JP2003521806A - 2次リードフレームを利用するic積層体 - Google Patents
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Abstract
Description
高密度の電子回路を獲得することに関する。一般的には、この発明の目的は、妥
当なコストと高回路密度を組合せることである。この発明の独特の局面は、これ
が、TSOP(シン・スモール・アウトライン・パッケージ)中の市場で入手可
能なICを積重ねる非常に低コストの方法を提供する一方で、積層体の上層から
基底へいくつかの非共通I/O(入力/出力)信号の独立の経路付けを可能とす
ることである。コスト削減は、比較的低コストのリードフレームと、予めパッケ
ージされかつ予めテストされた既製のICを積重ねる能力とを利用することによ
って達成される。
重ねる方法を記載する。オグチ(Oguchi)らの特許番号第5,332,922号
と、ミヤノ(Miyano)らの特許番号第5,440,171号と、チョイ(Choi)
らの特許番号第5,677,569号とは、単一のパッケージ内にICチップを
積重ねる方法を開示する。ジェオン(Jeong)らの特許番号第5,744,82
7号は、積重ね可能であるが、既製のパッケージされたICの使用を可能とはし
ない新しいタイプのカスタムチップパッケージングを開示する。バーンズ(Burn
s)の特許番号第5,484,959号は、各TSOPの上および下に装着され
た複数のリードフレームと、垂直母線相互接続のシステムとを必要とするが、垂
直に相互接続するリードの数の拡大を都合よく可能としない、TSOPパッケー
ジの積重ねの方法を示す。
上に装着するのに好適であるICの積層体を開示する。この出願はさらに、標準
のTSOPパッケージで始まりかつリードフレーム相互接続を用いて積重ねられ
たICを含むパッケージを製造するための方法を開示する。
触する導体を含む、所望の相互接続のための適切なジオメトリからなる導体を製
造するためにエッチングされる金属箔からなる。金属箔は、処理中に、エッチン
グされた導体をその適切なジオメトリに保持し、かつ、寸法的に規定されたガイ
ドを設けてTSOPと箔を製造のため整列させる機能を果たすエッチングされて
いない金属からなる縁またはタイバーを含むが、このタイバーは、その機能を終
えた後にその後の処理ステップにおいてトリミングして除去される。リードフレ
ームは、TSOPのリードがリードフレーム上のその対応する導体とはんだづけ
で接触するように、TSOPに接合される。リードフレームは、初めに接着剤を
用いてTSOPに接合されてから、その後に高温はんだづけされてもよく、また
は、依然として整列状態に保持されている一方で高温はんだづけですぐに接合さ
れてもよい。もしはんだづけがプロセス中のこの段階でなされるならば、はんだ
は、プロセスにおいて後に用いられるはんだよりもより高い融解温度を有してい
るべきである。次に、リードフレームはトリミングされ、その突出した導体は、
下方向に形成され、このため各導体は、次の下のリードフレーム上の対応する導
体とはんだづけの重ね継手を形成するようになる。予めテストされたTSOPが
通常利用されるため、テストは普通不要であるが、必要とされるいかなる特別な
テストがTSOPに対して、または、TSOP/リードフレームアセンブリが積
重ねられるより前にTSOP/リードフレームアセンブリに対して行なわれても
よい。いくつかのリードフレーム/TSOPアセンブリが次に積重ねられ、接着
剤を用いてまず接合されてから、後に高温はんだづけされてもよく、または、依
然として整列状態に保持される一方で高温はんだづけによってすぐに接合されて
もよい。
なったリードフレーム重ね継手位置に転移するための能力と、より細かいピッチ
を備えるリードフレームのリードを製造するための能力と、リードフレーム/T
SOPアセンブリの4隅すべてにリードフレーム導体を延在させるための能力と
は、より高い入力/出力(I/O)数を可能とし、積重ねられたICの必要を満
たす。
的に相互接続されるICの積層体からなる。積層体のエンドユーザは、PCBな
どの基板にこれを接続するであろう。ICの垂直配置は、基板上の等価の数のI
Cの従来の水平配置と比較して、かなりの基板面積を節約するであろう。
製の市場で入手可能なTSOP1からなり、TSOPは、図2aおよび図2bに
示すような金属リードフレーム2と組合され、金属リードフレームは、TSOP
の底面側に接着的に結合されかつTSOPのリード3にはんだづけされる。リー
ドフレームは、任意で、接着剤なしにはんだ接続のみを用いてTSOPに結合さ
れてもよい。リードフレームは、任意で、形成された金属構造体、層をなした複
合構造体、またはエッチングされた金属箔の代わりに非金属の導電構造体であっ
てもよい。リードフレームの目的は、2つの面を有する: 1) ある場合には、リードフレーム2は、積層体内の上部TSOPのリード
が同じピン名を有する下部TSOPのリードと接続可能であるように、TSOP
リードの延長部としての役割を果たす。
ダミーのリードと接続し積層体の基底に非共通信号を独立して与えることが可能
であるように、選択されたTSOPリード(たとえば、リードフレーム端子4を
備えるリードA4)を再経路付けする。
るとき、熱伝播体および放熱体としての役割を果たし、TSOPから熱を除去す
るであろう。現在記載される実施例では、リードフレームをTSOPに付与しこ
れらのアセンブリを積重ねるためのアセンブリプロセスは、以下のステップから
なる: 1) 図2aおよび図2bに示すようなリードフレームを作る。
。
剤を硬化してTSOP本体1の底部にリードフレーム2を固定する(図3参照)
。
照)、積重ねられたとき、リードフレームのリードが、積層体中の下部TSOP
のリードフレームとの重ね継手を形成するように、TSOPリード3の外側に下
方向7にリードを形成する(図5a、図5bおよび図5c参照)。代替的に、リ
リードフレームのリードは、積重ねに好適である「C」構成(図6参照)のよう
な、いかなる他の構成に形成されてもよい。積層体中の底部TSOPの底部に装
着されるリードフレームの場合には、リードは、積層体が基板にはんだづけされ
たとき応力を緩和するような構成(たとえば、ガル翼、J−リード)などの、い
かなる構成に形成されてもよい。さらに、底部リードフレームは2つのTSOP
の間に挟持されないので、任意のポリイミド層が底部TSOPに接着的に結合さ
れ、TSOP本体へのリード装着を強化してもよい。
面にエポキシまたは他の種類の接着剤を塗布する。
せ、接着剤を硬化して積層体中の各TSOPを固定する。任意で、リードフレー
ムは、整列固定される間に高温はんだでTSOPに接合され、接着剤を不要とし
てもよい。
、TSOPリードをリードフレームにはんだづけし、かつリードフレームの各リ
ードを、積層体中のその下のTSOPのリードフレームのリードにはんだづけす
る(図5a、図5bおよび図5c参照)。浸漬するために用いられるはんだは、
ユーザが積層体を基板にはんだづけするときにそのように形成されたはんだ接合
がリフローしないように、高い融解温度を有しているべきである。もしTSOP
がはんだづけによってリードフレーム2に先に接合されていたならば、その作業
のために用いられるはんだは、リードフレームの積層体が浸漬によって接合され
るときそのはんだ接合がリフローしないように、さらにより高い融解温度を有し
ているべきである。
CB誘電体の周辺をエッチ除去してリードフレームの外側のリードを露出するこ
とによってPCBから作られる。この代替の実施例では、残余のPCB誘電体は
、リード導体を適切な配向に保持し、したがって先の実施例の縁またはタイバー
6の代わりとなる。
ケージ中の市場で入手可能なICを積重ねる非常に低コストの方法を提供するこ
とである。これはまた、上層のTSOPから積層体の基底へ下層のTSOP信号
から独立して、チップイネーブルなどのいくつかの非共通入力/出力信号および
/またはデータラインを経路付けすることを可能にする。図5は、積層体中の各
TSOPのリード「A」が積層体の基底において異なったリードへ独立して降ろ
されている場合を示す。この例では、図5aおよび図5cに「A4」と示される
第4のTSOPのリード「A」は、積層体の基底においてリード「A4」に引出
され(図5b参照)、第3のTSOP9のリード「A」(図5cに「A3」と示
される)は、積層体の基底においてリード「A3」に引出される(図5b参照)
、などである。リード「A」がICメモリTSOPの別個のチップイネーブルピ
ンであるならば、積層体のエンドユーザは、積層体中の各ICメモリTSOPを
独立してアドレスすることが可能である。同様に、下2つのメモリIC TSO
Pからのデータラインを積層体の側面に経路付けすることが可能であり、その一
方で上2つのTSOPからのデータラインを積層体の端面に経路付けすることが
可能である。一例として、これは、積層体のメモリビット幅を個別のTSOPの
ものの2倍にすることが可能である。
て重ね継手11を例示するが、図6は、「C」リード構成12を利用してはんだ
づけ構成で積層体中にリードを配置する代替の実施例を例示する。図6の左側は
、はんだなしのリード12を示し、図6の右側は、はんだ14ではんだ浸漬後の
リードを示す。
要約される重要な機能的利益を提供することが明らかであろう。
説明される発明の概念を含み先行技術によって許容される最大の幅および包括性
を備えるものと意図される。
はその端面図である。
あり、bはその端面図である。
ブリの図であって、aはその部分的底面図であり、bはその端面図である。
の図であって、aはその部分的底面図であり、bはその端面図である。
個に経路付けするための能力を例示する、TSOP/リードフレームアセンブリ
の積層体の図であって、aはその上面図であり、bはその端面図であり、cはそ
の側面図である。
層体の端面図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 ICチップ被覆層の積層体であって、複数個の層は各々、 (a) 少なくとも1つのICチップ、チップを被包する材料、チップ上のI
/O端子および、別個のI/O端子からチップ被包材料を超えて延在する別個の
電気的リードを含むパッケージを含み、前記リードの端はパッケージの基底に向
けて下向きに曲げられ、さらに、 (b) パッケージの底部に固定される2次の別個に形成される導電性リード
フレームを含み、前記リードフレームは、複数個の独立の電気リードを与えこれ
にICチップからの別個のリードがはんだづけされ、前記リードフレームは、す
べてが次の下の層に向けて下向きに曲げられ前記次の下の層の2次リードフレー
ムから延在するアームにはんだによって固定される複数個の外向きに延在するア
ームを有する、ICチップ被覆層の積層体。 - 【請求項2】 はんだ接続される電気リードのいくつかは、積層体中の層の
すべてを電気的に相互接続し、他のそのようなリードは、積層体中の層のいくつ
かにのみ電気的に接続し、さらに他のそのようなリードは、積層体中の単一の層
にのみ電気的に接続する、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。 - 【請求項3】 チップを含むパッケージの各々は、既製のTSOPパッケー
ジである、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。 - 【請求項4】 2つ以上のそのような層を含む、請求項1に記載のICチッ
プ被覆層の積層体。 - 【請求項5】 2次リードフレームは、a)同じ層上のパッケージリードか
ら積層体のいずれかの側面上の周辺場所に信号を送るいくつかの端子と、b)積
層体の基底に信号をバス接続する目的を果たす他の端子とを含み、この信号は同
じ層上のパッケージリードから入らない、請求項1に記載のICチップ被覆層の
積層体。 - 【請求項6】 2次リードフレームの下向きに曲げられたアームは、積層体
の少なくとも3つの側面上にバス接続を与える、請求項1に記載のICチップ被
覆層の積層体。 - 【請求項7】 各2次リードフレームは、誘電性材料から形成されるリード
支持層を有する、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。 - 【請求項8】 誘電性材料から形成される層は可撓性である、請求項7に記
載のICチップ被覆層の積層体。 - 【請求項9】 各2次リードフレームは、2次リードフレームがそのICチ
ップを含むパッケージに固定されるまで別個のリードを定位置に保持するための
周辺タイバーを有する、請求項1に記載のICチップ被覆層の積層体。
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