JP2004266279A - フローティングゲートの形成方法及びこれを利用した不揮発性メモリ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に導電性パターンを形成し、導電性パターンの側壁に第1絶縁膜を形成して導電性パターンのエッジに第1傾斜を形成した後、導電性パターンの上面に第2絶縁膜を形成して導電性パターンのエッジに第2傾斜を形成することで、導電性パターンのエッジが向上されたシャープネスを有するようにすることができる。
【選択図】 図1
Description
200 第1導電層
220 第2絶縁膜
201 第1導電性パターン
240 第1酸化膜
300 第2導電層
320 第2導電性パターン
400 ソース領域
420 ドレーン領域
Claims (20)
- 基板上に側壁、上部及び前記側壁及び上部が接するエッジ部を有する導電性パターンを形成する段階と、
前記導電性パターンの側壁に前記エッジ部のシャープネスが増加されるように第1絶縁膜を形成する段階と、
前記導電性パターンの上面に前記エッジ部のシャープネスが増加されるように第2絶縁膜を形成する段階と、を含むフローティングゲートの形成方法。 - 前記導電性パターンの形成が前記基板上にポリシリコン層を形成することを含むことを特徴とする請求項1記載のフローティングゲートの形成方法。
- 前記導電性パターンの形成が前記基板上にシリコン層を形成する段階と、前記シリコンを不純物でドーピングする段階と、を含むことを特徴とする請求項1記載のフローティングゲートの形成方法。
- 前記導電性パターンの形成が前記基板上にポリシリコン層を形成する段階と、前記ポリシリコン上に金属シリサイドを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項1記載のフローティングゲートの形成方法。
- 前記第1絶縁膜の形成は前記導電性パターンの側壁に酸化膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載のフローティングゲートの形成方法。
- 前記第1絶縁膜は前記導電性パターンを酸化させて形成されることを特徴とする請求項5記載のフローティングゲートの形成方法。
- 前記第2絶縁膜の形成は前記導電性パターンの上部に酸化膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載のフローティングゲートの形成方法。
- 前記第1絶縁膜は前記導電性パターンを酸化させて形成されることを特徴とする請求項7記載のフローティングゲートの形成方法。
- 基板上に側壁、上部及び前記側壁及び上部が接するエッジ部を有する第1導電性パターンを含むフローティングゲートを形成する段階と、
前記第1導電性パターンの側壁に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記第1絶縁膜及び前記第1導電性パターン上に第2導電性パターンを含むコントロールゲートを形成する段階と、
前記第1導電性パターンの上部に前記第1導電性パターンと前記第2導電性パターンとの間に位置するように第2絶縁膜を形成する段階と、を含む不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第1導電性パターンの形成が
前記基板上に導電層を形成する段階と、
前記導電層を第1方向にパターニングされるようにエッチングする段階と、
前記導電層を前記第1方向に垂直する第2方向にパターニングされるようにエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項9記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記導電層のエッチングがフォトリソグラフィ工程により実施されることを特徴とする請求項10記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記フローティングゲートの形成が前記基板上に下部絶縁膜を形成する段階と、
前記下部絶縁膜上に第1導電性パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項9記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第1絶縁膜の形成が前記第1導電性パターンの側壁に酸化膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項9記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜が前記第1導電性パターンを酸化させて形成されることを特徴とする請求項13記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第2導電性パターンの形成が
前記第1絶縁膜及び第1導電性パターン上に導電層を形成する段階と、
前記導電層をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項9記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第2絶縁層の形成が前記第1導電性パターンの上部に酸化膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項9記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第2絶縁層が前記第1導電性パターンを酸化させて形成されることを特徴とする請求項16記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 基板上に第1絶縁膜及び第1導電層を形成する段階と、
前記第1導電層が第1方向にパターニングされるように前記第1導電層をエッチングする段階と、
前記エッチングされた第1導電層上に第2絶縁層を形成する段階と、
前記第1絶縁層及び前記エッチングされた第1導電層が第2方向にパターニングされるように前記第1絶縁層及び前記エッチングされた第1導電層をエッチングして第1導電性パターンを形成する段階と、
前記第1導電性パターンの側壁を酸化させて第1酸化膜を形成する段階と、
前記基板上及び前記第1導電性パターンと前記第2絶縁層上に前記第2導電層を形成する段階と、
前記第2導電層をエッチングして第2導電性パターンを形成する段階と、
前記第1導電性パターン周囲の基板にソース領域を形成する段階と、
前記第1導電性パターンの上部から前記第2絶縁層をエッチングする段階と、
前記第1導電性パターンの上部を酸化させて第2酸化膜を形成する段階と、
前記第2導電性パターン周囲の基板にドレーン領域を形成する段階と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第2導電性パターンの形成が乾式エッチング工程を含むことを特徴とする請求項18記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記ソース領域及びドレーン領域の形成がイオン注入工程を含むことを特徴とする請求項19記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
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