯三苯 4,4’-雙[Ν-(2-茶基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(3-苊基）-Ν-苯基胺基]聯苯 87547 -20- 1309142 1，5-雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]莕 4,4’-雙[N-(9-蒽基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4”-雙[1^-(1-蒽基）-1^-苯基胺基]-對-聯三苯 4,4’-雙[N-(2-菲基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(8-螢蒽基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(2-芘基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(2-丁省基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(2-二莕嵌苯基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(l-暈苯基）-N-苯基胺基]聯苯 2.6- 雙（二-對-甲苯基胺基）萘 2.6- 雙[二-(1-莕基）胺基]萘 2.6- 雙[N-(l-萘基）-N-(2-萘基）胺基]萘 N，N，N’，N’-四（2-茬基）-4,4”-二胺基-對-聯三笨 4,4’-雙{N-苯基-N-[4-(l-莕基）_苯基]胺基}聯苯 4,4’-雙[N-苯基-N-(2-祐基）胺基]聯苯 2.6- 雙[Ν，Ν·二（2-茶基）胺]苐 1，5-雙[N-(l」審基）_Ν·苯基胺基]茶 4,4’，4’’-三[(3-甲基苯基）苯基胺基]三苯基胺。 另一類可使用之電洞傳輸材料係包括Ερ ! 〇〇9 〇41所插逑 之多環芳族化合物。可使用具有兩個以上胺基之三級芳族 胺’包括寡聚材料。此外，可使用聚合f洞傳輪材料 如聚（N_乙烯基咔唑）(ρνκ)、聚噻吩、聚吡咯、聚笨胺、？ 共聚物諸如聚(3,4_乙二氧基嘧吩)/聚(4_苯乙烯磺酸：: 稱為 PEDOT/PSS。 研 87547 -21 - 1309142 如 US-A-4,769,292 及 US-A-5,935,721 所詳述，有機 EL 單元 中< LEL係包括發光或螢光材料，其中場致發光係因該區中 之電子-電洞對重組而產生。該LEL可包括單一材料，但通 常係由摻雜有客體化合物或化合物等之主體材料所組成， 其中光發射主要係來自該摻雜劑，且可具有任何顏色。該LEL 中<客體材料可為如下文所定義之電子傳輸材料、如前文 所定義之電洞傳輸材料、或其他支持電洞-電子重組之材料 或材料组合物。該摻雜劑通常係選自高度螢光染料，而非 鱗光化合物’例如亦可使用W〇 98/5556i、w〇 00/18851、 WO 00/57676、及WO 00/70655所述之過渡金屬錯合物。摻 雜劑一般係塗覆成在主體材料中為〇 〇1至1〇重量％。聚合物 材料諸如聚苐及聚乙晞基伸芳基（例如聚[對-伸苯基伸乙 埽]’ PPV)亦可作為主體材料。此情況下，小分子摻雜劑可 分子性分散於該聚合物主體内，或該摻雜劑可藉著將少量 成份共聚於該主體聚合物内而添加。 選擇作為掺雜劑之染料的重要關係係為電子能帶隙之比 較。就自該主·體至該掺雜劑分子之有效能量轉移而言，必 要條件係為該掺雜劑之能帶隙小於該主體材料者。就磷光 發射劑而言’亦重要的是該主體之主要三重能階高至足以 自主體能量轉移至摻雜劑。 已知可使用之主體及發射分子係包括（但不限於）US_A_ 4,768,292、 US-A-5,141,671 、 US-A-5,150,006、 US-A- 5,15 1,629 ' US-A-5,405,709、 US-A-5,484,922 、 US-A- 5,593,788 ' US-A-5,645,948 ' US-A-5,683,823、 US-A- 87547 -22- 1309142 5,755,999、US-A-5,928,802、US-A-5,93 5,72 0、US-A-S，935,721、及US-A-6,020,078所揭示者。 8-經基p奎11林（喔星）及類似衍生物之金屬錯合物構成一類可 支持場致發光之有用主體化合物。可使用之钳合類喔星化 合物的代表例如下： CO-1 :三喔星鋁[別名，三（8-喹啉根基）鋁（III)] CO-2:雙喔星鎂[別名，雙（8-喹啉根基）鎂（II)] CO-3:雙[苯並{f}-8-喹啉根基]鋅（II) CO-4 :雙（2-甲基-8-喹啉根基）鋁（III)-// -合氧基-雙（2_甲 基-8-喳啉根基）銘（III) CO-5:三喔星銦[別名，三（8-喹啉根基）銦] CO-6 :三（5-甲基喔星）鋁[別名，三（5-甲基·8_喳啉根基） 鋁（III)] CO-7 :喔星經[別名，（8-p奎琳根基）經⑴] CO-8:喔星鎵[別名’三（8·喳啉根基）鎵（in)] CO-9:喔星锆[別名，四（8-峻淋根基）锆（iv)] 其他類型之可使用主體材料係包括（但不限於）蒽之衍生 物’諸如US-A_5,935,72l所述之9,1〇_二_(2_萘基）慈及其衍 生物、US-A-5，121，029所述之二苯乙烯基伸芳基衍生物、及 吲哚衍生物’例如2,2，，2，，-(1，3,5-伸苯基）三[1_苯基-1比苯並 咪峻]。咔也衍生物係為特別可使用於磷光發射劑之主體。 可使用之螢光摻雜劑包括（但不限於）惹、丁省、咕噸、二 秦甘人丰紅勞％ 香且素、务丹明（rhodamine)、及4 7丫淀 酮、二氰基亞甲基吡喃化合物、硫代吡喃化合物、聚甲炔 87547 -23- 1309142 化合物、氧雜苯鏽及硫雜苯鑌化合物、槳衍生物、 periflanthene衍生物、茚并二萘嵌苯衍生物、雙（吖畊基）胺 硼化合物、雙（吖啼基）甲烷化合物、及經基苯乙缔基化合物。 用以於本發明有機EL單元中形成ETL之薄膜形成性材料 係為金屬钮合類喔星化合物’包括喔星本身之鉗合物（亦通 稱為8-喹啉酚或8-羥基喹啉）。該化合物有助於注射及傳輸 電子，具有高度性能，且易製造成薄膜形式。例示類喔星 化合物係如先前列示。 其他電子傳輸材料包括如US-A-4,356,429中揭示之各種丁 二烯衍生物及如US-A-4,539,507中揭示之各種雜環光學發亮 劑。吲哚和三畊也是適用的電子傳輸材料。 雖非始終必要，但經常可於該第N個有機EL單元中提供 EIL，以接觸該陰極14〇。該mL可用以幫助將電子注射於該 ETL内’增加電導係數，導致該串接〇led之低驅動電壓。 適用於EIL的材料係為前述使用於連接單元中 機層中所述含有強還原劑以作為摻雜劑或含? 屬（<4.0電子轉）作為接雜劑的饥。備擇^ 之η型摻雜有

較佳陰極材料係包含“ g:Ag合金， 之安定性。可使用之陰極 電予伏特）或金屬合金。一 '其中銀之百分比係如US- 87547 -24- 1309142 A-4,885,221所述介於1至20%範圍内。另一類適當之陰極材 料係包括雙層’其包括與有機層（例如ETL)接觸之薄無機 EIL ’其罩蓋有較厚之導電性金屬層。此情況下，該無機eil 較佳係包括低功函數金屬或金屬鹽，如此，該較厚罩蓋層 不需具有低功函數。一該陰極係包括一 UF薄層，之後為較 厚之A1層，如US-A-5,677,572所述。其他可使用之陰極材料 組合係包括（但不限於）US-A-5,059,861、US-A-5,059,862、 及US-A-6,140,763所揭示者。 當光發射係經由陰極觀看時’該陰極需透明或接近透明。 就該應用而言’金屬需薄或需使用透明導電性氧化物，或 此等材料之混合物。光學透明性陰極已較詳細地描述於us_ A-4’885,211、US-A-5,247，190、US-A-5,703,436、US-A- 5,608,287 ' US-A-5,837,391 > US-A-5,677,572 ' US-A- 5,776,622 > US-A-5,776,623 ' US-A-5,714,838 ' US-A- 5,969,474 ' US-A-5,739,545 ' US-A-5,981,3 06 ' US-A- 6,137,223 ' US-A-6,140,763 ' US-A-6,172,459 ' US-A- 6,278,236、US-A-6,284,393、JP 3,234,963、及 EP 1 076 .368 中。陰極材料一般係藉熱蒸發、電子束蒸發、離子濺鍍、 或化學氣相沉積而沉積。需要時，可經由許多眾所周知之 方法達成圖案化，包括（但不限於）穿透式罩幕沉積、單片式 蔭蔽法（例如US-A-5,276,380及EP 0 732 868所述）、雷射切 除、及選擇性化學氣相沉積。 邵分情況下，有機EL單元中之LEL及ETL可視情況壓縮成 單層，其係用以同時支持光發射及電子傳輸。技術界中亦 87547 -25- 1309142 已知發光之捧雜劍 欠& & ' 了添加於可作為主體之HTL·中。可添加 多種掺雜劑於—或多 T 加 中’以產生發白光之OLED，例如处 合發藍光及發黃光之姑拉 U如〜 料、發青綠光及發紅光之材料、或 發紅光、發綠夯另议^^ ^ 監光之材料。發白光之裝置係描述於 例如吳國專利申嗜安 、 明衣 a 告編號 2002/0025419 Al、US A 5,683,823、Us_a_5 b_A· 〕，M3,9l〇、uS-A-5,405,709、US-A 5,283，182、EP 1 187 ”， A_ i8/ 、及奸 i 182 244。 技術界所教示之附知爲,# 層（諸如電子或電洞阻斷層）可使用於 本發明裝置中。電洞卩且磨a - Π阻断層—般用以改善磷光發射裝置之 效率，例如美國專利争社 , 予〜甲明案公告編號2〇〇2/〇〇15859 A1所示。 前述有機材料係絲由各4 、 '，二由氧相万法（諸如熱蒸發）適當地沉積， 但可自一流體（例如各古、|g攻t , . 有選擇性黏合劑之溶劑，以改善薄膜 形成r生）②邊材料係為聚合物，則可使用溶劑沉積，但可 使用其他万法’諸如自予體片濺鍍或熱轉移。欲藉敖蒗發 進行沉積之材料可自蒸發「舟-」(經常包含麵材料，例如 S A 6,237,529所述)恶發，或可先塗覆於予體片上，之後 於極接近基材處昇華。材料混合物層可採用個別蒸發舟皿， 或該材料可預先混合自單一舟服或予體片塗覆。圖案 化>儿積可使用陰罩幕、單片式隆罩幕（us_A_5,294,87〇)、來 自予體片之空間界定熱染料轉移（US_A_5，688,55i、us_A_ 5,851，7G9、及 US-A-6，G66,357)及噴墨法（US_A_6，G66,357m 成。 大部分OLED裝置皆對濕氣或氧氣或兩者敏感，故其一般 係密封於惰性氛圍（諸如氮或氬）中，同日寺使用乾燥齊卜諸如 87547 -26- 1309142 氧化鋁、鋁土礦、硫酸鈣、黏土、矽膠、沸石、鹼金屬氧 化物、鹼土金屬氧化物、硫酸鹽、或金屬函化物及過氯酸 鹽。封包及乾燥之方法係包括（但不限於）US_A_6,226,謂所 述者。此外，技術界已知將障壁層諸如Si〇x、鐵弗龍、及 交替無機/聚合物層使用於封包。 本發明OLED裝置可採用各種眾所周知之光學效率，以視 需要改善其性質。此包括將料層厚度最佳化，以產生最大 透光度，提供介電鏡面結構，使用吸光性電極取代反射性 電極，於該頦示器上配置防眩光或抗反射塗層，於該顯示 器上配置偏光介質’或於該顯示器上配置彩色、中線密度、 或色彩轉換/慮器。滤益、偏光板、及防眩目或抗反射性塗 層可特別配置於該覆層上或作為該覆層之一部分。 本發明所提及之專利及其他公告的所有内容皆以提及方 式併入本文中。 實施例 以下實施例係用於進一步瞭解本發明。為簡短計，該材 料及其所形成之層係簡稱如下示者。 . ITO :氧化銦鍚；用以於玻璃基材上形成透明陽極 CFx :聚合氟碳化物層；用以於該IT〇頂上形成電洞注射 層 NPB : Ν，Ν’-二（萘-卜基）-Ν，Ν’-二苯基-聯苯胺；用以於有 機EL單元中形成電洞傳輸層，亦作為在連接單元中形成ρ型 捧雜有機層的主體。

Alq :三（8-羥基喹啉）鋁（ill);同時用以於該有機eL單元 87547 -27- 1309142 中形成電子傳輸層，亦於該連接單元中作為形成η型摻雜有 機層的主體。 f’tcnq : 2,3,5,6_四氟_7,7,8,8_三氰基喳啉并二甲烷；作 為於該連接單元中形成摻雜有機層的p型摻雜劑。

Li :鋰；作為於該連接單元中形成n型摻雜有機層的11型 摻雜劑。

Mg:Ag :鎂：銀為1〇:〇 5體積比；用以形成該陰極。 所製彳于 < 所有裝置的場致發光特性皆使用定流來源及光 度計於室溫下評估。所製得之裝置於2〇毫安/厘米2下且於室 /皿下操作，以進行操作穩定性試驗。 (習用OLED-對照仞p 習用非串接OLED之製備如下：塗覆有透明IT〇導電層而 約Μ毫米厚之玻璃基材使用市售玻璃洗滌工具清潔且乾 燥。1Τ0之厚度約為42奈米，而ΙΤΟ之薄膜電阻約為68歐姆/ 平方。該ΙΤΟ表面隨之以氧化電漿處理，以將表面處理成為 陽極。藉於RF電漿處理艙中分解CH]p3氣體，將丨奈米厚之CFx 層'儿積於清潔.之ιτο表面上，以作為HIL。基材隨之移入真 二外積艙内，以將所有其他層沉積於該基材頂部。於約丨〇·6 托耳真空下，自加熱舟皿昇華，依下列次序沉積後續薄層： (1) 一 HTL，75奈米厚，由NPB組成； (2) — ETL(亦作為發射層），6〇奈米厚，由Alq組成； (3) —陰極，約210奈米厚，由Mg:Ag組成。 沉積此等料層之後，該裝置自沉積艙移入乾燥箱，以進 订封包° %成之裝置結構表示為IT〇/CFx/NpB(75) 87547 -28- 1309142 /Alq(60)/Mg:Ag。 此裝置需要7.3伏特之驅動電壓，以通過20毫安/厘米2。 其亮度係為495 cd/m2，且其亮度效率約為2.5 cd/A。該亮度 隨操作時間衰退之情況係出示於圖3中，而該電壓相對於操 作時間之演變係出示於圖4。在操作300小時之後，亮度降 低約20%，但驅動電壓基本上不變。 實施例2(對照例） 串接OLED之製備如下：塗覆有透明ITO導電層而約1.1毫 米厚之玻璃基材使用市售玻璃洗滌工具清潔且乾燥。ITO之 厚度約為42奈米，而ITO之薄膜電阻約為68歐姆/平方。該ITO 表面隨之以氧化電漿處理，以將表面處理成為陽極。藉於RF 電漿處理艙中分解CHF3氣體，將1奈米厚之CFx層沉積於清 潔之ITO表面上，以作為HIL。基材隨之移入真空沉積艙内， 以將所有其他層沉積於該基材頂部。於約1 〇-6托耳真空下， 自加熱舟皿昇華，依下列次序沉積後續薄層： (1) 一 HTL，90奈米厚，由NPB組成；

(2) — ETL(亦作為發射層），30奈米厚，由Alq組成；’ [NPB(90奈米）/Alq(30奈米），表示為ELI，構成第一 EL 單元]; (3) — η型摻雜有機層，30奈米厚，由摻雜有1.2體積％ Li 之Alq主體組成； (4) p型摻雜有機層，60奈米厚，由摻雜有6體積％之尸4-TCNQ的NPB主體組成 [摻雜Li之Alq(30奈米）/摻雜F4-TCNQ之NPB(60奈米）， 87547 -29- 1309142 構成第一連接單元] (5) — HTL，30奈米厚，由NPB組成； (6) — LEL，30奈米厚，由Alq組成； (7) — ETL，30奈米厚，由摻雜有1.2體積％ Li之Alq主體 組成； [NPB(30奈米）/Alq(30奈米）/Alq:Li(30奈米），稱為 EL2， 構成第二EL單元]; (8) —陰極，約210奈米厚，由Mg: Ag組成。 沉積此等料層之後，該裝置自沉積艙移入乾燥箱，以進 行封包。完成之裝置結構表示為ITO/CFx/ELl/Alq:Li(30奈 米）/NPB:F4-TCNQ(60奈米）/EL2/Mg:Ag。 此串接OLED需要14.3伏特之驅動電壓，以通過20毫安/厘 米2。其亮度係為1166 cd/m2，且其亮度效率約為5.8 cd/A， 係高達實施例1之兩倍。該亮度隨操作時間衰退之情況係出 示於圖3中。在操作300小時之後，亮度降低約1 5%。而該電 壓相對於操作時間之演變係出示於圖4。顯然驅動電壓於操 作時不穩定。在操作300小時之後，驅動電壓增加50%。_ 實施例3(本發明） 串接OLED係如同實施例2般製造，不同處係將2奈米厚PbO 配置於該連接單元中摻雜有Li之Alq層與摻雜有F4-TCNQ層 之間。 該串接裝置結構係表示為ITO/CFx/ELl/Alq:Li(30奈 米）/PbO(2奈米）/NPB:F4-TCNQ(60奈米）/EL2/Mg:Ag。 此串接OLED需要12.6伏特之驅動電壓，以通過20毫安/厘 87547 -30- 1309142 米2。其亮度係為1177 cd/m2，且其亮度效率約為5 9 cd/A， 係咼達貫施例1之兩倍。該亮度隨操作時間衰退之情況係出 示於圖3中。在操作3〇〇小時之後，亮度降低約1〇%。電壓相 對於操作時間之演變係出示於圖4中。因為在連接單元之n 型摻雜有機層與P型掺雜有機層之間插入2奈米厚之pb〇半導 體界面層，故操作300小時之後，驅動電壓基本上不變。 實施例4(本發昍） 串接OLED係如同實施例2般製造，不同處係將4奈米厚

Sb2〇5配置於該連接單元中摻雜有Li之Alq層與摻雜有F4_ TCNQ層之間。 該串接裝置結構係表示為ITO/CFx/ELl/Alq:Li(30奈 米）/Sb2〇5(4奈米）/NPB:F4-TCNQ(60奈米）/EL2/Mg:Ag。 此串接OLED需要13伏特之驅動電壓，以通過2〇毫安/厘 米2。其亮度係為1184 cd/m2,且其亮度效率約為5.9 Cd/A， 係咼達實施例1之兩倍。該亮度隨操作時間衰退之情況係出 示於圖3中。在操作300小時之後，亮度降低約15%。電壓相 對於操作時間.之演變係出示於圖4中。因為在連接單元之n 型摻雜有機層與Ρ型摻雜有機層之間插入4奈米厚之Sb205半 導體界面層’故操作3〇〇小時之後，驅動電壓基本上不變。 實施例本發明、 串接OLED係如同實施例2般製造，不同處係將0.5奈米厚

Ag配置於该連接單元中摻雜有Li之Alq層與掺雜有F4-TCNQ 層之間。 遠串接裝置結構係表示為IT〇/CFx/ELl/Alq:Li(30奈 87547 •31- 1309142 米 VAg(〇.5奈米）/NPB:F4_TCNQ(6〇奈米）/EL2/Mg:Ag。 此串接OLED需要12.7伏特之驅動電壓，以通過2〇毫安/厘 米2—。其亮度係為1121 cd/m2,且其亮度效率約為56 cd/A， 係咼達實施例1之兩倍。該亮度隨操作時間衰退之情況係出 示於圖3中。在操作3〇〇小時之後，亮度降低約15%。電塵相 對於拓作時間之演變係出示於圖4中。因為在連接單元之打 型摻雜有機層與ρ型摻雜有機層之間插入〇.5奈米厚之八层金 屬界面層，故操作300小時之後，驅f力電壓基本上不變。 前述實施例說明可使用本發明串接〇LED結構使亮度效率 較習用OLED大幅提高。若於相同亮度下㈣，則㈣使用 本發明串接OLED結構使操作壽命相對於習用〇led大幅增 加。而且’因為連接單元中插人界面層，故在操作期間， 驅動電壓穩定。 【圖式簡單說明】 圖1^出示本發明串接0咖的示意剖面圖，具有多個有 機EL單το且具有介於各有機虹單元之間的連接單元； 圖2出示-可使料本發明串接〇led中之連接單元的示 '、剖面圖，其具有—n型摻雜有機層、—界面層、及一p型 摻雜有機層； 圖3係為本發明及參考裝置利定驅動電流密度20毫安 厘米及至'皿下〈党度相對於操作時間的圖；且 j 4係為本發明及參考裝置於固定驅動電流密度20毫安 厘未及1：溫下之亮度相料操作時間的圖。 應瞭解圖1至2並未按照比例，因為個別層太薄，而各, 87547 -32- 1309142 【圖式代表符號說明】 100-_ 接〇1^〇 110-陽極 120(120.1 至120.N，其中N係為大於1之整數）-有機EL單元 130(1 30.1 至 130. (N-1))-連接單元 131- η型摻雜有機層 132- 界面層 133- ρ型摻雜有機層 140-陰極 150-電壓/電流來源 160-電導體 87547.doc -33 -

Claims (1)

1. Η 0%(4222882號專利申請案 1¾ 14 中文申請專利範圍替換本('97年l〇|^ ^ 拾、申請專利範圍： 1. 一種串接有機場致發光裝置，包括： a)—陽極； b) —陰極； c) 多個配置於該陽極與該陰極之間的有機場致發光單 凡，其中該有機場致發光單元係包括至少一電洞傳輸層及 一電子傳輸層；及 d) —配置於各相鄰有機場致發光單元之間的連接單元， 其中該連接單元係依序包括一 η型摻雜有機層、一界面層、 及一 Ρ型播雜有機層’其中該界面層防止介於該η型摻雜有 機層與該Ρ型摻雜有機層之間的擴散或反應。 2. 如申請專利範圍第丨項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層於光譜之可見光區中具有至少90%之光學透光度。 3. 如申請專利範圍苐〗項之_接有機場致發光裝置，其中該界 面層係包含至少一種電子能帶隙小於4.0電子伏特之材料。 4. 如申請專利範圍第丨項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係包括鈦、锆、給、釩、鈮、钽、鉻、鉬、鎢、錳、 銖、鐵、釕、餓、鈷、铑、銥、鎳、鈀、鉑、銅、鋅、鎘、 録、蛇、碎、鍺、鉛、及銻之化學計量氧化物或非化學計 量氧化物，或其組合物。 5·如申請專利範圍第1項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係包括鈦、錄、給、飢、、担、鉻、鉬、鶴、猛、 鍊鐵、釘、餓、結、姥、錄、錄、把、始、銅、辞、^、 蘇如石夕、鍺、錯、及録之化學計量硫化物或非化學計 87547-971013.doc 1309142 量硫化物’或其組合物。 6. 如申請專利範圍第1項 、之串接有機場致發光裝置，其 面層係包括鈦、锆、钤 ”干該界 聆、釩、鈮、鈕、鉻、鉬、銘 ^ 銖、鐵、釕、锇 '鈷、咎 螞、錳、 姥、銀、錄、把、銘、銅、_ 鎵、鉈、矽 '鍺、奶 、錄、 及銻之化學計量硒化物或非 量硒化物，或其組合物。 匕子6十 7. 如申請專利範圍篦！ + 、之串接有機場致發光裝置，复 面層係包括鈦、鍅、鈐、力 、T該界 、·。 叙、銳、钽、鉻、钥、鎮、赶 鍊、鐵、釕、餓、叙、纽 錢、銀、鎳、把、始、鋼、链 鎵 '鉈、矽、鍺、妒、月組 寿、鎘、 私及録之化學計量氮化物或非化風斗 量氮化物，或其組合物。 干。ί 8. 如申請專利範圍第i項之串接有機場致發光裝置 面層係包括鈦'錯、給、釩、鈮、组、鉻、翻、鹤、：1 銖、鐵、釘、餓 '姑、铑、銥、鎳、鈀、始、銅、鋅、锡、、 鎵、銘、石夕、錯、錯、及錦之化學計量碳化物或非化Γ 量碳化物’或其組合物。 于° 9. 如申請專利範圍第1項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係包含至少一種金屬材料。 μ , 10. 如申請專利範圍第】項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係包含至少一種功函數高於4〇電子伏特之金屬材°料·。 11. 如申請專利範圍第i項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係具有介於01奈米至10奈米範圍内之厚度。 12. 如申睛專利範圍第！項之串接有機場致發光裝 ^ 且-、甲該界 面層係具有介於〇·〗奈米至5奈米範圍内之厚度。 87547-9710J3.doc 1309142 13. 如申清專利範圍第1項^ 二Ά衫 負之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係藉熱蒸發製得。 14. 如申睛專利範圍第】箱二 項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係藉電子束蒸發製得。 15. 如申π專利^圍第丨項之串接有機場致發光裝置，其中該界 面層係藉離子賤鑛技術製得。 87547-971013.doc