JP2004054254A - 感光性樹脂組成物および耐熱性樹脂膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】転写痕やスジ引き等の欠陥を生じにくい感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）特定の構造を有する樹脂と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）大気圧下における沸点が１００℃以上１４０℃以下の有機溶媒とを含有し、かつ、（ｃ）成分の含有量が有機溶媒全量に対して５０重量％以上１００重量％以下である感光性樹脂組成物。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光装置の絶縁層や半導体素子の表面保護膜および層間絶縁膜などに適した感光性樹脂組成物および耐熱性樹脂膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フラットパネルディスプレイとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が普及しているが、同様の非発光型ディスプレイとしてエレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）がある。また、最近注目されている発光型フラットパネルディスプレイとしてはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）や電界発光ディスプレイ（ＥＬＤ）などがある。電界発光ディスプレイの中でも特に有機電界発光装置は、高輝度が得られ、かつ、フルカラーディスプレイが可能なことで研究開発が盛んである。
【０００３】
これらのフラットパネルディスプレイは、対向する第一電極と第二電極との間に電圧を印加することで、あるいは、電流を流すことで動作するものである。この際、曲率半径の小さい電極のエッジ部分には電界が集中しやすいため、エッジ部分では絶縁破壊やリーク電流の発生など、望ましくない現象が起きやすい。
【０００４】
これら現像を抑制するために、第一電極のエッジ部分を絶縁層（セパレーターとも言う）で覆うことが知られている。これにより、電極のエッジ部分における電界集中を緩和することが可能となる。一般に、絶縁層としてはポリイミド樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等が用いられる。これらの樹脂には、それぞれ非感光性、ネガ型感光性およびポジ型感光性のものが知られている。感光性樹脂を使用すると、フォトレジストを使用することなく絶縁層のパターニングができるため、工程の煩雑さ、歩留まりの悪さを抑えることができる。しかしながら従来の絶縁層の製造方法では、絶縁層に転写痕を生じ、製品品位が低下するという問題があった。ここで転写痕とは、被加熱体に近接もしくは接触した物体の形状が、被加熱体上に目視確認できるムラとして残ったもののことである。
【０００５】
たとえば、樹脂組成物をガラス基板等の支持基板に塗布した被加熱体を、ホットプレート方式により加熱して乾燥する際、プロキシピン等の治具上に被加熱体を保持し、ホットプレートからの輻射伝熱によって被加熱体を加熱する。その際に、プロキシピンと接触した部分に転写痕が発現することが多い。発生した転写痕は、その後の露光、現像等の工程に悪影響を及ぼし、最終的にはキュア後の絶縁層の膜厚均一性を損なうなどの問題を生じる。特に、絶縁層として広く用いられるポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体樹脂は、転写痕を発現することが多かった。
【０００６】
転写痕対策として、加熱装置の改造による方法が提案されており、昇降自在な第２のホットプレートを具備し、第２のホットプレートが被加熱体である基板全面に接触することで局部的な温度勾配を無くす方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。また、プロキシピン材質としてポリイミド樹脂等の合成樹脂を用い、かつ、プロキシピンと被加熱体の接触面積を０．００８〜０．２ｍｍ^２と小さくしたり、または、プロキシピン構造をパイプ状構造にして熱伝導率を下げる方法が提案されている（例えば特許文献２〜３参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平８−２３６４３１号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平８−２７９５４８号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開２００２−４０２２３号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの加熱装置を改造することにより転写痕の発生を抑制する技術は、該当する加熱装置ごとに改造を必要とするため、コストと時間を費やさなければならない。そのため、特別な加熱装置を用いなくても転写痕の発生しにくい感光性樹脂組成物が必要とされていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（ａ）一般式（１）で表される構造を有する樹脂と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）大気圧下における沸点が１００℃以上１４０℃以下の有機溶媒とを含有し、かつ、（ｃ）成分の含有量が有機溶媒全量に対して５０重量％以上１００重量％以下である感光性樹脂組成物である。
【００１２】
【化３】

【００１３】
（式中Ｒ^１は２個以上の炭素原子を有する２価から８価の有機基、Ｒ^２は２個以上の炭素原子を有する２価から６価の有機基、Ｒ^３およびＲ^４は同じでも異なっていてもよく、水素原子または炭素数１から２０までの有機基を示す。ｎは５から１０００００までの範囲、ｐおよびｑは、それぞれ０から４までの範囲、ｒおよびｓは、それぞれ０から２までの範囲である。ｐ＋ｑ＞０である。）
また、本発明は、上記の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し感光性樹脂膜を形成する工程、該感光性樹脂膜を乾燥する工程、該感光性樹脂膜を露光する工程、露光された感光性樹脂膜を現像する工程、および、加熱処理をする工程を含む耐熱性樹脂膜の製造方法である。
【００１４】
また、本発明は、上記の感光性樹脂組成物を、第一電極が形成された基板上に塗布し感光性樹脂膜を形成する工程、該感光性樹脂膜を乾燥、露光、現像および加熱処理して絶縁層を形成する工程、発光層を形成する工程、および、第二電極を形成する工程を少なくとも含む有機電界発光装置の製造方法である。
【００１５】
また、本発明は、上記の製造方法により得られた耐熱性樹脂膜を有する有機電界発光装置および耐熱性樹脂膜を表面保護膜または層間絶縁膜として有する電子部品を含む。
【００１６】
【発明の実施の形態】
上記の一般式（１）で表される構造を有する樹脂から選ばれた樹脂を、以下（ａ）成分と呼ぶ。（ａ）成分は、加熱あるいは適当な触媒により、イミド環、オキサゾール環、その他の環状構造を有するポリマーとなり得るものである。環構造となることで、耐熱性、耐溶剤性が飛躍的に向上する。（ａ）成分としては、耐熱性に優れ、有機電界発光素子の絶縁層、あるいは、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜として優れた特性を示すことから、ポリイミド前駆体またはポリベンゾオキサゾール前駆体が好ましい。すなわち、（ａ）成分は耐熱性樹脂前駆体であり、（ａ）成分を加熱することによって耐熱性樹脂が得られる。ここで、耐熱性樹脂とは、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等のイミド環、オキサゾール環、その他の環状構造を有するポリマーのことである。
【００１７】
上記一般式（１）において、Ｒ^１は、酸二無水物残基を表しており、２個以上の炭素原子を有する２価から８価の有機基である。Ｒ^１は、芳香族環または脂肪族環を含有し、かつ、水酸基を０個〜２個有した、炭素数６〜３０の３価または４価の有機基であることが好ましい。また、Ｒ^２は、ジアミン残基を表しており、２個以上の炭素原子を有する２価から６価の有機基である。Ｒ^２は、得られるポリマーの耐熱性の点で、芳香族環を有するものが好ましい。
【００１８】
一般式（１）のＲ^３およびＲ^４は同じであっても異なっていても良く、水素原子または炭素数１〜２０の有機基を表している。Ｒ^３およびＲ^４の炭素数が２０を越えると現像液に溶解しにくくなる。炭素数１〜２０の有機基としては、アルキル基または炭素炭素不飽和二重結合を有する有機基が特に好ましい。また、ｒおよびｓは、それぞれ独立に０から２までの範囲である。
【００１９】
感光性樹脂組成物がポジ型である場合には、Ｒ^３およびＲ^４が水素原子またはアルキル基であることが好ましい。感光性樹脂組成物の安定性の点では、Ｒ^３およびＲ^４はアルキル基が好ましいが、現像液に対する溶解性の点では水素原子が好ましい。水素原子とアルキル基を混在させることもできる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ヘキシル基などが挙げられるがこれらに限定されない。Ｒ^３およびＲ^４は、炭素数１〜１６までのアルキル基を少なくとも１つ以上含有し、その他は水素原子であることが好ましい。水素原子とアルキル基の量を制御することで、現像液に対する溶解速度が変化するので、この調整により適度な溶解速度を有した感光性樹脂組成物を得ることができる。好ましい範囲は、Ｒ^３およびＲ^４の１０モル％〜９０モル％が水素原子であることである。
【００２０】
感光性樹脂組成物がネガ型である場合には、Ｒ^３およびＲ^４が炭素炭素不飽和二重結合を有する有機基であることが好ましい。炭素炭素不飽和二重結合を有することにより、露光に際して架橋が促進され、感光性能が向上するとともに、得られる樹脂の強度も高くなるので、好ましい。炭素炭素不飽和二重結合を有する有機基としては、アクリル酸メチル基、アクリル酸エチル基、アクリル酸プロピル基、メタクリル酸メチル基、メタクリル酸エチル基、メタクリル酸プロピル基などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２１】
一般式（１）において、ｐおよびｑは、それぞれ独立に０から４までの範囲であり、かつ、ｐ＋ｑ＞０である。すなわち、（ａ）成分は、水酸基を有している。この水酸基の存在のために、（ａ）成分は、後述の（ｃ）成分、すなわち、大気圧下における沸点が１００℃以上１４０℃以下の有機溶媒に対する溶解性が、水酸基を有さない樹脂よりも良好になる。さらに、現像をアルカリ水溶液で行える点でも好ましい。特に、水酸基がフェノール性の水酸基であるとアルカリ水溶液に対する溶解性の点でより好ましい。
【００２２】
一般式（１）のｎは構造単位の繰り返し数を示しており、５〜１０００００の範囲であることが好ましい。ｎの下限は１０以上が、より好ましい。ｎの上限は１００００以下が、より好ましい。ｎが小さすぎると、パターン形状、解像度、現像性、耐熱性などが劣化しやすい。ｎが大きすぎると、現像性および感度が悪化する傾向がある。本発明において、ｎの値は、（ａ）成分の重量平均分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いてポリスチレン換算で測定し、得られた重量平均分子量を、（ａ）成分を構成する構造単位１個あたりの分子量で割ることにより求められる。
【００２３】
（ａ）成分の樹脂の好ましい重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用いポリスチレン換算で測定した値が、３，０００〜１００，０００であり、より好ましくは５，０００〜５０，０００である。
【００２４】
一般式（１）で表される樹脂は、公知の方法を利用して合成される。例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を反応させる方法、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後ジアミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、ジアミンと反応させる方法などの方法を利用して合成することができる。
【００２５】
また、本発明においては、（ａ）成分の末端に末端封止剤を反応させることが好ましい。末端封止剤としては、モノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などを用いることができる。末端封止剤を反応させることにより、（ａ）成分の構造単位の繰り返し数、すなわち分子量を好ましい範囲に制御できる点で好ましい。また、（ａ）成分の末端に末端封止剤を反応させることにより、末端基として種々の有機基を導入することができる。末端封止剤を反応させた（ａ）成分の好ましい例としては、一般式（２）〜（５）で表される構造を有する樹脂から選ばれた樹脂が好ましい。
【００２６】
【化４】

【００２７】
（式中Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、ｎ、ｐ、ｑ、ｒおよびｓは一般式（１）と同じ、Ｒ^５は２価の有機基、ＸおよびＹはそれぞれカルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基、不飽和炭化水素基を１つ以上含有する炭素数１から１０までの炭化水素基、ニトロ基、メチロール基、エステル基、ヒドロキシアルキニル基より選ばれた一つ以上の置換基を有する有機基を示す。ｍは０から１０までの範囲である。）
Ｘおよび／またはＹで表される有機基を有することにより、（ａ）成分は、後述の（ｃ）成分、すなわち、大気圧下における沸点が１００℃以上１４０℃以下の有機溶媒に対する溶解性がさらに良好になる。
【００２８】
一般式（２）および一般式（３）における−ＮＨ−（Ｒ^５）_ｍ−Ｘは、末端封止剤である１級モノアミンに由来する成分である。−ＮＨ−（Ｒ^５）_ｍ−Ｘとしては、下記一般式（６）で示される基が好ましい。
【００２９】
また、一般式（４）および一般式（５）における−ＣＯ−（Ｒ^５）_ｍ−Ｙは、末端封止剤である酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物またはモノ活性エステル化合物に由来する成分である。−ＣＯ−（Ｒ^５）_ｍ−Ｙとしては、下記一般式（７）および／または下記一般式（８）で示される基が好ましい。
【００３０】
【化５】

【００３１】
一般式（６）〜（８）におけるＲ^５は、−ＣＲ^８Ｒ^９−、−ＣＨ_２Ｏ−および−ＣＨ_２ＳＯ_２−より選ばれる２価の基を示す。Ｒ^９およびＲ^１０は水素原子、水酸基、カルボキシル基および炭素数１から１０までの炭化水素基より選ばれる１価の基を示す。Ｒ^８は水素原子および炭素数１から１０までの炭化水素基より選ばれる１価の基を示す。なかでも水素原子または炭素数１から４の炭化水素基が好ましく、特に好ましくは水素原子、メチル基またはｔ−ブチル基である。また、Ｒ^６およびＲ^７は水素原子、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、不飽和炭化水素基を少なくとも１つ以上含有する炭素数１から１０までの炭化水素基、ニトロ基、メチロール基、エステル基、ヒドロキシアルキニル基および炭素数１から１０までの炭化水素基より選ばれた一つ以上の置換基である。Ａ^１〜Ａ^３は、それぞれ炭素原子または窒素原子である。ｍは０から１０までの範囲であり、好ましくは０から４の範囲である。ｌは０または１であり、好ましくは０である。ｉは０または１であり、好ましくは０である。ｊは１〜３までの範囲であり、好ましくは１〜２の範囲である。ｋ、ｔおよびｕは、それぞれ０または１である。
【００３２】
ポリマー中に導入された末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、末端封止剤が導入されたポリマーを、酸性溶液に溶解し、ポリマーの構成単位であるアミン成分と酸無水成分に分解、これをガスクロマトグラフィー（ＧＣ）や、ＮＭＲ測定することにより、本発明に使用の末端封止剤を容易に検出できる。これとは別に、末端封止剤が導入されたポリマー成分を直接、熱分解ガスクロマトグラフ（ＰＧＣ）や赤外スペクトルおよびＣ^１３ＮＭＲスペクトル測定でも、容易に検出可能である。
【００３３】
また、（ａ）成分は、フッ素原子を構造中に有していても良い。フッ素原子を有することで極性部位が増加し、（ｃ）成分に対する溶解性が飛躍的に向上する。またアルカリ水溶液で現像する際に、膜の界面に撥水性が適度に出るために、界面のしみこみなどが抑えられる。しかしながら、フッ素原子含有量が２０重量％を越えると、アルカリ水溶液に対する溶解性が低下すること、熱処理により環状構造にしたポリマーの耐有機溶媒性が低下すること、発煙硝酸に対する溶解性が低下することから好ましくない。このように、フッ素原子は２０重量％以下含まれることが好ましい。
【００３４】
さらに、基板との接着性を向上させるために、耐熱性を低下させない範囲で　Ｒ^１、Ｒ^２にシロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ−アミノ−フェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを全アミン成分に対して１〜１０モル％共重合したものなどがあげられる。
【００３５】
本発明で用いられる具体的な酸二無水物として、水酸基を有さない例としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ビフェニル二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物や、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、および「ＴＤＡ１００、リカレジンＴＭＥＧ」（以上、商品名、新日本理化（株）製）などの脂肪族のテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。これらのうち、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ビフェニル二無水物が好ましい。
【００３６】
また、水酸基を有する例として、好ましい化合物を例示すると下記に示したような構造のものが挙げられる。
【００３７】
【化６】

【００３８】
これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用される。
【００３９】
本発明で用いられるジアミンの具体的な例としては、水酸基を有しないジアミンの例としては、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルヒド、４，４’−ジアミノジフェニルスルヒド、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジン、ｍ−フェニレンジアミン、Ｐ−フェニレンジアミン、３，５−ジアミノ安息香酸、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレンジアミン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジエチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’，３，３’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’，４，４’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジ（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル、あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物や、脂肪族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどが挙げられるが、これらに限定されない。上記化合物は単独種であっても良いし、２種以上の混合であっても良い。
【００４０】
また、水酸基を有する例としては、フッ素原子を有した、２，２−ビス〔４−（アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−ヒドロキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、フッ素原子を有さない、ジアミノジヒドロキシピリミジン、ジアミノジヒドロキシピリジン、ヒドロキシ−ジアミノ−ピリミジン、ジアミノフェノール、ジヒドロキシベンチジンおよび「ＡＢＣＨ」、「ＡＢＰＳ」（商品名、日本化薬（株）製）などの化合物や一般式（１）〜（４）のＲ^２が下記に示したような構造のものが挙げられる。
【００４１】
【化７】

【００４２】
【化８】

【００４３】
これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用される。
【００４４】
末端封止剤に用いられるモノアミンとしては、具体的には、５−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、４−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、１−ヒドロキシ−８−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−３−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−２−アミノナフタレン、１−アミノ−７−ヒドロキシナフタレン、２−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−ヒドロキシナフタレン、１−カルボキシ−８−アミノナフタレン、１−カルボキシ−７−アミノナフタレン、１−カルボキシ−６−アミノナフタレン、１−カルボキシ−５−アミノナフタレン、１−カルボキシ−４−アミノナフタレン、１−カルボキシ−３−アミノナフタレン、１−カルボキシ−２−アミノナフタレン、１−アミノ−７−カルボキシナフタレン、２−カルボキシ−７−アミノナフタレン、２−カルボキシ−６−アミノナフタレン、２−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−カルボキシ−４−アミノナフタレン、２−カルボキシ−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−カルボキシナフタレン、２−アミノニコチン酸、４−アミノニコチン酸、５−アミノニコチン酸、６−アミノニコチン酸、４−アミノサリチル酸、５−アミノサリチル酸、６−アミノサリチル酸、３−アミノ−Ｏ−トルイック酸、アメライド、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、２−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノベンゼンスルホン酸、４−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、５−アミノ−８−メルカプトキノリン、４−アミノ−８−メルカプトキノリン、１−メルカプト−８−アミノナフタレン、１−メルカプト−７−アミノナフタレン、１−メルカプト−６−アミノナフタレン、１−メルカプト−５−アミノナフタレン、１−メルカプト−４−アミノナフタレン、１−メルカプト−３−アミノナフタレン、１−メルカプト−２−アミノナフタレン、１−アミノ−７−メルカプトナフタレン、２−メルカプト−７−アミノナフタレン、２−メルカプト−６−アミノナフタレン、２−メルカプト−５−アミノナフタレン、２−メルカプト−４−アミノナフタレン、２−メルカプト−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−メルカプトナフタレン、３−アミノ−４，６−ジメルカプトピリミジン、２−アミノチオフェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオフェノール、２−エチニルアニリン、３−エチニルアニリン、４−エチニルアニリン、２，４−ジエチニルアニリン、２，５−ジエチニルアニリン、２，６−ジエチニルアニリン、３，４−ジエチニルアニリン、３，５−ジエチニルアニリン、１−エチニル−２−アミノナフタレン、１−エチニル−３−アミノナフタレン、１−エチニル−４−アミノナフタレン、１−エチニル−５−アミノナフタレン、１−エチニル−６−アミノナフタレン、１−エチニル−７−アミノナフタレン、１−エチニル−８−アミノナフタレン、２−エチニル−１−アミノナフタレン、２−エチニル−３−アミノナフタレン、２−エチニル−４−アミノナフタレン、２−エチニル−５−アミノナフタレン、２−エチニル−６−アミノナフタレン、２−エチニル−７−アミノナフタレン、２−エチニル−８−アミノナフタレン、３，５−ジエチニル−１−アミノナフタレン、３，５−ジエチニル−２−アミノナフタレン、３，６−ジエチニル−１−アミノナフタレン、３，６−ジエチニル−２−アミノナフタレン、３，７−ジエチニル−１−アミノナフタレン、３，７−ジエチニル−２−アミノナフタレン、４，８−ジエチニル−１−アミノナフタレン、４，８−ジエチニル−２−アミノナフタレン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
これらのうち、５−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、１−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−カルボキシ−７−アミノナフタレン、１−カルボキシ−６−アミノナフタレン、１−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−カルボキシ−７−アミノナフタレン、２−カルボキシ−６−アミノナフタレン、２−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、４−アミノサリチル酸、５−アミノサリチル酸、６−アミノサリチル酸、２−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノベンゼンスルホン酸、４−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、２−アミノチオフェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオフェノール、３−エチニルアニリン、４−エチニルアニリン、３，４−ジエチニルアニリン、３，５−ジエチニルアニリン等が好ましい。
【００４６】
末端封止剤として用いられる酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物およびモノ活性エステル化合物から選ばれた化合物としては、具体的には、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、３−ヒドロキシフタル酸無水物等の酸無水物、２−カルボキシフェノール、３−カルボキシフェノール、４−カルボキシフェノール、２−カルボキシチオフェノール、３−カルボキシチオフェノール、４−カルボキシチオフェノール、１−ヒドロキシ−８−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−７−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−６−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−５−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−４−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−３−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−２−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−８−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−７−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−６−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−５−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−４−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−３−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−２−カルボキシナフタレン、２−カルボキシベンゼンスルホン酸、３−カルボキシベンゼンスルホン酸、４−カルボキシベンゼンスルホン酸、２−エチニル安息香酸、３−エチニル安息香酸、４−エチニル安息香酸、２，４−ジエチニル安息香酸、２，５−ジエチニル安息香酸、２，６−ジエチニル安息香酸、３，４−ジエチニル安息香酸、３，５−ジエチニル安息香酸、２−エチニル−１−ナフトエ酸、３−エチニル−１−ナフトエ酸、４−エチニル−１−ナフトエ酸、５−エチニル−１−ナフトエ酸、６−エチニル−１−ナフトエ酸、７−エチニル−１−ナフトエ酸、８−エチニル−１−ナフトエ酸、２−エチニル−２−ナフトエ酸、３−エチニル−２−ナフトエ酸、４−エチニル−２−ナフトエ酸、５−エチニル−２−ナフトエ酸、６−エチニル−２−ナフトエ酸、７−エチニル−２−ナフトエ酸、８−エチニル−２−ナフトエ酸等のモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物および、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、３−ヒドロキシフタル酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、１，２−ジカルボキシナフタレン、１，３−ジカルボキシナフタレン、１，４−ジカルボキシナフタレン、１，５−ジカルボキシナフタレン、１，６−ジカルボキシナフタレン、１，７−ジカルボキシナフタレン、１，８−ジカルボキシナフタレン、２，３−ジカルボキシナフタレン、２，６−ジカルボキシナフタレン、２，７−ジカルボキシナフタレン等のジカルボン酸類のモノカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とＮ−ヒドロキシベンゾトリアゾールやＮ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物、が挙げられる。
【００４７】
これらのうち、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、３−ヒドロキシフタル酸無水物等の酸無水物、３−カルボキシフェノール、４−カルボキシフェノール、３−カルボキシチオフェノール、４−カルボキシチオフェノール、１−ヒドロキシ−７−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−６−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−５−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−７−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−６−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−５−カルボキシナフタレン、３−カルボキシベンゼンスルホン酸、４−カルボキシベンゼンスルホン酸、３−エチニル安息香酸、４−エチニル安息香酸、３，４−ジエチニル安息香酸、３，５−ジエチニル安息香酸等のモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物およびテレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、１，５−ジカルボキシナフタレン、１，６−ジカルボキシナフタレン、１，７−ジカルボキシナフタレン、２，６−ジカルボキシナフタレン等のジカルボン酸類のモノカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とＮ−ヒドロキシベンゾトリアゾールやＮ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物等が好ましい。
【００４８】
末端封止剤に用いられるモノアミンの導入割合は、全アミン成分に対して、０．１〜６０モル％の範囲が好ましく、特に好ましくは５〜５０モル％である。末端封止剤として用いられる酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物およびモノ活性エステル化合物から選ばれた化合物の導入割合は、ジアミン成分に対して、０．１〜１００モル％の範囲が好ましく、特に好ましくは５〜９０モル％である。複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入しても良い。
【００４９】
本発明の感光性樹脂組成物に含まれる樹脂成分は、一般式（１）で表される構造を有する樹脂のみからなるものであっても良いし、他の構造単位を含む共重合体あるいは他の樹脂とのブレンド体であっても良い。その際、一般式（１）で表される構造単位を５０モル％以上含有していることが好ましい。共重合あるいはブレンドに用いられる構造単位の種類および量は最終加熱処理によって得られる耐熱性樹脂膜の耐熱性を損なわない範囲で選択することが好ましい。
【００５０】
本発明の（ｂ）成分は、感光剤である。感光剤としては、ポジ型感光剤とネガ型感光剤のいずれも用いることができる。本発明に用いる感光剤としては、キノンジアジド化合物が好ましい。キノンジアジド化合物は、樹脂組成物にポジ型感光性を与える感光剤である。樹脂組成物がポジ型感光性を有すると、パターン加工に際して、露光部の塗膜内部への放射線有効強度が、塗膜の表面から底部に向かって次第に小さくなり、なだらかな順テーパー状の断面形状を有する絶縁層を形成することが容易であるので好ましい。特に、有機電界発光装置の絶縁層を形成する際には、絶縁層がなだらかな順テーパー状の断面形状を有さないと、図１に示すように、絶縁層上に設けた薄膜層や第二電極が、絶縁層の境界部分で薄くなったり段切れを起こす場合がある。そのような欠陥は、結果として有機電界発光装置の輝度ムラなどの欠陥につながる。それに対して、図２に示すように、絶縁層がなだらかな順テーパー状の断面形状を有していると、絶縁層上に設けた薄膜層や第二電極が、絶縁層の境界部分で薄くなったり段切れを起こしたりしない。したがって、有機電界発光装置の絶縁層を形成するには、ポジ型感光性樹脂組成物が特に好ましい。
【００５１】
キノンジアジド化合物としては、エステル化されたキノンジアジド化合物が好ましく、なかでもフェノール性水酸基を有する化合物にナフトキノンジアジドスルホン酸がエステル結合した化合物がより好ましい。ここで用いられるフェノール性水酸基を有する化合物としては、Ｂｉｓ−Ｚ、ＢｉｓＰ−ＥＺ、ＴｅｋＰ−４ＨＢＰＡ、ＴｒｉｓＰ−ＨＡＰ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ、ＴｒｉｓＰ−ＰＨＢＡ、ＢｉｓＯＣＨＰ−Ｚ、ＢｉｓＰ−ＭＺ、ＢｉｓＰ−ＰＺ、ＢｉｓＰ−ＩＰＺ、ＢｉｓＯＣＰ−ＩＰＺ、ＢｉｓＰ−ＣＰ、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、ＢｉｓＲＳ−３Ｐ、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ、メチレントリス−ｐ−ＣＲ、メチレンテトラ−ｐ−ＣＲ，ＢｉｓＲＳ−２６Ｘ、Ｂｉｓ−ＰＦＰ−ＰＣ（以上商品名、本州化学工業（株）製）、ＢＩＲ−ＯＣ、ＢＩＰ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩＲ−ＰＣＨＰ、ＢＩＰ−ＢＩＯＣ−Ｆ、４ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ、ＴＥＰ−ＢＩＰ−Ａ（以上、商品名、旭有機材工業（株）製）、ナフトール、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチルエステル、ビスフェノールＡ、メチレンビスフェノール、ＢｉｓＰ−ＡＰ（商品名、本州化学工業（株）製）などの化合物が好ましく挙げられる。ナフトキノンジアジドスルホン酸としては、４−ナフトキノンジアジドスルホン酸あるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸が好ましい。
【００５２】
このようなナフトキノンジアジド化合物は、水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）に対する感光性が高いので好ましい。
【００５３】
また、本発明で用いるナフトキノンジアジド化合物の分子量が１０００以上になると、その後の熱処理においてナフトキノンジアジド化合物が十分に熱分解しないために、得られる膜の耐熱性が低下する、機械特性が低下する、接着性が低下するなどの問題が生じる可能性がある。このような観点より見ると、好ましいナフトキノンジアジド化合物の分子量は３００から１０００である。さらに好ましくは、３５０から８００である。このようなナフトキノンジアジド化合物の添加量としては、ポリマー１００重量部に対して、好ましくは１から５０重量部である。
【００５４】
また、必要に応じて感光性耐熱性前駆体組成物のアルカリ現像性を補う目的で、上記フェノール性水酸基を有する化合物をナフトキノンジアジドでエステル化せずそのまま添加しても構わない。このフェノール性水酸基を有する化合物を添加することで、得られる樹脂組成物は、露光前はアルカリ現像液にほとんど溶解せず、露光すると容易にアルカリ現像液に溶解するために、現像による膜減りが少なく、かつ短時間で現像が容易になる。この場合、フェノール性水酸基を有する化合物の添加量としては、ポリマー１００重量部に対して、好ましくは１から５０重量部であり、さらに好ましくは３から４０重量部の範囲である。
【００５５】
一方、樹脂組成物にネガ型感光性を与える感光剤としては、光開始剤が好ましい。光開始剤の具体例としては、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシン、ミヒラーズケトンなどの芳香族アミン、３−フェニル−５−イソオキサゾロンに代表される環状オキシム化合物、１−フェニルプロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシムに代表される鎖状オキシム化合物、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、ジベンジルケトン、フルオレノンなどのベンゾフェノン誘導体、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン誘導体などが挙げられるがこれらに限定されない。
【００５６】
また、光開始剤とあわせて光増感剤を用いても良い。好ましい増感剤としては、アジドアントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなどの芳香族モノアジド、３，３’−カルボニルビス（ジエチルアミノクマリン）などのクマリン化合物、ベンズアントロン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトンなど一般に光硬化性樹脂に使用されるようなものが挙げられる。その他電子写真の電荷移動剤として使用されるものであれば好ましく使用できることもある。
【００５７】
光開始剤や増感剤の添加量は、ポリマー１００重量部に対して０．０１〜３０重量部が好ましく、さらに好ましくは０．１〜２０重量部である。この範囲を外れると感光性が低下したり、ポリマーの機械特性が低下したりするので注意を要する。これらの光開始剤や増感剤は、単独で、あるいは２種以上混合して用いることができる。
【００５８】
また、さらに感光性能を上げるために、炭素炭素二重結合を有する化合物を添加しても良い。このような化合物としては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、付加モル数２〜２０のポリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、メチレンビスアクリルアミド及び上記のアクリレートまたは相当するメタクリレート、メタクリルアミド等がある。これらの化合物は、ポリマー１００重量部に対して、１〜３０重量部の範囲で添加するのが好ましい。
【００５９】
本発明における（ｃ）成分は、大気圧下における沸点が１００℃以上１４０℃以下の有機溶媒である。（ｃ）成分の沸点が１００℃未満の場合、スリットダイコート法で塗布する際に、溶媒の蒸発が進行しすぎること、および（ａ）成分の樹脂の溶解性が乏しいことから、塗布口金に固形分が析出しやすくなり異物発生の原因になるという問題、および、塗布膜にスジ状の厚みむらが現れる、いわゆるスジ引きが発生しやすいという問題があり好ましくない。また（ｃ）成分の沸点が１４０℃を越えた場合、溶媒の揮発性が不十分となり、加熱乾燥工程において転写痕が発生しやすくなり好ましくない。本発明において用いる有機溶媒全量に対する（ｃ）成分の割合は、５０重量％以上１００重量％以下が好ましく、６０重量％以上１００重量％以下がより好ましく、７０重量％以上１００重量％以下がさらに好ましい。このような溶媒を用いることにより、転写痕もスジ引きもない、高品位の絶縁層を得ることができるので好ましい。
【００６０】
本発明の（ｃ）成分として用いる沸点が１００℃以上１４０℃以下の有機溶媒としては、本発明の（ａ）成分の樹脂を溶解するものが好ましい。具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート等のアルキルアセテート類、アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン等のケトン類、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール等のアルコール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられる。特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルまたはプロピレングリコールモノエチルエーテルが好ましい。
【００６１】
また、本発明の感光性樹脂組成物を構成する全溶媒のうち、前記（ｃ）成分を除く残りの０重量％以上〜５０重量％未満、好ましくは０重量％以上〜３０重量％未満の溶媒としては、沸点が１４０℃より大きいもの、もしくは、沸点が１００℃未満のものを用いてもよい。
【００６２】
これらのうち、沸点が１４０℃より大きい溶媒の方が好ましい。高沸点溶媒は、加熱乾燥工程において蒸発しにくいため、高沸点溶媒を少量添加した場合、得られた感光性樹脂膜中に少量の溶媒が残存する。そのため、その後のパターン加工において、感光性樹脂膜の現像が容易になるため好ましい。また、（ａ）成分の溶解性の点から、極性溶媒が好ましい。その例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ジアセトンアルコール、乳酸エチル、乳酸ブチル等が挙げられる。これらは単独あるいは混合して用いてもかまわない。沸点が１４０℃より大きい溶媒の添加量は、有機溶媒全量に対して０重量％以上５０重量％以下が好ましい。沸点が１４０℃より大きい溶媒の添加量が５０重量％を越えると、加熱乾燥工程において転写痕が発生しやすくなり好ましくない。
【００６３】
一方、沸点が１００℃未満の溶媒は、スリットダイコート法を用いて塗布する場合には塗布性が悪くなるため好ましくないが、有機溶媒全量に対して０重量％以上３０重量％以下の範囲であれば、添加することができる。沸点が１００℃未満の溶媒の添加量が３０重量％を越えると、スリットダイコート法による塗布においてスジ引き等が発生しやすくなり好ましくない。
【００６４】
また、必要に応じて上記、感光性樹脂組成物と基板との塗れ性を向上させる目的で界面活性剤、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテートなどのエステル類、３−メチル−２−ブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノールなどのアルコール類、シクロヘキサノンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類を全溶媒中の５０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下の範囲で混合しても良い。また、２酸化ケイ素、２酸化チタンなどの無機粒子、あるいはポリイミドの粉末などを添加することもできる。
【００６５】
さらにシリコンウエハやＩＴＯ基板などの基板との接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタンキレート剤などを感光性樹脂組成物のワニスに０．５から１０重量％添加することもできる。
【００６６】
カップリング剤等をワニスに添加する場合、メチルメタクリロキシジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、などのシランカップリング剤、チタンキレート剤またはアルミキレート剤をワニス中のポリマーに対して０．００５から１０重量％添加すると好ましい。
【００６７】
本発明で使用する有機溶剤は、例えば、感光性樹脂組成物の^１Ｈ−ＮＭＲ測定をすることで、使用された有機溶剤を容易に検出できる。また複数の溶媒を含む場合、得られた^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルのピーク強度比から溶媒成分比を見積もることができる。
【００６８】
また、基板との接着性を高めるためには、上記で述べたカップリング剤等で基板を処理することも有効である。その場合、カップリング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶媒に０．５から２０重量％溶解させた溶液を、基板上にスピンコート、スリットダイコート、バーコート、ディップコートもしくはスプレーコートなどで塗布する。場合によっては、その後５０℃から３００℃までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤との反応を進行させる。
【００６９】
次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いて耐熱性樹脂膜パターンを形成する方法について説明する。
【００７０】
感光性樹脂組成物を基板上に塗布する。本発明における基板の材質は、例えば、シリコンウエハ、セラミックス類、ガリウムヒ素、金属、ガラス、半導体、金属酸化絶縁膜、窒化ケイ素、ポリマーフィルムなど、表面に電極用金属を設けることができるあらゆる材質が挙げられる。好ましくはガラスが用いられる。ガラスの材質については、特に限定されるものではないが、アルカリ亜鉛ホウケイ酸ガラス、ナトリウムホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、低アルカリホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、溶融石英ガラス、合成石英ガラスなどが用いられる。通常は、ガラスからの溶出イオンが少ない、無アルカリガラスやＳｉＯ_２などのバリアコートを施したソーダライムガラスが好ましく使用される。また、基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．１ｍｍ以上が好ましく、より好ましくは０．５ｍｍ以上である。
【００７１】
塗布方法はスリットダイコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法などの方法があり、これらの手法を単独であるいは組み合わせて塗布することができるが、本発明の感光性耐熱性樹脂組成物が最も効果を奏するのはスリットダイコート法である。スリットダイコート法は、少ない塗布液の量で塗布を行うことができるため、コスト低減に有利である。スリットダイコート法に必要とされる塗布液の量は、たとえば、スピンコート法と比較すると、１／５〜１／１０程度である。一方で、スリットダイコート法には、転写痕やスジ引き等の欠陥を生じやすいという問題があった。しかしながら、本発明の感光性樹脂組成物を用いれば、スリットダイコート法を用いて塗布しても、転写痕やスジ引き等の欠陥を生じない。
【００７２】
また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が、０．１から１００μｍになるように塗布される。好ましくは、乾燥後の膜厚が、０．３〜２０μｍである。
【００７３】
次に感光性樹脂組成物を塗布した基板を乾燥して、感光性樹脂膜を得る。この工程をプリベークとも言う。乾燥はホットプレート、オーブン、赤外線、真空チャンバーなどを使用する。
【００７４】
ホットプレートを用いる場合、プレート上に直接、もしくは、プレート上に設置したプロキシピン等の治具上に被加熱体を保持して加熱する。プロキシピンの材質としては、アルミニウムやステンレス等の金属材料、あるいはポリイミド樹脂やテフロン（登録商標）等の合成樹脂があり、いずれの材質のプロキシピンを用いてもかまわない。プロキシピンの高さは、基板のサイズ、被加熱体である樹脂膜の種類、加熱の目的等により様々であるが、例えば３００×３５０ｍｍ×０．７ｍｍ^３のガラス基板上に塗布した樹脂膜を加熱する場合、プロキシピンの高さは２〜１２ｍｍ程度が好ましい。加熱温度は被加熱体の種類や目的により様々であり、室温から１８０度の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。
【００７５】
次に、この感光性樹脂組成物膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあるが、本発明では水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）を用いるのが好ましい。
【００７６】
露光後、現像液を用いてポジ型の場合は露光部を、またネガ型の場合は非露光部を除去することによって所望のパターンを有する樹脂膜を形成する。現像液としては、ポジ型ネガ型いずれの場合もテトラメチルアンモニウムの水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを添加してもよい。またネガ型においては、アルカリ水溶液を含まない上記極性溶媒やアルコール類、エステル類、ケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを用いることもできる。現像後は水にてリンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしても良い。
【００７７】
現像後、１３０度から５００度の温度を加えて、樹脂膜を耐熱性樹脂膜に変換する。この工程をポストベークとも言う。この加熱処理は、段階的にもしくは連続的に昇温しながら５分から５時間実施する。一例としては、１３０度、２００度、３５０度で各３０分ずつ熱処理する。あるいは室温から２５０度まで２時間かけて、または、室温から４００度まで２時間かけて直線的に昇温するなどの方法が挙げられる。
【００７８】
本発明の感光性樹脂組成物により形成した耐熱性樹脂膜は、半導体のパッシベーション膜、半導体素子等の電子部品の表面保護膜または層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などの用途に好適に用いられる。
【００７９】
【実施例】
以下、実施例および技術をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、実施例中の感光性樹脂組成物の評価は以下の方法により行った。
【００８０】
＜感光性樹脂膜の作製方法＞
３００×３５０×０．７ｍｍ^３の無アルカリガラス（コーニングジャパン（株）製、＃１７３７）表面にスパッタリング蒸着法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明電極膜が形成された３００×３５０ｍｍのガラス基板を用意した。ＩＴＯ膜上にフォトレジストをスピナー塗布して、通常のフォトリソグラフィ法による露光・現像によってパターニングした。ＩＴＯの不要部分をエッチングして除去した後、フォトレジストを除去することで、ＩＴＯ膜を長さ９０ｍｍ、幅８０μｍ、ピッチ１００μｍのストライプ形状にパターニングした。このストライプ状ＩＴＯ膜は、有機電界発光装置を形成した際に、第一電極となる。
【００８１】
このＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性樹脂組成物（以下ワニスと呼ぶ）を乾燥後の膜厚が１．５μｍとなるように塗布した。スリットダイコート法を用いた場合は、塗布速度は３ｍ／分とした。スピンコート法を用いた場合は、回転数は１０００ｒｐｍで１０秒間とした。その後ホットプレ−ト（中央理研（株）製ＥＡ−４３３１）を用いて、プロキシピンでガラス基板をホットプレートから高さ５．０ｍｍに保持して１２０℃で１０分間加熱して乾燥することにより、感光性樹脂膜を得た。
【００８２】
ここでスリットダイコート法による塗布工程を示す模式図を図３に示す。ホットプレート法による乾燥工程を示す断面図を図４に示す。また、図４に示された乾燥工程に用いたプロキシピンの概略図を図５に示す。プロキシピンは、直径Ｄ＝２．０ｍｍ、断面積Ｓ_１＝３．１ｍｍ^２、ガラス基板との接触面積Ｓ_２＝０．５ｍｍ^２、高さ＝１０ｍｍであった。材質は、ステンレス材料である”ＳＵＳ３０４Ａ”を用いた。
【００８３】
＜感光性樹脂膜の評価方法＞
上記の方法により得られた感光性樹脂膜の評価は、乾燥後の基板における転写痕およびスジ引きを、蛍光灯反射により目視観察することにより行った。
【００８４】
＜有機溶媒の沸点の算出方法＞
本発明の実施例および比較例に用いた有機溶剤の沸点は文献「ＣＲＣ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ」および「Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｆｉｎｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ａｎｄＬａｂｏｒａｔｏｒｙ　Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ」から引用した。また公知の文献に記載のない有機溶媒の沸点は市販の沸点測定装置を用いることにより測定される。例えば、ＦＰ８１ＨＴ／ＦＰ８１Ｃ（メトラー・トレド（株）製）が挙げられる。
【００８５】
＜（ａ）成分の重量平均分子量測定方法＞
本発明の（ａ）成分で用いる樹脂の重量平均分子量は、市販のゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置を用いて測定した。予め重量平均分子量が既知の標準ポリスチレンを用いて検量線を作製し、それを用いて分子量の解析を行った。測定装置としてはＧＰＣＭｏｄｅｌ５１０（ウォーターズ（株）製）、カラムはＴＳＫ−ＧＥＬα２５００およびＴＳＫ−ＧＥＬα４００００（東ソー（株）製）、展開溶媒にはＮ−メチル−２−ピロリドンを用い、流速は０．４ｍｌ／ｍｉｎで測定した。
【００８６】
合成例１　水酸基含有酸無水物（ａ）の合成
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨＦ）１８．３ｇ（０．０５モル）とアリルグリシジルエーテル３４．２ｇ（０．３モル）をγ−ブチロラクトン１００ｇに溶解させ、−１５℃に冷却した。ここにγ−ブチロラクトン５０ｇに溶解させた無水トリメリット酸クロリド２２．１ｇ（０．１１モル）を反応液の温度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、０℃で４時間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、トルエン１ｌに投入して酸無水物（ａ）を得た。
【００８７】
【化９】

【００８８】
合成例２　水酸基含有ジアミン化合物（ｂ）の合成
２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１モル）をアセトン５０ｍｌおよびプロピレンオキシド３０ｇ（０．３４モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに２，２ビス−（４−ベンゾイルクロリド）ヘキサフルオロプロパン２３．６ｇ（０．０５５モル）をアセトン６０ｍｌに溶解させた溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。
【００８９】
この沈殿をγ−ブチロラクトン２００ｍｌに溶解させて、５％パラジウム−炭素３ｇを加えて、激しく攪拌した。ここに水素ガスを入れた風船を取り付け、室温で水素ガスの風船がこれ以上縮まない状態になるまで攪拌を続け、さらに２時間水素ガスの風船を取り付けた状態で攪拌した。攪拌終了後、ろ過でパラジウム化合物を除き、溶液をロータリーエバポレーターで半量になるまで濃縮した。ここにエタノールを加えて、再結晶を行い、ジアミン化合物（ｂ）の結晶を得た。
【００９０】
【化１０】

【００９１】
合成例３　水酸基含有ジアミン化合物（ｃ）の合成
ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００ｍｌおよびプロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに４−ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。
【００９２】
得られた固体３０ｇを３００ｍｌのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ２５０ｍｌに分散させ、５％パラジウム−炭素を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、ジアミン化合物（ｃ）を得た。得られた固体をそのまま反応に使用した。
【００９３】
【化１１】

【００９４】
合成例４　水酸基含有ジアミン化合物（ｄ）の合成
２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１モル）をアセトン１００ｍｌおよびプロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに４−ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍｌに溶解させた溶液を徐々に滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させた。その後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。この後、合成例２と同様にしてジアミン化合物（ｄ）の結晶を得た。
【００９５】
【化１２】

【００９６】
合成例５　３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルジクロリド溶液（ｅ）の合成
乾燥窒素気流下、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物２４．８２ｇ（０．０８モル）、ｎ−ブチルアルコール５９．３ｇ（０．８モル）を９５℃で６時間攪拌反応させた。余剰のｎ−ブチルアルコールを減圧下、留去して、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルを得た。ついで塩化チオニルを９５．１７ｇ（０．８モル）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）７０ｇを仕込み４０℃で３時間反応させた。つづいて、Ｎ−メチルピロリドン２００ｇを添加し、減圧により、余剰の塩化チオニルおよびＴＨＦを除去し、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルジクロリド溶液（ｅ）２３９．６ｇ（０．０８モル）を得た。
【００９７】
合成例６　キノンジアジド化合物（ｆ）の合成
乾燥窒素気流下、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）２１．２３ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド３３．５８ｇ（０．１２５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１２．６５ｇ（０．１２５モル）を系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入させた。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、キノンジアジド化合物（ｆ）を得た。
【００９８】
【化１３】

【００９９】
合成例７　キノンジアジド化合物（ｇ）の合成
乾燥窒素気流下、ＴｒｉｓＰ−ＨＡＰ（商品名、本州化学工業（株）製）、１５．３１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド４０．２８ｇ（０．１５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１５．１８ｇ（０．１５モル）を用い、合成例６と同様にしてキノンジアジド化合物（ｇ）を得た。
【０１００】
【化１４】

【０１０１】
合成例８　キノンジアジド化合物（ｈ）の合成
乾燥窒素気流下、４−イソプロピルフェノール６．８１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド１３．４３ｇ（０．０５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン５．０６ｇを用い、合成例６と同様にして、キノンジアジド化合物（ｈ）を得た。
【０１０２】
【化１５】

【０１０３】
合成例９　キノンジアジド化合物（ｉ）の合成
乾燥窒素気流下、ビスフェノールＡ　１１．４１ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド２６．８６ｇ（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１０．１２ｇを用い、合成例６と同様にしてキノンジアジド化合物（ｉ）を得た。
【０１０４】
【化１６】

【０１０５】
合成例１０　活性エステル化合物（ｊ）の合成
乾燥窒素気流下、４−カルボキシ安息香酸クロリド１８．５ｇ（０．１モル）とヒドロキシベンゾトリアゾール１３．５ｇ（０．１モル）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｇに溶解させ、−１５℃に冷却した。ここにＴＨＦ５０ｇに溶解させたトリエチルアミン１０．０ｇ（０．１モル）を反応液の温度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、２５℃で４時間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで濃縮して、活性エステル化合物（ｊ）を得た。
【０１０６】
【化１７】

【０１０７】
実施例１
乾燥窒素気流下、合成例１で得られた水酸基含有酸無水物（ａ）１２．０１ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１００ｇに溶解させた。ここに合成例２で得られた水酸基含有ジアミン（ｂ）７．２ｇ（０．０１２モル）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。末端封止剤は添加しなかった。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．１５ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ａ）をろ過で集めた。樹脂Ａを８０℃の真空乾燥機で４０時間乾燥した。
【０１０８】
次にこのようにして得た樹脂Ａ１０ｇ、合成例６で得られたキノンジアジド化合物（ｆ）１．５ｇ、および、ビニルメトキシシラン０．３ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）２５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）２５ｇの混合溶媒に溶かして、感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物のワニスＷ１を得た。
【０１０９】
得られたワニスＷ１を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１１０】
実施例２
乾燥窒素気流下、合成例１で得られた水酸基含有酸無水物（ａ）１２．０１ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１００ｇに溶解させた。ここに合成例２で得られた水酸基含有ジアミン（ｂ）９．６ｇ（０．０１６モル）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。次に４−アミノフェノール０．８７ｇ（０．００８モル）を加え５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．１５ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｂ）をろ過で集めた。樹脂Ｂを８０℃の真空乾燥機で４０時間乾燥した。
【０１１１】
次にこのようにして得た樹脂Ｂ１０ｇ、合成例６で得られたキノンジアジド化合物（ｆ）１．５ｇ、および、ビニルメトキシシラン０．３ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）３５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）１５ｇの混合溶媒に溶かして、感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物のワニスＷ２を得た。
【０１１２】
得られたワニスＷ２を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１１３】
実施例３
乾燥窒素気流下、合成例１で得られた水酸基含有酸無水物（ａ）１２．０１ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１００ｇに溶解させた。ここに合成例３で得られた水酸基含有ジアミン（ｃ）４．８４ｇ（０．００８モル）と合成例４で得られた水酸基含有ジアミン（ｄ）１．９４ｇ（０．００８モル）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。次に４−エチニルアニリン０．９４ｇ（０．００８モル）を加え５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．１５ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｃ）をろ過で集めた。樹脂Ｃを８０℃の真空乾燥機で４０時間乾燥した。
【０１１４】
次にこのようにして得た樹脂Ｃ１０ｇ、合成例７で得られたキノンジアジド化合物（ｇ）１．７ｇ、および、ビニルメトキシシラン０．３ｇをエチレングリコールモノエチルエーテル（沸点１３５℃）５０ｇに溶かして、感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物のワニスＷ３を得た。
【０１１５】
得られたワニスＷ３を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１１６】
実施例４
乾燥窒素気流下、合成例１で得られた水酸基含有酸無水物（ａ）１２．０１ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１００ｇに溶解させた。ここに合成例２で得られた水酸基含有ジアミン（ｂ）９．６ｇ（０．０１６モル）をＮＭＰ２５ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。次に４−アミノフェノール０．４４ｇ（０．００４モル）および４−エチニルアニリン０．４７ｇ（０．００４モル）を加え５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．１５ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｄ）をろ過で集めた。樹脂Ｄを８０℃の真空乾燥機で４０時間乾燥した。
【０１１７】
次にこのようにして得た樹脂Ｄ１０ｇ、合成例６で得られたキノンジアジド化合物（ｆ）１．５ｇ、および、ビニルメトキシシラン０．３ｇをプロピレングリコールモノエチルエーテル（沸点１３２℃）３０ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン（沸点２０２℃）２０ｇの混合溶媒に溶かして、感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物のワニスＷ４を得た。
【０１１８】
得られたワニスＷ４を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１１９】
実施例５
乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル９．０８ｇ（０．０４５モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）２０ｇに溶解させた。ここに合成例１で得られた水酸基含有酸二無水物（ａ）２４．０２ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ１５ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。反応後、末端封止剤として無水マレイン酸１．９６ｇ（０．０２モル）を加えさらに５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール１５．１９ｇ（０．１２７モル）をＮＭＰ４ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｅ）をろ過で集めた。樹脂Ｅを７０℃の真空乾燥機で６０時間乾燥した。
【０１２０】
次にこのようにして得た樹脂Ｅ１０ｇ、合成例８で得られたキノンジアジド化合物（ｈ）１．１ｇ、および、ビニルメトキシシラン０．２ｇをブチルアセテート（沸点１２６℃）３０ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）２０ｇの混合溶媒に溶かして、感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物のワニスＷ５を得た。
【０１２１】
得られたワニスＷ５を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１２２】
実施例６
乾燥窒素気流下、合成例３で得られた水酸基含有ジアミン化合物（ｃ）９．６７（０．０１６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．５０ｇ（０．００２モル）、末端封止剤として３−アミノフェノール０．４４ｇ（０．００４モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物６．２ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ１４ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．１５ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｆ）をろ過で集めた。樹脂Ｆを７０℃の真空乾燥機で６０時間乾燥した。
【０１２３】
次に、このようにして得た樹脂Ｆ１０ｇ、合成例９で得られたナフトキノンジアジド化合物（ｉ）２．０ｇ、および、フェノール性水酸基を有する化合物としてＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）１．０ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）４５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）５ｇの混合溶媒に溶かして、感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷ６を得た。
【０１２４】
得られたワニスＷ６を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１２５】
実施例７
乾燥窒素気流下、合成例３で得られた水酸基含有ジアミン化合物（ｃ）９．６７（０．０１６モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．５０ｇ（０．００２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物６．２ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ１４ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。次に末端封止剤として４−エチニルアニリン０．４７ｇ（０．００４モル）を加えさらに５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール４．７７ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｇ）をろ過で集めた。樹脂Ｇを７０℃の真空乾燥機で６０時間乾燥した。
【０１２６】
次に、このようにして得た樹脂Ｇ１０ｇ、合成例６で得られたナフトキノンジアジド化合物（ｆ）２．０ｇ、フェノール性水酸基を有する化合物としてＴｒｉｓＰ−ＨＡＰ（商品名、本州化学工業（株）製）１．５ｇ、および、ビニルメトキシシラン０．３ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）３５ｇと乳酸エチル（沸点１５４℃）１０ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）５ｇの混合溶媒に溶かして、感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷ７を得た。
【０１２７】
得られたワニスＷ７を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１２８】
実施例８
乾燥窒素気流下、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物６．２ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここに末端封止剤として３−アミノフェノール１．０９ｇ（０．０１モル）を加えて、４０℃で１時間反応させた。次いで合成例３で得られた水酸基含有ジアミン化合物（ｃ）６．０４ｇ（０．０１モル）、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１０ｇと加えてさらに４０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール５．９６ｇ（０．０５モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間攪拌した。反応終了後、溶液を水１ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｈ）をろ過で集めた。樹脂Ｈを７０℃の真空乾燥機で６０時間乾燥した。
【０１２９】
次に、このようにして得た樹脂Ｈ１０ｇ、合成例６で得られたナフトキノンジアジド化合物（ｆ）３．０ｇ、および、ビニルメトキシシラン０．３ｇをメチルプロピルケトン（沸点１０２℃）１５ｇとプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）１５ｇとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（沸点１６５℃）２０ｇの混合溶媒に溶かして、感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷ８を得た。
【０１３０】
得られたワニスＷ８を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１３１】
実施例９
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２７．４７ｇ（０．０７５モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）、末端封止剤として活性エステル化合物（ｊ）５．６６ｇ（０．０２モル）ピリジン１１．９３ｇ（０．１５１モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここに、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルジクロリド溶液（ｅ）２３９．６ｇ（０．０８モル）を、系内が１０℃以上にならないように滴下した。滴下後、室温で６時間攪拌した。反応終了後、溶液を水２ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｉ）をろ過で集めた。樹脂Ｉを８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。
【０１３２】
このようにして得た樹脂Ｉ１０ｇ、合成例６で得られたナフトキノンジアジド化合物（ｆ）２．５ｇ、および、ビニルトリメトキシシラン０．３ｇをエチレングリコールモノエチルエーテル（沸点１３５℃）２５ｇと乳酸エチル（沸点１５４℃）１０ｇとＮＭＰ（沸点２０２℃）１５ｇの混合溶媒に溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷ９を得た。
【０１３３】
得られたワニスＷ９を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１３４】
実施例１０
乾燥窒素気流下、３，５−ジアミノ安息香酸７．７５ｇ（０．０５１モル）、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として３−アミノフェノール１．９６ｇ（０．０１８モル）、ピリジン１２．６６ｇ（０．１６モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここに、合成例１で得られた水酸基含有酸無水物（ａ）４８．０４ｇ（０．０８モル）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて４０℃で２時間反応させた。その後Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール１１．９２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ１０ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間撹拌した。反応終了後、溶液を水２ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｊ）をろ過で集めた。樹脂Ｊを８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。
【０１３５】
このようにして得た樹脂Ｊ１０ｇ、合成例７で得られたナフトキノンジアジド化合物（ｇ）２．２ｇ、および、ビニルトリメトキシシラン０．３ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）２５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）２５ｇの混合溶媒に溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷ１０を得た。
【０１３６】
得られたワニスＷ１０を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１３７】
実施例１１
乾燥窒素気流下、３，５−ジアミノ安息香酸７．７５ｇ（０．０５１モル）、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７．３ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として３−アミノフェノール１．９６ｇ（０．０１８モル）、ピリジン１２．６６ｇ（０．１６モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５０ｇに溶解させた。ここに、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジｎ−ブチルエステルジクロリド溶液（ｅ）２３９．６ｇ（０．０８モル）を、系内が１０℃以上にならないように滴下した。滴下後、室温で６時間攪拌した。反応終了後、溶液を水２ｌに投入して、沈殿した樹脂（樹脂Ｋ）をろ過で集めた。樹脂Ｋを８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。
【０１３８】
このようにして得た樹脂Ｋ１０ｇ、合成例７で得られたナフトキノンジアジド化合物（ｇ）２．２ｇ、および、ビニルトリメトキシシラン０．３ｇをメチルプロピルケトン（沸点１０２℃）２５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）２５ｇの混合溶媒に溶解させて感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷ１１を得た。
【０１３９】
得られたワニスＷ１１を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１４０】
実施例１２
乾燥窒素流下、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物１２４ｇ（０．４モル）、２−ヒドロキシエチルメタクリレート５２ｇ（０．４モル）、エタノール１８．４ｇ（０．４モル）、γ−ＢＬ３２０ｇを入れ、氷冷下、かきまぜながらピリジン６４．２ｇを加えた。発熱終了後室温まで放冷し１６時間放置した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１６６ｇをγ−ＢＬ１２０ｇに溶かした溶液を氷冷下、かきまぜながら４０分間で加え、続いて合成例３で得られた水酸基含有ジアミン化合物（ｃ）１８１ｇ（０．３モル）をγ−ＢＬ１５０ｇに懸濁したものを氷冷下、かきまぜながら６０分間で加えた。室温で２時間かきまぜた後、エタノール３０ｇを加えて１時間かきまぜ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）２５０ｇとテトラヒドロフラン４００ｇを加えた後、沈殿を濾過により除いて得られた反応液を１５リットルのエタノールに加え、生成した沈殿（樹脂Ｌ）を濾別した後、真空乾燥した。
【０１４１】
このようにして得た樹脂Ｌを１０ｇ、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル１ｇ、および、エチレングリコールジアクリレート２．２ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）４０ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン（沸点２０２℃）１０ｇの混合溶媒に溶解させてネガ型感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスＷ１２を得た。
【０１４２】
得られたワニスＷ１２を前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布した。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１４３】
実施例１３
実施例１で得られたワニスＷ１を、前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスピンコートコート法により塗布した。回転数は１０００ｒｐｍで１０秒間行った。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１４４】
実施例１４
実施例７で得られたワニスＷ７を、前記の感光性樹脂膜の作製方法にしたがって、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上にスリットダイコート法により塗布し、続けてスピンコート法により回転させた。回転数は１２００ｒｐｍで６秒間行った。次いでホットプレートを用いて乾燥し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１４５】
実施例１５
実施例１で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を、第一電極のエッジを覆う形状のフォトマスクを介してＵＶ露光した。露光後、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で露光部分のみを溶解させることで現像し、純水でリンスした。つづいて、クリーンオーブン中の窒素雰囲気下で２３０℃で３０分間加熱して、感光性ポリイミド前駆体樹脂膜をキュアし、ポリイミド絶縁層を得た。絶縁層の厚さは約１μｍであった。絶縁層は、第一電極のエッジを覆うように形成され、中央部には幅７０μｍ、長さ２５０μｍの開口部が設けられて第一電極が露出している。絶縁層の断面は、なだらかな順テーパーになっていた。
【０１４６】
次に、この絶縁層を形成した基板上に、抵抗線加熱方式による真空蒸着法によって、正孔輸送層、発光層および第二電極となるアルミニウム層を順次形成した。正孔輸送層は、基板有効エリア全面に蒸着した。発光層は、シャドーマスクを用いて、ストライプ状の第一電極上に合わせてパターニングして形成した。第二電極は、第一電極と直交するようにストライプ状にパターニングして形成した。
【０１４７】
得られた上記基板を蒸着機から取り出し、封止用ガラス板と紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いて貼り合わせることで封止した。このようにして単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、良好な表示特性を得ることができた。絶縁層の境界部分で薄膜層や第二電極が、薄くなったり段切れを起こすようなこともなく、スムーズに成膜されたので、発光領域内での輝度ムラは認められず、安定な発光が得られた。
【０１４８】
実施例１６
実施例２で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を２３０℃で６０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１４９】
実施例１７
実施例３で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を２３０℃で３０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１５０】
実施例１８
実施例４で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を２５０℃で３０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１５１】
実施例１９
実施例５で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を２３０℃で３０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１５２】
実施例２０
実施例６で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を２００℃で６０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１５３】
実施例２１
実施例７で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を３５０℃で３０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１５４】
実施例２２
実施例８で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を２００℃で３０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１５５】
実施例２３
実施例９で得られた感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を用い、キュア条件を３２０℃で３０分にした他は、実施例１５と同様にして、単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製した。本表示装置を線順次駆動したところ、輝度ムラも認められず良好な表示特性を得ることができた。
【０１５６】
比較例１
ワニスを作成する際の溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）１５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）３５ｇの混合溶液に変更した他は、実施例１と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１５７】
比較例２
ワニスを作成する際の溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）１０ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）４０ｇの混合溶液に変更した他は、実施例２と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１５８】
比較例３
ワニスを作成する際の溶媒をエチレングリコールモノエチルエーテル（沸点１３５℃）２０ｇとＮＭＰ（沸点２０２℃）３０ｇの混合溶液に変更した他は、実施例３と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１５９】
比較例４
ワニスを作成する際の溶媒をブチルアセテート（沸点１２６℃）１５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）３５ｇの混合溶媒に変更した他は、実施例５と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６０】
比較例５
ワニスを作成する際の溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）１５ｇとγ−ブチロラクトン３０ｇと乳酸エチル（沸点１５４℃）５ｇの混合溶媒に変更した他は、実施例６と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６１】
比較例６
ワニスを作成する際の溶媒を乳酸ブチル（沸点１８５−１８７℃）１７ｇとγ−ブチロラクトン３３ｇの混合溶媒に変更した他は、実施例７と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６２】
比較例７
ワニスを作成する際の溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）５ｇと乳酸エチル（沸点１５４℃）４５ｇの混合溶媒に変更した他は、実施例８と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６３】
比較例８
ワニスを作成する際の溶媒を乳酸エチル（沸点１５４℃）１０ｇとＮＭＰ（沸点２０２℃）４０ｇの混合溶媒に変更した他は、実施例９と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６４】
比較例９
ワニスを作成する際の溶媒をγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）５０ｇに変更した他は、実施例１０と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６５】
比較例１０
ワニスを作成する際の溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１１８−１１９℃）３０ｇとエチレングリコールジメチルエーテル（沸点８５℃）２０ｇの混合溶液に変更した他は、実施例１と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６６】
比較例１１
ワニスを作成する際の溶媒をメチルエチルケトン（沸点８０℃）３５ｇとγ−ブチロラクトン（沸点２０４℃）１５ｇの混合溶媒に変更した他は、実施例５と同様に行い、ＩＴＯをパターニングしたガラス基板上に感光性ポリイミド前駆体樹脂膜を形成し、転写痕の有無およびスジ引きの有無について評価した。
【０１６７】
樹脂Ａ〜Ｌのモノマー組成については表１〜４に、実施例１〜１４、比較例１〜１１の評価結果については表５〜６に示した。表２、４において、複数の成分を用いているものについては、ｐ、ｑ、ｒ、ｓを平均値で示した。
【０１６８】
【表１】

【０１６９】
【表２】

【０１７０】
【表３】

【０１７１】
【表４】

【０１７２】
【表５】

【０１７３】
【表６】

【０１７４】
【発明の効果】
本発明によれば、転写痕やスジ引き等の欠陥が発生しない感光性樹脂組成物を供給することができる。特に、スリットダイコート法で塗布した場合でも、装置の改造を必要とすることなく、転写痕やスジ引き等の欠陥を防ぐことができる。また本発明の感光性樹脂組成物を用いると、高品質な電子部品や有機電界発光装置を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】絶縁層が矩形状のときの断面図
【図２】絶縁層が順テーパー形状のときの断面図
【図３】スリットダイコート法による塗布工程を示す模式図
【図４】ホットプレート法による乾燥工程を示す断面図
【図５】プロキシピンの概略図
【符号の説明】
１　第二電極
２　有機発光層
３　絶縁層
４　第一電極
５　基板
６　スリットダイ
７　プロキシピン
８　ホットプレート
９　ガラス基板との接触面：Ｓ_２
１０　断面：Ｓ_１

Claims (11)

1. （ａ）一般式（１）で表される構造を有する樹脂と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）大気圧下における沸点が１００℃以上１４０℃以下の有機溶媒とを含有し、かつ、（ｃ）成分の含有量が有機溶媒全量に対して５０重量％以上１００重量％以下である感光性樹脂組成物。
   

   

   （式中Ｒ^１は２個以上の炭素原子を有する２価から８価の有機基、Ｒ^２は２個以上の炭素原子を有する２価から６価の有機基、Ｒ^３およびＲ^４は同じでも異なっていてもよく、水素原子または炭素数１から２０までの有機基を示す。ｎは５から１０００００までの範囲、ｐおよびｑは、それぞれ０から４までの範囲、ｒおよびｓは、それぞれ０から２までの範囲である。ｐ＋ｑ＞０である。）
2. （ａ）成分が、一般式（２）〜（５）で表される構造を有する樹脂から選ばれた１種以上の樹脂である請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
   

   

   （式中Ｒ^１は２個以上の炭素原子を有する２価から８価の有機基、Ｒ^２は２個以上の炭素原子を有する２価から６価の有機基、Ｒ^３およびＲ^４は同じでも異なっていてもよく、水素原子または炭素数１から２０までの有機基、Ｒ^５は２価の有機基、ＸおよびＹはそれぞれカルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基、不飽和炭化水素基を１つ以上含有する炭素数１から１０までの炭化水素基、ニトロ基、メチロール基、エステル基、ヒドロキシアルキニル基より選ばれた一つ以上の置換基を有する有機基を示す。ｎは５から１０００００までの範囲、ｍは０から１０までの範囲、ｐおよびｑは、それぞれ０から４までの範囲、ｒおよびｓは、それぞれ０から２までの範囲である。ｐ＋ｑ＞０である。）
3. （ｂ）成分がキノンジアジド化合物である請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
4. （ｃ）成分が、有機溶媒全量に対して７０重量％以上１００重量％以下である請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
5. 請求項１に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し感光性樹脂膜を形成する工程、該感光性樹脂膜を乾燥する工程、該感光性樹脂膜を露光する工程、露光された感光性樹脂膜を現像する工程、および、加熱処理をする工程を含む耐熱性樹脂膜の製造方法。
6. 感光性樹脂組成物の塗布をスリットダイコート法を用いて行う請求項５記載の耐熱性樹脂膜の製造方法。
7. 感光性樹脂膜の現像をアルカリ現像液を用いて行う請求項５記載の耐熱性樹脂膜の製造方法。
8. 請求項１に記載の感光性樹脂組成物を、第一電極が形成された基板上に塗布し感光性樹脂膜を形成する工程、該感光性樹脂膜を乾燥、露光、現像および加熱処理して絶縁層を形成する工程、発光層を形成する工程、および、第二電極を形成する工程を少なくとも含む有機電界発光装置の製造方法。
9. 絶縁層を第一電極のエッジを覆うように形成する請求項１０に記載の有機電界発光装置の製造方法。
10. 請求項５記載の製造方法により得られた耐熱性樹脂膜を有する有機電界発光装置。
11. 請求項５記載の製造方法により得られた耐熱性樹脂膜を表面保護膜または層間絶縁膜として有する電子部品。

Images