JP2004177589A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板上に、
   下側導電層、該下側導電層上に形成された絶縁層、該絶縁層上に形成された上側導電層からなる積層体と、
   前記下側導電層と電気的に接続されるべき導電層と、
   前記下側導電層及び前記導電層それぞれの下層に配置された中継層とが、
   積層構造の一部をなして備えられており、
   前記下側導電層及び前記導電層は前記中継層を介して電気的に接続されていることを特徴とする配線構造。
2. 前記積層体は、段差ある表面上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
3. 前記上側導電層は、相異なる材料を含む複数の層からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線構造。
4. 前記上側導電層は、上層にタングステンシリサイドからなる層、下層にポリシリコンからなる層を含むことを特徴とする請求項３に記載の配線構造。
5. 前記積層体は、コンデンサを構成していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線構造。
6. 前記絶縁層は、高誘電率材料からなる層を含むことを特徴とする請求項５に記載の配線構造。
7. 前記絶縁層は、相異なる材料を含む複数の層からなるとともに、そのうちの一の層は他の層に比べて高誘電率材料からなる層を含むことを特徴とする請求項６に記載の配線構造。
8. 前記下側導電層と前記中継層との間及び前記導電層と前記中継層との間に形成された第１の層間絶縁膜と、
   前記導電層及び前記中継層間に形成された第２の層間絶縁膜と、
   前記下側導電層及び前記中継層を電気的に接続する第１コンタクトホールと、
   前記導電層及び前記中継層を電気的に接続する第２コンタクトホールとを更に備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線構造。
9. 基板上に、
   中継層を形成する工程と、
   前記中継層の上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１の層間絶縁膜に前記中継層に通ずる第１コンタクトホールを形成する工程と、
   前記第１の層間絶縁膜の上且つ前記第１コンタクトホールを埋めるように下側導電層を形成する工程と、
   前記下側導電層の上に前記絶縁層及び前記上側導電層を順に形成する工程と、
   前記上側導電層の上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２の層間絶縁膜及び前記第１の層間絶縁膜に前記中継層に通ずる第２コンタクトホールを形成する工程と、
   前記第２の層間絶縁膜の上且つ前記第２コンタクトホールを埋めるように導電層を形成する工程と
   を含むことを特徴とする配線構造の製造方法。
10. 前記下側導電層、前記絶縁層及び前記上側導電層は、段差ある表面上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の配線構造の製造方法。
11. 基板上に、第１方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第２方向に延在する走査線、並びに、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタが積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、
    前記基板上には更に、
    前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、
    前記画素電極及び前記蓄積容量それぞれの下層に配置された中継電極とが、 前記積層構造の一部をなして備えられてなり、
    前記蓄積容量を構成する一対の電極のうちの一方の電極と前記画素電極とは、前記中継電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
12. 前記蓄積容量は、段差ある表面上に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
13. 前記一方の電極が前記画素電極及び前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電位側容量電極を含み、
    前記蓄積容量は、該画素電位側容量電極と、該画素電位側容量電極に対向配置され固定電位とされた固定電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極間に挟持された誘電体膜とからなり、
    前記誘電体膜は、高誘電率材料からなる層を含む積層体を構成していることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の電気光学装置。
14. 前記中継電極は、前記走査線に含まれる前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一膜として形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
15. 前記固定電位側容量電極は、前記画素電位側容量電極を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
16. 請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。