JP2003521806A - 2次リードフレームを利用するic積層体 - Google Patents

2次リードフレームを利用するic積層体

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Abstract

(57)【要約】 電子的密度をもたらすためにICチップを含む層を積重ねるような構造およびプロセスが開示される。各層は、ICを含むTSOPを外部リードフレームと機械的および電気的に接合することによって形成される。各リードフレームは、TSOPリードと接続し、TSOPの周辺上の他の場所に信号を転移し、および/または積層体中の他の層と接続するよう配置される導体を含む。TSOP/リードフレーム層は積重ねられ接合され、最下層のリードフレーム端子は、PCBまたは他の回路構成との接続を促進するよう配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の背景】
この発明は、IC(半導体集積回路)チップを含む層を積重ね、これによって
高密度の電子回路を獲得することに関する。一般的には、この発明の目的は、妥
当なコストと高回路密度を組合せることである。この発明の独特の局面は、これ
が、TSOP(シン・スモール・アウトライン・パッケージ)中の市場で入手可
能なICを積重ねる非常に低コストの方法を提供する一方で、積層体の上層から
基底へいくつかの非共通I/O(入力/出力)信号の独立の経路付けを可能とす
ることである。コスト削減は、比較的低コストのリードフレームと、予めパッケ
ージされかつ予めテストされた既製のICを積重ねる能力とを利用することによ
って達成される。
【0002】 先行技術の開示のほとんどは、複数のパッケージされていないICチップを積
重ねる方法を記載する。オグチ(Oguchi)らの特許番号第5,332,922号
と、ミヤノ(Miyano)らの特許番号第5,440,171号と、チョイ(Choi)
らの特許番号第5,677,569号とは、単一のパッケージ内にICチップを
積重ねる方法を開示する。ジェオン(Jeong)らの特許番号第5,744,82
7号は、積重ね可能であるが、既製のパッケージされたICの使用を可能とはし
ない新しいタイプのカスタムチップパッケージングを開示する。バーンズ(Burn
s)の特許番号第5,484,959号は、各TSOPの上および下に装着され
た複数のリードフレームと、垂直母線相互接続のシステムとを必要とするが、垂
直に相互接続するリードの数の拡大を都合よく可能としない、TSOPパッケー
ジの積重ねの方法を示す。
【0003】
【発明の概要】
この出願は、垂直方向に電気的に相互接続され、PCB(プリント回路基板)
上に装着するのに好適であるICの積層体を開示する。この出願はさらに、標準
のTSOPパッケージで始まりかつリードフレーム相互接続を用いて積重ねられ
たICを含むパッケージを製造するための方法を開示する。
【0004】 リードフレームは、適切なジオメトリで配置され標準のTSOPのリードと接
触する導体を含む、所望の相互接続のための適切なジオメトリからなる導体を製
造するためにエッチングされる金属箔からなる。金属箔は、処理中に、エッチン
グされた導体をその適切なジオメトリに保持し、かつ、寸法的に規定されたガイ
ドを設けてTSOPと箔を製造のため整列させる機能を果たすエッチングされて
いない金属からなる縁またはタイバーを含むが、このタイバーは、その機能を終
えた後にその後の処理ステップにおいてトリミングして除去される。リードフレ
ームは、TSOPのリードがリードフレーム上のその対応する導体とはんだづけ
で接触するように、TSOPに接合される。リードフレームは、初めに接着剤を
用いてTSOPに接合されてから、その後に高温はんだづけされてもよく、また
は、依然として整列状態に保持されている一方で高温はんだづけですぐに接合さ
れてもよい。もしはんだづけがプロセス中のこの段階でなされるならば、はんだ
は、プロセスにおいて後に用いられるはんだよりもより高い融解温度を有してい
るべきである。次に、リードフレームはトリミングされ、その突出した導体は、
下方向に形成され、このため各導体は、次の下のリードフレーム上の対応する導
体とはんだづけの重ね継手を形成するようになる。予めテストされたTSOPが
通常利用されるため、テストは普通不要であるが、必要とされるいかなる特別な
テストがTSOPに対して、または、TSOP/リードフレームアセンブリが積
重ねられるより前にTSOP/リードフレームアセンブリに対して行なわれても
よい。いくつかのリードフレーム/TSOPアセンブリが次に積重ねられ、接着
剤を用いてまず接合されてから、後に高温はんだづけされてもよく、または、依
然として整列状態に保持される一方で高温はんだづけによってすぐに接合されて
もよい。
【0005】 導体のジオメトリをリードフレームに配置することによってTSOP接続を異
なったリードフレーム重ね継手位置に転移するための能力と、より細かいピッチ
を備えるリードフレームのリードを製造するための能力と、リードフレーム/T
SOPアセンブリの4隅すべてにリードフレーム導体を延在させるための能力と
は、より高い入力/出力(I/O)数を可能とし、積重ねられたICの必要を満
たす。
【0006】
【詳細な説明】
この発明は、形成されたリードフレームを用いて垂直方向に電気的および機械
的に相互接続されるICの積層体からなる。積層体のエンドユーザは、PCBな
どの基板にこれを接続するであろう。ICの垂直配置は、基板上の等価の数のI
Cの従来の水平配置と比較して、かなりの基板面積を節約するであろう。
【0007】 典型的な実施例では、積層体内の各層は、図1aおよび図1bに示すような既
製の市場で入手可能なTSOP1からなり、TSOPは、図2aおよび図2bに
示すような金属リードフレーム2と組合され、金属リードフレームは、TSOP
の底面側に接着的に結合されかつTSOPのリード3にはんだづけされる。リー
ドフレームは、任意で、接着剤なしにはんだ接続のみを用いてTSOPに結合さ
れてもよい。リードフレームは、任意で、形成された金属構造体、層をなした複
合構造体、またはエッチングされた金属箔の代わりに非金属の導電構造体であっ
てもよい。リードフレームの目的は、2つの面を有する: 1) ある場合には、リードフレーム2は、積層体内の上部TSOPのリード
が同じピン名を有する下部TSOPのリードと接続可能であるように、TSOP
リードの延長部としての役割を果たす。
【0008】 2) 他の場合には、リードフレーム2は、形成後にこれらが異なった場所の
ダミーのリードと接続し積層体の基底に非共通信号を独立して与えることが可能
であるように、選択されたTSOPリード(たとえば、リードフレーム端子4を
備えるリードA4)を再経路付けする。
【0009】 副次的な利益として、リードフレーム2は、積層体中のTSOP間に挟持され
るとき、熱伝播体および放熱体としての役割を果たし、TSOPから熱を除去す
るであろう。現在記載される実施例では、リードフレームをTSOPに付与しこ
れらのアセンブリを積重ねるためのアセンブリプロセスは、以下のステップから
なる: 1) 図2aおよび図2bに示すようなリードフレームを作る。
【0010】 2) TSOP本体の底面側にエポキシまたは他の種類の接着剤5を塗布する
【0011】 3) 適切な取付具を用いて、リードフレームをTSOP本体に整列させ接着
剤を硬化してTSOP本体1の底部にリードフレーム2を固定する(図3参照)
【0012】 4) リードフレームからタイバー6をトリミングし(図4aおよび図4b参
照)、積重ねられたとき、リードフレームのリードが、積層体中の下部TSOP
のリードフレームとの重ね継手を形成するように、TSOPリード3の外側に下
方向7にリードを形成する(図5a、図5bおよび図5c参照)。代替的に、リ
リードフレームのリードは、積重ねに好適である「C」構成(図6参照)のよう
な、いかなる他の構成に形成されてもよい。積層体中の底部TSOPの底部に装
着されるリードフレームの場合には、リードは、積層体が基板にはんだづけされ
たとき応力を緩和するような構成(たとえば、ガル翼、J−リード)などの、い
かなる構成に形成されてもよい。さらに、底部リードフレームは2つのTSOP
の間に挟持されないので、任意のポリイミド層が底部TSOPに接着的に結合さ
れ、TSOP本体へのリード装着を強化してもよい。
【0013】 5) 積層体中の最上部TSOP以外の、積重ねられるべき各TSOPの上表
面にエポキシまたは他の種類の接着剤を塗布する。
【0014】 6) 適切な取付具を用いて、TSOPを装着されたリードフレームと整列さ
せ、接着剤を硬化して積層体中の各TSOPを固定する。任意で、リードフレー
ムは、整列固定される間に高温はんだでTSOPに接合され、接着剤を不要とし
てもよい。
【0015】 7) リードを有する積層体の各端を溶融はんだポット内に浸漬する。これは
、TSOPリードをリードフレームにはんだづけし、かつリードフレームの各リ
ードを、積層体中のその下のTSOPのリードフレームのリードにはんだづけす
る(図5a、図5bおよび図5c参照)。浸漬するために用いられるはんだは、
ユーザが積層体を基板にはんだづけするときにそのように形成されたはんだ接合
がリフローしないように、高い融解温度を有しているべきである。もしTSOP
がはんだづけによってリードフレーム2に先に接合されていたならば、その作業
のために用いられるはんだは、リードフレームの積層体が浸漬によって接合され
るときそのはんだ接合がリフローしないように、さらにより高い融解温度を有し
ているべきである。
【0016】 代替の実施例では、リードフレーム2は、所望の導体をエッチングし、次にP
CB誘電体の周辺をエッチ除去してリードフレームの外側のリードを露出するこ
とによってPCBから作られる。この代替の実施例では、残余のPCB誘電体は
、リード導体を適切な配向に保持し、したがって先の実施例の縁またはタイバー
6の代わりとなる。
【0017】 この発明について独特であることは、これがICメモリなどの、TSOPパッ
ケージ中の市場で入手可能なICを積重ねる非常に低コストの方法を提供するこ
とである。これはまた、上層のTSOPから積層体の基底へ下層のTSOP信号
から独立して、チップイネーブルなどのいくつかの非共通入力/出力信号および
/またはデータラインを経路付けすることを可能にする。図5は、積層体中の各
TSOPのリード「A」が積層体の基底において異なったリードへ独立して降ろ
されている場合を示す。この例では、図5aおよび図5cに「A4」と示される
第4のTSOPのリード「A」は、積層体の基底においてリード「A4」に引出
され(図5b参照)、第3のTSOP9のリード「A」(図5cに「A3」と示
される)は、積層体の基底においてリード「A3」に引出される(図5b参照)
、などである。リード「A」がICメモリTSOPの別個のチップイネーブルピ
ンであるならば、積層体のエンドユーザは、積層体中の各ICメモリTSOPを
独立してアドレスすることが可能である。同様に、下2つのメモリIC TSO
Pからのデータラインを積層体の側面に経路付けすることが可能であり、その一
方で上2つのTSOPからのデータラインを積層体の端面に経路付けすることが
可能である。一例として、これは、積層体のメモリビット幅を個別のTSOPの
ものの2倍にすることが可能である。
【0018】 図5aから図5cは、はんだづけ構成で積層体中にリードを配置する方法とし
て重ね継手11を例示するが、図6は、「C」リード構成12を利用してはんだ
づけ構成で積層体中にリードを配置する代替の実施例を例示する。図6の左側は
、はんだなしのリード12を示し、図6の右側は、はんだ14ではんだ浸漬後の
リードを示す。
【0019】 前の説明から、この出願に開示される装置および方法は、明細書の導入部分に
要約される重要な機能的利益を提供することが明らかであろう。
【0020】 前掲の特許請求の範囲は、開示される具体的実施例を含むだけでなく、ここに
説明される発明の概念を含み先行技術によって許容される最大の幅および包括性
を備えるものと意図される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 標準のTSOPの図であって、aはその部分的底面図であり、b
はその端面図である。
【図2】 典型的なリードフレームの図であって、aはその部分的底面図で
あり、bはその端面図である。
【図3】 トリミングまたは形成する前のTSOP/リードフレームアセン
ブリの図であって、aはその部分的底面図であり、bはその端面図である。
【図4】 トリミングおよび形成後のTSOP/リードフレームアセンブリ
の図であって、aはその部分的底面図であり、bはその端面図である。
【図5】 別個のTSOPの選択されたピンの信号経路を積層体の底部に別
個に経路付けするための能力を例示する、TSOP/リードフレームアセンブリ
の積層体の図であって、aはその上面図であり、bはその端面図であり、cはそ
の側面図である。
【図6】 「C」リードを備えるTSOP/リードフレームアセンブリの積
層体の端面図である。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICチップ被覆層の積層体であって、複数個の層は各々、 (a) 少なくとも1つのICチップ、チップを被包する材料、チップ上のI
    /O端子および、別個のI/O端子からチップ被包材料を超えて延在する別個の
    電気的リードを含むパッケージを含み、前記リードの端はパッケージの基底に向
    けて下向きに曲げられ、さらに、 (b) パッケージの底部に固定される2次の別個に形成される導電性リード
    フレームを含み、前記リードフレームは、複数個の独立の電気リードを与えこれ
    にICチップからの別個のリードがはんだづけされ、前記リードフレームは、す
    べてが次の下の層に向けて下向きに曲げられ前記次の下の層の2次リードフレー
    ムから延在するアームにはんだによって固定される複数個の外向きに延在するア
    ームを有する、ICチップ被覆層の積層体。
  2. 【請求項2】 はんだ接続される電気リードのいくつかは、積層体中の層の
    すべてを電気的に相互接続し、他のそのようなリードは、積層体中の層のいくつ
    かにのみ電気的に接続し、さらに他のそのようなリードは、積層体中の単一の層
    にのみ電気的に接続する、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。
  3. 【請求項3】 チップを含むパッケージの各々は、既製のTSOPパッケー
    ジである、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。
  4. 【請求項4】 2つ以上のそのような層を含む、請求項1に記載のICチッ
    プ被覆層の積層体。
  5. 【請求項5】 2次リードフレームは、a)同じ層上のパッケージリードか
    ら積層体のいずれかの側面上の周辺場所に信号を送るいくつかの端子と、b)積
    層体の基底に信号をバス接続する目的を果たす他の端子とを含み、この信号は同
    じ層上のパッケージリードから入らない、請求項1に記載のICチップ被覆層の
    積層体。
  6. 【請求項6】 2次リードフレームの下向きに曲げられたアームは、積層体
    の少なくとも3つの側面上にバス接続を与える、請求項1に記載のICチップ被
    覆層の積層体。
  7. 【請求項7】 各2次リードフレームは、誘電性材料から形成されるリード
    支持層を有する、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。
  8. 【請求項8】 誘電性材料から形成される層は可撓性である、請求項7に記
    載のICチップ被覆層の積層体。
  9. 【請求項9】 各2次リードフレームは、2次リードフレームがそのICチ
    ップを含むパッケージに固定されるまで別個のリードを定位置に保持するための
    周辺タイバーを有する、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。
JP2000553982A 1998-06-10 1999-06-10 2次リードフレームを利用するic積層体 Expired - Fee Related JP3511008B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7102892B2 (en) 2000-03-13 2006-09-05 Legacy Electronics, Inc. Modular integrated circuit chip carrier
US7405471B2 (en) 2000-10-16 2008-07-29 Legacy Electronics, Inc. Carrier-based electronic module
US8841760B2 (en) 2012-04-10 2014-09-23 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Stacked semiconductor device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6205654B1 (en) * 1992-12-11 2001-03-27 Staktek Group L.P. Method of manufacturing a surface mount package
US5484959A (en) * 1992-12-11 1996-01-16 Staktek Corporation High density lead-on-package fabrication method and apparatus
WO2000040203A2 (en) * 1999-01-08 2000-07-13 Emisphere Technologies, Inc. Polymeric delivery agents and delivery agent compounds
KR100333388B1 (ko) 1999-06-29 2002-04-18 박종섭 칩 사이즈 스택 패키지 및 그의 제조 방법
JP4051531B2 (ja) * 1999-07-22 2008-02-27 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
FR2797348B1 (fr) * 1999-08-02 2001-10-19 Cit Alcatel Procede d'obtention d'un module, a haute densite, a partir de composants electroniques, modulaires, encapsules et module ainsi obtenu
US6572387B2 (en) * 1999-09-24 2003-06-03 Staktek Group, L.P. Flexible circuit connector for stacked chip module
DE10006445C2 (de) 2000-02-14 2002-03-28 Infineon Technologies Ag Zwischenrahmen für einen Gehäuserahmen von Halbleiterchips
US6487078B2 (en) 2000-03-13 2002-11-26 Legacy Electronics, Inc. Electronic module having a three dimensional array of carrier-mounted integrated circuit packages
US6608763B1 (en) 2000-09-15 2003-08-19 Staktek Group L.P. Stacking system and method
US7337522B2 (en) * 2000-10-16 2008-03-04 Legacy Electronics, Inc. Method and apparatus for fabricating a circuit board with a three dimensional surface mounted array of semiconductor chips
US20030221313A1 (en) * 2001-01-26 2003-12-04 Gann Keith D. Method for making stacked integrated circuits (ICs) using prepackaged parts
US7174627B2 (en) * 2001-01-26 2007-02-13 Irvine Sensors Corporation Method of fabricating known good dies from packaged integrated circuits
AU2002250437A1 (en) * 2001-03-14 2002-09-24 Legacy Electronics, Inc. A method and apparatus for fabricating a circuit board with a three dimensional surface mounted array of semiconductor chips
US6462408B1 (en) 2001-03-27 2002-10-08 Staktek Group, L.P. Contact member stacking system and method
US6717061B2 (en) 2001-09-07 2004-04-06 Irvine Sensors Corporation Stacking of multilayer modules
US6734370B2 (en) * 2001-09-07 2004-05-11 Irvine Sensors Corporation Multilayer modules with flexible substrates
US6560109B2 (en) 2001-09-07 2003-05-06 Irvine Sensors Corporation Stack of multilayer modules with heat-focusing metal layer
US20040195666A1 (en) * 2001-10-26 2004-10-07 Julian Partridge Stacked module systems and methods
US6940729B2 (en) * 2001-10-26 2005-09-06 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US7026708B2 (en) * 2001-10-26 2006-04-11 Staktek Group L.P. Low profile chip scale stacking system and method
US6956284B2 (en) * 2001-10-26 2005-10-18 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US7656678B2 (en) 2001-10-26 2010-02-02 Entorian Technologies, Lp Stacked module systems
US6576992B1 (en) * 2001-10-26 2003-06-10 Staktek Group L.P. Chip scale stacking system and method
US20060255446A1 (en) * 2001-10-26 2006-11-16 Staktek Group, L.P. Stacked modules and method
US20030234443A1 (en) * 2001-10-26 2003-12-25 Staktek Group, L.P. Low profile stacking system and method
US6914324B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-05 Staktek Group L.P. Memory expansion and chip scale stacking system and method
US7485951B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-03 Entorian Technologies, Lp Modularized die stacking system and method
US20050009234A1 (en) * 2001-10-26 2005-01-13 Staktek Group, L.P. Stacked module systems and methods for CSP packages
US7202555B2 (en) * 2001-10-26 2007-04-10 Staktek Group L.P. Pitch change and chip scale stacking system and method
US7053478B2 (en) * 2001-10-26 2006-05-30 Staktek Group L.P. Pitch change and chip scale stacking system
US20050056921A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US7371609B2 (en) * 2001-10-26 2008-05-13 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US7081373B2 (en) * 2001-12-14 2006-07-25 Staktek Group, L.P. CSP chip stack with flex circuit
EP1472730A4 (en) * 2002-01-16 2010-04-14 Mann Alfred E Found Scient Res HOUSING FOR ELECTRONIC CIRCUITS WITH REDUCED SIZE
US6958533B2 (en) * 2002-01-22 2005-10-25 Honeywell International Inc. High density 3-D integrated circuit package
US6690088B2 (en) 2002-01-31 2004-02-10 Macintyre Donald M. Integrated circuit package stacking structure
US7242082B2 (en) 2002-02-07 2007-07-10 Irvine Sensors Corp. Stackable layer containing ball grid array package
JP2003347508A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Mitsubishi Electric Corp 積層型の電子部品
US20040252474A1 (en) * 2002-11-25 2004-12-16 Kwanghak Lee Integrated circuit stack with lead frames
US20040108583A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-10 Roeters Glen E. Thin scale outline package stack
US7132734B2 (en) 2003-01-06 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies and microelectronic component lead frame structures
US7183485B2 (en) 2003-03-11 2007-02-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies having lead frames adapted to reduce package bow
US6841029B2 (en) * 2003-03-27 2005-01-11 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Surface modification of expanded ultra high molecular weight polyethylene (eUHMWPE) for improved bondability
US20040245615A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Staktek Group, L.P. Point to point memory expansion system and method
JP2005051143A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Nec Toshiba Space Systems Ltd スタックメモリ及びその製造方法
US7542304B2 (en) * 2003-09-15 2009-06-02 Entorian Technologies, Lp Memory expansion and integrated circuit stacking system and method
US6933209B2 (en) * 2003-12-24 2005-08-23 Super Talent Electronics Inc. Stacking memory chips using flat lead-frame with breakaway insertion pins and pin-to-pin bridges
US20060033187A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Staktek Group, L.P. Rugged CSP module system and method
US20060043558A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Staktek Group L.P. Stacked integrated circuit cascade signaling system and method
US20060261449A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Staktek Group L.P. Memory module system and method
US7760513B2 (en) * 2004-09-03 2010-07-20 Entorian Technologies Lp Modified core for circuit module system and method
US7511968B2 (en) * 2004-09-03 2009-03-31 Entorian Technologies, Lp Buffered thin module system and method
US7423885B2 (en) * 2004-09-03 2008-09-09 Entorian Technologies, Lp Die module system
US20060049513A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-09 Staktek Group L.P. Thin module system and method with thermal management
US7324352B2 (en) * 2004-09-03 2008-01-29 Staktek Group L.P. High capacity thin module system and method
US7522421B2 (en) * 2004-09-03 2009-04-21 Entorian Technologies, Lp Split core circuit module
US7289327B2 (en) * 2006-02-27 2007-10-30 Stakick Group L.P. Active cooling methods and apparatus for modules
US7443023B2 (en) * 2004-09-03 2008-10-28 Entorian Technologies, Lp High capacity thin module system
US7606040B2 (en) * 2004-09-03 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Memory module system and method
US7606050B2 (en) * 2004-09-03 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Compact module system and method
US7606049B2 (en) * 2004-09-03 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Module thermal management system and method
US20060050492A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-09 Staktek Group, L.P. Thin module system and method
US7193300B2 (en) * 2004-09-13 2007-03-20 Honeywell International Inc. Plastic leadframe and compliant fastener
US20060055024A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Staktek Group, L.P. Adapted leaded integrated circuit module
US20060072297A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-06 Staktek Group L.P. Circuit Module Access System and Method
US20060118936A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Staktek Group L.P. Circuit module component mounting system and method
US7435097B2 (en) * 2005-01-12 2008-10-14 Legacy Electronics, Inc. Radial circuit board, system, and methods
US7309914B2 (en) * 2005-01-20 2007-12-18 Staktek Group L.P. Inverted CSP stacking system and method
US20060175693A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Staktek Group, L.P. Systems, methods, and apparatus for generating ball-out matrix configuration output for a flex circuit
US7709943B2 (en) 2005-02-14 2010-05-04 Daniel Michaels Stacked ball grid array package module utilizing one or more interposer layers
US20060244114A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Staktek Group L.P. Systems, methods, and apparatus for connecting a set of contacts on an integrated circuit to a flex circuit via a contact beam
US20060250780A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-09 Staktek Group L.P. System component interposer
US7576995B2 (en) * 2005-11-04 2009-08-18 Entorian Technologies, Lp Flex circuit apparatus and method for adding capacitance while conserving circuit board surface area
US7608920B2 (en) * 2006-01-11 2009-10-27 Entorian Technologies, Lp Memory card and method for devising
US20070158821A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-12 Leland Szewerenko Managed memory component
US7508058B2 (en) * 2006-01-11 2009-03-24 Entorian Technologies, Lp Stacked integrated circuit module
US20070164416A1 (en) * 2006-01-17 2007-07-19 James Douglas Wehrly Managed memory component
US7511969B2 (en) * 2006-02-02 2009-03-31 Entorian Technologies, Lp Composite core circuit module system and method
US7990727B1 (en) 2006-04-03 2011-08-02 Aprolase Development Co., Llc Ball grid array stack
US20070262429A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-15 Staktek Group, L.P. Perimeter stacking system and method
US7888185B2 (en) * 2006-08-17 2011-02-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor device assemblies and systems including at least one conductive pathway extending around a side of at least one semiconductor device
US7468553B2 (en) * 2006-10-20 2008-12-23 Entorian Technologies, Lp Stackable micropackages and stacked modules
US7417310B2 (en) 2006-11-02 2008-08-26 Entorian Technologies, Lp Circuit module having force resistant construction
US7714426B1 (en) 2007-07-07 2010-05-11 Keith Gann Ball grid array package format layers and structure
SG149726A1 (en) 2007-07-24 2009-02-27 Micron Technology Inc Microelectronic die packages with metal leads, including metal leads for stacked die packages, and associated systems and methods
SG150396A1 (en) 2007-08-16 2009-03-30 Micron Technology Inc Microelectronic die packages with leadframes, including leadframe-based interposer for stacked die packages, and associated systems and methods
US20090166820A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-02 Hem Takiar Tsop leadframe strip of multiply encapsulated packages
TWI453831B (zh) 2010-09-09 2014-09-21 台灣捷康綜合有限公司 半導體封裝結構及其製造方法
CN102157501B (zh) * 2011-03-23 2013-01-09 南通富士通微电子股份有限公司 三维系统级封装结构
US8575739B2 (en) 2011-05-06 2013-11-05 Sandisk Technologies Inc. Col-based semiconductor package including electrical connections through a single layer leadframe
US9589929B2 (en) 2013-03-14 2017-03-07 Vishay-Siliconix Method for fabricating stack die package
US9966330B2 (en) 2013-03-14 2018-05-08 Vishay-Siliconix Stack die package
US9425304B2 (en) 2014-08-21 2016-08-23 Vishay-Siliconix Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity
US9647363B2 (en) * 2014-09-19 2017-05-09 Intel Corporation Techniques and configurations to control movement and position of surface mounted electrical devices
US9917041B1 (en) * 2016-10-28 2018-03-13 Intel Corporation 3D chip assemblies using stacked leadframes

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0509065A1 (en) * 1990-08-01 1992-10-21 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages, method and apparatus
US5331235A (en) * 1991-06-01 1994-07-19 Goldstar Electron Co., Ltd. Multi-chip semiconductor package
US5394608A (en) * 1992-04-08 1995-03-07 Hitachi Maxwell, Ltd. Laminated semiconductor device and fabricating method thereof
US5731633A (en) * 1992-09-16 1998-03-24 Gary W. Hamilton Thin multichip module
US5484959A (en) * 1992-12-11 1996-01-16 Staktek Corporation High density lead-on-package fabrication method and apparatus
EP0608440A1 (en) * 1992-12-18 1994-08-03 Fujitsu Limited Semiconductor device having a plurality of chips having identical circuit arrangements sealed in package
US5501989A (en) * 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
US5455740A (en) * 1994-03-07 1995-10-03 Staktek Corporation Bus communication system for stacked high density integrated circuit packages
US5561622A (en) * 1993-09-13 1996-10-01 International Business Machines Corporation Integrated memory cube structure
KR100209782B1 (ko) * 1994-08-30 1999-07-15 가나이 쓰도무 반도체 장치
KR0147259B1 (ko) * 1994-10-27 1998-08-01 김광호 적층형 패키지 및 그 제조방법
KR0148082B1 (ko) * 1995-08-16 1998-08-01 김광호 지지 바를 사용한 적층형 반도체 패키지 및 적층형 패키지 소켓
KR100204753B1 (ko) * 1996-03-08 1999-06-15 윤종용 엘오씨 유형의 적층 칩 패키지
TW338180B (en) * 1996-03-29 1998-08-11 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor and its manufacturing method
US5744842A (en) * 1996-08-15 1998-04-28 Industrial Technology Research Institute Area-efficient VDD-to-VSS ESD protection circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7102892B2 (en) 2000-03-13 2006-09-05 Legacy Electronics, Inc. Modular integrated circuit chip carrier
US7405471B2 (en) 2000-10-16 2008-07-29 Legacy Electronics, Inc. Carrier-based electronic module
US8841760B2 (en) 2012-04-10 2014-09-23 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Stacked semiconductor device and method of manufacturing the same

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