JP2004145709A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】クロック発生回路を備えた半導体装置であって、出力インピーダンス調整の前後において、常時外部クロック信号と高速に同期したデータ伝送が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンス調整回路30は、外部からのインピーダンス制御信号ext.IMPに基づいて内部インピーダンス調整信号IMP_UDおよびインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTを生成する。データ処理回路32は、内部インピーダンス調整信号IMP_UDを内部クロック信号CLKに同期してデコードし、5ビットからなる出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>を生成する。出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>は、後段の出力回路10とともにDLL回路20内部の出力レプリカ回路21に入力されると、出力インピーダンスの調整に追随して出力レプリカ回路のインピーダンスを調整する。
【選択図】    図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、外部クロック信号に同期してデータの出力を行なう半導体装置に関し、より特定的には、外部クロック信号に同期した内部クロック信号を発生するクロック発生回路を備える半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置におけるデータ伝送は、半導体装置内部の出力回路が伝送線路を駆動してデータを受端に伝えることにより実行される。ここで、半導体装置に一端が開放端である伝送線路を接続してデータ伝送を行なう場合を例として、その過渡現象について簡単に説明する。
【0003】
まず、出力回路に接続される伝送線路は、理想的に50Ωの特性インピーダンスを有し、一端が出力回路に接続され、他の一端が開放端(インピーダンスが無限大に相当)である。出力回路からのデータ信号は、接続端において、出力回路の出力インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスとの抵抗分割の比率に応じた電圧の信号波となって伝送線路を進行する。続いて、伝送線路の受端では、開放端であることから、信号波は全反射され、2倍の電圧の信号波が観察される。さらに、反射された信号波は、再び接続端に戻り、抵抗分割された反射波が受端へと進行する。
【0004】
以上のデータ伝送の流れにおいて、出力回路の出力インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスとが整合している場合、すなわち、出力インピーダンスが特性インピーダンスに等しい場合は、接続端での信号の反射がなくなり、伝送線路における信号波の減衰を起こすことがない。
【0005】
一方、出力インピーダンスと特性インピーダンスとの整合がとれていない場合では、例えば、出力インピーダンスが特性インピーダンスよりも低いときには、受端では、伝送線路の駆動能力が過剰となって、オーバーシュート/アンダーシュートを引き起こすこととなる。一方、出力インピーダンスが特性インピーダンスよりも高いときには、駆動能力が不足し、受端の電圧レベルは段階的に安定点に近づくこととなる。
【0006】
このようにデータ伝送は出力インピーダンスに大きく依存していることから、従来のLSI(Large Scale Integrated circuit)においては、インピーダンス整合についてさまざまな工夫がなされており、最近では、製造プロセス、使用温度、電源電圧などの使用環境の変化によるインピーダンスの変動を考慮したインピーダンス整合が可能なLSI等が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
さらに、上記のインピーダンス整合においては、出力回路のプルアップとプルダウンとの間でも出力インピーダンスの整合がとれていることが必要とされる。これは、出力回路のプルアップ側およびプルダウン側で個々にインピーダンスが整合に近い状態であっても、相互に整合がとれていなければ、信号の立上りと立下りとの遷移時間に差が生じることとなり、データのやり取りに悪影響を及ぼすこととなるからである。
【0008】
また、LSIにおけるデータ伝送においては、上記のインピーダンス整合に加えて、高速なデータ送受信が求められている。その手段としては、外部クロック信号に同期した内部クロック信号をクロック発生回路によって発生し、この内部クロック信号を用いて制御するのが一般的である。
【0009】
しかしながら、この外部クロック信号に同期したデータ伝送において、外部クロック信号を一端LSI内部に受け、それからデータをLSI外部に出力していたのでは、データ出力は、外部クロック信号に対して、同期しているものの遷移にずれが発生することとなり、出力されたデータがどのクロックの遷移に同期しているのかが受信側で判別できなくなるという問題が生じている。
【0010】
そのため、近年では、LSI内部に外部クロック信号に同期した内部クロック信号を発生させるためのDLL(Delay Locked Loop)回路を設け、遷移の時間的位置を正確に外部クロック信号に揃えることにより、完全に外部クロック信号に同期した内部クロック信号によってデータ送受信を行なう方法が一般化されつつある。このDLL回路は、外部クロック信号を、内部で固定遅延および可変遅延を用いて遅延し、外部クロック信号よりも位相の進んだデータ出力用の内部クロック信号を生成する。
【0011】
DLL回路は、データ出力用の内部クロック信号の位相を、外部クロック信号をバッファ処理するクロック入力バッファと上記の出力回路に相当するデータ出力バッファとにおける遅延を考慮して調整することによって、外部クロック信号の位相とデータ出力の位相とを一致させる。そのために、DLL回路内部には、これらのクロック入力バッファとデータ出力バッファの遅延を補償するための模擬遅延回路として、入力レプリカ回路および出力レプリカ回路が設けられる。
【0012】
【特許文献1】
特開2001−217705号公報(第5−11頁、第5,7,8,11図)
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、DLL回路を備えた半導体装置においては、上記のインピーダンス整合を出力回路についてのみ行ない、出力レプリカ回路のインピーダンスについては調整を行なわないことすると、出力レプリカ回路は正確に出力回路の遅延を補償できず、外部クロック信号の位相とデータ出力の位相とは、一致していた状態から外れてしまうという不具合が生じうる。これによって、半導体装置における正確に外部クロック信号に同期したデータ伝送が妨げられることとなる。
【0014】
それゆえ、この発明の目的は、クロック発生回路を備えた半導体装置であって、出力インピーダンス調整の前後において、常時外部クロック信号と高速に同期したデータ伝送が可能な半導体装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置に従えば、外部クロック信号に同期して動作する半導体装置であって、外部クロック信号に同期した内部クロック信号を生成するクロック発生回路と、内部クロック信号に応答して半導体装置の外部にデータ信号を出力する出力回路と、出力回路の出力インピーダンスを調整するためのインピーダンス調整信号を生成するインピーダンス調整回路とを備える。クロック発生回路は、内部クロック信号を出力回路におけるデータ信号出力動作の所要時間に相当する所要時間遅延するための模擬遅延回路を含む。インピーダンス調整回路は、インピーダンス調整信号を出力回路に入力するとともに、模擬遅延回路に入力する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
【0017】
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1に従う半導体装置における出力インピーダンスの調整に関する部分を抽出して概略的に示す図である。
【0018】
図1に示す半導体装置は、LSI100内部に、図示しない内部回路から転送されたデータをバッファ処理して外部出力端子(図示せず)より出力する出力回路10と、外部クロック信号ext.CLKに同期した出力用内部クロック信号DLLCLKを生成するDLL回路20と、出力インピーダンスの調整を行なうインピーダンス調整回路30とを含む。
【0019】
出力回路10は、後述するように、電源電圧と出力ノードとの間に並列接続された5つのPチャネルMOSトランジスタと、接地電圧と出力ノードとの間に並列接続された5つのNチャネルMOSトランジスタとからなる出力バッファを備える。図示しない内部回路から転送されたデータOH_F,OL_Fが入力されると、出力バッファにおいてバッファ処理し、データ出力信号ext.DQSとして外部出力端子(図示せず)からこれらのデータを出力する。データOH_F,OL_Fは、H(論理ハイ)およびL(論理ロー)の2つの電位レベルを有する信号であり、データOH_F=Hのときには、Hレベルのデータ出力信号ext.DQSが出力され、データOL_F=Hのときには、Lレベルのデータ出力信号ext.DQSが出力される。
【0020】
図2は、図1の半導体装置に搭載されるDLL回路20の一例を概略的に示す図である。
【0021】
DLL回路20は、図2に示すように、入力ノードには、外部クロック信号ext.CLKをバッファ処理して内部クロック信号CLKを生成する入力バッファ11が接続され、出力ノードには、出力回路10の内部にあって、データOH_F,OL_Fをバッファ処理し、出力用内部クロック信号DLLCLKに従ってデータ出力信号ext.DQSとして出力する出力バッファ12が接続される。
【0022】
DLL回路20は、入力バッファ11からの内部クロック信号CLKを遅延して出力用内部クロック信号DLLCLKを生成する可変遅延回路23と、可変遅延回路23からの出力用内部クロック信号DLLCLKを所定の時間遅延する模擬遅延回路としての出力レプリカ回路21および入力レプリカ回路22と、入力レプリカ回路22からのクロック信号と入力バッファ11からの内部クロック信号CLKとの位相を比較する位相比較器24とを含む。
【0023】
出力レプリカ回路21は、出力バッファ12の遅延時間(Do)と同じ遅延時間(Dro)を、出力用内部クロック信号DLLCLKに対して与える。入力レプリカ回路22は、入力バッファ11の遅延時間(Di)と同じ遅延時間(Dri)を出力用内部クロック信号DLLCLKに対して与える。
【0024】
また、位相比較器24は、入力レプリカ回路22からの出力用内部クロック信号DLLCLKと、入力バッファ11からの内部クロック信号CLKとの位相を比較し、その位相差に応じた比較結果信号を出力する。
【0025】
さらに、可変遅延回路23において、この位相比較結果信号に応じて遅延量を調整することにより、外部クロック信号の位相とデータ出力の位相とを一致させることができる。
【0026】
再び、図1を参照して、インピーダンス調整回路30は、LSI100外部から入力されたインピーダンス制御信号ext.IMPに基づいて、内部インピーダンス調整信号IMP_UDおよびインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTを生成する入力回路31と、内部インピーダンス制御信号IMP_UDを内部クロック信号CLKに同期してデコードし、5ビットからなる出力バッファを駆動する信号BUFON<4:0>を生成するデータ処理回路32とを含む。
【0027】
ここで、外部インピーダンス制御信号ext.IMPとは、LSI100の外部出力端子(図示せず)において出力インピーダンスをモニタしているユーザが入力する信号であり、出力インピーダンスの増減を制御する信号である。具体的には、出力インピーダンスが図示しない伝送線路の特性インピーダンスよりも低いときには、出力インピーダンスを増加させるべく高い電圧レベルを示し、出力インピーダンスが特性インピーダンスよりも高いときには、出力インピーダンスを低下させるべく低い電圧レベルを示す。
【0028】
また、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>は、HレベルおよびLレベルに相当する2つの電位状態を有する信号であり、出力バッファを構成する5つのトランジスタの対応するゲートにそれぞれ入力されると、その電位状態に応じてトランジスタの有効/無効を設定する。例えば、nビット目(nは0以上4以下の整数)の出力バッファ駆動信号BUFON<n>がHレベルに活性化されたときには、n番目のトランジスタがオンされて、電流駆動状態に設定される。一方、出力バッファ制御信号BUFON<n>がLレベルに非活性化されたときは、n番目のトランジスタはオフされて、電流を駆動しない。
【0029】
なお、データ処理回路32において、内部インピーダンス調整信号IMP_UDを5ビットの出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>にデコードするのは、出力回路10を構成する電流駆動用のトランジスタの数(本実施の形態では5つ)に対応させたことによる。したがって、デコードするビット数は、出力回路10を構成するトランジスタの数に設定すればよく、本実施の形態に限定されない。
【0030】
以上の構成において、データ処理回路32で生成された出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>は、後段の出力回路10とともにDLL回路20内部の出力レプリカ回路21に入力されると、出力インピーダンスの調整に追随して出力レプリカ回路21のインピーダンスを調整する。以降に、このインピーダンス調整回路30の具体的な構成および動作について詳細に説明する。
【0031】
図3は、図1のインピーダンス調整回路30における入力回路31の一例を示す図である。
【0032】
図3を参照して、入力回路31は、外部電源ノードVCCにソースが接続されたPチャネルトランジスタ33,34を負荷として、ゲートに外部インピーダンス制御信号ext.IMPを受けるNチャネルトランジスタ36およびゲートに基準電圧VREFを受けるNチャネルトランジスタ35とからなるカレントミラー差動アンプである。
【0033】
Pチャネルトランジスタ33,34は、Pチャネルトランジスタ34のゲートがPチャネルトランジスタ33のゲートおよびドレインに接続されており、カレントミラー回路を構成する。
【0034】
Nチャネルトランジスタ35,36のドレインはそれぞれPチャネルトランジスタ33,34のドレインに接続され、ソースは接地レベルに接続される。
【0035】
Nチャネルトランジスタ35のドレインはPチャネルトランジスタ33のドレインおよびゲートとPチャネルトランジスタ34のゲートに接続され、ソースは接地電圧レベルに接続される。
【0036】
差動アンプの出力ノードであるNチャネルトランジスタ36のドレインは、インバータ37の入力ノードに接続される。インバータ37の出力ノードは、図示しないが、図1のデータ処理回路32の入力ノードに接続されており、差動アンプからの出力信号の論理レベルを反転した信号を内部インピーダンス調整信号IMP_UDとしてデータ処理回路32に出力する。
【0037】
この構成において、外部インピーダンス制御信号ext.IMPの電圧が基準電圧VREFよりも高いときには、差動アンプの出力ノードの電圧は、論理レベルがLレベルに相当する電圧となり、内部インピーダンス調整信号IMP_UDの論理レベルはHレベルとなる。
【0038】
一方、外部インピーダンス制御信号ext.IMPの電圧が基準電圧VREFよりも低いときには、差動アンプの出力ノードの電圧は、論理レベルがHレベルに相当する電圧となり、内部インピーダンス調整信号IMP_UDの論理レベルはLレベルとなる。
【0039】
外部インピーダンス制御信号ext.IMPの電圧レベルは、出力インピーダンスの増減に対応していることから、結果として、出力インピーダンスを増加させたいときには、Hレベルの内部インピーダンス制御信号IMP_UDが生成され、出力インピーダンスを減少させたいときには、Lレベルの内部インピーダンス制御信号IMP_UDが生成されることとなる。
【0040】
このとき入力回路31では、同時に、外部インピーダンス制御信号ext.IMPが入力されたことに応じて活性化され(LからHへ)、インピーダンス調整モードにエントリするためのインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTが生成され、同じくデータ処理回路32に転送される。
【0041】
図4は、図1のインピーダンス調整回路30におけるデータ処理回路32の一例を示す図である。
【0042】
図4を参照して、データ処理回路32は、内部インピーダンス調整信号IMP_UDを内部クロック信号CLKに同期させるためのラッチ回路38と、内部インピーダンス調整信号IMP_UDから後段のシフトレジスタ40のデコード動作を制御する信号SR_INC,SR_DECの生成部39と、シフトレジスタ制御信号SR_INC,SR_DECに基づいて出力バッファ駆動信号BUFONを生成するシフトレジスタ40とを含む。
【0043】
ここで、シフトレジスタ制御信号SR_INC,SR_DECは、内部インピーダンス調整信号IMP_UDとインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTとから生成される信号である。後に詳述するように、シフトレジスタ制御信号SR_INCは、シフトレジスタ40においてデコードされて、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>の値をインクリメントする。一方、シフトレジスタ制御信号SR_DECは出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>の値をデクリメントする。
【0044】
図5は、図4のラッチ回路38の一例を示す図である。
図5を参照して、ラッチ回路38は、スリーステートバッファ45と、インバータ46,47,48,49とを含む。
【0045】
スリーステートバッファ45は、制御入力端子に内部クロック信号CLKを受け、内部クロック信号CLKが能動状態のときには、バッファ動作を行ない、非能動状態のときには、出力はハイインピーダンス状態となって内部と切り離された状態となる。
【0046】
したがって、スリーステートバッファ45に入力された内部インピーダンス制御信号IMP_UDは、内部クロック信号CLKの能動状態においてバッファ処理されると、続いて、後段のインバータ47,48にてラッチされて、最後段のインバータ49の出力ノードから入力時の論理レベルと同じ論理レベルにて出力される。
【0047】
すなわち、内部インピーダンス制御信号IMP_UDは、図5のラッチ回路38を経由することにより、内部クロック信号CLKに同期した信号となる。
【0048】
再び、図4のデータ処理回路32を参照して、ラッチ回路38を経由して内部クロック信号CLKに同期した内部インピーダンス制御信号IMP_UDは、シフトレジスタ制御信号生成部39の2入力AND回路42,43のそれぞれの第1の入力ノードに入力される。このとき、2入力AND回路42への入力については、インバータ41を介することにより論理レベルが反転されて入力される。
【0049】
また、インピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTは、2入力AND回路44の第1の入力ノードに入力される。2入力AND回路44の第2の入力ノードには、内部クロック信号CLKが入力される。これにより、インピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTは、内部クロック信号CLKに同期した信号となり、後段の2入力AND回路42,43の第2の入力ノードに入力される。
【0050】
2入力AND回路42,43においては、第2の入力のノードにHレベルのインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTが入力されたことを受けて、出力ノードには、第1の入力ノードに入力された内部インピーダンス制御信号IMP_UDがそのまま論理レベルで出力される。このときの2入力AND回路42の出力信号は、先に述べたシフトレジスタ制御信号SR_INCを形成し、2入力AND回路43の出力信号は、シフトレジスタ制御信号SR_DECを形成する。すなわち、内部インピーダンス制御信号IMP_UDがHレベルのとき(=出力インピーダンスを増加させたいとき)は、Hレベルのシフトレジスタ制御信号SR_DECが生成され、内部インピーダンス調整信号IMP_UDがLレベルのとき(=出力インピーダンスを減少させたいとき)は、Hレベルのシフトレジスタ制御信号SR_INCが生成される。さらに、これらのシフトレジスタ制御信号は、後段のシフトレジスタ40に入力される。
【0051】
図6は、図4のシフトレジスタ40の一例を示す図である。
図6を参照して、シフトレジスタ40は、デコーダ(図6(a))、合成回路(図6(b))およびDフリップフロップ群(図6(c))から構成される。
【0052】
図6(a)を参照して、デコーダは、3入力AND回路51〜57と2入力AND回路58とを含む。3入力AND回路51〜54の第1の入力ノードには、シフトレジスタ制御信号SR_INCが入力され、3入力AND回路55〜57および2入力AND回路58の第1の入力ノードには、シフトレジスタ制御信号SR_DECが入力される。
【0053】
3入力AND回路51〜54の第2の入力ノードには、出力バッファ駆動信号BUFON<0>〜BUFON<3>がそれぞれ入力され、第3の入力ノードには、出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<1>〜ZBUFON<4>がそれぞれ入力される。例えば、3入力AND回路51には、第2の入力ノードに0ビット目の出力バッファ駆動信号BUFON<0>が入力され、第3の入力ノードに1ビット目の出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<1>が入力される。
【0054】
3入力AND回路55〜57の第2の入力ノードには、出力バッファ駆動信号BUFON<1>〜BUFON<3>がそれぞれ入力され、第3の入力ノードには、出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<2>〜ZBUFON<4>が入力される。例えば、3入力AND回路55は、第2の入力ノードに1ビット目のBUFON<1>が入力され、第3の入力ノードに2ビット目のZBUFON<2>が入力される。
【0055】
2入力AND回路58は、第2の入力ノードに4ビット目のBUFON<4>が入力される。
【0056】
したがって、3入力AND回路51〜57および2入力AND回路58の各出力ノードには、これらの入力信号の論理積の演算結果が出力される。3入力AND回路51〜54は、インクリメント信号I<4:1>(=I<1>〜I<4>)を出力し、3入力AND回路55〜57および2入力AND回路58は、デクリメント信号D<4:1>(=D<1>〜<4>)を出力する。
【0057】
例えば、このインクリメント信号I<4:1>のうち、nビット目(nは1以上4以下の自然数)の信号I<n>は、(n−1)ビット目の出力バッファ駆動信号BUFON<n−1>と、nビット目の出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<n>と、シフトレジスタ制御信号SR_INCとのいずれもがともにHレベルであるときにHレベルとなる。
【0058】
ここで、上記の(n−1)ビット目の出力バッファ駆動信号BUFON<n−1>と、nビット目の出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<n>と、シフトレジスタ制御信号SR_INCとのいずれもがともにHレベルであるときとは、出力バッファにおいて、(n−1)番目のトランジスタがオンされ、かつn番目のトランジスタがオフされている状態にあって、出力インピーダンスを減少させたい場合に該当する。したがって、この場合は、後述するように、図6(c)のDフリップフロップにおいて、インクリメント信号I<n>がHレベルとなったことに応答して、nビット目の出力バッファ制御信号BUFON<n>がLレベルからHレベルに遷移し、対応するn番目のトランジスタをオン状態に駆動する。これにより、出力バッファにおいて電流を駆動するトランジスタの総数が増加することから、出力インピーダンスは減少されることとなる。
【0059】
同様にして、nビット目のデクリメント信号D<n>は、nビット目の出力バッファ駆動信号BUFON<n>と、(n+1)ビット目の出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<n+1>と、シフトレジスタ制御信号SR_DECとのいずれもがHレベルのときにHレベルとなる。このことは、出力バッファのn番目のトランジスタがオンされ、かつ、(n+1)番目のトランジスタがオフされている状態にあって、出力インピーダンスを増加させたいときに該当する。したがって、この場合は、デクリメント信号D<n>がHレベルとなったことに応答して、nビット目の出力バッファ駆動信号BUFON<n>がHレベルからLレベルに遷移し、対応するn番目のトランジスタをオフ状態に設定する。これにより、出力バッファにおいて電流を駆動するトランジスタの総数が減少することから、出力インピーダンスは増加されることとなる。
【0060】
続いて、デコードされたインクリメント信号I<4:1>およびデクリメント信号D<4:0>は、図6(b)の合成回路に入力される。
【0061】
図6(b)を参照して、合成回路は、並列する4つの2入力OR回路60〜63を含み、第1および第2の入力ノードには、インクリメント信号I<4:1>およびデクリメント信号D<4:1>がそれぞれ入力される。2入力OR回路60〜63は、2信号の論理和を計算し、演算結果としてコントロール信号C<4:1>(=C<1>〜C<4>)を出力する。
【0062】
なお、0ビット目のコントロール信号C<0>は、接地電圧レベルに設定されるが、これは、C<0>が実質的にデコード動作に有効でないことを意味する。
【0063】
同図において、コントロールC<4:1>は、それぞれインクリメント/デクリメント信号U<4:1>/D<4:1>のいずれかがHレベルのときにHレベルとなる信号である。さらに、コントロール信号C<4:0>は、後段の図6(c)のDフリップフロップ群に入力される。なお、Dフリップフロップ群では、Hレベルとなったコントロール信号C<n>に応答して、対応する出力バッファ駆動信号BUFON<n>の論理レベルが反転される。これにより、シフトレジスタ40のDフリップフロップ群から出力されるBUFON<4:0>は、インクリメント/デクリメントされる。
【0064】
図6(c)を参照して、Dフリップフロップ群は、並列入出力構成のDフリップフロップ70〜74を含む。
【0065】
Dフリップフロップ70〜74の各々のデータ端子Dには、出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<4:0>が入力され、各々のクロック端子Cには、図6(b)の合成回路からのコントロール信号C<4:0>が入力される。
【0066】
また、Dフリップフロップ70〜74には、シフトレジスタ40を初期化するためのリセット信号ZRがそれぞれ入力される。リセット信号ZRは、電源投入時などの初期化が必要な場合にLレベルとなって、シフトレジスタ40の値を初期化する。
【0067】
これらの入力に応答して、Dフリップフロップ70〜74の出力端子O,ZOからは、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>およびこれと相補の信号ZBUFON<4:0>が、コントロール信号C<4:0>の活性化のタイミングで出力する。
【0068】
図7は、図6(c)のDフリップフロップ群を構成するDフリップフロップ70〜74の具体的な構成例を示す図である。これらはすべて同一の構成であることから、Dフリップフロップ70の構成を代表的に説明する。
【0069】
図7を参照して、Dフリップフロップ70は、図6(b)の合成回路で生成されたコントロール信号C<0>をクロックとして、クロックの立下りのときに動作するネガティブエッジトリガ形のフリップフロップ70aと、クロックの立上りのときに動作するポジティブエッジトリガ形のフリップフロップ70bとが直列接続された構成である。
【0070】
前段のフリップフロップ70aは、出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<0>が第1のデータ端子Dに入力されるとともに、インバータ76を介して第2のデータ入力端子Dに入力される。また、クロック端子Cには、コントロール信号C<0>が、インバータ75を介して入力される。
【0071】
さらに、後段のフリップフロップ70bは、データ入力端子に前段のフリップフロップ70aの出力信号を受けるとともに、クロック端子Cには、コントロール信号C<0>を受ける。また、フリップフロップ70bには、リセット信号ZRが入力される。
【0072】
以上の構成からなるDフリップフロップ70において、出力バッファ駆動信号に相補の信号ZBUFON<0>は、フリップフロップ70aにおいて、コントロール信号C<0>がHレベルからLレベルに立下るタイミングで取込まれて、後段のフリップフロップ70bにシフトされる。さらに、フリップフロップ70bにおいて、コントロール信号C<0>がLからHに立上るタイミングで取込まれて、出力端子Oから出力される。出力端子Oの出力信号は、新たに出力バッファ制御信号BUFON<0>を形成する。一方、出力端子ZOの出力信号は、新たに出力バッファ制御信号BUFON<0>に相補の信号ZBUFON<0>を形成する。
【0073】
すなわち、インクリメント信号Iおよびデクリメント信号Dのいずれかが活性化されると、コントロール信号Cが活性化し、コントロール信号Cの活性化と同じタイミングで、Dフリップフロップの出力端子Oからは、出力バッファ駆動信号BUFONが、論理レベルが反転されて出力されることとなる。これにより、シフトレジスタ40の出力する出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>の値は、シフトレジスタ制御信号SR_INC,SR_DECの活性化のタイミングにおいて、それぞれインクリメント/デクリメントされ、後段の出力回路10に転送される。
【0074】
なお、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>とこれに相補の信号ZBUFON<4:0>とは、再び図6(a)のデコーダに入力され、次のシフトレジスタ制御信号の活性化のタイミングにおいて参照される。
【0075】
図8は、図1の出力回路10の一例を示す図である。
図8を参照して、出力回路10は、電源電圧と出力ノードOUTとの間に接続されるPチャネルトランジスタP0〜P4と、出力ノードOUTと接地電圧との間に接続されるNチャネルトランジスタN0〜N4とを含む。
【0076】
PチャネルトランジスタP0〜P4の制御ノードであるゲートには、対応するPチャネルトランジスタを駆動する信号ZOH<4:0>(=ZOH<0>〜ZOH<4>)が入力される。PチャネルトランジスタP0〜P4は、対応するトランジスタ駆動信号ZOH<4:0>の論理レベルがLとなったことに応答してオンして、出力ノードと電源電圧との間に電流経路を形成し、データ出力信号ext.DQSを電源電圧レベルにプルアップする。
【0077】
NチャネルトランジスタN0〜N4の制御ノードであるゲートには、対応するNチャネルトランジスタを駆動する信号OL<4:0>(=OL<0>〜OL<4>)が入力される。NチャネルトランジスタN0〜N4は、対応するトランジスタ駆動信号OL<4:0>の論理レベルがHとなったことに応答してオンして、出力ノードと接地電圧との間に電流経路を形成し、データ出力信号ext.DQSを接地電圧レベルにプルダウンする。
【0078】
ここで、トランジスタ駆動信号ZOH<4:0>は、図8に示す2入力NAND回路13において、データ信号OH_Fと、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>との演算結果として出力される信号である。したがって、トランジスタ駆動信号ZOHは、Hデータ出力時(データOH_F=H)において、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>の論理レベルが反転された信号となる。
【0079】
一方、トランジスタ駆動信号OL<4:0>は、2入力AND回路14において、データ信号OL_Fと、出力バッファ制御信号BUFON<4:0>との演算結果として出力される信号である。したがって、トランジスタ駆動信号OL<4:0>は、Lデータ出力時(データOL_F=H)において、出力バッファ制御信号BUFON<4:0>の論理レベルに一致した信号となる。
【0080】
図8の構成の出力回路10において、出力インピーダンスは、これらのトランジスタ駆動信号ZOH,OLによって以下のように調整される。
【0081】
まず、Hレベルのデータ出力信号ext.DQSを出力するにあたっては、PチャネルトランジスタP0〜P4のゲートにはそれぞれトランジスタ駆動信号ZOH<0>〜ZOH<4>が入力される。
【0082】
トランジスタ駆動信号ZOH<n>は、出力バッファ駆動信号BUFON<n>の論理レベルが反転された信号であることから、出力バッファ駆動信号BUFON<n>がHレベルのときには、ZOH<n>はLレベルとなり、対応するPチャネルトランジスタPnは、オンされる。
【0083】
一方、出力バッファ駆動信号BUFON<n>がLレベルのときには、ZOH<n>はHレベルとなり、PチャネルトランジスタPnはオフされる。
【0084】
このように、PチャネルトランジスタP0〜P4のそれぞれは、対応する出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>のH/Lの論理レベルに対応してオン/オフされることとなる。
【0085】
同様に、Lレベルの外部データを出力するにあたっては、NチャネルトランジスタN0〜N4のゲートにはそれぞれトランジスタ駆動信号OL<0>〜OL<4>が入力される。
【0086】
トランジスタ駆動信号OL<n>は、出力バッファ駆動信号BUFON<n>と同じ論理レベルの信号であることから、出力バッファ駆動信号BUFON<n>がHレベルのときには、OL<n>はHレベルとなり、対応するNチャネルトランジスタNnは、オンされる。
【0087】
一方、出力バッファ駆動信号BUFON<n>がLレベルのときには、OL<n>はLレベルとなり、NチャネルトランジスタNnはオフされる。
【0088】
このように、NチャネルトランジスタN0〜N4のそれぞれは、対応する出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>のH/Lの論理レベルに対応してオン/オフされることとなる。
【0089】
ここで、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>は、先述した図1のデータ処理回路32におけるシフトレジスタ40の出力信号であり、シフトレジスタ制御信号SR_INCが活性化(Hレベル)されたことに応じてインクリメントされると、”0”であったnビット目のBUFON<n>は”1”に遷移する。この”1”となったBUFON<n>によって対応するn番目のPチャネルトランジスタPnまたはNチャネルトランジスタNnがオンされると、結果として、出力回路10において電流を駆動するトランジスタの数は増加することとなり、出力インピーダンスが低減される。
【0090】
一方、シフトレジスタ制御信号SRDECが活性化(Hレベル)されたことに応じて出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>がデクリメントされると、”1”であったnビット目のBUFON<n>は”0”に遷移する。この”0”となったBUFON<n>によって対応するn番目のPチャネルトランジスタPnまたはNチャネルトランジスタNnがオフされると、電流駆動トランジスタの数は減少することととなり、出力インピーダンスが増加される。
【0091】
図9は、図1の出力レプリカ回路21の一例を示す図である。
図9を参照して、出力レプリカ回路21は、出力バッファの遅延を補償するという本来の目的から、その基本的な構成は図8の出力回路10と同じである。
【0092】
出力レプリカ回路21は、電源電圧と出力ノードOUTとの間に接続されるPチャネルトランジスタRP0〜RP4と、出力ノードOUTと接地電圧との間に接続されるNチャネルトランジスタRN0〜RN4とを含む。PチャネルトランジスタRP0〜RP4の各ゲートには、レプリカ駆動信号ZINV<4:0>が入力される。また、NチャネルトランジスタRN0〜RN4の各ゲートには、レプリカ駆動信号INV<4:0>が入力される。
【0093】
レプリカ駆動信号ZINV,INVは、図9の上部に示す並列接続された2入力AND回路15および2入力NAND回路16のそれぞれにおいて、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>と出力用内部クロック信号DLLCLKとの演算結果として出力される信号である。したがって、レプリカ駆動信号INV<4:0>,ZINV<4:0>は、出力用内部クロック信号DLLCLKに同期し、互いに相補の論理レベルを示す信号となる。
【0094】
すなわち、レプリカ駆動信号ZINV<4:0>は、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>の論理レベルが反転された信号であることから、出力バッファ駆動信号BUFON<n>が”1”のときに対応するPチャネルトランジスタPnはオンされ、BUFON<n>が”0”のときに対応するPチャネルトランジスタPnはオフされる。
【0095】
一方、レプリカ駆動信号INV<4:0>は、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>と同じ論理レベルの信号であることから、BUFON<n>が”1”のときに対応するNチャネルトランジスタNnがオンされ、BUFON<n>が”0”のときに対応するNチャネルトランジスタNnはオフされる。
【0096】
以上の構成の出力レプリカ回路21において、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>は、図8の出力回路10に入力されるのに並行して入力されると、出力回路10のインピーダンスの調整に追随して出力レプリカ回路21のインピーダンスを調整する。
【0097】
図10は、この発明の実施の形態1に従う半導体装置における出力インピーダンスの調整を説明するためのタイミングチャートである。
【0098】
図10を参照して、半導体装置は、初期設定時おいて、リセット信号ZRがLレベルに活性化されたことに応答してリセット動作が行なう。同図に示すように、初期設定時において出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>は(11111)に設定されていることから、図8の出力回路10のPチャネルトランジスタP0〜P4およびNチャネルトランジスタN0〜N4はすべてオンされ、電流駆動が可能な状態にある。また、図9の出力レプリカ回路21においても、出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>を受けて、PチャネルトランジスタRP0〜RP4およびNチャネルトランジスタRN0〜RN4は、すべてオンされている。
【0099】
続いて、初期設定が完了すると(リセット信号ZRがLからHに遷移)、半導体装置のユーザは、図1のLSI100の外部出力端子において出力インピーダンスをモニタし、インピーダンス調整回路30に外部インピーダンス制御信号ext.IMPを入力する。入力された外部インピーダンス制御信号ext.IMPは、インピーダンス調整回路30内部の入力回路31において、内部インピーダンス調整信号IMP_UDに変換されるとともに、インピーダンス調整モードエントリ信号IMP_ENTを活性化する。
【0100】
ここで、図10に示すように、出力回路10のトランジスタがすべて駆動状態に設定されていることに対応して、モニタされる出力インピーダンスは特性インピーダンスよりも低いとする。この場合、インピーダンス調整回路30では、高い電圧レベルの外部インピーダンス制御信号ext.IMPが入力されたことに応答して、内部インピーダンス調整信号IMP_UDはHレベルに活性化される。
【0101】
活性化されたインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTおよび内部インピーダンス調整信号IMP_UDは、続いて、図4のデータ処理回路32に入力されると、ラッチ回路38およびシフトレジスタ制御信号生成部39により、内部クロック信号CLKに同期して活性化するシフトレジスタ制御信号SR_DECに変換され、シフトレジスタ40に入力される。
【0102】
シフトレジスタ40に入力されたシフトレジスタ制御信号SR_DECは、最初にデコーダにおいてデコードされる。今、BUFON<4:0>のすべてが“1”であり、SR_DECがHレベルであることから、デクリメント信号D<4>のみがHとなる。これに応じて合成部では、コントロール信号C<0>〜C<3>がLとなり、コントロール信号C<4>のみがHとなる。
【0103】
続いて、このコントロール信号C<4:0>がDフリップフロップ群に入力されると、HレベルのC<4>に応答して、Dフリップフロップ74からは、論理レベルが“0”に反転された出力バッファ駆動信号BUFON<4>が出力される。出力バッファ駆動信号BUFON<3:0>については、論理レベルは反転せず、“1”に保持される。
【0104】
したがって、図10に示すように、BUFON<4:0>は、(11111)から(01111)へと遷移する。これにより、出力回路10の駆動するトランジスタの数は5つから4つに減少し、出力インピーダンスは増加する。
【0105】
同様にして、内部インピーダンス調整信号IMP_UDがHレベルである期間は、活性化されたシフトレジスタ制御信号SR_DECによって出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>の値は段階的にデクリメントされ、出力インピーダンスが増加することとなる。さらに、内部インピーダンス制御信号IMP_UDが、HレベルからLレベルに遷移したことを受けると、今度はシフトレジスタ制御信号SR_INCが活性化され、これにより出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>の値はインクリメントされ((00001)から(00011)へ)、出力回路10のトランジスタの駆動数は1つから2つに増加し、出力インピーダンスは減少することとなる。
【0106】
以上のように、この発明の実施の形態1の半導体集積回路に従えば、インピーダンス調整信号によって出力回路のインピーダンスが調整されても、このインピーダンス調整信号によってDLL回路内部の出力レプリカ回路も追随してインピーダンスが調整されることから、DLL回路は出力バッファの遅延量を常に補償することができ、LSIにおいて常時外部クロック信号に正確に同期したデータ伝送が可能となる。
【0107】
[変更例]
図11は、この発明の実施の形態1の変更例に従う半導体装置の構成を概略的に示す図である。
【0108】
図11を参照して、本実施の形態の半導体装置は、実施の形態1の半導体装置に対して、インピーダンス調整回路30がデータ出力信号ext.DQSのプルアップおよびプルダウンにおいて、個別にインピーダンス調整を行なう仕様となっている点で異なる。したがって、図11に示すように、外部インピーダンス制御信号は、プルアップに対応するext.IMP_PUと、プルダウンに対応するext.IMP_PDとからなる。また、インピーダンス調整回路30は、外部制御信号ext.IMP_PU,ext.IMP_PDのそれぞれに対して、入力回路31a,31bと、データ処理回路32a,32bとを含む。なお、入力回路31a,31bおよびデータ処理回路32a,32bのそれぞれの構成は、図3の入力回路31および図4のデータ処理回路32と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【0109】
図11の構成において、LSI100の外部出力端子(図示せず)にて出力インピーダンスをモニタしているユーザは、データ出力信号ext.DQSが電源電圧レベルにプルアップされるときには、外部インピーダンス制御信号ext.IMP_PUをインピーダンス調整回路30に入力し、データ出力信号ext.DQSが接地電圧レベルにプルダウンされるときには、外部インピーダンス制御信号ext.IMP_PDを入力する。
【0110】
外部インピーダンス制御信号ext.IMP_PU,ext.IMP_PDは、インピーダンス調整回路30の対応する入力回路31a,31bおよびデータ処理回路32a,32bにおいて、それぞれデコードされ、出力バッファ制御信号BUFON_PU<4:0>,BUFON_PD<4:0>に変換され、出力回路10に入力される。
【0111】
図12は、図11の出力回路10の一例を示す図である。
図12を参照して、基本的な構成は、図8の出力回路10と同様であり、電流を駆動するためのPチャネルトランジスタP0〜P4およびNチャネルトランジスタN0〜N4を含む。
【0112】
各トランジスタに入力されるトランジスタ駆動信号ZOH,OLは、実施の形態1と同様に、データOH_F,OL_Fと出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>,BUFON_PD<4:0>とから生成される。ここで、本実施の形態では、出力信号のプルアップ/プルダウンで個々にインピーダンス調整を行なうことから、2入力NAND回路13には、データOH_Fとプルアップ時の出力バッファ制御信号BUFON_PU<4:0>とが入力され、トランジスタ駆動信号ZOH<4:0>が出力される。
【0113】
一方、2入力AND回路14には、出力データOL_Fとプルダウン時の出力バッファ制御信号BUFON_PD<4:0>とが入力され、トランジスタ駆動信号OL<4:0>が生成される。
【0114】
なお、トランジスタ駆動信号ZOH<4:0>,OL<4:0>と出力インピーダンスとの相関については、実施の形態1で示したものと同様であるため、詳細な説明は省略する。
【0115】
図12の出力回路10において、データ出力信号ext.DQSのプルアップのときには、出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>のインクリメント/デクリメントによって電源電圧から出力ノードに電流を駆動するPチャネルトランジスタの数が制御されることにより、出力インピーダンスが調整される。一方、データ出力信号ext.DQSのプルダウンのときには、出力バッファ駆動信号BUFON_PD<4:0>のインクリメント/デクリメントによって出力ノードから接地電圧に電流を駆動するNチャネルトランジスタの数が制御されることにより、出力インピーダンスが調整される。
【0116】
ここで、図11のLSI100内部のDLL回路20は、図2の位相比較器24において、内部クロック信号CLKと入出力レプリカ回路21,22を介して遅延された出力用内部クロック信号DLLCLKとの位相を比較することでデータ出力を正確に外部クロック信号に同期させることができるが、このとき位相の比較を行なうタイミングは、お互いのクロック信号の立上りあるいは立下りのいずれかとされるのが通常である。例えば、クロック信号の立上りにおいて位相の比較を行なうとすれば、DLL回路20は、データ出力信号のプルアップのみを参照していることになる。
【0117】
したがって、この場合、出力レプリカ回路21は、プルアップにおける出力回路10のインピーダンス調整に追随してインピーダンスを調整すれば、出力回路10のプルアップにおける遅延量を補償することができ、正確に外部クロック信号に同期させることができる。
【0118】
よって、図11に示すように、出力レプリカ回路21には、出力バッファ駆動信号BUFON_PUのみを入力してインピーダンスを調整すれば、データ伝送が正確に外部クロック信号に同期して行なわれることが保証される。
【0119】
なお、DLL回路20がクロック信号の立下りにおいて位相を比較する場合は、出力レプリカ回路21は、プルダウンにおける出力回路10のインピーダンス調整に追随してインピーダンス調整を行なえばよく、出力バッファ駆動信号BUFON_PDが入力される。
【0120】
このことは、出力回路10のインピーダンス調整をプルアップ/プルダウンで個別に行なう場合であっても、出力レプリカ回路21は位相を参照するいずれか一方の出力インピーダンスの調整に追随してインピーダンス調整を行なえば外部クロック信号に正確に同期することができることから、実施の形態1に対して新たに出力レプリカ回路21の回路規模の増大を伴なわずに、同様の効果を得ることができる。
【0121】
以上のように、この発明の実施の形態1の変更例の半導体集積回路に従えば、出力回路のインピーダンス調整を出力信号のプルアップ/プルダウンで個別に行なう場合であっても、出力レプリカ回路は、位相の比較対象となるいずれか一方のインピーダンス調整に追随してインピーダンスを調整するのみで正確に外部クロック信号に同期したデータ伝送ができる。また、本実施の形態のDLL回路は、実施の形態1のDLL回路に対して回路規模の増大を伴なわない。
【0122】
[実施の形態2]
図13は、この発明の実施の形態2に従う半導体装置の構成を概略的に示す図である。
【0123】
図13を参照して、実施の形態2の半導体装置は、実施の形態1の半導体装置に対して、インピーダンス調整回路30の構成が異なり、LSI100外部からのデータ信号が入力される入力回路31cと、データデコード回路32cと、コマンド信号およびアドレス信号が入力される入力回路31dと、動作モードデコード回路32dとを含む。出力回路10およびDLL回路20の構成については、実施の形態1に示す構成と同じであるため、説明を省略する。
【0124】
図13の構成からなるインピーダンス調整回路30は、実施の形態1のインピーダンス調整回路に対して、出力回路10の出力インピーダンスの調整にエントリするためのインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTを、外部からのコマンド信号およびアドレス信号を基に生成する手段を新たに備える。
【0125】
コマンド信号・アドレス信号は、LSI同士でデータの送受信を行なう場合において、システム制御をつかさどる他方のLSIから送られる制御信号であり、通常動作時においては、組み合わされることによって特定のアドレスを指定して動作を行なう際に用いられる。本実施の形態では、さらに、これらの信号は、該LSI間でデータ通信の条件を設定する初期設定時において動作モードの設定に用いられる。この初期設定モードにおいて、インピーダンス調整回路30は、コマンド・アドレス信号を受けてインピーダンス調整モードにエントリしてインピーダンスの調整を行なう。これにより、初期設定完了時において、出力回路10のみならず出力レプリカ回路21においても、インピーダンスの調整が完了していることから、初期設定完了直後から、正確に外部クロック信号に同期したデータ送信が保証される。
【0126】
図14は、図13の動作モードデコード回路32dの一例を示す図である。
図14を参照して、動作モードデコード回路32dは、コマンド信号/COM<2:0>を受ける3入力OR回路80と、アドレス信号ADD<2:0>を受ける3入力NAND回路81と、これらの論理回路の出力信号を受けて、インピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTを出力する2入力NOR回路82dとを含む。
【0127】
3入力OR回路80は、コマンド信号/COM<0>,/COM<1>,/COM<2>が入力されると、これらの論理和の演算結果を出力する。したがって、出力信号は、コマンド信号/COM<2:0>のすべての論理レベルがLであるときにのみ、Lレベルとなる。
【0128】
3入力NAND回路81は、アドレス信号ADD<0>、ADD<1>,ADD<2>が入力されると、これらの論理積を反転した演算結果を出力する。したがって、出力信号は、アドレス信号ADD<2:0>のすべての論理レベルがHであるときにのみ、Lレベルとなる。
【0129】
後段の2入力NOR回路82の出力信号であるインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTは、上記の論理回路の出力信号の論理和が反転された論理レベルとなることから、コマンド信号/COM<2:0>のすべてがLであり、かつアドレス信号ADD<2:0>のすべてがHであるときにのみ、論理レベルがHとなって活性化され、インピーダンス調整モードにエントリすることとなる。
【0130】
図15は、図13のデータデコード回路32cの一例を示す図である。
図15を参照して、データデコード回路32cは、ラッチ回路38と、シフトレジスタ制御信号生成部39と、シフトレジスタ40a,40bとを含む。
【0131】
ラッチ回路38は、インピーダンス制御情報である外部データ信号DATA<1:0>のそれぞれから、内部クロック信号CLKに同期した内部データ信号INT_D<1:0>を生成する。
【0132】
外部データ信号DATA<1:0>は、DATA<1>に、出力回路10のプルアップ側およびプルダウン側のいずれのインピーダンスの調整を行なうかを選択する情報が含まれる。DATA<1>がHのときにはプルダウン側が選択され、Lのときにはプルアップ側が選択される。
【0133】
一方、DATA<0>には、インピーダンスの増加/減少の指示情報が含まれる。DATA<0>は、実施の形態1における外部インピーダンス制御信号ext.IMPに相当し、出力インピーダンスを増加させたいときにはHレベルとなり、減少させたいときにはLレベルとなる。
【0134】
シフトレジスタ制御信号生成部39は、2入力AND回路42a,42b,43a,43b,44a,44bと、インバータ41a,41b,41cとを含んでおり、上記の内部データ信号INT_D<1:0>に基づいて、シフトレジスタ40a,40bの出力値をインクリメント/デクリメントさせる信号SR_INC,SR_DECを生成する。シフトレジスタ制御信号生成部39の基本的な構成は、実施の形態1にて示すものと同様であるが、プルアップ・プルダウンで個別にインピーダンスの調整を行なうべく、プルアップ・プルダウンのそれぞれについてシフトレジスタ制御信号SR_INC,SR_DECを生成する構成となっている点で異なる。
【0135】
図15の構成において、内部データ信号INT_D<0>は、インバータ41aを介して2入力AND回路42aの第1の入力ノードに入力されるとともに、2入力AND回路43aの第1の入力ノードに入力される。同時に、インバータ41bを介して2入力AND回路42bの第1の入力ノードに入力されるとともに、2入力AND回路43bの第1の入力ノードに入力される。
【0136】
一方、内部データ信号INT_D<1>は、インバータ41cを介して2入力AND回路44aの第1の入力ノードに入力されるとともに、2入力AND回路44bの第1の入力ノードに入力される。
【0137】
これに並行して、動作モードデコード回路32dからのインピーダンス調整エントリ信号INP_ENTは、2入力AND回路44a,44bのそれぞれの第2の入力ノードに入力される。
【0138】
続いて、2入力AND回路44a,44bからは、内部データ信号INT_D<1>とインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTとの論理和の演算結果が出力される。2入力AND回路44aの出力信号は、2入力AND回路42a,43aの第2の入力ノードに入力され、2入力AND回路44bの出力信号は、2入力AND回路42b,43bの第2の入力ノードに入力される。
【0139】
したがって、インピーダンス調整モードにエントリ時において(インピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTがHレベル)、内部データ信号INT_D<1>がHのときは、2入力AND回路44bの出力信号はHとなって2入力AND回路42b,43bに入力され、プルダウン側のシフトレジスタ制御信号SR_INC,SR_DECを活性状態にする。これにより、出力回路10のプルダウン側のインピーダンスが調整されることとなる。
【0140】
一方、内部データ信号INT_D<1>がLのときには、2入力AND回路44aの出力信号がHとなって2入力AND回路42a,43aに入力され、プルアップ側のシフトレジスタ制御信号SR_INC,SR_DECを活性化させる。これにより、出力回路10のプルアップ側のインピーダンスが調整されることとなる。
【0141】
なお、後段のシフトレジスタ40a,40bは、いずれも実施の形態1の構成と同じであり、シフトレジスタ制御信号SR_INC,SR_DECに基づいて出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>,BUFON_PD<4:0>をそれぞれ生成する。その詳細な動作については、実施の形態1と共通することから、説明を省略する。
【0142】
再び、図13を参照して、データデコード回路32cで生成された出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>,BUFON_PD<4:0>は、出力回路10に入力されると、それぞれの信号に応答して、トランジスタの駆動数を増減させて出力インピーダンスを調整する。なお、インピーダンス調整の具体的な動作については、実施の形態1で示した動作と同じであることから、説明を省略する。
【0143】
このとき、プルアップ側の出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>は、出力回路10への入力に並行して、DLL回路20内部の出力レプリカ回路21に入力される。プルアップ側の出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>のみが入力されているのは、実施の形態1の変更例で示したように、DLL回路20が外部クロック信号の立上りのタイミングで位相の調整を行なっていることによる。
【0144】
これにより、出力レプリカ回路21は、出力回路10のインピーダンス調整に追随してインピーダンスが調整されることから、出力回路10の遅延量を正確に補償することができ、外部クロック信号に正確に同期したデータ転送が実現される。
【0145】
なお、出力レプリカ回路21のインピーダンス調整は、LSIの初期設定モードにおいて、出力回路10のインピーダンスの調整に追随して行なわれることから、初期の動作モード設定完了直後からデータ転送を正確に外部クロック信号に同期した状態で行なうことができる。
【0146】
ここで、仮に、動作モードを設定されてから後にDLL回路20の出力レプリカ回路21を出力回路10のインピーダンス調整に併せて調整するようでは、システムを制御するLSIの制御外で動作モード設定期間を持つこととなり、仮にシステム制御LSIからの動作モード設定期間直後からデータの送信命令が始まった場合には正確な同期がとれないままデータ送信が始まってしまう。したがって、本実施の形態の構成とすることにより、このような不具合を解消することができる。
【0147】
また、LSI100のユーザにとっても、動作モードの設定完了と同時に、正確に外部クロック信号に同期したデータ伝送が開始可能となることを明確に把握できる。
【0148】
以上のように、この発明の実施の形態2の半導体集積回路に従えば、LSIのデータ転送の動作モード設定時において、出力回路のインピーダンスの調整に追随して出力レプリカ回路のインピーダンスの調整を行なうことから、動作モード設定完了直後から正確に外部クロック信号に同期したデータ転送が可能となる。
【0149】
[変更例]
図16は、この発明の実施の形態2の変更例に従う半導体装置の構成を概略的に示す図である。
【0150】
図16を参照して、LSI100は、出力回路10と、DLL回路20と、インピーダンス調整回路30とを含む。
【0151】
インピーダンス調整回路30は、図13の実施の形態2におけるインピーダンス調整回路30と同様の構成からなるが、図13のデータデコード回路32cがデータラッチ回路32eに置き換えられた点で異なり、共通する部分については説明を省略する。
【0152】
図16の構成のインピーダンス調整回路30において、入力回路31c,31dには、インピーダンス制御情報である外部データ信号DATA<4:0>と動作モードを設定するためのコマンド信号COMおよびアドレス信号ADDとがそれぞれ入力される。
【0153】
ここで、外部データDATA<4:0>は、実施の形態2の外部データ<1:0>とは異なり、出力回路10のトランジスタの個々について駆動を制御する情報を含む。したがって、本実施の形態では、後述するように、外部データDATA<4:0>は、インピーダンス調整回路30においてデコードされることなく、直接的に出力バッファ駆動信号BUFON<4:0>に変換され、インピーダンスを調整する。
【0154】
図16に示すように、各入力回路31c,31dは、図示しない内部の差動アンプにおいて基準電圧VREFを基に、H/Lの2値情報からなる内部データ信号INT_D<4:0>と、コマンド信号/COM<2:0>と、アドレス信号ADD<3:0>とを生成する。
【0155】
内部データ信号INT_D<4:0>は、後段のデータラッチ回路32eに入力される。また、コマンド信号/COM<2:0>およびアドレス信号ADD<3:0>は、動作モードデコード回路32fに入力される。
【0156】
図17は、図16の動作モードデコード回路32fの一例を示す図である。
図17を参照して、動作モードデコード回路32fは、実施の形態2の動作モードデコード回路32dと同様に、コマンド信号/COMおよびアドレス信号ADDからインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENTを生成する。これにより、動作モード設定時において、出力回路10のインピーダンス調整が行なわれる。
【0157】
より詳細には、動作モードデコード回路32fは、3入力OR回路80と、3入力NAND回路81と、インバータ83と、3入力NOR回路84,85とを含む。
【0158】
3入力OR回路80は、各入力ノードにコマンド信号/COM<2:0>を受けると、これらの論理和の演算結果を出力する。この出力信号は、後段の3入力NOR回路84,85のそれぞれの第1の入力ノードに入力される。
【0159】
3入力NAND回路81は、各入力ノードにアドレス信号ADD<2:0>を受けると、これらの論理積を反転した演算結果を出力する。この出力信号は、3入力NOR回路84,85のそれぞれの第2の入力ノードに入力される。
【0160】
さらに、3入力NOR回路84の第3の入力ノードには、アドレス信号ADD<3>がインバータ83を介して入力される。3入力NOR回路84は、これらの入力信号の論理和を反転した演算結果を出力する。この出力信号は、出力回路10のプルダウン側のインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENT_PDを形成する。
【0161】
一方、3入力NOR回路85の第3の入力ノードには、アドレス信号ADD<3>が入力される。3入力NOR回路85がこれらの入力信号の演算結果として出力する信号は、出力回路10のプルアップ側のインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENT_PUを形成する。
【0162】
以上に示したように、本実施の形態の動作モードデコード回路32fは、実施の形態2の動作モードデコード回路32dに対して、基本的な構成は同じであり、3入力OR回路80からの出力信号は、コマンド信号/COM<2:0>のすべてがLのときにのみLレベルとなる一方で、3入力NAND回路81からの出力信号は、アドレス信号ADD<2:0>のすべてがHのときにLレベルとなり、後段の3入力NOR回路84,85に入力される。
【0163】
ところが、本実施の形態では、さらに、アドレス信号ADD<3>がこの3入力NOR回路84,85に入力される点で、実施の形態2の動作モードデコード回路32dと異なる。したがって、3入力NOR回路84,85の出力信号は、これら3つの入力信号がすべてLのときにのみHレベルとなることとなる。
【0164】
すなわち、アドレス信号ADD<3>がHレベルのときは、3入力NOR回路84の入力信号がすべてLとなって、出力されるインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENT_PDがHレベルに活性化される。これにより、出力回路10のプルダウン側がインピーダンス調整モードにエントリすることとなる。
【0165】
一方、アドレス信号ADD<3>がLレベルのときには、3入力NOR回路85の入力信号がすべてLとなって、出力されるインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENT_PUがHレベルに活性化される。
【0166】
以上の動作をまとめると、アドレス信号ADD<3>は出力回路10のプルアップ側およびプルダウン側のいずれのインピーダンス調整を行なうかを選択する信号であり、この信号によって、出力回路10は、プルアップ側およびプルダウン側で独立してインピーダンス調整モードにエントリすることとなる。
【0167】
図18は、図16のデータラッチ回路32eの一例を示す図である。
図18を参照して、データラッチ回路32eは、2つのラッチ回路86,87を含む。
【0168】
ラッチ回路86,87には、それぞれ内部データ信号INT_D<4:0>が入力されるとともに、ラッチのタイミングを制御する信号として、図17の動作モードデコード回路32fにおいて生成されたインピーダンス調整エントリ信号IMP_ENT_PU,IMP_ENT_PDがそれぞれ入力される。
【0169】
ラッチ回路86は、同図に示すように、内部データ信号INT_D<4:0>を保持して、インピーダンス調整エントリ信号IMP_ENT_PUの活性化に応答してプルアップ側の出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>を出力する。
【0170】
ラッチ回路87は、同様に、内部データ信号INT_D<4:0>を保持して、インピーダンス調整エントリ信号IMP_ENT_PDの活性化に応答してプルダウン側の出力バッファ駆動信号BUFON_PD<4:0>を出力する。
【0171】
したがって、出力回路10は、これらの出力バッファ駆動信号を受けて、プルアップ側およびプルダウン側で独立してインピーダンス調整が行なわれることとなる。
【0172】
さらに、出力バッファ駆動信号BUFON_PU<4:0>は、並行して出力レプリカ回路21に入力されると、出力回路10のプルアップ側のインピーダンス調整に追随して、インピーダンスを調整する。
【0173】
本実施の形態は、実施の形態2の半導体装置において、インピーダンス制御信号が既にデコード済みで、直接に出力回路10のインピーダンスの調整が可能な形態である場合に有効である。すなわち、デコード回路を省略できることから、実装面積を削減できる。
【0174】
なお、実施の形態2と同様に、出力レプリカ回路21の調整もこのデコード済みの信号で行なうことが可能であるから、実装面積を削減しつつ実施の形態2の半導体装置と同様の効果を得ることができる。
【0175】
以上のように、この発明の実施の形態2の変更例に従えば、LSIのデータ伝送の動作モード設定時において、出力回路のインピーダンスの調整に追随して出力レプリカ回路のインピーダンスの調整を行なうことから、動作モード設定完了直後から正確に外部クロック信号に同期したデータ転送が可能となる。
【0176】
さらに、インピーダンスの調整は既に外部でデコード済みの制御信号に基づいて行なうことから、LSI内部にデコード回路を持つことによる実装面積の増加を回避することができる。
【0177】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0178】
【発明の効果】
以上のように、この発明に従えば、出力回路に入力されるインピーダンス調整信号をDLL回路内部に出力レプリカ回路にも同時に入力することにより、出力回路のインピーダンスの調整に追随して出力レプリカ回路もインピーダンスが調整されることから、DLL回路は出力回路の遅延量を常に補償でき、LSIにおいて正確に外部クロック信号に同期したデータ伝送が常時可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1に従う半導体装置における出力インピーダンスの調整に関する部分を抽出して概略的に示す図である。
【図2】図1の半導体装置に搭載されるDLL回路の一例を概略的に示す図である。
【図3】図1のインピーダンス調整回路における入力回路の一例を示す図である。
【図4】図1のインピーダンス調整回路におけるデータ処理回路の一例を示す図である。
【図5】図4のラッチ回路の一例を示す図である。
【図6】図4のシフトレジスタの一例を示す図である。
【図7】図6(c)のDフリップフロップ群を構成するDフリップフロップの具体的な構成例を示す図である。
【図8】図1の出力回路の一例を示す図である。
【図9】図1の出力レプリカ回路の一例を示す図である。
【図10】この発明の実施の形態1に従う半導体装置における出力インピーダンスの調整を説明するためのタイミングチャートである。
【図11】この発明の実施の形態1の変更例に従う半導体装置の構成を概略的に示す図である。
【図12】図11の出力回路の一例を示す図である。
【図13】この発明の実施の形態2に従う半導体装置の構成を概略的に示す図である。
【図14】図13の動作モードデコード回路の一例を示す図である。
【図15】図13のデータデコード回路の一例を示す図である。
【図16】この発明の実施の形態2の変更例に従う半導体装置の構成を概略的に示す図である。
【図17】図16の動作モードデコード回路の一例を示す図である。
【図18】図16のデータラッチ回路の一例を示す図である。
【符号の説明】
10 出力回路、11 入力バッファ、12 出力バッファ、13,16 2入力NAND回路、14,15 2入力AND回路、20 DLL回路、21 出力レプリカ回路、22 入力レプリカ回路、23 可変遅延回路、24 位相比較器、30 インピーダンス調整回路、31,31a,31b,31c,31d 入力回路、32,32a,32b データ処理回路、32c データデコード回路、32d 動作モードデコード回路、32e データラッチ回路、32f動作モードデコード回路、33,34 Pチャネルトランジスタ、35,36Nチャネルトランジスタ、37 インバータ、38 ラッチ回路、39 シフトレジスタ制御信号生成部、40,40a,40b シフトレジスタ、41,41a,41b,41c インバータ、42,42a,42b,43,43a,43b,44a,44b 2入力AND回路、45 スリーステートバッファ、46〜49 インバータ、51〜57 3入力AND回路、58 2入力AND回路、60〜63 2入力OR回路、70〜74 Dフリップフロップ群、70a,70b フリップフロップ、75,76 インバータ、80 3入力OR回路、81 3入力NAND回路、82 2入力NOR回路、83 インバータ、84,85 3入力NOR回路、86,87 ラッチ回路、VCC 外部電源ノード、P0〜P4,RP0〜RP4 Pチャネルトランジスタ、N0〜N4,RN0〜RN4 Nチャネルトランジスタ、100 LSI。

Claims (4)

  1. 外部クロック信号に同期して動作する半導体装置であって、
    前記外部クロック信号に同期した内部クロック信号を生成するクロック発生回路と、
    前記内部クロック信号に応答して前記半導体装置の外部にデータ信号を出力する出力回路と、
    前記出力回路の出力インピーダンスを調整するためのインピーダンス調整信号を生成するインピーダンス調整回路とを備え、
    前記クロック発生回路は、前記内部クロック信号を前記出力回路におけるデータ信号出力動作の所要時間に相当する所要時間遅延するための模擬遅延回路を含み、
    前記インピーダンス調整回路は、前記インピーダンス調整信号を前記出力回路に入力するとともに、前記模擬遅延回路に入力する、半導体装置。
  2. 前記インピーダンス調整回路は、前記半導体装置の外部から入力されるインピーダンス制御信号に基づいて前記インピーダンス調整信号を生成する、請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記出力回路および前記模擬遅延回路の各々は、第1および第2のレベルを有する前記データ信号を出力ノードに出力するための出力バッファを備え、
    前記出力バッファは、前記第1のレベルに対応する電圧と前記出力ノードとの間に並列接続され、制御ノードを有する複数の第1のトランジスタと、
    前記第2のレベルに対応する電圧と前記出力ノードとの間に並列接続され、制御ノードを有する複数の第2のトランジスタとを含み、
    各前記複数の第1のトランジスタの制御ノードに前記インピーダンス調整信号を受けると、前記インピーダンス調整信号の電圧に応じて、前記複数の第1のトランジスタから所定数のトランジスタが選択されて、前記第1のレベルに対応する電圧と前記出力ノードとの間に電流経路を形成して前記第1のレベルのデータ信号を出力し、
    各前記複数の第2のトランジスタの制御ノードに前記インピーダンス調整信号を受けると、前記インピーダンス調整信号の電圧に応じて、前記複数の第2のトランジスタから所定数のトランジスタが選択されて、前記第2のレベルに対応する電圧と前記出力ノードとの間に電流経路を形成して前記第2のレベルのデータ信号を出力する、請求項2に記載の半導体装置。
  4. 電源投入後の初期設定期間において、前記半導体装置がデータ伝送を行なうときの動作モードを設定する信号の入力手段をさらに備え、
    前記インピーダンス調整回路は、前記動作モード設定信号に基づいて前記インピーダンス調整信号を生成し、前記出力回路に入力するとともに前記模擬遅延回路に入力する、請求項1に記載の半導体装置。
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