JP2003528849A - ペンテンニトリルのカルボニル化方法 - Google Patents
ペンテンニトリルのカルボニル化方法Info
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Abstract
(57)【要約】
ペンテンニトリルのカルボニル化によって5−シアノ吉草酸またはそのエステルを調製する方法であって、ペンテンニトリルを一酸化炭素および水またはアルコールと触媒系の存在下で反応させる。この触媒系は、(a)第VIII族の金属またはその化合物、(b)一般式(I):R1R2−M1−R−M2−R3R 4[式中、M1およびM2は独立にP、AsまたはSbであり、Rは二価の有機架橋基]で表される二座ホスフィン、アルシンおよび/またはスチビン配位子、(c)水性溶液中18℃で測定した場合、3未満のpKaを持つ酸を含む。
Description
【0001】
発明の背景
本発明は、触媒系の存在下でペンテンニトリルをカルボニル化して5−シアノ
吉草酸またはそのエステルを調製する方法、およびこのようなカルボニル化方法
を用いるε−カプロラクタムを調製する方法に関する。
吉草酸またはそのエステルを調製する方法、およびこのようなカルボニル化方法
を用いるε−カプロラクタムを調製する方法に関する。
【0002】
ε−カプロラクタムを調製する分野においては、ブタジエンに基づく新しいル
ートが大いに必要とされている。工業的にε−カプロラクタムを調製する方法で
は、フェノールまたはシクロヘキサンのどちらかを出発化合物として使用する。
これらのルートの不利な点は、硫酸アンモニウムが望ましくない副生成物として
産生されることである。さらに、これらの知られている方法は多くの処理ステッ
プを含み、ε−カプロラクタムの調製が面倒かつコスト高なものとなっている。
ートが大いに必要とされている。工業的にε−カプロラクタムを調製する方法で
は、フェノールまたはシクロヘキサンのどちらかを出発化合物として使用する。
これらのルートの不利な点は、硫酸アンモニウムが望ましくない副生成物として
産生されることである。さらに、これらの知られている方法は多くの処理ステッ
プを含み、ε−カプロラクタムの調製が面倒かつコスト高なものとなっている。
【0003】
ε−カプロラクタムのブタジエンをベースとする調製方法が記載されている最
近の特許文献においては、まずブタジエンのカルボニル化によってペンテノエー
トエステルを調製し、このエステルを次にヒドロホルミル化ステップで反応させ
て5−ホルミル吉草酸エステルとする。この5−ホルミル吉草酸エステルは続い
て還元性アミノ化ステップにおいて6アミノカプロン酸またはそのエステルに変
換される。その後、6−アミノカプロン酸またはそのエステルは水性媒体中で加
熱すると、反応してε−カプロラクタムとなる。US−A−5693851、(
140℃においてパラジウムの触媒作用を利用したブタジエンのカルボニル化が
記載されている)によれば、3−および4−ペンテン酸メチルエステルに対する
最良の選択性は約93%である。US−A−6018081(メチルペンテノエ
ートエステルのロジウムの触媒作用を利用したヒドロホルミル化を記載している
)によれば、5−ホルミル吉草酸メチルエステルに対する最良の選択性は81%
である。EP−A−729943およびWO−A−9837063によれば、還
元性アミノ化および環化ステップにおいて5−ホルミル吉草酸メチルのε−カプ
ロラクタムへの変換が100%達成可能である。このように、ブタジエンに基づ
いて全体の選択性は最高でも約75%である。これは出発ブタジエンの25%が
廃棄しなければならない副生成物に変換されることを意味している。工業的応用
を考える前に、この全体の選択性を著しく改良しなければならないということが
明らかであることは確かである。
近の特許文献においては、まずブタジエンのカルボニル化によってペンテノエー
トエステルを調製し、このエステルを次にヒドロホルミル化ステップで反応させ
て5−ホルミル吉草酸エステルとする。この5−ホルミル吉草酸エステルは続い
て還元性アミノ化ステップにおいて6アミノカプロン酸またはそのエステルに変
換される。その後、6−アミノカプロン酸またはそのエステルは水性媒体中で加
熱すると、反応してε−カプロラクタムとなる。US−A−5693851、(
140℃においてパラジウムの触媒作用を利用したブタジエンのカルボニル化が
記載されている)によれば、3−および4−ペンテン酸メチルエステルに対する
最良の選択性は約93%である。US−A−6018081(メチルペンテノエ
ートエステルのロジウムの触媒作用を利用したヒドロホルミル化を記載している
)によれば、5−ホルミル吉草酸メチルエステルに対する最良の選択性は81%
である。EP−A−729943およびWO−A−9837063によれば、還
元性アミノ化および環化ステップにおいて5−ホルミル吉草酸メチルのε−カプ
ロラクタムへの変換が100%達成可能である。このように、ブタジエンに基づ
いて全体の選択性は最高でも約75%である。これは出発ブタジエンの25%が
廃棄しなければならない副生成物に変換されることを意味している。工業的応用
を考える前に、この全体の選択性を著しく改良しなければならないということが
明らかであることは確かである。
【0004】
DE−A−19840253は、5−シアノ吉草酸およびそのエステル類から
出発してカプロラクタムを調製する方法の可能性を記載している。6−アミノカ
プロン酸、各6−アミノカプロン酸エステルに対して水素を添加し、水またはア
ルコールを除去することにより、カプロラクタムが得られる。
出発してカプロラクタムを調製する方法の可能性を記載している。6−アミノカ
プロン酸、各6−アミノカプロン酸エステルに対して水素を添加し、水またはア
ルコールを除去することにより、カプロラクタムが得られる。
【0005】
DE−A−19840253はさらに、パラジウム(II)化合物、二座ジホ
スフィンおよびアニオン供給源を含む触媒系の存在下で、ペンテンニトリルを水
またはアルカノールおよび一酸化炭素と反応させてシアノ吉草酸またはエステル
を調製する方法に関している。DE−A−19840253は、3頁29〜36
行に、可能な二座ジホスフィン配位子類の広範なリストを挙げている。このリス
トには、例えば、1,2−ビス(ジ−n−ブチルホスフィノ)エタン、1,3−
ビス(ジメチルホスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジ−イソプロピルホスフ
ィノ)プロパンおよび1,2−ビス(ジ−シクロヘキシルホスフィノ)エタン、
ならびに1,3−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)プロパンが含まれて
いる。加えて、DE−A−19840253は、4頁55〜62行にアニオン類
の可能な供給源の全範囲を挙げているが、この中では9−アントラセンカルボン
酸等のpKa3.5以上の弱い有機酸類が好ましい。
スフィンおよびアニオン供給源を含む触媒系の存在下で、ペンテンニトリルを水
またはアルカノールおよび一酸化炭素と反応させてシアノ吉草酸またはエステル
を調製する方法に関している。DE−A−19840253は、3頁29〜36
行に、可能な二座ジホスフィン配位子類の広範なリストを挙げている。このリス
トには、例えば、1,2−ビス(ジ−n−ブチルホスフィノ)エタン、1,3−
ビス(ジメチルホスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジ−イソプロピルホスフ
ィノ)プロパンおよび1,2−ビス(ジ−シクロヘキシルホスフィノ)エタン、
ならびに1,3−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)プロパンが含まれて
いる。加えて、DE−A−19840253は、4頁55〜62行にアニオン類
の可能な供給源の全範囲を挙げているが、この中では9−アントラセンカルボン
酸等のpKa3.5以上の弱い有機酸類が好ましい。
【0006】
DE−A−19840253は、実施例の中で、パラジウム(II)酢酸、9
−アントラセンカルボン酸および1,2−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)
エタンまたは1,2−ビス(1,5−シクロオクチレンホスフィノ)エタンと1
,2−ビス(1,4−シクロオクチレンホスフィノ)エタンの混合物の存在下で
、3−ペンテンニトリルをメタノールおよび一酸化炭素と150℃の温度で反応
させることによって5−シアノ吉草酸メチルを調製することを記載している。4
0から90%の範囲の変換率において、所望のメチル5−シアノ吉草酸に対する
選択性が70から72%の範囲で得られた。
−アントラセンカルボン酸および1,2−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)
エタンまたは1,2−ビス(1,5−シクロオクチレンホスフィノ)エタンと1
,2−ビス(1,4−シクロオクチレンホスフィノ)エタンの混合物の存在下で
、3−ペンテンニトリルをメタノールおよび一酸化炭素と150℃の温度で反応
させることによって5−シアノ吉草酸メチルを調製することを記載している。4
0から90%の範囲の変換率において、所望のメチル5−シアノ吉草酸に対する
選択性が70から72%の範囲で得られた。
【0007】
US−A−4950778は、コバルト触媒の存在下で圧力136バールおよ
び温度200℃で3−ペンテンニトリルを水および一酸化炭素と反応させること
によって5−シアノ吉草酸を調製する方法を記載している。87.4%の変換率
で、望ましくない分岐のC6酸に対する選択性は9.1%で、また望ましくない
バレロニトリルに対する選択性は9.6%であった。
び温度200℃で3−ペンテンニトリルを水および一酸化炭素と反応させること
によって5−シアノ吉草酸を調製する方法を記載している。87.4%の変換率
で、望ましくない分岐のC6酸に対する選択性は9.1%で、また望ましくない
バレロニトリルに対する選択性は9.6%であった。
【0008】
US−A−5434290は、コバルト触媒の存在下で圧力200バールおよ
び温度160℃で、3−ペンテンニトリルをメタノールおよび一酸化炭素と反応
させることによってメチル5−シアノ吉草酸を調製する方法を記載している。6
6%の変換率で、所望されるメチル5−シアノ吉草酸に対する選択性は約89%
であった。
び温度160℃で、3−ペンテンニトリルをメタノールおよび一酸化炭素と反応
させることによってメチル5−シアノ吉草酸を調製する方法を記載している。6
6%の変換率で、所望されるメチル5−シアノ吉草酸に対する選択性は約89%
であった。
【0009】
上記諸方法の不利な点は、操作圧力および/また操作温度が高いこと、コバル
トカルボニル化合物を高濃度で使用すること、および/または比較的低い変換率
では選択性が低いことにある。
トカルボニル化合物を高濃度で使用すること、および/または比較的低い変換率
では選択性が低いことにある。
【0010】
US−A−5679831は、パラジウム、1,1’−ビス(ジイソプロピル
ホスフィノ)フェロセンおよびp−トルエンスルホン酸からなる触媒系の存在下
、圧力60バールおよび温度130℃で、3−ペンテン酸メチルをメタノールお
よび一酸化炭素と反応させることによって3−ペンテン酸メチルをアジピン酸ジ
メチルにカルボニル化することを記載している。99%の変換率で、アジピン酸
ジメチルに対する83%の選択性が得られた。90℃で行われた別の実験では、
71%のペンテノエート変換率においてアジペートに対する84%の選択性が実
証された。すべての実験はペンテノエートから出発して、10を上回る酸対パラ
ジウムモル比で行った。可能な基質としてペンテノエートの代わりにペンテンニ
トリルが挙げられている。しかしながら、仮にペンテンニトリルを同じ配位子を
用いてまた実施例と同じ条件下でメチル−3−ペンテノエートの代わりに使用し
ても、触媒活性は認められない。もう1つの不利な点は、酸濃度が高いために反
応混合物が腐食性となり、ホスフィン化合物の酸およびオレフィン化合物による
四級化により、配位子の分解が進む結果となる。
ホスフィノ)フェロセンおよびp−トルエンスルホン酸からなる触媒系の存在下
、圧力60バールおよび温度130℃で、3−ペンテン酸メチルをメタノールお
よび一酸化炭素と反応させることによって3−ペンテン酸メチルをアジピン酸ジ
メチルにカルボニル化することを記載している。99%の変換率で、アジピン酸
ジメチルに対する83%の選択性が得られた。90℃で行われた別の実験では、
71%のペンテノエート変換率においてアジペートに対する84%の選択性が実
証された。すべての実験はペンテノエートから出発して、10を上回る酸対パラ
ジウムモル比で行った。可能な基質としてペンテノエートの代わりにペンテンニ
トリルが挙げられている。しかしながら、仮にペンテンニトリルを同じ配位子を
用いてまた実施例と同じ条件下でメチル−3−ペンテノエートの代わりに使用し
ても、触媒活性は認められない。もう1つの不利な点は、酸濃度が高いために反
応混合物が腐食性となり、ホスフィン化合物の酸およびオレフィン化合物による
四級化により、配位子の分解が進む結果となる。
【0011】
EP−A−495548は、パラジウム、1,3−ビス(ジ−tert−ブチ
ルホスフィノ)プロパンおよびメチルスルホン酸の存在下で圧力30バールおよ
び温度60℃で、プロペンをメタノールおよび一酸化炭素と反応させることによ
ってプロペンをカルボニル化することを記載している。所望される直鎖メチルブ
タノエートに対する選択性は86%であった。
ルホスフィノ)プロパンおよびメチルスルホン酸の存在下で圧力30バールおよ
び温度60℃で、プロペンをメタノールおよび一酸化炭素と反応させることによ
ってプロペンをカルボニル化することを記載している。所望される直鎖メチルブ
タノエートに対する選択性は86%であった。
【0012】
発明の概要
本発明は、5−シアノ吉草酸またはそのエステル類を高い収率でかつ穏やかな
処理条件で調製するための方法を提供することを目的としている。
処理条件で調製するための方法を提供することを目的としている。
【0013】
本目的は次の方法によって達成される。ペンテンニトリルをカルボニル化して
5−シアノ吉草酸またはそのエステルを調製する方法であって、ペンテンニトリ
ルを一酸化炭素および水またはアルコールと触媒系の存在下で反応させ、該触媒
系が、 (a)第VIII族の金属またはその化合物、 (b)一般式(I): R1R2−M1−R−M2−R3R4 I [式中、M1およびM2は独立にP、AsまたはSbであり、Rは二価の有機
架橋基であり、前記架橋基は、2個の燐原子を直接につなぐ3〜5個の原子の鎖
を含み、前記鎖は、炭素原子および場合によっては窒素、酸素もしくは硫黄原子
またはシラノもしくはジアルキルシリコン基からなり、アルキル基は独立に1〜
4個の炭素原子を含み、R1〜R4は、同一または異なった置換されていてもよ
い第3級アルキル基を示す]で表される二座ホスフィン、アルシンおよび/また
はスチビン配位子、 (c)水性溶液中18℃で測定した場合、3未満のpKaを有する酸 を含んでなる前記方法。
5−シアノ吉草酸またはそのエステルを調製する方法であって、ペンテンニトリ
ルを一酸化炭素および水またはアルコールと触媒系の存在下で反応させ、該触媒
系が、 (a)第VIII族の金属またはその化合物、 (b)一般式(I): R1R2−M1−R−M2−R3R4 I [式中、M1およびM2は独立にP、AsまたはSbであり、Rは二価の有機
架橋基であり、前記架橋基は、2個の燐原子を直接につなぐ3〜5個の原子の鎖
を含み、前記鎖は、炭素原子および場合によっては窒素、酸素もしくは硫黄原子
またはシラノもしくはジアルキルシリコン基からなり、アルキル基は独立に1〜
4個の炭素原子を含み、R1〜R4は、同一または異なった置換されていてもよ
い第3級アルキル基を示す]で表される二座ホスフィン、アルシンおよび/また
はスチビン配位子、 (c)水性溶液中18℃で測定した場合、3未満のpKaを有する酸 を含んでなる前記方法。
【0014】
本発明による方法によって、5−シアノ吉草酸またはエステルは、操作圧力お
よび/または温度については穏やかな処理条件下で、高い収率で得ることができ
ることがわかった。
よび/または温度については穏やかな処理条件下で、高い収率で得ることができ
ることがわかった。
【0015】
DE−A−19840253を斟酌すると、意図的に選択したb)の二座ジホ
スフィン類とc)の酸の組み合わせの存在下でペンテンニトリルをカルボニル化
することで、直鎖生成物がそれほど高い収率で得られるであろうとは予想されな
かった。特に今、DE−A−19840253で挙げられている二座ジホスフィ
ン類のいくつかを本発明による方法において使用しても、本発明の実施例に示す
ように、非常に貧弱な結果が得られるだけである。
スフィン類とc)の酸の組み合わせの存在下でペンテンニトリルをカルボニル化
することで、直鎖生成物がそれほど高い収率で得られるであろうとは予想されな
かった。特に今、DE−A−19840253で挙げられている二座ジホスフィ
ン類のいくつかを本発明による方法において使用しても、本発明の実施例に示す
ように、非常に貧弱な結果が得られるだけである。
【0016】
EP−A−495548を斟酌すると、ペンテンニトリルから出発するほうが
、前記公報に例示されているようにプロペンのようなより単純な分子から出発す
る場合よりも直鎖生成物に対する高い選択性が得られようとは予測されていなか
った。US−A−5679831を斟酌すると、あまり好ましいとはいえない出
発化合物の1つとして引用されている化合物を使用した場合に、前記公報に開示
された化合物よりも高い収率でジメチルアジペートが得られるとは予測外である
。
、前記公報に例示されているようにプロペンのようなより単純な分子から出発す
る場合よりも直鎖生成物に対する高い選択性が得られようとは予測されていなか
った。US−A−5679831を斟酌すると、あまり好ましいとはいえない出
発化合物の1つとして引用されている化合物を使用した場合に、前記公報に開示
された化合物よりも高い収率でジメチルアジペートが得られるとは予測外である
。
【0017】
本方法は比較的低い温度で実施可能であるので特に有利である。パラジウム、
ホスフィン類および酸類を含む触媒系の使用にしばしば生じる問題は、高い温度
、特に120℃を上回る温度で工業的に応用するためには触媒の安定性があまり
に低くなることにある。本触媒は120℃未満の温度、特に110℃未満の温度
で、工業的に許容可能な活性をもっているので、本方法によって消費される触媒
は少なくて済むことになる。
ホスフィン類および酸類を含む触媒系の使用にしばしば生じる問題は、高い温度
、特に120℃を上回る温度で工業的に応用するためには触媒の安定性があまり
に低くなることにある。本触媒は120℃未満の温度、特に110℃未満の温度
で、工業的に許容可能な活性をもっているので、本方法によって消費される触媒
は少なくて済むことになる。
【0018】
加えて、本発明による方法はε−カプロラクタムを調製する方法に有利に利用
できる。ε−カプロラクタムはペンテンニトリルに基づいて高い選択性を持って
得られる。このペンテンニトリルはまたUS−A−5821378によればブタ
ジエンから95%を上回る高い選択性で調製可能である。ペンテンニトリルの5
−シアノ吉草酸またはエステルへのカルボニル化は、ペンテンニトリルの96%
変換において、5−シアノ吉草酸エステルに対して96%の選択性を持って行わ
れることが今のところわかっている。ε−カプロラクタムを得るため、6−アミ
ノカプロン酸、各6−アミノカプロン酸エステルに対して水素を添加し、水また
はアルコールを除去することは、EP−A−729943およびWO−A−98
37063に実証されるように、化学的には還元型アミノ化および環化ステップ
と非常に類似している。したがってこれらのステップに匹敵する約100%の選
択性が想定される。ブタジエンから95%の選択性で得られたペンテンニトリル
を使用することによって、本方法ではブタジエンに基づいてε−カプロラクタム
に対する全体の選択性約90%が可能となる。
できる。ε−カプロラクタムはペンテンニトリルに基づいて高い選択性を持って
得られる。このペンテンニトリルはまたUS−A−5821378によればブタ
ジエンから95%を上回る高い選択性で調製可能である。ペンテンニトリルの5
−シアノ吉草酸またはエステルへのカルボニル化は、ペンテンニトリルの96%
変換において、5−シアノ吉草酸エステルに対して96%の選択性を持って行わ
れることが今のところわかっている。ε−カプロラクタムを得るため、6−アミ
ノカプロン酸、各6−アミノカプロン酸エステルに対して水素を添加し、水また
はアルコールを除去することは、EP−A−729943およびWO−A−98
37063に実証されるように、化学的には還元型アミノ化および環化ステップ
と非常に類似している。したがってこれらのステップに匹敵する約100%の選
択性が想定される。ブタジエンから95%の選択性で得られたペンテンニトリル
を使用することによって、本方法ではブタジエンに基づいてε−カプロラクタム
に対する全体の選択性約90%が可能となる。
【0019】
発明の詳細な説明
第VIII族の金属の中では、コバルト、ニッケル、パラジウム、ロジウムお
よびプラチナが挙げられる。これらのうちパラジウムが特に好ましい。第VII
I族の金属供給源として以下さらに例を挙げると、パラジウム源としては、金属
パラジウムもしくは好ましくはパラジウム化合物、とりわけパラジウム塩が使用
され得る。本発明の方法に使用されるパラジウム化合物は、式(I)によって特
定された配位子のパラジウム錯体の形で供給されてもよい。また好都合なことに
、パラジウム化合物は、パラジウム供給源および配位子供給源を反応に加えるこ
とによってもインシトゥに生成し得る。パラジウムの適切な供給源には、Pd(
0)(ジベンジルアセトン)2、酢酸パラジウム、プロピオン酸パラジウム、酪
酸パラジウムまたは安息香酸パラジウム等のカルボン酸のパラジウム塩および無
機酸のパラジウム塩が含まれる。さらに供給源には、アセチルアセトン酸パラジ
ウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムおよびビス(トリオト
リルホスフィン)酢酸パラジウム等のパラジウム錯体が含まれる。パラジウムは
異なる形態、例えば、イオン交換樹脂に充填する等の形態で使用してもよい。
よびプラチナが挙げられる。これらのうちパラジウムが特に好ましい。第VII
I族の金属供給源として以下さらに例を挙げると、パラジウム源としては、金属
パラジウムもしくは好ましくはパラジウム化合物、とりわけパラジウム塩が使用
され得る。本発明の方法に使用されるパラジウム化合物は、式(I)によって特
定された配位子のパラジウム錯体の形で供給されてもよい。また好都合なことに
、パラジウム化合物は、パラジウム供給源および配位子供給源を反応に加えるこ
とによってもインシトゥに生成し得る。パラジウムの適切な供給源には、Pd(
0)(ジベンジルアセトン)2、酢酸パラジウム、プロピオン酸パラジウム、酪
酸パラジウムまたは安息香酸パラジウム等のカルボン酸のパラジウム塩および無
機酸のパラジウム塩が含まれる。さらに供給源には、アセチルアセトン酸パラジ
ウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムおよびビス(トリオト
リルホスフィン)酢酸パラジウム等のパラジウム錯体が含まれる。パラジウムは
異なる形態、例えば、イオン交換樹脂に充填する等の形態で使用してもよい。
【0020】
好ましくは、アルカン酸のパラジウム塩、例えば酢酸、プロピオン酸またはト
リフルオロ酢酸といった特に炭素原子12個までのアルカン酸が使用される。
リフルオロ酢酸といった特に炭素原子12個までのアルカン酸が使用される。
【0021】
式Iの二座において、M1、M2は同一であって、特にそれらは両者とも燐原
子を示すことが好ましい。
子を示すことが好ましい。
【0022】
好ましいパラジウム原子に対して二座配位を可能にするために、触媒系の二座
ジホスフィン配位子は二座配位モードに対して立体障害を与える置換基を含まな
い方がよい。特に、二価の架橋基Rは立体障害を与える置換基を含まない方がよ
い。架橋基Rは好ましくは3から20個の原子からなる有機二価の基である。好
ましくは、この2個の燐原子を結合している原子の鎖は末端のヘテロ原子を含ま
ない。より好ましくは、架橋基は炭素原子のみからなる。可能な架橋基の例とし
ては、置換されているかまたは置換されていない二価のアリール基、例えばジキ
シリルがある。架橋基のもう1つの好ましい基としては、C3〜C5アルキレン
基、すなわち、トリメチレン、テトラメチレンおよびペンタメチレンがあり、こ
のうちトリメチレンがもっとも好ましい。
ジホスフィン配位子は二座配位モードに対して立体障害を与える置換基を含まな
い方がよい。特に、二価の架橋基Rは立体障害を与える置換基を含まない方がよ
い。架橋基Rは好ましくは3から20個の原子からなる有機二価の基である。好
ましくは、この2個の燐原子を結合している原子の鎖は末端のヘテロ原子を含ま
ない。より好ましくは、架橋基は炭素原子のみからなる。可能な架橋基の例とし
ては、置換されているかまたは置換されていない二価のアリール基、例えばジキ
シリルがある。架橋基のもう1つの好ましい基としては、C3〜C5アルキレン
基、すなわち、トリメチレン、テトラメチレンおよびペンタメチレンがあり、こ
のうちトリメチレンがもっとも好ましい。
【0023】
架橋基は、場合によっては、置換基が二座配位子の配位形態に対して立体障害
を与えないものであることを前提に1つまたは複数の置換基によって置換されて
いてもよい。可能な置換基の例としては、例えば1から4個の炭素原子を持つア
ルキル基がある。
を与えないものであることを前提に1つまたは複数の置換基によって置換されて
いてもよい。可能な置換基の例としては、例えば1から4個の炭素原子を持つア
ルキル基がある。
【0024】
本明細書において、R1からR4で示されるアルキル基は環構造を包含する。
R1およびR2および/またはR3およびR4は1つの環状構造を形成してもよ
い。場合によってはヘテロ原子を含んでいてもよい。より好ましくは、R1およ
びR2および/またはR3およびR4は二価のラジカル(遊離基)を示す。この
二価のラジカルは、(燐原子と一緒になっている、つまりこの燐原子に二価のラ
ジカルが付加している)アルキルに置換された2−ホスファトリシクロ[3.3
.1.1{3,7}]デシル基またはその誘導体であって、その1つまたは複数
の炭素原子がヘテロ原子に置換されている。好ましくは、アルキルに置換された
2−ホスファ−トリシクロ[3.3.1.1{3,7}]デシル基を含む配位子
は、式IIに従う化合物である。この式中R5は、1〜6個の炭素原子のアルキ
ル基、好ましくはメチルである。このような配位子の例およびその調製は、WO
−A−9842717に詳しく記載されている。
R1およびR2および/またはR3およびR4は1つの環状構造を形成してもよ
い。場合によってはヘテロ原子を含んでいてもよい。より好ましくは、R1およ
びR2および/またはR3およびR4は二価のラジカル(遊離基)を示す。この
二価のラジカルは、(燐原子と一緒になっている、つまりこの燐原子に二価のラ
ジカルが付加している)アルキルに置換された2−ホスファトリシクロ[3.3
.1.1{3,7}]デシル基またはその誘導体であって、その1つまたは複数
の炭素原子がヘテロ原子に置換されている。好ましくは、アルキルに置換された
2−ホスファ−トリシクロ[3.3.1.1{3,7}]デシル基を含む配位子
は、式IIに従う化合物である。この式中R5は、1〜6個の炭素原子のアルキ
ル基、好ましくはメチルである。このような配位子の例およびその調製は、WO
−A−9842717に詳しく記載されている。
【0025】
【化1】
好ましくは、第3級アルキル基は、非環状第3級アルキル基である。適切な非
環状第3級アルキル基の例には、tert−ブチル、2−(2−メチル)ブチル
、2−(2−エチル)ブチル、2−(2−メチル)ペンチルおよび2−(2−エ
チル)ペンチル基がある。R1からR4基は同一の第3級アルキル基を示すのが
好ましく、R1からR4基はtert−ブチル基であることが最も好ましい。
環状第3級アルキル基の例には、tert−ブチル、2−(2−メチル)ブチル
、2−(2−エチル)ブチル、2−(2−メチル)ペンチルおよび2−(2−エ
チル)ペンチル基がある。R1からR4基は同一の第3級アルキル基を示すのが
好ましく、R1からR4基はtert−ブチル基であることが最も好ましい。
【0026】
可能な配位子の例には、1,4−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)ブ
タン、1,5−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)ペンタン、1,3−ビ
ス(ジ−2−(2−メチル)ブチルホスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジ−
2−(2−エチル)ブチルホスフィノ)プロパン、1,3−P,P’−ジ(2−
ホスファ−1,3,5,7−テトラメチル−6,9,10−トリオキサトリシク
ロ[3.3.1.1{3.7}]デシル)プロパン(DPA3)、1,4−P,
P’−ジ(2−ホスファ−1,3,5,7−テトラメチル−6,9,10−トリ
オキサトリシクロ[3.3.1.1{3.7}]デシル)ブタン、1,2−ビス
(ジ−2−(2−メチル)ブチルホスフィノメチル)ベンゼンがある。
タン、1,5−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)ペンタン、1,3−ビ
ス(ジ−2−(2−メチル)ブチルホスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジ−
2−(2−エチル)ブチルホスフィノ)プロパン、1,3−P,P’−ジ(2−
ホスファ−1,3,5,7−テトラメチル−6,9,10−トリオキサトリシク
ロ[3.3.1.1{3.7}]デシル)プロパン(DPA3)、1,4−P,
P’−ジ(2−ホスファ−1,3,5,7−テトラメチル−6,9,10−トリ
オキサトリシクロ[3.3.1.1{3.7}]デシル)ブタン、1,2−ビス
(ジ−2−(2−メチル)ブチルホスフィノメチル)ベンゼンがある。
【0027】
特に好ましい二座配位子は:1,3−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ
)プロパンおよび1,2−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノメチル)ベン
ゼンである。ここで架橋基は、場合によっては、上記で記載されたようにさらに
置換されていてもよい。
)プロパンおよび1,2−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノメチル)ベン
ゼンである。ここで架橋基は、場合によっては、上記で記載されたようにさらに
置換されていてもよい。
【0028】
3.0未満のpKaを有する酸は非配位アニオンを持つことが好ましい。これ
は、パラジウムとこのアニオンの間に共有的な相互作用が少ししかないかあるい
はまったくないことを意味する。このようなアニオンの典型的な例には、PF6 − 、SbF6 −、BF4 −、およびClO4 −がある。好ましい酸は、例えばス
ルホン酸、および、例えばBF3、AsF5、SbF5、PF5、TaF5、ま
たはNbF5等のルイス酸と例えばハイドロハロゲン酸、特にHF、フルオロス
ルホン酸、燐酸、または硫酸等のブレンステッド酸とを相互作用させてインシト
ゥで形成され得る酸である。後者の酸の具体的な例には、フルオロ珪酸、HBF3 、HPF6、およびHSbF6がある。適切なスルホン酸の例にはフルオロス
ルホン酸、クロロスルホン酸、およびこれ以降指定されるスルホン酸がある。3
.0未満のpKaを持つ酸の好ましいグループは一般式IIIを有する。
は、パラジウムとこのアニオンの間に共有的な相互作用が少ししかないかあるい
はまったくないことを意味する。このようなアニオンの典型的な例には、PF6 − 、SbF6 −、BF4 −、およびClO4 −がある。好ましい酸は、例えばス
ルホン酸、および、例えばBF3、AsF5、SbF5、PF5、TaF5、ま
たはNbF5等のルイス酸と例えばハイドロハロゲン酸、特にHF、フルオロス
ルホン酸、燐酸、または硫酸等のブレンステッド酸とを相互作用させてインシト
ゥで形成され得る酸である。後者の酸の具体的な例には、フルオロ珪酸、HBF3 、HPF6、およびHSbF6がある。適切なスルホン酸の例にはフルオロス
ルホン酸、クロロスルホン酸、およびこれ以降指定されるスルホン酸がある。3
.0未満のpKaを持つ酸の好ましいグループは一般式IIIを有する。
【0029】
【化2】
ここで、Xは硫黄または塩素原子を示し、Xが塩素原子を示す場合R6は酸素原
子を示し、またXが硫黄原子を示す場合R6はOH基または炭化水素基、例えば
アルキル基またはアリール基を示す。これらは置換されていても置換されていな
くてもよい。一般式IIIの適切な酸の例には、過塩素酸、硫酸、2−ヒドロキ
シプロパン−2−スルホン酸、p−トルエンスルホン酸、tert−ブチルスル
ホン酸、メチルスルホン酸がある。一般式IIIの酸はまた、スルホン酸基を含
むイオン交換体、例えばアンバーライト252H(「アンバーライト」は商品名
)等であってよい。その場合、炭化水素基R6はスルホン酸基で置換された高分
子炭化水素基(例えばポリスチレン基等)を示す。
子を示し、またXが硫黄原子を示す場合R6はOH基または炭化水素基、例えば
アルキル基またはアリール基を示す。これらは置換されていても置換されていな
くてもよい。一般式IIIの適切な酸の例には、過塩素酸、硫酸、2−ヒドロキ
シプロパン−2−スルホン酸、p−トルエンスルホン酸、tert−ブチルスル
ホン酸、メチルスルホン酸がある。一般式IIIの酸はまた、スルホン酸基を含
むイオン交換体、例えばアンバーライト252H(「アンバーライト」は商品名
)等であってよい。その場合、炭化水素基R6はスルホン酸基で置換された高分
子炭化水素基(例えばポリスチレン基等)を示す。
【0030】
もう1つの可能な酸は次の一般式IVに従う。
【0031】
【化3】
ここで、R7は、−OH基または、例えばアルキル基またはアリール基といった
炭化水素基である。これらは置換されていても置換されていなくてもよい。例と
しては燐酸、メチルホスホン酸、フェニルホスホン酸がある。
炭化水素基である。これらは置換されていても置換されていなくてもよい。例と
しては燐酸、メチルホスホン酸、フェニルホスホン酸がある。
【0032】
前記に述べた酸を本発明による方法に使用すると、この酸のアニオンは非配位
であると考えられる。酸と金属(a)のモル比は、1:1と10:1の間が好ま
しく、1:1と5:1の間がより好ましい。
であると考えられる。酸と金属(a)のモル比は、1:1と10:1の間が好ま
しく、1:1と5:1の間がより好ましい。
【0033】
ハロゲンイオンは腐食性であるので、本発明の触媒系におけるパラジウムの供
給源は、ハロゲン化合物またはハロゲンイオンを生成する化合物でないことが好
ましい。しかし少量のハロゲンの存在は有利である。場合によっては他の促進剤
が存在していてもよい。
給源は、ハロゲン化合物またはハロゲンイオンを生成する化合物でないことが好
ましい。しかし少量のハロゲンの存在は有利である。場合によっては他の促進剤
が存在していてもよい。
【0034】
好都合なことに、本発明の触媒系は、カルボニル化反応に先んじて、別のステ
ップで、パラジウム供給源および式Iの二座配位子を組み合わせることによって
得られる。パラジウム化合物は、上記に例示したように、適切な溶媒に溶解し続
いて二座配位子と混合することが適切である。この二座配位子と金属(a)のモ
ル比は1:1から5:1の範囲が好ましく、1:1から3:1の範囲がより好ま
しい。これらの低いモル比が適用可能であることは有利で、それにより、過剰な
二座配位子の使用が回避され、よってこれら通常高価な化合物の消費が減らされ
る。
ップで、パラジウム供給源および式Iの二座配位子を組み合わせることによって
得られる。パラジウム化合物は、上記に例示したように、適切な溶媒に溶解し続
いて二座配位子と混合することが適切である。この二座配位子と金属(a)のモ
ル比は1:1から5:1の範囲が好ましく、1:1から3:1の範囲がより好ま
しい。これらの低いモル比が適用可能であることは有利で、それにより、過剰な
二座配位子の使用が回避され、よってこれら通常高価な化合物の消費が減らされ
る。
【0035】
本方法に使用される触媒の量は重要ではない。良好な結果は、第VIII族の
金属の量がペンテンニトリル1モルあたり10−7から10−1グラム原子の範
囲にある場合に得られる。この量は1モルあたり10−5から5.10−2グラ
ム原子の範囲にあることが好ましい。
金属の量がペンテンニトリル1モルあたり10−7から10−1グラム原子の範
囲にある場合に得られる。この量は1モルあたり10−5から5.10−2グラ
ム原子の範囲にあることが好ましい。
【0036】
カルボニル化方法が水の存在下で実施されるとすれば、得られる生成物は5−
シアノ吉草酸となる。副生成物はおもに少量の分岐シアノ酸となる。5−シアノ
吉草酸は、本発明による方法によって得られるように、好ましくは5−シアノ吉
草酸エステルの加水分解によって得られる。
シアノ吉草酸となる。副生成物はおもに少量の分岐シアノ酸となる。5−シアノ
吉草酸は、本発明による方法によって得られるように、好ましくは5−シアノ吉
草酸エステルの加水分解によって得られる。
【0037】
本発明による方法において、カルボニル化がアルコールの存在下で実施される
なら、5−シアノ吉草酸エステルは直接的に得られる。適切なアルコールには、
特に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロパノール
、フェノール等の1モルあたり1〜6個の炭素原子を持つ脂肪族一価アルコール
、およびエチレングリコール、1,3−プロパンジオール等の二価アルコールが
含まれる。特にメタノールが好ましい。5−シアノ吉草酸エステルを生成物とし
て所望する場合、水の存在を避けるのが好ましい。本方法は、例えばトリメチル
オルソホルマートといった水回収剤の存在下で行われるのがより好ましい。
なら、5−シアノ吉草酸エステルは直接的に得られる。適切なアルコールには、
特に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロパノール
、フェノール等の1モルあたり1〜6個の炭素原子を持つ脂肪族一価アルコール
、およびエチレングリコール、1,3−プロパンジオール等の二価アルコールが
含まれる。特にメタノールが好ましい。5−シアノ吉草酸エステルを生成物とし
て所望する場合、水の存在を避けるのが好ましい。本方法は、例えばトリメチル
オルソホルマートといった水回収剤の存在下で行われるのがより好ましい。
【0038】
アルコールまたは水の量は重要ではない。水またはアルコールのペンテニトリ
ルに対するモル比は、等モルあたりから水またはアルコールが過剰である範囲で
よい。アルコールまたは水は場合によっては反応溶媒としても作用するが、所望
であれば別個の溶媒も使用し得る。
ルに対するモル比は、等モルあたりから水またはアルコールが過剰である範囲で
よい。アルコールまたは水は場合によっては反応溶媒としても作用するが、所望
であれば別個の溶媒も使用し得る。
【0039】
別の溶媒は、もし存在するなら、パラジウム化合物と弱く配位する化合物が好
ましい。適切な溶媒の例には、アセトニトリル、エタノール、アセトン、アセチ
ルアセトン、トルエン、スルホラン、およびエーテル類:例えばジエチレングリ
コールのジメチルエーテル、アニソールジフェニルエーテルがある。
ましい。適切な溶媒の例には、アセトニトリル、エタノール、アセトン、アセチ
ルアセトン、トルエン、スルホラン、およびエーテル類:例えばジエチレングリ
コールのジメチルエーテル、アニソールジフェニルエーテルがある。
【0040】
本発明によるカルボニル化反応は、中程度の温度および圧力で実施される。適
切な反応温度は50〜250℃の範囲、好ましくは80〜125℃の範囲である
。反応圧力は通常少なくとも大気圧である。適切な圧力は1〜100バールの範
囲、好ましくは5〜50バールの範囲である。
切な反応温度は50〜250℃の範囲、好ましくは80〜125℃の範囲である
。反応圧力は通常少なくとも大気圧である。適切な圧力は1〜100バールの範
囲、好ましくは5〜50バールの範囲である。
【0041】
本反応に必要とされる一酸化炭素は、実質的に純粋な形で供給され得るかある
いは窒素、水素等の不活性化合物が通常は少量で混入していてもよい。
いは窒素、水素等の不活性化合物が通常は少量で混入していてもよい。
【0042】
本方法は、バッチ操作あるいは連続して実施し得る。本方法の連続操作に関連
した実施形態では好都合なことに、生成物は触媒系から蒸留によって、好ましく
はワイプトフィルムエバポレータ(wiped film evaporator)中で単離される。
あるいは、生成物は反応混合物からガスを使用して取り出すこともできる。
した実施形態では好都合なことに、生成物は触媒系から蒸留によって、好ましく
はワイプトフィルムエバポレータ(wiped film evaporator)中で単離される。
あるいは、生成物は反応混合物からガスを使用して取り出すこともできる。
【0043】
出発ペンテンニトリルは、2−、3−または4−ペンテンニトリルかまたはそ
の混合物でよい。これらすべての出発化合物から、本発明による方法によって直
鎖生成物に対する高い選択性が得られることがわかった。ペンテンニトリルは、
ブタジエンおよびシアン化水素から出発する、例えば、US−A−4,298,
546およびUS−A−5,821,378に記載された方法によって有利に得
られる。
の混合物でよい。これらすべての出発化合物から、本発明による方法によって直
鎖生成物に対する高い選択性が得られることがわかった。ペンテンニトリルは、
ブタジエンおよびシアン化水素から出発する、例えば、US−A−4,298,
546およびUS−A−5,821,378に記載された方法によって有利に得
られる。
【0044】
5−シアノ吉草酸またはエステルはアジピン酸またはそのエステルを調製する
ための中間生成物として使用され得る。アジピン酸はシアノ基のエステル化によ
って得られる。アジピン酸はナイロン−6.6への前駆体である。ナイロン−6
.6の別の前駆体は、1,3ジ−シアノプロパンであり、これはペンテンニトリ
ルから調製され得る。したがって、本方法はナイロン−6.6またはその前駆体
のメーカーに対して、1,3ジ−シアノプロパンを調製するために既に使用され
ている前駆体からアジピン酸への好適なルートを提供する。
ための中間生成物として使用され得る。アジピン酸はシアノ基のエステル化によ
って得られる。アジピン酸はナイロン−6.6への前駆体である。ナイロン−6
.6の別の前駆体は、1,3ジ−シアノプロパンであり、これはペンテンニトリ
ルから調製され得る。したがって、本方法はナイロン−6.6またはその前駆体
のメーカーに対して、1,3ジ−シアノプロパンを調製するために既に使用され
ている前駆体からアジピン酸への好適なルートを提供する。
【0045】
本発明の方法によって調製された5−シアノ吉草酸またはエステルは、ε−カ
プロラクタムを調製するための方法にさらに有利に使用され得る。
プロラクタムを調製するための方法にさらに有利に使用され得る。
【0046】
本発明はまたこのようにペンテンニトリルからε−カプロラクタムを調製する
方法をも提供する。その方法は (i)本明細書上記に記載された方法によるペンテンニトリルの5−シアノ吉
草酸またはエステルへのカルボニル化、 (ii)ステップ(i)で得られた5−シアノ吉草酸またはエステルの6−ア
ミノカプロン酸またはエステルへの還元、 (iii)6−アミノカプロン酸またはエステルのε−カプロラクタムへの環
化を含む。
方法をも提供する。その方法は (i)本明細書上記に記載された方法によるペンテンニトリルの5−シアノ吉
草酸またはエステルへのカルボニル化、 (ii)ステップ(i)で得られた5−シアノ吉草酸またはエステルの6−ア
ミノカプロン酸またはエステルへの還元、 (iii)6−アミノカプロン酸またはエステルのε−カプロラクタムへの環
化を含む。
【0047】
このステップ(i)で得られた5−シアノ吉草酸またはエステルは同種の触媒
系から例えば、蒸留、抽出、相分離、または結晶化(中でも、蒸留が好ましい)
によって分離され得る。触媒系は、カルボニル化反応の中で再び有利に使用され
る。
系から例えば、蒸留、抽出、相分離、または結晶化(中でも、蒸留が好ましい)
によって分離され得る。触媒系は、カルボニル化反応の中で再び有利に使用され
る。
【0048】
たとえ高選択性がステップ(i)で達成されたとしても、副生成物がいくつか
形成される。これらの副生成物は、例えば、5シアノ吉草酸またはエステルから
蒸留によってまたは上記に記載の技法のどれかによって分離される。しかし問題
は所望の直鎖生成物が、副生成物として形成される分岐生成物から蒸留によって
分離することが困難であることである。したがって、有利な実施形態においては
、ステップ(i)で得られた分岐および直鎖のカルボニル化された生成物の混合
物をステップ(ii)で使用し、場合によってはステップ(iii)でも使用す
る。これによって、ステップ(i)の後の精製ステップの(作業)量をさらに有
利に削減することになる。ステップ(iii)の後は、ε−カプロラクタムの精
製は過酷なので、これらの精製ステップとカルボニル化の副生成物の分離を組み
合わせることは有利である。
形成される。これらの副生成物は、例えば、5シアノ吉草酸またはエステルから
蒸留によってまたは上記に記載の技法のどれかによって分離される。しかし問題
は所望の直鎖生成物が、副生成物として形成される分岐生成物から蒸留によって
分離することが困難であることである。したがって、有利な実施形態においては
、ステップ(i)で得られた分岐および直鎖のカルボニル化された生成物の混合
物をステップ(ii)で使用し、場合によってはステップ(iii)でも使用す
る。これによって、ステップ(i)の後の精製ステップの(作業)量をさらに有
利に削減することになる。ステップ(iii)の後は、ε−カプロラクタムの精
製は過酷なので、これらの精製ステップとカルボニル化の副生成物の分離を組み
合わせることは有利である。
【0049】
これは本発明の方法で特に可能である。というのは、副生成物の含有量が現況
技術のε−カプロラクタムに至る反応経路と比較すると少ないからである。この
実施形態は、5シアノ吉草酸がステップ(i)で得られる生成物である場合にさ
らに特に有利である。沸点が近いことを考慮すると、分岐化合物類を所望の5−
シアノ吉草酸から分離することは簡単ではない。ステップ(i)でこれらの酸を
分離しないで、その代わりにステップ(ii)および(iii)で混合物として
処理することによって、より簡便な方法となる。ステップ(iii)後に生じる
分岐ラクタムからε−カプロラクタムを分離することは、例えば結晶化あるいは
蒸留によって簡単に行うことができる。
技術のε−カプロラクタムに至る反応経路と比較すると少ないからである。この
実施形態は、5シアノ吉草酸がステップ(i)で得られる生成物である場合にさ
らに特に有利である。沸点が近いことを考慮すると、分岐化合物類を所望の5−
シアノ吉草酸から分離することは簡単ではない。ステップ(i)でこれらの酸を
分離しないで、その代わりにステップ(ii)および(iii)で混合物として
処理することによって、より簡便な方法となる。ステップ(iii)後に生じる
分岐ラクタムからε−カプロラクタムを分離することは、例えば結晶化あるいは
蒸留によって簡単に行うことができる。
【0050】
場合によってはステップ(i)で使用された同種の触媒をステップ(ii)の
後、反応混合物から分離する。
後、反応混合物から分離する。
【0051】
ステップ(ii)は、よく知られている還元技法によって行い得る。このステ
ップでは、水素をステップ(i)で得られたシアノ化合物と、還元触媒、適切に
はCuまたは第VIII族金属(例えばPt、Pd、Ni、Co、RuまたはF
e)の存在下で接触させる。この触媒は同種の触媒、例えばステップ(i)で使
用された触媒である。好ましくは異種の触媒を使用する。還元触媒の例としては
、ラネーNi、ラネーコバルトおよびCo/Cu触媒がある。
ップでは、水素をステップ(i)で得られたシアノ化合物と、還元触媒、適切に
はCuまたは第VIII族金属(例えばPt、Pd、Ni、Co、RuまたはF
e)の存在下で接触させる。この触媒は同種の触媒、例えばステップ(i)で使
用された触媒である。好ましくは異種の触媒を使用する。還元触媒の例としては
、ラネーNi、ラネーコバルトおよびCo/Cu触媒がある。
【0052】
ステップ(iii)は適切な溶媒中、高温で適宜行われる。適切な溶媒は、水
、高沸点の炭化水素およびアルコールであり、好ましくは6−アミノカプロエー
トエステルに対応するアルコールである。ステップ(iii)では、例えばUS
−A−5780623で記載されたように、好ましくは水を溶媒として使用し、
また6−アミノカプロン酸を出発化合物として使用する。温度は280と400
℃の間が好ましい。ステップ(i)で5−シアノ吉草酸エステルが得られるなら
、還元ステップ(ii)または環化ステップ(iii)に先だって、この化合物
をその対応する酸にまず加水分解することが有利である。あるいは、WO−A−
9837063に例示されているように、ステップ(ii)の水素添加された生
成物、すなわち、6−アミノカプロン酸またはそのエステルを、超加熱された蒸
気の存在下で温度270から350℃、圧力5から20バールで反応させてε−
カプロラクタムとしてもよい。
、高沸点の炭化水素およびアルコールであり、好ましくは6−アミノカプロエー
トエステルに対応するアルコールである。ステップ(iii)では、例えばUS
−A−5780623で記載されたように、好ましくは水を溶媒として使用し、
また6−アミノカプロン酸を出発化合物として使用する。温度は280と400
℃の間が好ましい。ステップ(i)で5−シアノ吉草酸エステルが得られるなら
、還元ステップ(ii)または環化ステップ(iii)に先だって、この化合物
をその対応する酸にまず加水分解することが有利である。あるいは、WO−A−
9837063に例示されているように、ステップ(ii)の水素添加された生
成物、すなわち、6−アミノカプロン酸またはそのエステルを、超加熱された蒸
気の存在下で温度270から350℃、圧力5から20バールで反応させてε−
カプロラクタムとしてもよい。
【0053】
本発明は、次の非制限的な実施例によって例示される。
【0054】
実施例1〜9および比較例A〜D
実施例1〜9および比較例A〜Dは、磁気的に攪拌される250mlのオート
クレーブ(ハステロイC(Hastelloy C、(商標))中で実施した。
オートクレーブにメタノールおよび任意の溶媒を所与の量、3−ペンテンニトリ
ルを20ml、0.25ミリモルのパラジウム(II)酢酸、選択されたホスフ
ィンおよび酸を所与の量充填した。酢酸パラジウム/ホスフィンを窒素雰囲気下
で充填した。オートクレーブを閉じた後、排気を行い、60バールの一酸化炭素
をそこに供給した。オートクレーブを所望の温度にまで加熱した。初期のカルボ
ニル化の速度は、反応最初の一時間の単位時間あたりの圧力の低下から決定した
。全体として10時間の反応を行った後、オートクレーブを室温まで冷却し、そ
の後徐々に圧力を低下させた。シアノエステル生成物の選択性および直鎖性およ
び変換率は反応生成物のガス液体クロマトグラフィ分析によって決定した。溶媒
、分量、条件および結果については表1参照のこと。
クレーブ(ハステロイC(Hastelloy C、(商標))中で実施した。
オートクレーブにメタノールおよび任意の溶媒を所与の量、3−ペンテンニトリ
ルを20ml、0.25ミリモルのパラジウム(II)酢酸、選択されたホスフ
ィンおよび酸を所与の量充填した。酢酸パラジウム/ホスフィンを窒素雰囲気下
で充填した。オートクレーブを閉じた後、排気を行い、60バールの一酸化炭素
をそこに供給した。オートクレーブを所望の温度にまで加熱した。初期のカルボ
ニル化の速度は、反応最初の一時間の単位時間あたりの圧力の低下から決定した
。全体として10時間の反応を行った後、オートクレーブを室温まで冷却し、そ
の後徐々に圧力を低下させた。シアノエステル生成物の選択性および直鎖性およ
び変換率は反応生成物のガス液体クロマトグラフィ分析によって決定した。溶媒
、分量、条件および結果については表1参照のこと。
【0055】
実施例10
1,3−P,P’−ジ(2−ホスファ−1,3,5,7−テトラメチル−6,
9,10−トリオキサトリシクロ[3.3.1.1{3.7}デシル]プロパン
(DPA3)を配位子として、0.5ミリモルのCH3SO3H、10mlのペ
ンテンニトリル、および40mlのメタノールの存在状態、115℃にて使用し
た以外は実施例1を繰り返した。初期速度は(モル/モル/時間)は100であ
った。変換率は10時間後で70%であった。シアノエステル類の選択性は98
%であった。直鎖率は88%であった。
9,10−トリオキサトリシクロ[3.3.1.1{3.7}デシル]プロパン
(DPA3)を配位子として、0.5ミリモルのCH3SO3H、10mlのペ
ンテンニトリル、および40mlのメタノールの存在状態、115℃にて使用し
た以外は実施例1を繰り返した。初期速度は(モル/モル/時間)は100であ
った。変換率は10時間後で70%であった。シアノエステル類の選択性は98
%であった。直鎖率は88%であった。
【0056】
実施例11
オートクレーブに10mlのメタノール、40mlのアニソール、20mlの
2−ペンテンニトリル、0.25ミリモルのパラジウム(II)酢酸、0.6ミ
リモルの1,3−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)プロパンおよび2ミ
リモルのtert−ブチルスルホン酸を充填した以外は実施例1を繰り返した。
パラジウム酢酸/ホスフィンを窒素雰囲気下で充填した。オートクレーブを閉じ
た後、排気を行い、60バールの一酸化炭素をそこに供給した。オートクレーブ
を125℃まで加熱した。初期速度(モル/モル/時間)は200であった。変
換率は4時間後で74%であった。シアノエステル類の選択性は98%であった
。直鎖率は92.5%であった。
2−ペンテンニトリル、0.25ミリモルのパラジウム(II)酢酸、0.6ミ
リモルの1,3−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノ)プロパンおよび2ミ
リモルのtert−ブチルスルホン酸を充填した以外は実施例1を繰り返した。
パラジウム酢酸/ホスフィンを窒素雰囲気下で充填した。オートクレーブを閉じ
た後、排気を行い、60バールの一酸化炭素をそこに供給した。オートクレーブ
を125℃まで加熱した。初期速度(モル/モル/時間)は200であった。変
換率は4時間後で74%であった。シアノエステル類の選択性は98%であった
。直鎖率は92.5%であった。
【0057】
【表1】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
// C07B 61/00 300 C07B 61/00 300
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF
,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,
ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G
M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ
,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,
MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,
AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B
Z,CA,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK
,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,
GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,J
P,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR
,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,
MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,R
O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ
,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,UZ,VN,
YU,ZA,ZW
(72)発明者 ヤーヘル,ウイレム・ワーベ
オランダ国、エヌ・エル−1031・セー・エ
ム・アムステルダム、バドハイスウエヒ・
3
Fターム(参考) 4C034 DE03
4G069 AA06 BA21A BA21B BA27A
BA27B BA42A BC69A BC72A
BC72B BE22A BE22B BE26A
BE26B BE27A BE31A CB25
CB72
4H006 AA02 AC46 AC48 BA17 BA25
BA48 BA52 BB14 BB31 BC10
BC32 BE40 QN30
4H039 CA65 CA66 CF10
Claims (11)
- 【請求項1】 ペンテンニトリルをカルボニル化して5−シアノ吉草酸また
はそのエステルを調製する方法であって、ペンテンニトリルを一酸化炭素および
水またはアルコールと触媒系の存在下で反応させ、該触媒系が、 (a)第VIII族の金属またはその化合物、 (b)一般式(I): R1R2−M1−R−M2−R3R4 I [式中、M1およびM2は独立にP、AsまたはSbであり、Rは二価の有機
架橋基であり、前記架橋基は、2個の燐原子を直接につなぐ3〜5個の原子の鎖
を含み、前記鎖は、炭素原子および場合によっては窒素、酸素もしくは硫黄原子
またはシラノもしくはジアルキルシリコン基からなり、アルキル基は独立に1〜
4個の炭素原子を含み、R1〜R4は、同一または異なった置換されていてもよ
い第3級アルキル基を示す]で表される二座ホスフィン、アルシンおよび/また
はスチビン配位子、 (c)水性溶液中18℃で測定した場合、3未満のpKaを有する酸 を含んでなる、前記方法。 - 【請求項2】 式Iの二座配位子がビスホスフィン配位子であり、R1〜R4 が同一の第3級アルキル基を示す、請求項1に記載の方法。
- 【請求項3】 R1〜R4が第3級ブチル基を示す、請求項1または2に記
載の方法。 - 【請求項4】 RがC3〜C5アルキレン基である、請求項1〜3のいずれ
か一項に記載の方法。 - 【請求項5】 二座配位子が1,3−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィ
ノ)プロパンまたは1,2−ビス(ジ−tert−ブチルホスフィノメチル)ベ
ンゼンである、請求項4に記載の方法。 - 【請求項6】 第VIII族の金属がパラジウムである、請求項1〜5のい
ずれか一項に記載の方法。 - 【請求項7】 配位子(b)と金属(a)のモル比が1:1〜5:1の範囲
にある、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項8】 温度が80〜125℃である、請求項1〜7のいずれか一項
に記載の方法。 - 【請求項9】 酸化合物(c)と金属(a)のモル比が1:1〜5:1の間
である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項10】 ペンテンニトリルからε−カプロラクタムを調製する方法
であって、 (i)請求項1〜11のいずれか一項に記載の、ペンテンニトリルの5−シア
ノ吉草酸またはエステルへのカルボニル化、 (ii)ステップ(i)で得られた5−シアノ吉草酸またはエステルの6−ア
ミノカプロン酸またはエステルへの還元、 (iii)前記6−アミノカプロン酸またはエステルのε−カプロラクタムへ
の環化 を含む方法。 - 【請求項11】 ステップ(i)で得られた分岐鎖および直鎖のカルボニル
化生成物の混合物をステップ(ii)および/またはステップ(iii)で使用
する、請求項10に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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EP00200926 | 2000-03-14 | ||
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