JP2004277501A5 - - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 34
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 17
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 12
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 claims 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims 2
- SUOOZFRDMVSBLL-KSBRXOFISA-L (z)-but-2-enedioate;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O SUOOZFRDMVSBLL-KSBRXOFISA-L 0.000 claims 1
- KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-nitrophenol Chemical compound NC1=C(O)C=CC=C1[N+]([O-])=O KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 alkyl ester ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 claims 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 claims 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims 1
- XNWSMNKRGNKRKP-UHFFFAOYSA-M propanoate;tetramethylazanium Chemical compound CCC([O-])=O.C[N+](C)(C)C XNWSMNKRGNKRKP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- MRYQZMHVZZSQRT-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;acetate Chemical compound CC([O-])=O.C[N+](C)(C)C MRYQZMHVZZSQRT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]S([O-])(=O)=O KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003068544A JP3674041B2 (ja) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003068544A JP3674041B2 (ja) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
Related Child Applications (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004260261A Division JP5143334B2 (ja) | 2004-09-07 | 2004-09-07 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004280147A Division JP2005089761A (ja) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004302049A Division JP2005105282A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004302043A Division JP2005105281A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004304676A Division JP2005042123A (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004312794A Division JP2005139447A (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004312793A Division JP2005105283A (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004325516A Division JP2005097626A (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004329588A Division JP2005136429A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| JP2004329593A Division JP5143335B2 (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004277501A JP2004277501A (ja) | 2004-10-07 |
| JP2004277501A5 true JP2004277501A5 (enExample) | 2005-06-16 |
| JP3674041B2 JP3674041B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=33285838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003068544A Expired - Fee Related JP3674041B2 (ja) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3674041B2 (enExample) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004277502A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法並びにシリカ系被膜を備える電子部品 |
| US8901268B2 (en) | 2004-08-03 | 2014-12-02 | Ahila Krishnamoorthy | Compositions, layers and films for optoelectronic devices, methods of production and uses thereof |
| US20060047034A1 (en) | 2004-09-02 | 2006-03-02 | Haruaki Sakurai | Composition for forming silica-based film, method of forming silica-based film, and electronic component provided with silica-based film |
| JP2006183029A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜、及び、電子部品 |
| JP2006183027A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜、及び、電子部品 |
| JP2006183028A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜、及び、電子部品 |
| JP2006160811A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜形成用塗布液 |
| JP2006213908A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-08-17 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜、及び、電子部品 |
| WO2006068181A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 被膜、シリカ系被膜及びその形成方法、シリカ系被膜形成用組成物、並びに電子部品 |
| JP2006182811A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜形成用塗布液 |
| CN101155887B (zh) * | 2005-04-13 | 2012-06-27 | 东京应化工业株式会社 | 二氧化硅系被膜形成用组合物 |
| JP4757525B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2011-08-24 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用組成物 |
| JP4757524B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2011-08-24 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用組成物 |
| JP2007211062A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 着色シリカ系被膜形成用組成物 |
| JP4949692B2 (ja) | 2006-02-07 | 2012-06-13 | 東京応化工業株式会社 | 低屈折率シリカ系被膜形成用組成物 |
| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| JP6044792B2 (ja) * | 2012-02-02 | 2016-12-14 | 日産化学工業株式会社 | 低屈折率膜形成用組成物 |
| US10544329B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-01-28 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
-
2003
- 2003-03-13 JP JP2003068544A patent/JP3674041B2/ja not_active Expired - Fee Related
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