JP2003529475A - 光学データ媒体の情報層での吸光性化合物の使用及び光学データ媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は有機及び／又は無機の吸光性化合物を、特に高密度光学データ媒体のための３６０〜４６０ｎｍの波長の範囲の青色レーザで作業される情報層を使用する１回書き込み可能な光学データ媒体並びに前記の吸光性化合物を適当な基板（特にポリカーボネート）上に、例えばスピンコーティングによって適用することに関する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は１回書き込み可能な光学データ媒体の情報層における吸光性化合物の
使用、光学データ媒体並びにそれらの製造に関する。

【０００２】 有機及び／又は無機の吸光性化合物もしくはそれらの混合物を使用した１回書
き込み可能な光学データ媒体は、例えば青色レーザダイオード、特にＧａＮ又は
ＳＨＧレーザダイオード（３６０〜４６０ｎｍ）もしくは特に高密度な書き込み
可能な光学データ記憶媒体における使用並びに赤色（６３５〜６６０ｎｍ）もし
くは赤外（７８０〜８３０ｎｍ）のレーザダイオードで作業されるＤＶＤ−Ｒも
しくはＣＤ−Ｒディスクにおける使用のために適当である。

【０００３】 １回書き込み可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ、７８０ｎｍ）はこのとこ
ろ膨大な量の増大を可能にし、かつ技術的に可能なシステムである。

【０００４】 事実、次世代の光学データ記憶媒体（ＤＶＤ）は市場に出回っている。短波長
のレーザ照射（６３５〜６６０ｎｍ）及びより大きい開口数ＮＡによって、メモ
リ密度が高められうる。書き込み可能なフォーマットはこの場合にはＤＶＤ−Ｒ
である。

【０００５】 今日では青色レーザダイオード（ベースＧａＮ、ＪＰ０８１９１１７１号又は
二次調波発生ＳＨＧ ＪＰ０９０５０６２９号）（３６０ｎｍ〜４６０ｎｍ）を
高いレーザ負荷で利用される光学データ記憶媒体フォーマットが開発されている
。書き込み可能な光学データ記憶媒体は従ってその発生において使用される。達
成できるメモリ密度は情報面におけるレーザスポットの集束に依存する。スポッ
トのサイズはレーザ波長λ／ＮＡで測定する。ＮＡは使用される対物レンズの開
口数である。できるだけ高いメモリ密度を得るために、できるだけ短い波長λの
使用が求められる。半導体レーザダイオードに基づいて目下のところ３９０ｎｍ
が可能である。

【０００６】 特許文献において、色素をベースとする光学データ記憶媒体が記載され、これ
らは同様にＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ−Ｒのためにも適当である（ＪＰ−Ａ１１０４３
４８１号及びＪＰ−Ａ１０１８１２０６号）。ＪＰ−Ａ０２５５７３３５号、Ｊ
Ｐ−Ａ１００５８８２８号、ＪＰ−Ａ０６３３６０８６号、ＪＰ−Ａ０２８６５
９５５号、ＷＯ−Ａ０９９１７２８４号及びＵＳ−Ａ５２６６６９９号において
４５０ｎｍの作業波長が使用される。

【０００７】 もう一方の概念は短波長レーザによる情報の書き込みに関し、その際、長波長
のレーザによって情報の読み出しを実施する（ＪＰ−Ａ−０６２９５４６９号）
。しかしながらレンズ系を２種のレーザ波長に同時に補正することは困難である
。従って１つだけのレーザを情報の書き込みのためにも、読み出しのためにも使
用することが求められている。

【０００８】 ＪＰ−Ａ１１１１０８１５号は書き込み可能な光学ディスクを記載しており、
これらは６３０〜６８５ｎｍの波長及び６３０〜６８５ｎｍ又は４００〜５５０
ｎｍの範囲の波長で読み出し可能である。該システムの欠点は、高密度な情報の
書き込みが４００〜５００ｎｍの範囲では不可能なことである。ＵＳ−Ａ５８７
１８８２号は波長範囲に関しては同じ原理を記載し、書き込み及び読み出しのた
めに６００〜７００ｎｍを、かつ読み出しだけのためには４００〜５００ｎｍを
記載している。

【０００９】 ＪＰ−Ａ０７３０４２５７号及びＪＰ−Ａ１１３３４２０７号は色素としてポ
ルフィリン誘導体を記載し、ＪＰ１１３３４２０６号は色素としてジ−シアノ−
ビニル−フェニル化合物を記載し、ＪＰ−Ａ１１３３４２０５号は色素としてピ
ラゾール−アゾ化合物を記載し、ＪＰ−Ａ１１３３４２０４号は色素としてピリ
ドン−アゾ化合物を記載し、これらは青色レーザで書き込み可能な光学データ記
憶媒体を作成するのに適当である。

【００１０】 従って本発明の課題は１回書き込み可能な光学データ媒体における情報層での
使用のため、特に波長領域３６０ｎｍ〜４６０ｎｍでの高密度の書き込み可能な
光学データ記憶媒体−フォーマットのための高い要求（例えば光安定性、有利な
信号対雑音比、基板材料上への障害のない適用など）を満たす適当な化合物を準
備することである。

【００１１】 意想外にも、特定の吸光性化合物が前記の目的のために良好に適当であること
が判明した。

【００１２】 従って本発明は、ＵＶ吸収剤が３４０〜４１０ｎｍの吸収極大λ_ｍａｘ１を有
し、かつ波長λ_ｍａｘ１の吸収極大の長波長端における吸光度がλ_ｍａｘ１での
吸光度値の半分である波長λ_１／２並びに波長λ_ｍａｘ１の吸収極大の長波長端
における吸光度がλ_ｍａｘ１での吸光度値の十分の一である波長λ_１／１０を有
し、すなわちλ_１／２及びλ_１／１０の両者は共通して３７０〜４６０ｎｍの範
囲である使用に関する。

【００１３】 有利な波長領域及び吸光性の化合物はこの場合、同様に本発明による光学デー
タ媒体として以下に挙げられ、かつ同様に本発明による使用のために有用である
。

【００１４】 吸収スペクトルは例えば溶液中で測定する。

【００１５】 前記の吸光性化合物は、書き込まれていない状態で光学データ媒体の十分に高
い反射率（＞１０％）並びに集束光での点状の照射による情報層の熱的分解のた
めに、波長が３６０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲にある場合に十分に高い吸収を保証
する。データ媒体上の書き込まれた部位及び書き込まれていない部位の間のコン
トラストは、熱分解によって変更された情報層の光学的特性による振幅と入射光
の相の反射率変化によって実現される。

【００１６】 本発明は更に１回書き込み可能な光学データ媒体であって、該光学データ媒体
は有利には透明な基板を有し、該基板表面上に光で書き込み可能な情報層、場合
により反射層及び場合により保護層が施与されており、これは青色光、有利には
レーザ光で書き込みかつ読み取り可能であり、その際、該情報層は吸光性化合物
及び場合によりバインダー、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増感剤並びに他の成分
を含有する光データ媒体において、該吸光性化合物が３４０〜４１０ｎｍの吸収
極大λ_ｍａｘ１を有し、かつ波長λ_ｍａｘ１の吸収極大の長波長端における吸光
度がλ_ｍａｘ１での吸光度値の半分である波長λ_１／２並びに波長λ_ｍａｘ１の
吸収極大の長波長端における吸光度がλ_ｍａｘ１での吸光度値の十分の一である
波長λ_１／１０を有し、これらの波長の両者は共通して３７０〜４６０ｎｍの範
囲であることを特徴とする光学データ媒体に関する。

【００１７】 選択的に光学データ媒体の構成は： ・ 有利には透明な基板を有してよく、その基板表面上に少なくとも１つの光で
書き込み可能な情報層、場合により反射層及び場合により接着層及び他の有利に
は透明な基板が施与されている。

【００１８】 ・ 有利には透明な基板を有してよく、その基板表面上に場合により反射層、少
なくとも１つの光で書き込み可能な情報層、場合により接着層及び透明なカバー
層が施与されている。

【００１９】

【外１】

【００２０】 ３４５〜４００ｎｍの吸収極大λmax1及びλ1/2及びλ1/10がその範囲にある
３８０〜４３０ｎｍの範囲を有する吸光性化合物が有利である。

【００２１】 ３５０〜３８０ｎｍの吸収極大λmax1及びλ1/2及びλ1/10がその範囲にある
３９０〜４２０ｎｍの範囲を有する吸光性化合物が特に有利である。

【００２２】 ３６０〜３７０ｎｍの吸収極大λmax1及びλ1/2及びλ1/10がその範囲にある
４００〜４１０ｎｍの範囲を有する吸光性化合物がより特に有利である。

【００２３】 本発明の対象は１回書き込み可能な光学データ媒体であり、吸光性化合物がλ
max1より長い波長範囲から５００ｎｍの波長までの範囲で他の吸収極大λmax2を
有さないことを特徴としている。

【００２４】 λmax1より長い波長から５５０ｎｍの波長までで他の吸収極大λmax2を有さな
い吸光性化合物が有利である。

【００２５】 λmax1より長い波長から６００ｎｍの波長までで他の吸収極大λmax2を有さな
い吸光性化合物が有利である。

【００２６】 本発明の対象は１回書き込み可能な光学データ媒体であり、吸光性化合物がλ
max1より短い波長の範囲において他の、有利には強い吸光及び吸収極大を有する
ことを特徴とする。

【００２７】 本発明の対象は１回書き込み可能な光学データ媒体であり、吸収極大λmax1に
おいて吸光性化合物のモル吸光係数εが＞１００００ｌ／モル ｃｍであること
を特徴とする。

【００２８】 １回書き込み可能な光学データ媒体であって、吸収極大λmax1において吸収性
化合物のモル吸光係数εが＞１５０００ｌ／モル ｃｍであることを特徴とする
データ媒体が有利である。

【００２９】 １回書き込み可能な光学データ媒体であって、吸収極大λmax1において吸収性
化合物のモル吸光係数εが＞２００００ｌ／モル ｃｍであることを特徴とする
データ媒体が特に有利である。

【００３０】 １回書き込み可能な光学データ媒体であって、吸収極大λmax1において吸収性
化合物のモル吸光係数εが＞２５０００ｌ／モル ｃｍであることを特徴とする
データ媒体がより特に有利である。

【００３１】 本発明の対象は以下に記載する吸光性化合物の光学データ媒体中での使用であ
る。

【００３２】 本発明の対象は１回書き込み可能な光学データ媒体であって、吸光性化合物が
以下の化合物：

【００３３】

【化１７】

【００３４】

【化１８】

【００３５】

【化１９】

【００３６】 ［式中、 Ｒ^１００は水素又はＣ_１〜Ｃ_４−アルキルを表し、 ｘは１〜３の整数を表し、かつその際、ｘ＞１については、基は異なっていてよ
く、 Ｒ^１０１は水素、ハロゲン、ニトロ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−
アルコキシ、シアノ、カルボン酸又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表
し、 Ｙ^１及びＹ^２は互いに無関係に有利にはＣ−Ｒ^１０２を表し、かつ Ｙ^１又はＹ^２は更にＮを表してよく、 Ｒ^１０２は水素、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、シアノ、
カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルカノイ
ルを表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル、ベンズオキサゾリ−２−イル、ベンズイミ
ダゾリ−２−イル、チアゾリ−２−イル、１，３，４−チアジアゾリ−２−イル
、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル又は３，３−ジメチルインドレ
ン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、クロロ、
ブロム、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、メチルチオ、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ又はジプロピルアミノで置換されていてよく、かつ場合
によりアルキル又は（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｎＨ（ｎ＝１〜１６）によって窒素上で第四
級化されていてよく、かつアルキルＳＯ_３ ^-、アルコキシＳＯ_３ ^-又はハロゲン^-
を対イオンとして有し、又はフラン−２−又は−３−イル、チオフェン−２−又
は−３−イル、ピロール−２−又は−３−イル、Ｎ−アルキル−ピロール−２−
又は−３−イルを表し、これらはメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、クロロ
、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、メチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチ
ルアミノ又はジプロピルアミノによって置換及び／又は芳香族縮合されていてよ
く、 Ｒ^１０３及びＲ^１０４は互いに無関係にシアノ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−ア
ルコキシカルボニル、アミノカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイルを表し
、又はＲ^１０４は水素、ＣＨ_２−ＣＯＯアルキル又はＰ（Ｏ）（Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_{１ ２} −アルキル）_２又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ａは５員又は６員の炭素環式又は複素環式の芳香族縮合されていてよい環を表し
、 Ｂは５員又は６員の炭素環式又は複素環式の芳香族縮合されていてよい環を表し
、 Ｒ^１０５は水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキ
シ、シアノ、ニトロ、カルボン酸又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表
し、 Ｒ^１０６は水素、Ｃ_１〜Ｃ_４−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル
又はシアノを表し、 Ｒ^１０７は水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキ
シ、ニトロ、シアノ又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表し、 Ｒ^１０８は水素、ニトロ、シアノ、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、カルボ
ン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシを表
し、 Ｒ^１０９及びＲ^１１０は互いに無関係に水素、シアノ、ニトロ、ハロゲン、カル
ボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイル
、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシを表し、 Ｒ^１１１はシアノ、ＣＨ＝ＣＨ−ＮＲ^１１３Ｒ^１１４を表し、 Ｘ^１はＳ又はＮ−Ｒ^１００を表し、 ＝Ｙ^３−Ｙ^４＝は直接的な二重結合又は＝Ｎ−Ｎ＝を表し、 Ｒ^１１２は水素、アニリノ、Ｎ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル−アニリノ又はＮ＝Ｃ
Ｈ−ＮＲ^１１３Ｒ^１１４を表し、又はＲ^１１１及びＲ^１１２は＝Ｃ＝Ｃ−ＮＲ^{１ １３} Ｒ^１１４を表し、 Ｒ^１１３及びＲ^１１４は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、
Ｒ^１１５及びＲ^１１６は互いに無関係にシアノ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−ア
ルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキ
ル）_２又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイルを表し、又はＲ^１１５及びＲ^１１６はこ
れらを結合するＣ原子と一緒になって炭素環式又は複素環式の、場合により芳香
族縮合された５員環又は６員環を形成し、 Ｒ^１１７及びＲ^１１８は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、シアノ
、ＳＣＯＣ_６〜Ｃ_１０−アリール、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカル
ボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイル又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝
ＣＨ−架橋を表し、その際、該アルキル基、アルコキシル基、アリール基及び複
素環式基は場合により他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、Ｃ
Ｏ−ＮＨ_２、アルコキシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェ
ニルを有していてよく、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状で
あってよく、アルキル基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該
アルキル基及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されて
いてよく、隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基はアリール基又は複素環式
基上で一緒になって３員又は４員の架橋を形成してよく、かつ複素環式基は芳香
族縮合されていてよい］の１つであることを特徴とする光学データ媒体である。

【００３７】 また吸光性化合物としては：

【００３８】

【化２０】

【００３９】

【化２１】

【００４０】 ［式中、 Ｒ^２００はシアノ、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカル
ボニルを表し、 Ｒ^２０１及びＲ^２０２は互いに無関係に水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキ
ル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシを表し、又は Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、これらが互いにｏ−位にある場合には３員又は４員の
架橋、有利には例えば−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２ ）_２−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−を形成してよく、 Ｒ^２０３及びＲ^２０４は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し
、 Ｒ^２０５はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６ −モノアルキルアミノ又はジアルキルアミノを表し、又は Ｒ^２０５は二価の基、例えば−Ｏ（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎ −又は−Ｏ（ＣＨ_２（ＣＨＣＨ_３）Ｏ）_ｎ−を意味し、これは式（ＣＣＩ）の
２つの基を互いに結合し、 ｎは１〜１６の整数を表し、又は Ｒ^２００及びＲ^２０５は一緒になって３員又は４員の架橋、有利には例えば−（
ＣＯ）−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＯ）−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−、−
（ＣＯ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ_３）_２−Ｏ−又は−（ＣＯ）−ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−を形成し
てよく、 ＸはＳ又はＮ−Ｒ^２０６を表し、 Ｒ^２０６及びＲ^２２７は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^２０７及びＲ^２０８は互いに無関係にヒドロキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ
又はＣ_６〜Ｃ_１０−アリールオキシを表し、 Ｒ^２０９及びＲ^２１０は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_{１ ６} −アルキルチオ、ＮＲ^２１７Ｒ^２１８、Ｃ_６〜Ｃ_１６−アリールオキシ、シア
ノ、ＣＯ−ＯＲ^２１７、ＣＯＮＲ^２１７Ｒ^２１８、ＮＲ^２１８−ＣＯ−Ｒ^２１９ 、ＮＲ^２１８−ＳＯ_２−Ｒ^２１９を表し、かつ Ｒ^２０９は付加的に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^２１１及びＲ^２１２は互いに無関係に水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキ
ル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ又はＮＲ^２１８−ＣＯ−Ｒ^２１９を表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル、ベンズオキサゾリ−２−イル、ベンズイミ
ダゾリ−２−イル、チアゾリ−２−イル、１，３，４−チアジアゾリ−２−イル
、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、ピロール−２−又は−３−イ
ル、チオフェン−２−又は−３−イル、フラン−２−又は−３−イル、インドー
ル−２−又は−３−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、ベンゾフラン−２−イ
ル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル
、メトキシ、エトキシ、クロロ、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、メチル
チオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ又はジプロピルアミノによって置換され
ていてよく Ｙ、Ｙ^５及びＹ^６は互いに無関係にＮ又はＣ−Ｒ^２１３を表し、 Ｒ^２１３は水素、Ｃ_１〜Ｃ_４−アルキル、シアノ、ＣＯ−Ｒ^２１９、ＣＯ−Ｏ−
Ｒ^２１７又はＣＯ−ＮＲ^２１７Ｒ^２１８を表し、 Ｒ^２１４及びＲ^２１５は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、ＣＯ−
Ｒ^２１９又はＣ_６〜Ｃ_１０−アリールを表し、又は ＮＲ^２１４Ｒ^２１５はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、 Ｒ^２１６は水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキ
シ又はＮＨ−ＣＯ−Ｒ^２１９を表し、 Ｒ^２１７及びＲ^２１８は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６ 〜Ｃ_１０−アリールを表し、 Ｒ^２１９はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６〜Ｃ_１０−アリールを表し、 Ｒ^２２０からＲ^２２２は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_１ 〜Ｃ_１６−アルコキシを表し、その際、 Ｒ^２２０及びＲ^２２１は、これらが互いにｏ−位にある場合には一緒になって−
Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｏ−、−Ｏ−（
ＣＨ_２）_２−架橋を形成してよく、 Ｒ^２２３は水素又はヒドロキシを表し、 Ｒ^２２４は水素、ハロゲン又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^２２５は水素又はハロゲンを表し、 ｙは１〜４の整数を表し、 Ｒ^２２６はＣＨＯ、ＣＮ、ＣＯ−Ｃ_１〜Ｃ_８−アルキル、ＣＯ−Ｃ_６〜Ｃ_１０−
アリール又はＣＨ＝Ｃ（ＣＯ−Ｃ_１〜Ｃ_８−アルキル）−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｃ_１〜
Ｃ_８−アルキルを表し、かつ Ｒ^２４８及びＲ^２４９は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６ 〜Ｃ_１０−アリールを表し、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−又は
ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
、他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ_２、アルコ
キシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェニルを有していてよ
く、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アル
キル基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル及びアル
コキシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されていてよく、隣接した
アルキル及び／又はアルコキシ基はアリール又は複素環式基上で一緒になって３
員又は４員の架橋を形成してよく、かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよい
］が該当する。

【００４１】 また吸光性化合物としては：

【００４２】

【化２２】

【００４３】

【化２３】

【００４４】

【化２４】

【００４５】 ［式中、 Ｒ^２２８からＲ^２３１は互いに無関係に水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１〜Ｃ_１６ −アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニ
ルを表し、 ｗは１又は２を表し、 Ｒ^２３２は水素、シアノ、ＣＯ−Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_４−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１０−ア
リール、チオフェン−２−イル、ピリド−２−又は−４−イル、ピラゾリ−１−
イル又は１，２，４−トリアゾリ−１−又は−４−イルを表し、 Ｒ^２３３は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、１，２，３−トリアゾリ−２−イ
ル又はジ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルアミノを表し、 Ｒ^２３４及びＲ^２３５は水素を表し、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ−架橋を表し、 Ｒ^２３７は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はシアノを表し、 Ｒ^２３８及びＲ^２３９は互いに無関係に水素、ハロゲン、ＣＯ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−
アルキル、ＳＯ_２−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＳＯ_２−ＮＨ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−
アルキルＡ^＋Ａｎ^-を表し、 Ａ^＋はＮ（Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル）_３ ^＋又はピリジニオを表し、 Ｒ^２４０、Ｒ^２４１及びＲ^２４３は互いに無関係に水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_{１ ６} −アルキル又はＣＯ−Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、かつ Ｒ^２４０及びＲ^２４１は付加的に−ＣＨ_２−Ａ^＋Ａｎ^-を表し、 ｖは１〜３の整数を表し、その際、ｖ＞１については、基は異なる意味を有して
よく、 Ｄは−ＣＨ＝ＣＨ−、チオフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル又
はｐ−フェニレンを表し、 ＺはＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ^２４４を表し、 ＷはＮ又はＣＨを表し、 Ｒ^２４２は水素、シアノ又はＣＯ−Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 ｚは０又は１を表し、 Ｒ^２４４及びＲ^２４５は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ａｎ^-はアニオンを表し、 Ｋａｔ^＋はＮａ^＋、Ｌｉ^＋、ＮＨ_４ ^＋又はＮ（Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキル）_４ ^＋を
表し、 ＥはＣＨ、Ｃ−ＣＮ又はＮを表し、 Ｒ^２４６及びＲ^２４７は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルアミノ、Ｃ_１〜
Ｃ_１６−ジアルキルアミノ、アニリノ、モルホリノ、ピペリジノ又はピロリジノ
を表し、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシアルキル、ニトロ、シアノ、Ｃ
Ｏ−ＣＨ_２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、トリアルキルシリル、トリア
ルキルシロキシ又はフェニルを有してよく、該アルキル基及びアルコキシ基は直
鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン
化されていてよく、該アルキル基及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポキシ
化又はシリル化されていてよく、隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基はア
リール基又は複素環式基上で一緒になって３員又は４員の架橋を形成してよく、
かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよい］が該当する。

【００４６】 吸光性化合物としては：

【００４７】

【化２５】

【００４８】

【化２６】

【００４９】

【化２７】

【００５０】 ［式中、 Ｒ^３００、Ｒ^３０１及びＲ^３０３は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アル
キルを表し、 ｍは０〜１０の整数を表し、 ｕは１〜３の整数を表し、その際、ｕ＞１については、基は異なっていてよく、
Ｒ^３０２は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アル
キルを表し、 Ｒ^３０４は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、ジ−
Ｃ_１〜Ｃ_８−アルキルアミノ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜
Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^３０５は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボ
ニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^３０６及びＲ^３０７は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６ 〜Ｃ_１０−アリールを表し、又はＮＲ^３０６Ｒ^３０７はモルホリノ、ピペリジノ
又はピロリジノを表し、 Ｒ^３０８はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−
アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルアミノカルボニ
ル又はＣ_１〜Ｃ_１６−ジアルキルアミノカルボニルを表し、 Ｒ^３０９〜Ｒ^３１４は互いに無関係に水素、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール、カルボン
酸、シアノ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ
又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^３１５及びＲ^３１６は互いに無関係にカルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ
カルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ又はシアノを表し、又はＲ^３１５及びＲ^３１６ はこれらを結合するＣ原子と一緒になって５員又は６員の炭素環式又は複
素環式環を形成し、 Ｒ^３１７からＲ^３２４は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル、水素、ヒドロ
キシ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アル
コキシ、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリールオキシ又はシアノを表し、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシアルキル、ニトロ、シアノ、Ｃ
Ｏ−ＮＨ_２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、トリアルキルシリル、トリア
ルキルシロキシ又はフェニルを有していてよく、該アルキル基及びアルコキシ基
は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分ハロゲン化又は過ハロ
ゲン化されていてよく、該アルキル基及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポ
キシ化又はシリル化されていてよく、隣接したアルキル基及び／又はアルコキシ
基はアリール基又は複素環式基上で一緒になって３員又は４員の架橋を形成して
いよく、かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよい］が該当する。

【００５１】

【化２８】

【００５２】

【化２９】

【００５３】

【化３０】

【００５４】

【化３１】

【００５５】 ［式中、 Ｒ^４００は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１２−アルコキシを表し
、 ｔは１〜３の整数を表し、その際、ｔ＞１については、基は異なっていてよく、
Ｒ^４０１及びＲ^４０２は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し
、 Ｒ^４０３は水素、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、
Ｒ^４０４及びＲ^４０５は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１０ −アリールを表し、又はＮＲ^４０４Ｒ^４０５はモルホリノ、ピペリジノ又はピロ
リジノを表し、 Ｒ^４０６は水素、シアノ、ニトロ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１ 〜Ｃ_１６−アルコキシ又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表し、 Ｒ^４０７及びＲ^４０８は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し
、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシアルキル、ニトロ、シアノ、Ｃ
Ｏ−ＮＨ_２、アルコキシ、アルコキシカルボニル又はフェニルを有していてよく
、該アルキル及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル
基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル基及びアルコ
キシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されていてよく、隣接したア
ルキル及び／又はアルコキシ基はアリール基又は複素環式基上で一緒になって３
員又は４員の架橋を形成していよく、かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよ
い］。

【００５６】 式（ＣＩ）から（ＣＸＩＩＩ）の Ｒ^１００は水素、メチル、エチル又はプロピルを表し、 ｘは１〜２の整数を表し、かつｘ＞１については基は異なっていてよく、 Ｒ^１０１は水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキ
シプロピル、ニトロ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ
、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、フェノキシ、シアノ
、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニ
ル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オク
トキシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｙ^１はＮ又はＣ−Ｒ^１０２を表し、 Ｙ^２はＣ−Ｒ^１０２を表し、 Ｒ^１０２は水素、フェニル、トリル、メトキシフェニル、クロロフェニル、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジル、フェニルプロピル、シアノ、カルボ
ン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、ホルミル、アセチル、プロパノイル又はブタノイルを表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル、ベンズオキサゾリ−２−イル、ベンズイミ
ダゾリ−２−イル、チアゾリ−２−イル、１，３，４−チアジアゾリ−２−イル
、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル又は３，３−ジメチルインドレ
ン−２−イルを表し、かつ場合によりアルキル又は（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｎＨ（ｎ＝１
〜１６）によって窒素上で第四級化されていてよく、かつアルキルＳＯ_３ ^-、ア
ルコキシＳＯ_３ ^-又はハロゲン^-を対イオンとして有し、又はフラン−２−イル、
チオフェン−２−イル、ピロール−２−イル、Ｎ−メチル−又はＮ−エチル−ピ
ロール−２−イル、ベンゾフラン−２−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、イ
ンドール−２−又は−３−イル又はＮ−メチル−又はＮ−エチル−インドール−
２−又は−３−イルを表し、 Ｒ^１０３及びＲ^１０４は互いに無関係にシアノ、カルボン酸、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペント
キシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル又はデコキシカ
ルボニル、アミノカルボニル、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブタノイル
、ペンタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ベンゾイル又はフ
ェニルアセチルを表し、又はＲ^１０４は水素、ＣＨ_２−ＣＯＯメチル、ＣＨ_２−
ＣＯＯエチル、ＣＨ_２−ＣＯＯプロピル、ＣＨ_２−ＣＯＯブチル、Ｐ（Ｏ）（Ｏ
−メチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−エチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−プロピル）_２、Ｐ（
Ｏ）（Ｏ−ブチル）_２、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル
、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−（ＣＯ）−ＣＨ＝ＣＨ_２、ベンジル又はフェニルプロピル
を表し、 Ａは（２−メチル−４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２−スチ
リル−４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２−フェニル−４Ｈ−
オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２，２−ジメチル−１，３−ジオキ
サン−４，６−ジオン）−５−イリデン、５，５−ジメチルシクロヘキサン−１
，３−ジオン−２−イリデン、５−フェニルシクロヘキサン−１，３−ジオン−
２−イリデン、インダン−１，３−ジオン−２−イリデン、ピロリジノ−２，３
−ジオン−４−イリデン又はフラン−４−ジメチルエチリデン−２，５−ジオン
−３−イリデンを表し、 ＢはＮ−メチル−ピロリン−２−オン−３−イリデン、ピロリン−２−オン−３
−イリデン、Ｎ−メチル−ベンズピロリン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−メチ
ル−３，４−ジメチル−ピロリン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−フェニル−ピ
ロリン−２−オン−３−イリデン、（５Ｈ）−フラノン−２−イリデン、４−メ
チル−（５Ｈ）−フラノン−２−イリデン、（５Ｈ）−ベンズフラノン−２−イ
リデン、３Ｈ−メチル−ピラン−２，６−ジオン−４−イリデン、３Ｈ−ピラン
−２，６−ジオン−３−イリデン又は３Ｈ−ベンズピラン−２，６−ジオン−３
−イリデンを表し、 Ｒ^１０５は水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキ
シプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソ
キシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、フェノキシ、シアノ、ニトロ
、カルボン酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニ
ル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オク
トキシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｒ^１０６は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカ
ルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル、デコキシカルボニル
又はシアノを表し、 Ｒ^１０７は水素、クロロ、フルオロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキ
シ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、フェノキシ、ニト
ロ、シアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル
、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクト
キシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｒ^１０８は水素、クロロ、フルオロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキ
シ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、フェノキシ、ニト
ロ、シアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル
、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクト
キシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｒ^１０９及びＲ^１１０は互いに無関係に水素、クロロ、フルオロ、ブロム、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒド
ロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ホルミル、アセチル、プロ
ピオニル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイ
ル、ベンゾイル、フェニルアセチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、フェ
ノキシ、ニトロ、シアノ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、オクチル、デシルを表し、 Ｒ^１１１はシアノ、ＣＨ＝ＣＨ−ＮＲ^１１３Ｒ^１１４を表し、 Ｒ^１１２は水素、アニリノ、Ｎ−メチルアニリノ、Ｎ−エチルアニリノ、Ｎ−プ
ロピルアニリノ、Ｎ−ブチルアニリノ、Ｎ−ペンチルアニリノ、Ｎ−ヘキシルア
ニリノ、Ｎ−オクチルアニリノ、Ｎ−デシルアニリノ、Ｎ−ヒドロキシエチルア
ニリノを表し、その際、アニリノ基はメチル、エチル、プロピル、ブチル、クロ
ロ、フルオロ、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ニトロ、シアノ、
メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカ
ルボニル又はフェニルの群の１〜３個の基によって置換されていてよく、又はＮ
＝ＣＨ−ＮＲ^１１３Ｒ^１１４を表し、又はＲ^１１１及びＲ^１１２はこれらを結合
するＣ原子と一緒になって＝Ｃ＝Ｃ−ＮＲ^１１３Ｒ^１１４を表し、 Ｒ^１１３及びＲ^１１４は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル又はデシルを表し、 Ｘ^１はＳを表し、 ＝Ｙ^３−Ｙ^４＝は直接的な二重結合を表し、 Ｒ^１１５及びＲ^１１６は互いに無関係にシアノ、カルボン酸、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペント
キシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル、デコキシカル
ボニル、アミノカルボニル、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−メチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−エチル
）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−プロピル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ブチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ
−ペンチル）_２、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ペンタノイ
ル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ベンゾイル、フェニルアセチル
を表し、又はＲ^１１５及びＲ^１１６はこれらを結合するＣ原子と一緒になって（
２−メチル−４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２−スチリル−
４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２−フェニル−４Ｈ−オキサ
ゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−
４，６−ジオン）−５−イリデン、ピロリジノ−２，３−ジオン−４−イリデン
、フラン−４−ジメチルエチリデン−２，５−ジオン−３−イリデン、Ｎ−メチ
ル−ピロリン−２−オン−３−イリデン、ピロリン−２−オン−３−イリデン、
Ｎ−メチル−ベンズピロリン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−メチル−３，４−
ジメチル−ピロリン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−フェニル−ピロリン−２−
オン−３−イリデン、（５Ｈ）−フラノン−２−イリデン、４−メチル−（５Ｈ
）−フラノン−２−イリデン、（５Ｈ）−ベンズフラノン−２−イリデン、３Ｈ
−４−メチル−ピラン−２，６−ジオン−３−イリデン、３Ｈ−ピラン−２，６
−ジオン−３−イリデン、５，５−ジメチルシクロヘキサン−１，３−ジオン−
２−イリデン、５−フェニルシクロヘキサン−１，３−ジオン−２−イリデン、
インダン−１，３−ジオン−２−イリデン、又は３Ｈ−ベンズピラン−２，６−
ジオン−３−イリデンを表し、 Ｒ^１１７及びＲ^１１８は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル、ベンジル、フェニルプロピル、シアノ、ＳＣＯフェニル
、ＳＣＯトリル、ＳＣＯメトキシフェニル、ＳＣＯクロロフェニル、カルボン酸
、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイ
ル、オクタノイル、デカノイル、ベンゾイル、フェニルアセチル、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペ
ントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル又はデコキ
シカルボニルを表し、 その際、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、例
えばｎ−ブチル、２−ブチル、ｔ−ブチルであり、かつ部分フッ素化又は過フッ
素化されていてよい化合物が有利である。

【００５７】 式（ＣＩ）から（ＣＸＩＩＩ）の Ｒ^１００が水素、メチル、エチル又はプロピルを表し、 ｘは１〜２の整数を表し、かつその際、ｘ＞１については基は異なっていてよく
、 Ｒ^１０１は水素、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、オクチル、デシル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ニトロ、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、
デコキシ、メトキシエトキシ、シアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキ
ソキシカルボニル、オクトキシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｙ^１及びＹ^２は互いに無関係にＣ−Ｒ^１０２を表し、 Ｒ^１０２は水素、フェニル、メチル、エチル、シアノ、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、プロポキシカルボニルを表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル、ベンズオキサゾリ−２−イル、ベンズイミ
ダゾリ−２−イル、チアゾリ−２−イル、１，３，４−チアジアゾリ−２−イル
、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、３，３−ジメチルインドレン
−２−イル、フラン−２−イル、チオフェン−２−イル、ピロール−２−イル、
Ｎ−アルキル−ピロール−２−イルを表し、 Ｒ^１０３及びＲ^１０４は互いに無関係にシアノ、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニ
ル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル又はデコキシカルボニル、ホ
ルミル、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ペンタノイル、ヘキサノイル、
オクタノイル、デカノイルを表し、又はＲ^１０４はＣＨ_２−ＣＯＯメチル、ＣＨ_２ −ＣＯＯエチル、ＣＨ_２−ＣＯＯプロピル、ＣＨ_２−ＣＯＯブチル、Ｐ（Ｏ）
（Ｏ−メチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−エチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−プロピル）_２、
Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ブチル）_２、水素を表し、 Ａは（２−メチル−４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２−フェ
ニル−４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン、（２，２−ジメチル−１
，３−ジオキサン−４，６−ジオン）−５−イリデン、５，５−ジメチルシクロ
ヘキサン−１，３−ジオン−２−イリデン、５−フェニルシクロヘキサン−１，
３−ジオン−２−イリデン、インダン−１，３−ジオン−２−イリデン又はピロ
リジノ−２，３−ジオン−４−イリデンを表し、 ＢはＮ−メチル−ピロリン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−メチル−ベンズピロ
リン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−メチル−３，４−ジメチル−ピロリン−２
−オン−３−イリデン、Ｎ−フェニル−ピロリン−２−オン−３−イリデン、（
５Ｈ）−フラノン−２−イリデン、４−メチル−（５Ｈ）−フラノン−２−イリ
デン、（５Ｈ）−ベンズフラノン−２−イリデン、３Ｈ−４−メチル−ピラン−
２，６−ジオン−３−イリデン、３Ｈ−ピラン−２，６−ジオン−３−イリデン
又は３Ｈ−ベンズピラン−２，６−ジオン−３−イリデンを表し、 Ｒ^１０５は水素、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、オクチル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペント
キシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、シアノ、ニトロ
、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシ
カルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボ
ニル又はデコキシカルボニルを表す、 Ｒ^１０６は水素、メチル、エチル、プロピル又はブチルを表し、 Ｒ^１０７は水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、メトキシエトキシ、ニトロ、シアノ、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル又はブトキシカ
ルボニルを表し、 Ｒ^１０８は水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、ニトロ
、シアノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキ
シカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｒ^１０９は水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、アセチ
ル、プロピオニル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、メトキシエト
キシ、ニトロ、シアノを表し、 Ｒ^１１０は水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、アセチル、プロピオニル、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、
メトキシエトキシ、ニトロ、シアノを表し、 Ｒ^１１１はシアノを表し、 Ｒ^１１２はアニリノ、Ｎ−メチルアニリノ、Ｎ−エチルアニリノ、Ｎ−プロピル
アニリノ、Ｎ−ブチルアニリノ、Ｎ−ペンチルアニリノ、Ｎ−ヘキシルアニリノ
、Ｎ−オクチルアニリノ、Ｎ−デシルアニリノ、Ｎ−ヒドロキシエチルアニリノ
を表し、その際、アニリノ基はメチル、メトキシ、エトキシ、クロロ、ニトロ、
シアノ又はメトキシカルボニルによって置換されていてよく、 Ｘ^１はＳを表し、 ＝Ｙ^３−Ｙ^４＝は直接的な二重結合を表し、 Ｒ^１１５及びＲ^１１６は互いに無関係にシアノ、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−メチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−エチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−
プロピル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ブチル）_２、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ペンチル）_２、アセ
チル、プロピオニル、ブタノイルを表し、又はＲ^１１５及びＲ^１１６はこれらを
結合するＣ原子と一緒になって（２−メチル−４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−
４−イリデン、（２−フェニル−４Ｈ−オキサゾロ−５−オン）−４−イリデン
、（２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４，６−ジオン）−５−イリデン
、ピロリジノ−２，３−ジオン−４−イリデン、Ｎ−メチル−ピロリン−２−オ
ン−３−イリデン、ピロリン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−メチル−ベンズピ
ロリン−２−オン−３−イリデン、Ｎ−メチル−３，４−ジメチル−ピロリン−
２−オン−３−イリデン、Ｎ−フェニル−ピロリン−２−オン−３−イリデン、
（５Ｈ）−フラノン−２−イリデン、４−メチル−（５Ｈ）−フラノン−２−イ
リデン、（５Ｈ）−ベンズフラノン−２−イリデン、３Ｈ−４−メチル−ピラン
−２，６−ジオン−３−イリデン、３Ｈ−ピラン−２，６−ジオン−３−イリデ
ン、５，５−ジメチルシクロヘキサン−１，３−ジオン−２−イリデン、５−フ
ェニルシクロヘキサン−１，３−ジオン−２−イリデン、インダン−１，３−ジ
オン−２−イリデン又は３Ｈ−ベンズピラン−２，６−ジオン−３−イリデンを
表し、 Ｒ^１１７及びＲ^１１８は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、メトキシエチル、エトキシプロピ
ル、シアノ、ＳＣＯフェニル、ＳＣＯトリル、ＳＣＯメトキシフェニル、ＳＣＯ
クロロフェニル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボ
ニル又はブトキシカルボニルを表す吸光性化合物が有利である。

【００５８】 式（ＣＩ）、（ＣＩＩ）、（ＣＩＩＩ）、（ＣＩＶ）、（ＣＶＩＩＩ）、（Ｃ
ＸＩ）、（ＣＸＩＩ）及び（ＣＸＩＩＩ）の吸光性化合物がより特に有利である
。

【００５９】 同様に式（ＣＣＩ）から（ＣＣＶＩＩＩ）の Ｒ^２００はシアノ、フェニル、トリル、メトキシフェニル、クロロフェニル、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル又はブトキシカ
ルボニルを表し、 Ｒ^２０１及びＲ^２０２は互いに無関係に水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル
、メトキシ、エトキシ、プロポキシ又はブトキシを表し、又は Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、これらがｏ−位にある場合には−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−又
は−Ｏ−ＣＦ_２−Ｏ−架橋を形成し、 Ｒ^２０３及びＲ^２０４は互いに無関係に水素、メチル又はエチルを表し、 Ｒ^２０５はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル
、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル、
フェニルプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、
ヘキソキシ又はベンジルオキシを表し、 ＸはＳ又はＮ−Ｒ^２０６を表し、 Ｒ^２０６及びＲ^２０７は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル又はオクチルを表し、 Ｒ^２０７及びＲ^２０８は互いに無関係にヒドロキシ、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ、ベンジルオキシ又はフェノキシを表し、 Ｒ^２０９及びＲ^２１０は互いに無関係にメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ヘキソキシ、メトキシエトキシ、メチルチオ、エチルチオ、アミノ、ＮＲ^２１７ Ｒ^２１８、フェノキシ、シアノ、ＣＯ−ＯＲ^２１７、ＣＯ−ＮＲ^２１７Ｒ^２１８ 、ＮＲ^２１８−ＣＯ−Ｒ^２１９、ＮＲ^２１８−ＳＯ_２−Ｒ^２１９を表し、
Ｒ^２０９は付加的に水素、メチル、ヒドロキシエトキシ、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ
−（ＣＯ）−ＣＨ＝ＣＨ_２、−Ｏ−（ＣＨ_２）_４−Ｏ−（ＣＯ）−Ｃ（ＣＨ_３）
＝ＣＨ_２、−ＮＨ−（ＣＯ）−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−（ＣＯ）−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ_２を表し、 Ｒ^２１１及びＲ^２１２は互いに無関係に水素、クロロ、メチル、エチル、メトキ
シ又はエトキシを表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル、ベンズオキサゾリ−２−イル又は２−又は
４−ピリジルを表し、 ＹはＣ−Ｒ^２１３を表し、 Ｙ^５及びＹ^６はＮを表し、 Ｒ^２１３は水素、シアノ、ＣＯ−Ｒ^２１９、ＣＯ−Ｏ−Ｒ^２１７又はＣＯ−ＮＲ^２１７ Ｒ^２１８を表し、 Ｒ^２１４及びＲ^２１５は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘ
キシル、メトキシエチル、ヒドロキシエチル、シアンエチル、ベンジル、フェネ
チル、フェニルプロピル、フェニル、トリル、メトキシフェニル、クロロフェニ
ル又はＣＯ−Ｒ^２１９を表し、 ＮＲ^２１４Ｒ^２１５はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、 Ｒ^２１６は水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ又はＮ
Ｈ−ＣＯ−Ｒ^２１９を表し、 Ｒ^２１７及びＲ^２１８は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘ
キシル、ベンジル、フェネチル、フェニルプロピル、フェニル、トリル、メトキ
シフェニル又はクロロフェニルを表し、かつ Ｒ^２１８は付加的に水素を表し、 Ｒ^２１９はメチル、エチル、プロピル、ブチル又はフェニルを表し、 Ｒ^２２０及びＲ^２２１は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ又はブトキシを表し、 Ｒ^２２２及びＲ^２２４は水素を表し、 Ｒ^２２３は水素又はヒドロキシを表し、 Ｒ^２２５は水素、クロロ又はブロムを表し、 ｙは４を表し、かつ Ｒ^２２６はＣＨＯ又はＣＮを表し、 Ｒ^２２７はブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル又はオクチルを表し、 Ｒ^２４８はメチル、エチル、プロピル又はブチルを表し、 Ｒ^２４９はメチル、エチル、プロピル、ブチル又はフェニルを表し、又は Ｒ^２４８及びＲ^２４９は一緒になってｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−
架橋を表し、 その際、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、例
えばｎ−ブチル、２−ブチル、ｔ−ブチルであり、かつ部分フッ素化又は過フッ
素化されていてよい吸光性化合物が有利である。

【００６０】 同様に式（ＣＣＩ）から（ＣＣＶＩＩＩ）の Ｒ^２００はシアノを表し、 Ｒ^２０１及びＲ^２０２はメトキシを表し、 Ｒ^２０３及びＲ^２０４はメチルを表し、 Ｒ^２０５はプロピル、ブチル、ペンチル、プロポキシ、ブトキシ又はペントキシ
を表し、 ＸはＮ−（２−エチル−１−ヘキシル）を表し、 Ｒ^２０７及びＲ^２０８はヒドロキシを表し、 Ｒ^２０９及びＲ^２１０は同一であり、かつメトキシ、エトキシ、アミノ、ＮＨ−
メチル、ＮＨ−エチル、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、シアノ、ＣＯ−Ｏ−
メチル、ＣＯ−Ｏ−ｎ−ブチル、ＣＯ−ＮＨ−ｎ−ブチル、ＣＯ−ＮＨ−フェニ
ル、ＮＨ−ＣＯ−ｎ−ブチル、ＮＨ−ＣＯ−ｔ−ブチル又はＮＨ−ＣＯ−フェニ
ルを表し、 Ｒ^２１１及びＲ^２１２は互いに無関係に水素又はメチルを表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル又は４−ピリジルを表し、 ＹはＣ−Ｒ^２１３を表し、 Ｙ^５及びＹ^６はＮを表し、 Ｒ^２１３は水素、シアノ、ＣＯ−ＮＨ_２、アセチル又はＣＯ−Ｏ−メチルを表し
、Ｒ^２１４及びＲ^２１５は互いに無関係にメチル、エチル、ブチル、シアンエチ
ル、ベンジル、フェニル又はアセチルを表し、 Ｒ^２１６は水素、メチル又はメトキシを表し、 Ｒ^２２０及びＲ^２２１は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル又はブ
チルを表し、 Ｒ^２２２及びＲ^２２４は水素を表し、 Ｒ^２２３は水素を表し、 Ｒ^２２５は水素を表し、 ｙは４を表し、 Ｒ^２２６はＣＨＯを表し、 Ｒ^２４８はメチルを表し、 Ｒ^２４９はエチル又はフェニルを表し、又は Ｒ^２４８及びＲ^２４９は一緒になってｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−
架橋を表す吸光性化合物が特に有利である。

【００６１】 同様に式（ＣＣＩ）、（ＣＣＶ）、（ＣＣＶＩ）及び（ＣＣＶＩＩＩ）の吸光
性化合物がより特に有利である。

【００６２】 同様に式（ＣＣＩＸ）から（ＣＣＸＶＩＩＩ）の Ｒ^２２８〜Ｒ^２３１は互いに無関係にクロロ又はシアノを表し、 その際、これらの基の２つが水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキ
シプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソ
キシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、メトキシカルボニル、エトキ
シカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボ
ニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル又はデコキシカルボニルで
あってもよく、 ｗは１を表し、 Ｒ^２３２はフェニル、トリル、メトキシフェニル、ピラゾリ−１−イル、４−ク
ロロ−ピラゾリ−２−イル又は１，２，４−トリアゾリ−１−又は−４−イルを
表し、 Ｒ^２３３は水素、メトキシ、エトキシ、４−フェニル−５−メチル−１，２，３
−トリアゾリ−２−イル、４−エチル−５−メチル−１，２，３−トリアゾリ−
２−イル、ジメチルアミノ又はジエチルアミノを表し、 Ｒ^２３４及びＲ^２３５は水素を表し、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ−架橋を表し、 Ｒ^２３７及びＲ^２４３は水素を表し、 Ｒ^２３８及びＲ^２３９は互いに無関係にクロロ、アセチル、プロピオニル、メチ
ルスルホニル又はＳＯ_２−ＮＨ−（ＣＨ_２）_３−Ｎ（ＣＨ_３）_３ ^＋Ａｎ^-を表し
、 Ｒ^２４０及びＲ^２４１は互いに無関係に水素、クロロ、ブロム、メチル、エチル
、プロピル又はブチルを表し、 ｖは１又は２を表し、 ＺはＯ又はＮ−Ｒ^２４４を表し、 Ｄは−ＣＨ＝ＣＨ−、１，４−フェニレン、チオフェン−２，５−ジイル又はフ
ラン−２，５−ジイルを表し、 Ｒ^２４２は水素、シアノ又はＣＯ−Ｏ−メチル、−エチル、−プロピル又は−ブ
チルを表し、 ｚは０又は１を表し、かつ ＷはＮ又はＣＨを表し、 Ｒ^２４４及びＲ^２４５は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エ
トキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピルを表し、 Ａｎ^-はアニオンを表し、 Ｋａｔ^＋はＮａ^＋、Ｌｉ^＋、ＮＨ_４ ^＋又はＮ（メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル）_４ ^＋を表し、 ＥはＣＨ又はＮを表し、 Ｒ^２４６及びＲ^２４７は互いに無関係に（メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、
エトキシプロピル）−アミノ、ジ（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキ
シプロピル）−アミノ、アニリノ、スルホアニリノ、モルホリノ、ピペリジノ又
はピロリジノを表し、 その際、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、例
えばｎ−ブチル、２−ブチル、ｔ−ブチルであり、かつ部分フッ素化又は過フッ
素化されていてよい吸光性化合物が有利である。

【００６３】 同様に式（ＣＣＩＸ）から（ＣＣＸＶＩＩＩ）の Ｒ^２２８及びＲ^２２９は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、メトキシエトキシ、フェノキ
シ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル又はプロポキシカルボニルを表し
、 Ｒ^２３０及びＲ^２３１はシアノを表し、 ｗは１を表し、 Ｒ^２３２はフェニル又は４−クロロ−ピラゾリ−１−イルを表し、 Ｒ^２３３はメトキシ、４−フェニル−５−メチル−１，２，３−トリアゾリ−２
−イル、４−エチル−５−メチル−１，２，３−トリアゾリ−２−イル、ジメチ
ルアミノ又はジエチルアミノを表し、 Ｒ^２３４及びＲ^２３５は水素を表し、 Ｒ^２３７及びＲ^２４３は水素を表し、 Ｒ^２３８はＳＯ_２−ＮＨ−（ＣＨ_２）_３−Ｎ（ＣＨ_３）_３ ^＋Ａｎ^-を表し、 Ｒ^２３９はクロロ又はブロムを表し、 Ｒ^２４０及びＲ^２４１は同一であり、かつ水素、メチル又はｔ−ブチルを表し、
ＺはＯを表し、 Ｄは−ＣＨ＝ＣＨ−又はチオフェン−２，５−ジイルを表し、 Ｒ^２４２はＣＯ−Ｏ−メチル、−エチル又は−ブチルを表し、かつ ｚは０を表し、 ＷはＮ又はＣＨを表し、 Ｒ^２４４及びＲ^２４５は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒ
ドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプ
ロピルを表し、 Ａｎ^-はアニオンを表し、 Ｋａｔ^＋はＮａ^＋、Ｌｉ^＋、ＮＨ_４ ^＋又はＮ（メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル）_４ ^＋を表し、 ＥはＣＨ又はＮを表し、 Ｒ^２４６及びＲ^２４７は互いに無関係に（メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル）−アミノ、ジ（メチル
、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプ
ロピル）−アミノ、アニリノ、モルホリノ、ピペリジノ又はピロリジノを表す吸
光性化合物が特に有利である。

【００６４】 同様に式（ＣＣＩＸ）、（ＣＣＸ）、（ＣＣＸＩＩ）及び（ＣＣＸＶＩＩ）の
吸光性化合物がより特に有利である。

【００６５】 同様に式（ＣＣＣＩ）から（ＣＣＣＸＶ）の Ｒ^３００、Ｒ^３０１及びＲ^３０３は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メ
トキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピルを表し、 ｍは０〜５の整数を表し、 ｕは１〜２の整数を表し、かつその際、ｕ＞１については基は異なっていてよく
、 Ｒ^３０２は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オ
クチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベン
ジル又はフェニルプロピル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポ
キシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカル
ボニル、オクトキシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｒ^３０４は水素、クロロ、シアノ、ニトロ、メチル、エチル、プロピル、ブチル
、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル
、エトキシプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ
、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、ジメチルアミノ、ジ
エチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアンエ
チルアミノ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル
、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクト
キシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｒ^３０５は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチル、メト
キシエチル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピル、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、ブトキシ、メトキシエトキシ、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル、プロポキシカルボニル又はブトキシカルボニルを表し、 Ｒ^３０６及びＲ^３０７は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピル、フェニル、トリル、メ
トキシフェニル又はクロロフェニルを表し、 Ｒ^３０８はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル
、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル又
はフェニルプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ
、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、メトキシカルボニル
、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキ
シカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル、デコキシカルボ
ニル、カルボン酸、（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、
ベンジル又はフェニルプロピル）−アミノカルボニル又はジ−（メチル、エチル
、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチ
ル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピル）−ア
ミノカルボニルを表し、 Ｒ^３０９〜Ｒ^３１４は互いに無関係に水素、フェニル、トリル、メトキシフェニ
ル又はクロロフェニル、カルボン酸、シアノ、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキ
シ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペント
キシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキシカルボニル又はデコキシカ
ルボニルを表し、 Ｒ^３１５及びＲ^３１６は互いに無関係にカルボン酸、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシ
エトキシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オクトキ
シカルボニル、デコキシカルボニル又はシアノを表し、又はＲ^３１５及びＲ^{３１ ６} はこれらを結合するＣ原子と一緒になって５，５−ジメチルシクロヘキサン−
１，３−ジオン−２−イリデン、５−フェニルシクロヘキサン−１，３−ジオン
−２−イリデン又は２，２−ジメチル−１，３−ジオキサン−４，６−ジオン−
５−イリデンを意味し、 Ｒ^３１７〜Ｒ^３２４は互いに無関係に水素、ヒドロキシ、カルボン酸、フェノキ
シ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシ
ル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、
メトキシエトキシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、
オクトキシカルボニル、デコキシカルボニル又はシアノを表し、 その際、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、例
えばｎ−ブチル、２−ブチル、ｔ−ブチルであり、かつ部分フッ素化又は過フッ
素化されていてよい吸光性化合物が有利である。

【００６６】 同様に式（ＣＣＣＩ）から（ＣＣＣＸＶ）の Ｒ^３００、Ｒ^３０１及びＲ^３０３は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピルを表し、
ｍは３〜５の整数を表し、 ｕは１を表し、 Ｒ^３０２は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチル、メト
キシエチル、エトキシプロピル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル又はブトキシカルボニルを表し、 Ｒ^３０４は水素、シアノ、ニトロ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、メトキシエト
キシ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、Ｎ−メチル−Ｎ−シアンエチルアミノ
、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシ
カルボニル、ペントキシカルボニル又はヘキソキシカルボニルを表し、 Ｒ^３０５は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチル、メト
キシエチル、エトキシプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、
メトキシエトキシ、フェノキシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル又はブトキシカルボニルを表し、 Ｒ^３０６及びＲ^３０７は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロポキシ、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル又はフ
ェニルを表し、 Ｒ^３０８はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヒドロキ
シエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、メトキシエトキシ、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペント
キシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、（メチル、エチル、プロピル、ブチル
、ペンチル、ヘキシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル
）−アミノカルボニル又はジ−（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル
、ヘキシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル）−アミノ
カルボニルを表し、 Ｒ^３０９〜Ｒ^３１４は互いに無関係に水素、フェニル、トリル、メトキシフェニ
ル、シアノ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヒドロ
キシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、メトキシエトキシ、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペン
トキシカルボニル又はヘキソキシカルボニルを表し、かつその際、これらの基の
少なくとも２つは水素を表し、 Ｒ^３１５及びＲ^３１６は互いに無関係にメトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル又はシアノを表し、 Ｒ^３１７〜Ｒ^３２４は互いに無関係に水素、ヒドロキシ、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペント
キシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メトキシエトキシ、フェノキシ、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカル
ボニル、ペントキシカルボニル又はシアノを表し、かつその際、これらの基の少
なくとも４つは水素を表し、かつ基Ｒ^３１８又はＲ^３１２の少なくとも１つはメ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキ
シ、デコキシ、メトキシエトキシ又はフェノキシを表す吸光性化合物が特に有利
である。

【００６７】 同様に式（ＣＣＣＩ）から（ＣＣＣＩＶ）、（ＣＣＣＸＩ）及び（ＣＣＣＩＸ
）の吸光性化合物がより特に有利である。

【００６８】 同様に式（ＣＤＩ）から（ＣＤＸＩＸ）の Ｒ^４００は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オ
クチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベン
ジル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、
オクトキシ、デコキシ又はメトキシエトキシを表し、 ｔは１〜２の整数を表し、かつその際、ｔ＞１については基は異なっていてよく
、 Ｒ^４０１及びＲ^４０２は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピルを表し、 Ｒ^４０３は水素、フェニル、トリル、メトキシフェニル、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メ
トキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピルを表し、 Ｒ^４０４及びＲ^４０５は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エ
トキシプロピル、ベンジル、フェニルプロピル、フェニル、トリル、メトキシフ
ェニルを表し、又はＮＲ^４０４Ｒ^４０５はモルホリノ、ピペリジノ又はピロリジ
ノを表し、 Ｒ^４０６は水素、シアノ、ニトロ、カルボン酸、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエ
チル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピル、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、デコキシ、メ
トキシエトキシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボ
ニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキソキシカルボニル、オ
クトキシカルボニル又はデコキシカルボニルを表し、 Ｒ^４０７及びＲ^４０８は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチ
ル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルプロピルを表し、 その際、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、例
えばｎ−ブチル、２−ブチル、ｔ−ブチルであり、かつ部分フッ素化又は過フッ
素化されていてよい吸光性化合物が有利である。

【００６９】 同様に式（ＣＤＩ）から（ＣＤＸＩＸ）の Ｒ^４００は水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヒ
ドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ又はメトキシエトキシ
を表し、 ｔは１を表し、 Ｒ^４０１及びＲ^４０２は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル又はエトキシプロピルを意味し、 Ｒ^４０３は水素、フェニル、トリル、メトキシフェニル、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ヒドロキシエチル、メトキシ又はエトキシプロピルを表し、 Ｒ^４０４及びＲ^４０５は互いに無関係にメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒ
ドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、ベンジル又はフェニルを
表し、 Ｒ^４０６は水素、シアノ、ニトロ、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、メトキシエト
キシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、ペントキシカルボニル又はヘキソキシカルボニルを表し、 Ｒ^４０７及びＲ^４０８は互いに無関係に水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、エトキシプロピ
ル、ベンジル又はフェニルプロピルを表す吸光性化合物が特に有利である 同様に式（ＣＤＩ）、（ＣＤＶＩ）、（ＣＤＶＩＩ）、（ＣＤＶＩＩＩ）、（
ＣＤＸＩＩ）及び（ＣＤＸＶＩＩ）の吸光性化合物がより特に有利である。

【００７０】 前記の吸光性化合物の混合物を同様に、例えばスペクトル特性を適合させるた
め、かつ／又は特に皮膜形成特性を最適化するために使用してよい。

【００７１】 例えば式：

【００７２】

【化３２】

【００７３】 の化合物７５％及び式：

【００７４】

【化３３】

【００７５】 の化合物２５％からなる混合物は両方の成分のそれぞれ単独よりも良好な非晶質
の皮膜をもたらす。

【００７６】 例えば式：

【００７７】

【化３４】

【００７８】 の化合物５０％及び式：

【００７９】

【化３５】

【００８０】 の化合物５０％からなる混合物は個々の成分よりも安定な非晶質の皮膜をもたら
す。

【００８１】 本発明による１回書き込み可能な光学データ媒体の製造は、例えば吸光性化合
物自体又は別の吸光性化合物又は適当な溶剤と組み合わせての透明な基板上への
スピンコーティングによって達成できる。該基板は事前に既にスパッタリング又
は蒸着によって作成された反射層が設けられていてよい。コーティングのために
、吸光性化合物を、有利には添加剤を添加するか、又は添加せずに適当な溶剤又
は溶剤混合物中に、吸光性化合物が１００質量部の溶剤に対して１００質量部未
満をなすように溶解させる。引き続きこの第１の溶剤を他の適当な溶剤で、吸光
性化合物が１００質量部の溶剤に対して２０質量部未満をなすように希釈する。
書き込み可能な情報層を次いで場合により減圧下にスパッタリング又は蒸着によ
って金属被覆し、引き続き保護コートを設けるか、又は保護コートの代わりに第
２の基板又は場合により中間層及びカバー層と接着させる。

【００８２】 例えば式：

【００８３】

【化３６】

【００８４】 の化合物３部及び式：

【００８５】

【化３７】

【００８６】 の化合物３部を９４部の１−ブタノール中に室温で溶解させた。該溶液を１．２
ｍｍの厚さ及び６０ｍｍの半径のポリカーボネート基板ウェハ上にスピンコーテ
ィングによって施与し、かつそこに非晶質皮膜を形成させた。次いで該層を蒸着
によって５０ｎｍの厚さの銀からなる層を金属被覆した。

【００８７】 例：

【００８８】

【化３８】

【００８９】

【化３９】

【００９０】

【化４０】

【００９１】

【化４１】

【００９２】

【化４２】

【００９３】

【化４３】

【００９４】

【化４４】

【００９５】 情報層は吸光性化合物の他に更にバインダー、湿潤剤、安定剤、希釈剤及び増
感剤並びに他の成分を含有してよい。

【００９６】 該基板は必要であれば表面処理された光学的に透明なプラスチックから製造さ
れていてよい。有利なプラスチックはポリカーボネート及びポリアクリレート並
びにポリシクロオレフィン又はポリオレフィンである。吸光性化合物は低い濃度
でポリマー基板の保護及び光安定化のためにも使用できる。

【００９７】 反射層は、通常書き込み可能な光学データ媒体のために用いられる各金属もし
くは金属合金から製造されていてよい。適当な金属もしくは金属合金は蒸着及び
スパッタリングされ、かつ例えば金、銀、銅、アルミニウム及びその合金を互い
に又は他の金属と一緒に含有する。

【００９８】 反射層上の保護コートはＵＶ硬化性のアクリレートからなってよい。

【００９９】 反射層を酸化から保護する中間層は同様に存在していてよい。

【０１００】 前記の吸光性化合物の混合物を同様に使用してよい。

【０１０１】 更に本発明は本発明による光学データ媒体の製造方法において、有利には透明
な基板に、場合により事前に反射層を施し、これを吸光性化合物で適当なバイン
ダー及び場合により適当な溶剤と組み合わせて被覆し、かつ場合により反射層、
他の中間層、かつ場合により保護層又は他の基板又はカバー層を設けることを特
徴とする方法に関する。

【０１０２】 該基板の吸光性化合物での色素、バインダー及び／又は溶剤での被覆は有利に
はスピンコーティングによって実施する。

【０１０３】 コーティングのために、吸光性化合物は有利には添加剤を使用するか、又は使
用せずに適当な溶剤又は溶剤混合物中に、ＵＶ−吸収剤が１００質量部の溶剤に
対して１００質量部未満、例えば１０〜２質量部をなすように溶解させる。書き
込み可能な情報層を次いで有利には減圧下にスパッタリング又は蒸着によって金
属被覆し（反射層）、かつ場合により引き続き保護コート（保護層）又は他の基
板又はカバー層を設ける。部分的に透明な反射層を有する多層の配置も可能であ
る。

【０１０４】 吸光性化合物又は添加剤及び／又はバインダーとのその混合物の被覆のための
溶剤もしくは溶剤混合物は一方で該吸光性化合物及び別の添加剤に関するその溶
解能並びに他方で基板への最小限の影響に従って選択される。基板への僅かな影
響を有する適当な溶剤は、例えばアルコール、エーテル、炭化水素、ハロゲン化
炭化水素、セロソルブ、ケトンである。かかる溶剤の例は、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、ブタノー
ル、ジアセトンアルコール、ベンジルアルコール、テトラクロロエタン、ジクロ
ロメタン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチル
−ｔ−ブチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、１−メチル−２
−プロパノール、メチルエチルケトン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペン
タノン、ヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンである。有利な溶剤は、炭化水素及びアルコールである
。それというのもこれらは基板に対する影響が最も低いからである。

【０１０５】 書き込み可能な情報層のための適当な添加剤は安定剤、湿潤剤、バインダー、
希釈剤及び増感剤である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ， ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，Ｉ Ｓ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ， ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ， ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 カーリン ハセンリュック ドイツ連邦共和国 デュッセルドルフ シ ュレーエンヴェーク 28 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA22 FA01 FA12 FA14 FB41 FB42 FB46 5D029 JA04

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光学データ媒体であって、該光学データ媒体は有利には透明
   な、場合により反射層で既に被覆された基板を有し、該基板表面上に光で書き込
   み可能な情報層、場合により反射層及び場合により保護層又は他の基板又はカバ
   ー層が施与されており、これは青色光、有利にはレーザ光で書き込みかつ読み取
   り可能であり、その際、該情報層は吸光性化合物及び場合によりバインダーを含
   有する光データ媒体において、該吸光性化合物が３４０〜４１０ｎｍの吸収極大
   λ_ｍａｘ１を有し、かつ波長λ_ｍａｘ１の吸収極大の長波長端における吸光度が
   λ_ｍａｘ１での吸光度値の半分である波長λ_１／２並びに波長λ_ｍａｘ１の吸収
   極大の長波長端における吸光度がλ_ｍａｘ１での吸光度値の十分の一である波長
   λ_１／１０を有し、これらの波長の両者は共通して３７０〜４６０ｎｍの範囲で
   あることを特徴とする光学データ媒体。
2. 【請求項２】 吸光性化合物がλ_ｍａｘ１より長い波長から５００ｎｍの波
   長までの範囲において更なる吸収極大λ_ｍａｘ２を有さない、請求項１記載の光
   学データ媒体。
3. 【請求項３】 吸光性化合物がλ_ｍａｘ１より短い波長の範囲において更な
   る、有利には強い吸光及び吸収極大を有する、請求項１又は２記載の光学データ
   媒体。
4. 【請求項４】 吸収極大λ_ｍａｘ１において吸光性化合物の吸光係数εが＞
   １００００ｌ／モル ｃｍである、請求項１から３までのいずれか１項記載の光
   学データ媒体。
5. 【請求項５】 吸光性化合物が以下の化合物： 【化１】 【化２】 【化３】 ［式中、 Ｒ^１００は水素又はＣ_１〜Ｃ_４−アルキルを表し、 ｘは１〜３の整数を表し、かつその際、ｘ＞１については、基は異なっていてよ
   く、 Ｒ^１０１は水素、ハロゲン、ニトロ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−
   アルコキシ、シアノ、カルボン酸又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表
   し、 Ｙ^１及びＹ^２は互いに無関係にＣ−Ｒ^１０２を表し、かつ Ｙ^１又はＹ^２は更にＮを表してよく、 Ｒ^１０２は水素、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、シアノ、
   カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルカノイ
   ルを表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル、ベンズオキサゾリ−２−イル、ベンズイミ
   ダゾリ−２−イル、チアゾリ−２−イル、１，３，４−チアジアゾリ−２−イル
   、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル又は３，３−ジメチルインドレ
   ン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、クロロ、
   ブロム、ヨード、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、メチルチオ、ジメチル
   アミノ、ジエチルアミノ又はジプロピルアミノで置換されていてよく、かつ場合
   によりアルキル又は（Ｃ_２Ｈ_４Ｏ）_ｎＨ（ｎ＝１〜１６）によって窒素上で第四
   級化されていてよく、かつアルキルＳＯ_３ ^-、アルコキシＳＯ_３ ^-又はハロゲン^-
   を対イオンとして有し、又はフラン−２−又は−３−イル、チオフェン−２−又
   は−３−イル、ピロール−２−又は−３−イル、Ｎ−アルキル−ピロール−２−
   又は−３−イルを表し、これらはメチル、エチル、メトキシ、エトキシ、クロロ
   、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、メチルチオ、ジメチルアミノ、ジエチ
   ルアミノ又はジプロピルアミノによって置換及び／又は芳香族縮合されていてよ
   く、 Ｒ^１０３及びＲ^１０４は互いに無関係にシアノ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−ア
   ルコキシカルボニル、アミノカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイルを表し
   、又はＲ^１０４は水素、ＣＨ_２−ＣＯＯアルキル又はＰ（Ｏ）（Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_{１ ２} −アルキル）_２又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ａは５員又は６員の炭素環式又は複素環式の芳香族縮合されていてよい環を表し
   、 Ｂは５員又は６員の炭素環式又は複素環式の芳香族縮合されていてよい環を表し
   、 Ｒ^１０５は水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキ
   シ、シアノ、ニトロ、カルボン酸又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表
   し、 Ｒ^１０６は水素、Ｃ_１〜Ｃ_４−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル
   又はシアノを表し、 Ｒ^１０７は水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキ
   シ、ニトロ、シアノ又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表し、 Ｒ^１０８は水素、ニトロ、シアノ、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、カルボ
   ン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシを表
   し、 Ｒ^１０９及びＲ^１１０は互いに無関係に水素、シアノ、ニトロ、ハロゲン、カル
   ボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイル
   、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシを表し、 Ｒ^１１１はシアノ、ＣＨ＝ＣＨ−ＮＲ^１１３Ｒ^１１４を表し、 Ｒ^１１２は水素、アニリノ、Ｎ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル−アニリノ又はＮ＝Ｃ
   Ｈ−ＮＲ^１１３Ｒ^１１４を表し、又はＲ^１１１及びＲ^１１２は＝Ｃ＝Ｃ−ＮＲ^{１ １３} Ｒ^１１４を表し、 Ｒ^１１３及びＲ^１１４は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、
   Ｘ^１はＳ又はＮ−Ｒ^１００を表し、 ＝Ｙ^３−Ｙ^４＝は直接的な二重結合又は＝Ｎ−Ｎ＝を表し、 Ｒ^１１５及びＲ^１１６は互いに無関係にシアノ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−ア
   ルコキシカルボニル、アミノカルボニル、Ｐ（Ｏ）（Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキ
   ル）_２又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイルを表し、又はＲ^１１５及びＲ^１１６はこ
   れらを結合するＣ原子と一緒になって炭素環式又は複素環式の、場合により芳香
   族縮合された５員環又は６員環を形成し、 Ｒ^１１７及びＲ^１１８は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、シアノ
   、ＳＣＯＣ_６〜Ｃ_１０−アリール、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカル
   ボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルカノイル又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝
   ＣＨ−架橋を表し、その際、該アルキル基、アルコキシル基、アリール基及び複
   素環式基は場合により他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、Ｃ
   Ｏ−ＮＨ_２、アルコキシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェ
   ニルを有していてよく、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状で
   あってよく、アルキル基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該
   アルキル基及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されて
   いてよく、隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基はアリール基又は複素環式
   基上で一緒になって３員又は４員の架橋を形成してよく、かつ複素環式基は芳香
   族縮合されていてよい］の１つである、請求項１から４までのいずれか１項記載
   の光学データ媒体。
6. 【請求項６】 吸光性化合物が以下の化合物： 【化４】 【化５】 ［式中、 Ｒ^２００はシアノ、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカル
   ボニルを表し、 Ｒ^２０１及びＲ^２０２は互いに無関係に水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキ
   ル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシを表し、又は Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、これらが互いにｏ−位にある場合には３員又は４員の
   架橋、有利には例えば−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２ ）_２−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−を形成してよく、 Ｒ^２０３及びＲ^２０４は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し
   、 Ｒ^２０５はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６ −モノアルキルアミノ又はジアルキルアミノを表し、又は Ｒ^２０５は二価の基、例えば−Ｏ（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｎ −又は−Ｏ（ＣＨ_２（ＣＨＣＨ_３）Ｏ）_ｎ−を意味し、これは式（ＣＣＩ）の
   ２つの基を互いに結合し、 ｎは１〜１６の整数を表し、又は Ｒ^２００及びＲ^２０５は一緒になって３員又は４員の架橋、有利には例えば−（
   ＣＯ）−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＯ）−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−、−
   （ＣＯ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ_３）_２−Ｏ−又は−（ＣＯ）−ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−を形成し
   てよく、 ＸはＳ又はＮ−Ｒ^２０６を表し、 Ｒ^２０６及びＲ^２２７は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^２０７及びＲ^２０８は互いに無関係にヒドロキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ
   又はＣ_６〜Ｃ_１０−アリールオキシを表し、 Ｒ^２０９及びＲ^２１０は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_{１ ６} −アルキルチオ、ＮＲ^２１７Ｒ^２１８、Ｃ_６〜Ｃ_１６−アリールオキシ、シア
   ノ、ＣＯ−ＯＲ^２１７、ＣＯＮＲ^２１７Ｒ^２１８、ＮＲ^２１８−ＣＯ−Ｒ^２１９ 、ＮＲ^２１８−ＳＯ_２−Ｒ^２１９を表し、かつ Ｒ^２０９は付加的に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^２１１及びＲ^２１２は互いに無関係に水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキ
   ル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ又はＮＲ^２１８−ＣＯ−Ｒ^２１９を表し、 Ｈｅｔはベンズチアゾリ−２−イル、ベンズオキサゾリ−２−イル、ベンズイミ
   ダゾリ−２−イル、チアゾリ−２−イル、１，３，４−チアジアゾリ−２−イル
   、２−又は４−ピリジル、２−又は４−キノリル、ピロール−２−又は−３−イ
   ル、チオフェン−２−又は−３−イル、フラン−２−又は−３−イル、インドー
   ル−２−又は−３−イル、ベンゾチオフェン−２−イル、ベンゾフラン−２−イ
   ル又は３，３−ジメチルインドレン−２−イルを表し、これらはメチル、エチル
   、メトキシ、エトキシ、クロロ、シアノ、ニトロ、メトキシカルボニル、メチル
   チオ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ又はジプロピルアミノによって置換され
   ていてよく Ｙ、Ｙ^５及びＹ^６は互いに無関係にＮ又はＣ−Ｒ^２１３を表し、 Ｒ^２１３は水素、Ｃ_１〜Ｃ_４−アルキル、シアノ、ＣＯ−Ｒ^２１９、ＣＯ−Ｏ−
   Ｒ^２１７又はＣＯ−ＮＲ^２１７Ｒ^２１８を表し、 Ｒ^２１４及びＲ^２１５は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、ＣＯ−
   Ｒ^２１９又はＣ_６〜Ｃ_１０−アリールを表し、又は ＮＲ^２１４Ｒ^２１５はピロリジノ、ピペリジノ又はモルホリノを表し、 Ｒ^２１６は水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキ
   シ又はＮＨ−ＣＯ−Ｒ^２１９を表し、 Ｒ^２１７及びＲ^２１８は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６ 〜Ｃ_１０−アリールを表し、 Ｒ^２１９はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６〜Ｃ_１０−アリールを表し、 Ｒ^２２０からＲ^２２２は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_１ 〜Ｃ_１６−アルコキシを表し、その際、 Ｒ^２２０及びＲ^２２１は、これらが互いにｏ−位にある場合には一緒になって−
   Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｏ−、−Ｏ−（
   ＣＨ_２）_２−架橋を形成してよく、 Ｒ^２２３は水素又はヒドロキシを表し、 Ｒ^２２４は水素、ハロゲン又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^２２５は水素又はハロゲンを表し、 ｙは１〜４の整数を表し、 Ｒ^２２６はＣＨＯ、ＣＮ、ＣＯ−Ｃ_１〜Ｃ_８−アルキル、ＣＯ−Ｃ_６〜Ｃ_１０−
   アリール又はＣＨ＝Ｃ（ＣＯ−Ｃ_１〜Ｃ_８−アルキル）−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｃ_１〜
   Ｃ_８−アルキルを表し、かつ Ｒ^２４８及びＲ^２４９は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６ 〜Ｃ_１０−アリールを表し、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−又は
   ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−架橋を表し、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
   、他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ＣＯ−ＮＨ_２、アルコ
   キシ、トリアルキルシリル、トリアルキルシロキシ又はフェニルを有していてよ
   く、該アルキル基及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アル
   キル基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル及びアル
   コキシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されていてよく、隣接した
   アルキル及び／又はアルコキシ基はアリール又は複素環式基上で一緒になって３
   員又は４員の架橋を形成してよく、かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよい
   ］の１つである、請求項１から４までのいずれか１項記載の光学データ媒体。
7. 【請求項７】 吸光性化合物が以下の化合物： 【化６】 【化７】 ［式中、 Ｒ^２２８からＲ^２３１は互いに無関係に水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１〜Ｃ_１６ −アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニ
   ルを表し、 ｗは１又は２を表し、 Ｒ^２３２は水素、シアノ、ＣＯ−Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_４−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１０−ア
   リール、チオフェン−２−イル、ピリド−２−又は−４−イル、ピラゾリ−１−
   イル又は１，２，４−トリアゾリ−１−又は−４−イルを表し、 Ｒ^２３３は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、１，２，３−トリアゾリ−２−イ
   ル又はジ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルアミノを表し、 Ｒ^２３４及びＲ^２３５は水素を表し、又は一緒になって−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ
   Ｈ−架橋を表し、 Ｒ^２３７は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はシアノを表し、 Ｒ^２３８及びＲ^２３９は互いに無関係に水素、ハロゲン、ＣＯ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−
   アルキル、ＳＯ_２−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＳＯ_２−ＮＨ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−
   アルキルＡ^＋Ａｎ^-を表し、 Ａ^＋はＮ（Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル）_３ ^＋又はピリジニオを表し、 Ｒ^２４０、Ｒ^２４１及びＲ^２４３は互いに無関係に水素、ハロゲン、Ｃ_１〜Ｃ_{１ ６} −アルキル又はＣＯ−Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、かつ Ｒ^２４０及びＲ^２４１は付加的に−ＣＨ_２−Ａ^＋Ａｎ^-を表し、 ｖは１〜３の整数を表し、その際、ｖ＞１については、基は異なる意味を有して
   よく、 Ｄは−ＣＨ＝ＣＨ−、チオフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル又
   はｐ−フェニレンを表し、 ＺはＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ^２４４を表し、 ＷはＮ又はＣＨを表し、 Ｒ^２４２は水素、シアノ又はＣＯ−Ｏ−Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 ｚは０又は１を表し、 Ｒ^２４４及びＲ^２４５は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ａｎ^-はアニオンを表し、 Ｋａｔ^＋はＮａ^＋、Ｌｉ^＋、ＮＨ_４ ^＋又はＮ（Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキル）_４ ^＋を
   表し、 ＥはＣＨ、Ｃ−ＣＮ又はＮを表し、 Ｒ^２４６及びＲ^２４７は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルアミノ、Ｃ_１〜
   Ｃ_１６−ジアルキルアミノ、アニリノ、モルホリノ、ピペリジノ又はピロリジノ
   を表し、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
   他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシアルキル、ニトロ、シアノ、Ｃ
   Ｏ−ＣＨ_２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、トリアルキルシリル、トリア
   ルキルシロキシ又はフェニルを有してよく、該アルキル基及びアルコキシ基は直
   鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン
   化されていてよく、該アルキル基及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポキシ
   化又はシリル化されていてよく、隣接したアルキル及び／又はアルコキシ基はア
   リール基又は複素環式基上で一緒になって３員又は４員の架橋を形成してよく、
   かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよい］の１つである、請求項１から４ま
   でのいずれか１項記載の光学データ媒体。
8. 【請求項８】 吸光性化合物が以下の化合物： 【化８】 【化９】 【化１０】 【化１１】 ［式中、 Ｒ^３００、Ｒ^３０１及びＲ^３０３は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アル
   キルを表し、 ｍは０〜１０の整数を表し、 ｕは１〜３の整数を表し、その際、ｕ＞１については、基は異なっていてよく、
   Ｒ^３０２は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アル
   キルを表し、 Ｒ^３０４は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、ジ−
   Ｃ_１〜Ｃ_８−アルキルアミノ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル又はＣ_１〜
   Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^３０５は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボ
   ニル又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^３０６及びＲ^３０７は互いに無関係に水素、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル又はＣ_６ 〜Ｃ_１０−アリールを表し、又はＮＲ^３０６Ｒ^３０７はモルホリノ、ピペリジノ
   又はピロリジノを表し、 Ｒ^３０８はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−
   アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキルアミノカルボニ
   ル又はＣ_１〜Ｃ_１６−ジアルキルアミノカルボニルを表し、 Ｒ^３０９〜Ｒ^３１４は互いに無関係に水素、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール、カルボン
   酸、シアノ、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ
   又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、 Ｒ^３１５及びＲ^３１６は互いに無関係にカルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ
   カルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシ又はシアノを表し、又はＲ^３１５及びＲ^３１６ はこれらを結合するＣ原子と一緒になって５員又は６員の炭素環式又は複
   素環式環を形成し、 Ｒ^３１７からＲ^３２４は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル、水素、ヒドロ
   キシ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニル、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アル
   コキシ、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリールオキシ又はシアノを表し、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
   他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシアルキル、ニトロ、シアノ、Ｃ
   Ｏ−ＮＨ_２、アルコキシ、アルコキシカルボニル、トリアルキルシリル、トリア
   ルキルシロキシ又はフェニルを有していてよく、該アルキル基及びアルコキシ基
   は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル基は部分ハロゲン化又は過ハロ
   ゲン化されていてよく、該アルキル基及びアルコキシ基はエトキシ化又はプロポ
   キシ化又はシリル化されていてよく、隣接したアルキル基及び／又はアルコキシ
   基はアリール基又は複素環式基上で一緒になって３員又は４員の架橋を形成して
   いよく、かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよい］の１つである、請求項１
   から４までのいずれか１項記載の光学データ媒体。
9. 【請求項９】 吸光性化合物が以下の化合物： 【化１２】 【化１３】 【化１４】 【化１５】 【化１６】 ［式中、 Ｒ^４００は水素、Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルキル又はＣ_１〜Ｃ_１２−アルコキシを表し
   、 ｔは１〜３の整数を表し、その際、ｔ＞１については、基は異なっていてよく、
   Ｒ^４０１及びＲ^４０２は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し
   、 Ｒ^４０３は水素、Ｃ_６〜Ｃ_１０−アリール又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し、
   Ｒ^４０４及びＲ^４０５は互いに無関係にＣ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１０ −アリールを表し、又はＮＲ^４０４Ｒ^４０５はモルホリノ、ピペリジノ又はピロ
   リジノを表し、 Ｒ^４０６は水素、シアノ、ニトロ、カルボン酸、Ｃ_１〜Ｃ_１６−アルキル、Ｃ_１ 〜Ｃ_１６−アルコキシ又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルコキシカルボニルを表し、 Ｒ^４０７及びＲ^４０８は互いに無関係に水素又はＣ_１〜Ｃ_１６−アルキルを表し
   、 その際、該アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び複素環式基は場合により
   他の基、例えばアルキル、ハロゲン、ヒドロキシアルキル、ニトロ、シアノ、Ｃ
   Ｏ−ＮＨ_２、アルコキシ、アルコキシカルボニル又はフェニルを有していてよく
   、該アルキル及びアルコキシ基は直鎖状又は分枝鎖状であってよく、該アルキル
   基は部分ハロゲン化又は過ハロゲン化されていてよく、該アルキル基及びアルコ
   キシ基はエトキシ化又はプロポキシ化又はシリル化されていてよく、隣接したア
   ルキル及び／又はアルコキシ基はアリール基又は複素環式基上で一緒になって３
   員又は４員の架橋を形成していよく、かつ複素環式基は芳香族縮合されていてよ
   い］の１つである、請求項１から４までのいずれか１項記載の光学データ媒体。
10. 【請求項１０】 １回書き込み可能な光学データ媒体の情報層における吸光
    性化合物を使用するにあたり、該吸光性化合物が３４０〜４１０ｎｍの吸収極大
    λ_ｍａｘ１を有し、かつ波長λ_ｍａｘ１の吸収極大の長波長端における吸光度が
    λ_ｍａｘ１での吸光度値の半分である波長λ_１／２並びに波長λ_ｍａｘ１の吸収
    極大の長波長端における吸光度がλ_ｍａｘ１での吸光度値の十分の一である波長
    λ_１／１０を有し、すなわちλ_１／２及びλ_１／１０の両者は共通して３７０〜
    ４６０ｎｍの範囲である使用。
11. 【請求項１１】 請求項１記載の光学データ媒体の製造方法において、有利
    には透明な、場合により反射層で既に被覆された基板を吸光性化合物で、場合に
    より適当なバインダー及び添加剤及び場合により適当な溶剤と組み合わせて被覆
    し、かつ場合により反射層、他の中間層及び場合により保護層又は他の基板又は
    カバー層を設けることを特徴とする製造方法。