JP2004277501A5

JP2004277501A5 -

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Publication number: JP2004277501A5
Application number: JP2003068544A
Authority: JP
Filing date: 2003-03-13
Publication date: 2005-06-16
Anticipated expiration: 2023-03-13

Claims

（ａ）成分：下記一般式（１）；
Ｒ^１ _ｎＳｉＸ_４−ｎ …（１）
［式中、Ｒ^１はＨ原子若しくはＦ原子、又はＢ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子若しくはＴｉ原子を含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。但し、ｎが２のとき、各Ｒ^１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい。］、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
（ｂ）成分：少なくとも１種の非プロトン性溶媒（但し、アミド系溶媒を除く。）を含む有機溶媒と、
（ｃ）成分：オニウム塩と、
を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物。
前記非プロトン性溶媒が、エーテル系溶媒及びケトン系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の非プロトン性溶媒を含む、請求項１記載のシリカ系被膜形成用組成物。
前記非プロトン性溶媒が、２価アルコールのジアルキルエ−テル、２価アルコールのアルキルエステルエーテル、２価アルコールのジエステル及び環状ケトンからなる群より選ばれる少なくとも１種の非プロトン性溶媒を含む、請求項１記載のシリカ系被膜形成用組成物。
前記非プロトン性溶媒の少なくとも１種が、１０以上の比誘電率を有する非プロトン性溶媒である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
前記１０以上の比誘電率を有する非プロトン性溶媒の含有量が、（ｂ）成分の重量基準で５０質量％以上である、請求項４記載のシリカ系被膜形成用組成物。
前記非プロトン性溶媒の含有量が、（ｂ）成分の重量基準で８０質量％以上である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
前記（ａ）成分は、Ｓｉ原子１モルに対する、Ｈ原子、Ｆ原子、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子、Ｔｉ原子及びＣ原子から成る群より選ばれる少なくとも一種の原子の総含有割合が０．６５モル以下のものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
前記オニウム塩がアンモニウム塩である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
前記オニウム塩が、テトラメチルアンモニウム硝酸塩、テトラメチルアンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモニウムプロピオン酸塩、テトラメチルアンモニウムマレイン酸塩及びテトラメチルアンモニウム硫酸塩からなる群より選ばれる１種以上のアンモニウム塩である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
２５０〜５００℃の加熱温度において熱分解又は揮発する空隙形成用化合物を更に含有してなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物。
基板上にシリカ系被膜を形成する方法であって、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のシリカ系被膜形成用組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に含まれる有機溶媒を除去した後、該塗布膜を２５０〜５００℃の加熱温度で焼成することを特徴とするシリカ系被膜の形成方法。
基板上に設けられており、請求項１１記載のシリカ系被膜の形成方法により形成されてなることを特徴とするシリカ系被膜。
前記シリカ系被膜は、前記基板上に設けられた複数の導電性層のうち互いに隣設された導電性層の間に形成されたものであることを特徴とする請求項１２記載のシリカ系被膜。
基板上に請求項１２又は１３記載のシリカ系被膜が形成されてなることを特徴とする電子部品。