JP2003512487A - ポリエーテルエステルアミドと、これを含む帯電防止ポリマー組成物 - Google Patents
ポリエーテルエステルアミドと、これを含む帯電防止ポリマー組成物Info
- Publication number
- JP2003512487A JP2003512487A JP2001531905A JP2001531905A JP2003512487A JP 2003512487 A JP2003512487 A JP 2003512487A JP 2001531905 A JP2001531905 A JP 2001531905A JP 2001531905 A JP2001531905 A JP 2001531905A JP 2003512487 A JP2003512487 A JP 2003512487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicarboxylic acid
- acid
- polyamide
- block
- chain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/44—Polyester-amides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリエーテルエステルアミドと、これを含む帯電防止ポリマー組成物。
【解決手段】 ポリアミドブロックの連鎖制限剤としてまたはポリアミドブロックのモノマー成分の一つとしてジアミンと組み合わせてジカルボン酸スルホネートを含むポリアミドブロックと、基本的にアルキレンオキシド単位からなるポリエーテルブロックとを含むポリエーテルエステルアミド(B)。低分子量のポリアミドオリゴマー型またはジカルボン酸スルホネートを含むコポリアミド型のポリアミドブロックと、アルキレンオキシドと芳香族ジオールとの付加物であるポリエーテルブロックとを含むポリエーテルエステルアミド(B)。熱可塑性ポリマー(A)と、少なくとも一つの上記ポリエーテルエステルアミド(B)とを含む帯電防止性または通気性ポリマー組成物。
Description
【0001】
本発明はスルホン酸基を有する元素を鎖中に含むポリエーテルエステルアミド
(B)に関するものである。 本発明はさらに、このポリエーテルエステルアミド(B)を熱可塑性ポリマー
(A)に添加してそれを帯電防止性にすることにある。すなわち、本発明は熱可
塑性ポリマー(A)に帯電防止特性を付与する方法に関するものである。 上記のポリエーテルエステルアミド(B)はカルボン鎖末端を有するポリアミ
ドブロックと、基本的にアルキレンオキシド単位、好ましくはエチレンオキシド
単位−(C2H4−O)−からなるポリエーテルジオールブロックとを縮合させて得
られるコポリマーである。
(B)に関するものである。 本発明はさらに、このポリエーテルエステルアミド(B)を熱可塑性ポリマー
(A)に添加してそれを帯電防止性にすることにある。すなわち、本発明は熱可
塑性ポリマー(A)に帯電防止特性を付与する方法に関するものである。 上記のポリエーテルエステルアミド(B)はカルボン鎖末端を有するポリアミ
ドブロックと、基本的にアルキレンオキシド単位、好ましくはエチレンオキシド
単位−(C2H4−O)−からなるポリエーテルジオールブロックとを縮合させて得
られるコポリマーである。
【0002】
大抵のプラスチック表面には静電荷が生じ、静電荷が保持されるということは
知られている。例えば、フィルムは熱可塑性フィルム上に存在する静電気によっ
て相いにくっつき、離すのが困難になる。包装フィルム上に存在する静電気によ
って被包装商品にゴミが堆積して使用に支障がでることもある。静電気がマイク
ロプロセッサや電気回路部品を損傷することもある。静電気は可燃性材料、例え
ばペンタンを含む発泡性ポリスチレンビーズの燃焼または爆発を引き起こすこと
もある。
知られている。例えば、フィルムは熱可塑性フィルム上に存在する静電気によっ
て相いにくっつき、離すのが困難になる。包装フィルム上に存在する静電気によ
って被包装商品にゴミが堆積して使用に支障がでることもある。静電気がマイク
ロプロセッサや電気回路部品を損傷することもある。静電気は可燃性材料、例え
ばペンタンを含む発泡性ポリスチレンビーズの燃焼または爆発を引き起こすこと
もある。
【0003】
ポリマーに添加する帯電防止剤、例えばエトキシル化アミンまたはスルホネー
ト型のイオン性界面活性剤は公知である。しかし、この帯電防止剤はポリマー表
面上へ移行して消失する。また、その帯電防止特性は周囲湿度に依存し、永久に
は続かない。そのため、帯電防止剤としてポリアミドブロックと親水性ポリエー
テルブロックとを含むコポリマーが提案されている。この帯電防止剤は移行せず
、永久に持続され、周囲湿度の影響を受けないという利点がある。
ト型のイオン性界面活性剤は公知である。しかし、この帯電防止剤はポリマー表
面上へ移行して消失する。また、その帯電防止特性は周囲湿度に依存し、永久に
は続かない。そのため、帯電防止剤としてポリアミドブロックと親水性ポリエー
テルブロックとを含むコポリマーが提案されている。この帯電防止剤は移行せず
、永久に持続され、周囲湿度の影響を受けないという利点がある。
【0004】
米国特許第3,296,204号には5−スルホイソフタル酸とジアミンとを
反応させた後に、アミノ酸またはジアミンとジアシッドの塩、例えばヘキサメチ
レンアジペートと重縮合させて得られる直鎖ポリアミド繊維が開示されている。
この繊維は染色特性が良好で、天然繊維と同様に湿気を吸収する。しかし、これ
はポリエーテルエステルアミドではない。 1999年2月2日公開の特開平11−029,685号にはポリオキシアル
キレングリコールとジカルボン酸とを縮合させて得られるポリエーテルエステル
を含む帯電防止アクリル樹脂が開示されている。このジアシッドの中にはスルホ
ン基を含むものもあるが、このポリエーテルエステルもポリエーテルエステルア
ミドではない。 1996年8月13日公開の特開平08−208,830号には5−スルホイ
ソフタル塩と、エチレンオキシドと芳香族ジオールとの付加物とを含む親水性エ
ラストマーが開示されているが、ポリエーテルエステルアミドについては詳しく
説明されていない。また、低分子量のコポリアミドまたはポリアミドオリゴマー
からなるブロックについては記載がない。
反応させた後に、アミノ酸またはジアミンとジアシッドの塩、例えばヘキサメチ
レンアジペートと重縮合させて得られる直鎖ポリアミド繊維が開示されている。
この繊維は染色特性が良好で、天然繊維と同様に湿気を吸収する。しかし、これ
はポリエーテルエステルアミドではない。 1999年2月2日公開の特開平11−029,685号にはポリオキシアル
キレングリコールとジカルボン酸とを縮合させて得られるポリエーテルエステル
を含む帯電防止アクリル樹脂が開示されている。このジアシッドの中にはスルホ
ン基を含むものもあるが、このポリエーテルエステルもポリエーテルエステルア
ミドではない。 1996年8月13日公開の特開平08−208,830号には5−スルホイ
ソフタル塩と、エチレンオキシドと芳香族ジオールとの付加物とを含む親水性エ
ラストマーが開示されているが、ポリエーテルエステルアミドについては詳しく
説明されていない。また、低分子量のコポリアミドまたはポリアミドオリゴマー
からなるブロックについては記載がない。
【0005】
米国特許第5,096,995号には2つのタイプのポリエーテルブロック、
すなわちポリエチレングリコールタイプのポリエーテルブロックと、エチレンオ
キシドと芳香族ジオールとの付加物であるブロックとを含むポリエーテルエステ
ルアミドが開示されている。ポリアミドブロックの連鎖制限剤はジカルボン酸で
ある。スルホン酸基を有するジアシッド、例えば3−スルホイソフタル酸のナト
リウム塩と、置換されていないジアシッドとが挙げられ、置換されていない酸、
例えばテレフタル酸、イソフタル酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、セ
バシン酸、アジピン酸またはデカンジカルボン酸を用いるのが好ましい。いずれ
の例もスルホン酸基を有するジアシッドを用いていない。これらの例に開示され
たポリアミドブロックはカプロラクタムまたはラウリルラクタムからなる。低分
子量のコポリアミドまたはポリアミドオリゴマーについては記載がない。
すなわちポリエチレングリコールタイプのポリエーテルブロックと、エチレンオ
キシドと芳香族ジオールとの付加物であるブロックとを含むポリエーテルエステ
ルアミドが開示されている。ポリアミドブロックの連鎖制限剤はジカルボン酸で
ある。スルホン酸基を有するジアシッド、例えば3−スルホイソフタル酸のナト
リウム塩と、置換されていないジアシッドとが挙げられ、置換されていない酸、
例えばテレフタル酸、イソフタル酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、セ
バシン酸、アジピン酸またはデカンジカルボン酸を用いるのが好ましい。いずれ
の例もスルホン酸基を有するジアシッドを用いていない。これらの例に開示され
たポリアミドブロックはカプロラクタムまたはラウリルラクタムからなる。低分
子量のコポリアミドまたはポリアミドオリゴマーについては記載がない。
【0006】
1993年6月8日公開の特開平05−140,541号には3−スルホイソ
フタル酸のナトリウム塩の存在下でカプロラクタムと、エチレンオキシドとビス
フェノールAとの付加物であるポリエーテルブロックとの縮合で生じるポリアミ
ドブロックを含むポリエーテルエステルアミドが開示されている。しかし、低分
子量のコポリアミドまたはポリアミドオリゴマーからなるブロックについては記
載がない。
フタル酸のナトリウム塩の存在下でカプロラクタムと、エチレンオキシドとビス
フェノールAとの付加物であるポリエーテルブロックとの縮合で生じるポリアミ
ドブロックを含むポリエーテルエステルアミドが開示されている。しかし、低分
子量のコポリアミドまたはポリアミドオリゴマーからなるブロックについては記
載がない。
【0007】
欧州特許第613,919号にはエチレンオキシドとビスフェノールAとの付
加物であるポリエーテルブロックを含むポリエーテルエステルアミドが開示され
ている。ポリアミドブロックの連鎖制限剤はジカルボン酸である。スルホン酸基
を有するジアシッド、例えば3−スルホイソフタル酸のナトリウム塩と、置換さ
れていないジアシッド、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、セバシン酸、アジ
ピン酸およびデカンジカルボン酸とが挙げられている。しかし、いずれの例もス
ルホン酸基を有するジアシッドを用いていない。さらに、イオン基、例えばスル
ホン酸基をポリエーテルエステルアミド鎖に混合して帯電防止特性を向上させる
という特定の利点が記載されていない。この特許からわかるように、ビスフェノ
ールA付加物は熱安定剤の役目をする。一方、この生成物の本来の帯電防止特性
は改良されていない。これらの例に開示されたポリアミドブロックはカプロラク
タムからなる。コポリアミドは記載されていない。これらのポリエーテルエステ
ルアミドを種々の熱可塑性ポリマーに添加して、これらを帯電防止性にしている
が、ハロゲン化アルカリ金属またはハロゲン化アルカリ土類金属から選択される
塩を添加する必要もある。
加物であるポリエーテルブロックを含むポリエーテルエステルアミドが開示され
ている。ポリアミドブロックの連鎖制限剤はジカルボン酸である。スルホン酸基
を有するジアシッド、例えば3−スルホイソフタル酸のナトリウム塩と、置換さ
れていないジアシッド、例えばテレフタル酸、イソフタル酸、セバシン酸、アジ
ピン酸およびデカンジカルボン酸とが挙げられている。しかし、いずれの例もス
ルホン酸基を有するジアシッドを用いていない。さらに、イオン基、例えばスル
ホン酸基をポリエーテルエステルアミド鎖に混合して帯電防止特性を向上させる
という特定の利点が記載されていない。この特許からわかるように、ビスフェノ
ールA付加物は熱安定剤の役目をする。一方、この生成物の本来の帯電防止特性
は改良されていない。これらの例に開示されたポリアミドブロックはカプロラク
タムからなる。コポリアミドは記載されていない。これらのポリエーテルエステ
ルアミドを種々の熱可塑性ポリマーに添加して、これらを帯電防止性にしている
が、ハロゲン化アルカリ金属またはハロゲン化アルカリ土類金属から選択される
塩を添加する必要もある。
【0008】
本発明者は、ポリアミドブロックの連鎖制限剤として、またはポリアミドブロ
ックのモノマー成分の一つとしてジアミンを含む、ジカルボン酸スルホネートを
有するポリアミドブロックを含む新規なポリエーテルエステルアミドを発見した
。これが本発明の第1の対象である。ポリエーテルブロックは基本的にアルキレ
ンオキシド単位、好ましくはエチレンオキシド単位からなり、芳香族ジオールは
含まない、すなわちポリエチレングリコールであるのが有利である。この極めて
単純な構造のポリエーテルエステルアミドは優れた帯電防止特性と熱安定性を有
している。
ックのモノマー成分の一つとしてジアミンを含む、ジカルボン酸スルホネートを
有するポリアミドブロックを含む新規なポリエーテルエステルアミドを発見した
。これが本発明の第1の対象である。ポリエーテルブロックは基本的にアルキレ
ンオキシド単位、好ましくはエチレンオキシド単位からなり、芳香族ジオールは
含まない、すなわちポリエチレングリコールであるのが有利である。この極めて
単純な構造のポリエーテルエステルアミドは優れた帯電防止特性と熱安定性を有
している。
【0009】
本発明者はさらに、低分子量のポリアミドオリゴマータイプ、またはジカルボ
ン酸スルホネートを含むコポリアミドタイプのポリアミドブロックを含み、ポリ
エーテルブロックがアルキレンオキシド、好ましくはエチレンオキシドと芳香族
ジオールとの付加物である新規なポリエーテルエステルアミドを発見した。これ
が本発明の第2の対象である。この組み合わせは熱的挙動を向上させるのに特に
有利である。 本発明者はさらに、本発明の第1および第2対象のポリエーテルエステルアミ
ドは熱可塑性ポリマー(A)に帯電防止性を付与するのに特に有用であるという
ことを見出した。これが本発明の第3の対象である。
ン酸スルホネートを含むコポリアミドタイプのポリアミドブロックを含み、ポリ
エーテルブロックがアルキレンオキシド、好ましくはエチレンオキシドと芳香族
ジオールとの付加物である新規なポリエーテルエステルアミドを発見した。これ
が本発明の第2の対象である。この組み合わせは熱的挙動を向上させるのに特に
有利である。 本発明者はさらに、本発明の第1および第2対象のポリエーテルエステルアミ
ドは熱可塑性ポリマー(A)に帯電防止性を付与するのに特に有用であるという
ことを見出した。これが本発明の第3の対象である。
【0010】
本発明の第1の対象は、ポリアミドブロックの連鎖制限剤としてまたはポリア
ミドブロックのモノマー成分の一つとしてジアミンと組み合わせてジカルボン酸
スルホネートを含むポリアミドブロックを有するポリエーテルエステルアミド(
B)にある。 本発明の第2の対象は、ポリアミドブロックが低分子量のポリアミドオリゴマ
ー型またはジカルボン酸スルホネートを含むコポリアミド型で、ポリエーテルブ
ロックがアルキレンオキシドと芳香族ジオールとの付加物であるポリエーテルエ
ステルアミド(B)にある。 本発明の第3の対象は、熱可塑性ポリマー(A)と、上記の少なくとも一つの
ポリエーテルエステルアミド(B)とを含む帯電防止性または通気性(imperres
pirante)ポリマー組成物に関する。
ミドブロックのモノマー成分の一つとしてジアミンと組み合わせてジカルボン酸
スルホネートを含むポリアミドブロックを有するポリエーテルエステルアミド(
B)にある。 本発明の第2の対象は、ポリアミドブロックが低分子量のポリアミドオリゴマ
ー型またはジカルボン酸スルホネートを含むコポリアミド型で、ポリエーテルブ
ロックがアルキレンオキシドと芳香族ジオールとの付加物であるポリエーテルエ
ステルアミド(B)にある。 本発明の第3の対象は、熱可塑性ポリマー(A)と、上記の少なくとも一つの
ポリエーテルエステルアミド(B)とを含む帯電防止性または通気性(imperres
pirante)ポリマー組成物に関する。
【0011】
ジカルボン酸スルホネートは芳香族ジアシッドのアルカリ金属塩またはアンモ
ニウム塩であり、例えば2−スルホイソフタル酸、4−スルホイソフタル酸、5
−スルホイソフタル酸(3−スルホイソフタル酸)、2−スルホテレフタル酸、
2,6−ジカルボキシナフタレン−4−スルホン酸、2,7−ジカルボキシナフ
タレン−4−スルホン酸およびジフェニルスルホテレフタル酸のナトリウム、カ
リウム、リチウム塩およびアンモニウム塩および/またはアルキルエステルであ
る。 ポリエーテルエステルアミド(B)は、ジカルボキシルポリアミドブロック(
カルボン鎖末端を含む)とポリエーテルジオールとを縮合させて得られるポリア
ミドブロックとポリエーテルブロックとを含むポリマーである。
ニウム塩であり、例えば2−スルホイソフタル酸、4−スルホイソフタル酸、5
−スルホイソフタル酸(3−スルホイソフタル酸)、2−スルホテレフタル酸、
2,6−ジカルボキシナフタレン−4−スルホン酸、2,7−ジカルボキシナフ
タレン−4−スルホン酸およびジフェニルスルホテレフタル酸のナトリウム、カ
リウム、リチウム塩およびアンモニウム塩および/またはアルキルエステルであ
る。 ポリエーテルエステルアミド(B)は、ジカルボキシルポリアミドブロック(
カルボン鎖末端を含む)とポリエーテルジオールとを縮合させて得られるポリア
ミドブロックとポリエーテルブロックとを含むポリマーである。
【0012】
ジカルボン鎖末端を有するポリアミドブロックは、例えば連鎖制限剤のジカル
ボン酸の存在下でのα,ω−アミノカルボン酸、ラクタムまたはジカルボン酸と
ジアミンとの縮合で得られる。 ポリアミドブロックの数平均分子量Mnは300〜15,000、好ましくは
400〜5000である。ポリエーテルブロックの分子量Mnは100〜600
0、好ましくは200〜3000である。
ボン酸の存在下でのα,ω−アミノカルボン酸、ラクタムまたはジカルボン酸と
ジアミンとの縮合で得られる。 ポリアミドブロックの数平均分子量Mnは300〜15,000、好ましくは
400〜5000である。ポリエーテルブロックの分子量Mnは100〜600
0、好ましくは200〜3000である。
【0013】
ポリアミドブロックとポリエーテルブロックとを含むポリマーはランダムに分
散する単位を含んでいてもよい。このポリマーはポリエーテルとポリアミドブロ
ック先駆体との同時反応で製造される。 例えば、ポリエーテルジオールと、ラクタム(またはα,ω-アミノ酸)と、連
鎖制限剤のジアシッドとを少量の水の存在下で反応させることができる。基本的
に種々の長さのポリエーテルブロックとポリアミドブロックとを有するポリマー
が得られ、さらに各成分がランダムに反応し、ポリマー鎖中に分散した成分を含
むことがある。
散する単位を含んでいてもよい。このポリマーはポリエーテルとポリアミドブロ
ック先駆体との同時反応で製造される。 例えば、ポリエーテルジオールと、ラクタム(またはα,ω-アミノ酸)と、連
鎖制限剤のジアシッドとを少量の水の存在下で反応させることができる。基本的
に種々の長さのポリエーテルブロックとポリアミドブロックとを有するポリマー
が得られ、さらに各成分がランダムに反応し、ポリマー鎖中に分散した成分を含
むことがある。
【0014】
予備調製したポリアミドブロックとポリエーテルブロックとの共重合で得られ
る場合でも、1段階法の反応で得られる場合でもポリアミドブロックとポリエー
テルブロックとを含むポリマーは、例えば初期濃度0.5g/100ml、25
℃のメタクレゾール中で測定した固有粘度は0.4〜2.5である。 ポリアミドブロックとポリエーテルブロックとを含むポリマーは米国特許第4
,331,786号、米国特許第4,115,475号、米国特許第4,195,
015号、米国特許第4,839,441号、米国特許第4,864,014号、
米国特許第4,230,838号および米国特許第4,332,920号に記載さ
れている。 以下、本発明の第1の対象の3つのタイプのポリエーテルエステルアミドにつ
いて説明する。これらのタイプはポリアミドブロックの種類が異なっている。
る場合でも、1段階法の反応で得られる場合でもポリアミドブロックとポリエー
テルブロックとを含むポリマーは、例えば初期濃度0.5g/100ml、25
℃のメタクレゾール中で測定した固有粘度は0.4〜2.5である。 ポリアミドブロックとポリエーテルブロックとを含むポリマーは米国特許第4
,331,786号、米国特許第4,115,475号、米国特許第4,195,
015号、米国特許第4,839,441号、米国特許第4,864,014号、
米国特許第4,230,838号および米国特許第4,332,920号に記載さ
れている。 以下、本発明の第1の対象の3つのタイプのポリエーテルエステルアミドにつ
いて説明する。これらのタイプはポリアミドブロックの種類が異なっている。
【0015】
第1のタイプでは、ジカルボン鎖末端を有するポリアミドブロックが連鎖制限
剤のジカルボン酸の存在下でのα,ω-アミノカルボン酸、ラクタムまたはジカル
ボン酸とジアミンとの縮合で得られる。ポリアミドブロックがジアシッドとジア
ミンとの反応で生じる場合、連鎖制限剤は過剰に用いるジアシッドか、別のジア
シッドにすることができる。本発明では、連鎖制限剤として用いる過剰なジカル
ボン酸または連鎖制限剤として用いるジカルボン酸の全部または一部がジカルボ
ン酸スルホネートである。α,ω-アミノカルボン酸の例としてはアミノウンデカ
ノン酸が挙げられ、ラクタムの例としてはカプロラクタムおよびラウリルラクタ
ムが挙げられ、ジカルボン酸の例としてはアジピン酸、デカンジオン酸およびド
デカンジオン酸が挙げられ、ジアミンの例としてはヘキサメチレンジアミンが挙
げられる。ポリアミドブロックはナイロン−12、ナイロン−6またはナイロン
−6,6、好ましくはPA6またはPA12であり、制限剤はNaSIP(5−
スルホイソフタル酸のナトリウム塩)である。コポリマー(B)の融点でもある
これらのポリアミドブロックの融点は一般にPA12またはPA6の融点より1
0〜15℃低い。 熱可塑性ポリマー(A)の種類によっては、ポリエーテルエステルアミド(B
)との混合時に熱可塑性ポリマー(A)が分解しないように融点の低いポリエー
テルエステルアミド(B)を用いるのが有利である。この点については以下の第
2および第3のタイプのポリエーテルエステルアミドで説明する。
剤のジカルボン酸の存在下でのα,ω-アミノカルボン酸、ラクタムまたはジカル
ボン酸とジアミンとの縮合で得られる。ポリアミドブロックがジアシッドとジア
ミンとの反応で生じる場合、連鎖制限剤は過剰に用いるジアシッドか、別のジア
シッドにすることができる。本発明では、連鎖制限剤として用いる過剰なジカル
ボン酸または連鎖制限剤として用いるジカルボン酸の全部または一部がジカルボ
ン酸スルホネートである。α,ω-アミノカルボン酸の例としてはアミノウンデカ
ノン酸が挙げられ、ラクタムの例としてはカプロラクタムおよびラウリルラクタ
ムが挙げられ、ジカルボン酸の例としてはアジピン酸、デカンジオン酸およびド
デカンジオン酸が挙げられ、ジアミンの例としてはヘキサメチレンジアミンが挙
げられる。ポリアミドブロックはナイロン−12、ナイロン−6またはナイロン
−6,6、好ましくはPA6またはPA12であり、制限剤はNaSIP(5−
スルホイソフタル酸のナトリウム塩)である。コポリマー(B)の融点でもある
これらのポリアミドブロックの融点は一般にPA12またはPA6の融点より1
0〜15℃低い。 熱可塑性ポリマー(A)の種類によっては、ポリエーテルエステルアミド(B
)との混合時に熱可塑性ポリマー(A)が分解しないように融点の低いポリエー
テルエステルアミド(B)を用いるのが有利である。この点については以下の第
2および第3のタイプのポリエーテルエステルアミドで説明する。
【0016】
第2のタイプでは、ポリアミドブロックがジカルボン酸スルホネートの存在下
、必要な場合にはさらに4〜12個の炭素原子を有するジカルボン酸の存在下で
の一つまたは複数のα,ω-アミノカルボン酸および/または6〜12個の炭素原
子を有する一つまたは複数のラクタムの縮合で得られる、低分子量すなわち平均
分子量Mn=400〜900のオリゴマーである。換言すれば、連鎖制限剤の全
部または一部がジカルボン酸スルホネートである。α,ω−アミノカルボン酸の
例としてはアミノウンデカン酸およびアミノドデカン酸が挙げられる。ジカルボ
ン酸の例としてはアジピン酸、セバシン酸、イソフタル酸、ブタン二酸、1,4
‐シクロヘキシルジカルボン酸、テレフタル酸、二量化した脂肪酸(この二量化
脂肪酸は二量体含有率が少なくとも98%で、水素添加されているのが好ましい
)およびドデカンジオン酸が挙げられる。ラクタムの例としてはカプロラクタム
およびラウリルラクタムが挙げられる。ポリアミドブロックはNaSIPの存在
下でラウリルラクタムを縮合して得られ、平均分子量Mnは750、融点は12
7〜130℃である。
、必要な場合にはさらに4〜12個の炭素原子を有するジカルボン酸の存在下で
の一つまたは複数のα,ω-アミノカルボン酸および/または6〜12個の炭素原
子を有する一つまたは複数のラクタムの縮合で得られる、低分子量すなわち平均
分子量Mn=400〜900のオリゴマーである。換言すれば、連鎖制限剤の全
部または一部がジカルボン酸スルホネートである。α,ω−アミノカルボン酸の
例としてはアミノウンデカン酸およびアミノドデカン酸が挙げられる。ジカルボ
ン酸の例としてはアジピン酸、セバシン酸、イソフタル酸、ブタン二酸、1,4
‐シクロヘキシルジカルボン酸、テレフタル酸、二量化した脂肪酸(この二量化
脂肪酸は二量体含有率が少なくとも98%で、水素添加されているのが好ましい
)およびドデカンジオン酸が挙げられる。ラクタムの例としてはカプロラクタム
およびラウリルラクタムが挙げられる。ポリアミドブロックはNaSIPの存在
下でラウリルラクタムを縮合して得られ、平均分子量Mnは750、融点は12
7〜130℃である。
【0017】
第3のタイプでは、ポリアミドブロックが少なくとも一つのα,ω-アミノカ
ルボン酸(またはラクタム)と、少なくとも一つのジアミンと、少なくとも一つ
のジカルボン酸との縮合で得られる。第1のタイプと同様に、連鎖制限剤は過剰
なジカルボン酸または別のジカルボン酸にすることができ、連鎖制限剤の全部ま
たは一部はジカルボン酸スルホネートで置換される。この第3のタイプの一変形
例では、ジカルボン酸スルホネートの量を連鎖制限剤として必要な量より大きく
することができ、この第3のタイプのポリアミドブロックを構成するジアミンと
組み合わせて用いられるジカルボン酸の全てまたは一部の代わりに用いることも
できる。α,ω-アミノカルボン酸、ラクタムおよびジカルボン酸は前記で挙げ
たものから選択できる。
ルボン酸(またはラクタム)と、少なくとも一つのジアミンと、少なくとも一つ
のジカルボン酸との縮合で得られる。第1のタイプと同様に、連鎖制限剤は過剰
なジカルボン酸または別のジカルボン酸にすることができ、連鎖制限剤の全部ま
たは一部はジカルボン酸スルホネートで置換される。この第3のタイプの一変形
例では、ジカルボン酸スルホネートの量を連鎖制限剤として必要な量より大きく
することができ、この第3のタイプのポリアミドブロックを構成するジアミンと
組み合わせて用いられるジカルボン酸の全てまたは一部の代わりに用いることも
できる。α,ω-アミノカルボン酸、ラクタムおよびジカルボン酸は前記で挙げ
たものから選択できる。
【0018】
ジアミンは6〜12個の炭素原子を有する脂肪族ジアミンでよく、アリールお
よび/または飽和環状ジアミンでもよい。 例としてはヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、1−アミノエチルピペラジ
ン、ビスアミノプロピルピペラジン、テトラメチレンジアミン、オクタメチレン
ジアミン、デカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミン、1,5−ジアミノ
ヘキサン、2,2,4−トリメチル−1,6−ジアミノヘキサン、ポリオールジ
アミン、イソホロンジアミン(IPD)、メチルペンタメチレンジアミン(MP
DM)、ビス(アミノシクロヘキシル)メタン(BACM)、ビス(3−メチル
4−アミノシクロヘキシル)メタン(BMACM)が挙げられる。
よび/または飽和環状ジアミンでもよい。 例としてはヘキサメチレンジアミン、ピペラジン、1−アミノエチルピペラジ
ン、ビスアミノプロピルピペラジン、テトラメチレンジアミン、オクタメチレン
ジアミン、デカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミン、1,5−ジアミノ
ヘキサン、2,2,4−トリメチル−1,6−ジアミノヘキサン、ポリオールジ
アミン、イソホロンジアミン(IPD)、メチルペンタメチレンジアミン(MP
DM)、ビス(アミノシクロヘキシル)メタン(BACM)、ビス(3−メチル
4−アミノシクロヘキシル)メタン(BMACM)が挙げられる。
【0019】
第2および第3のタイプのポリアミドブロックでは、ポリアミド単位の各成分
およびその比率は融点が150℃以下、好ましくは90〜135℃になるように
選択する。溶融温度の低いコポリアミドは米国特許第4,483,975号、ド
イツ国特許第3,730,504号および米国特許第5,459,230号に開
示されている。成分比率はコポリマー(B)のポリアミドブロックの場合と同じ
にする。コポリマー(B)を米国特許第5,489,667号に開示のコポリマ
ーにすることもできる。
およびその比率は融点が150℃以下、好ましくは90〜135℃になるように
選択する。溶融温度の低いコポリアミドは米国特許第4,483,975号、ド
イツ国特許第3,730,504号および米国特許第5,459,230号に開
示されている。成分比率はコポリマー(B)のポリアミドブロックの場合と同じ
にする。コポリマー(B)を米国特許第5,489,667号に開示のコポリマ
ーにすることもできる。
【0020】
ポリエーテルブロックはコポリマー(B)の5〜85重量%、好ましくは15
〜50%にすることができる。ポリエーテルブロックは一定の順番またはランダ
ムに分散する一つまたは複数のアルキレンオキシド単位からなるか、その混合物
で構成することができる。アルキレンオキシドとしてはエチレンオキシド、プロ
ピレンオキシドおよびテトラヒドロフランが挙げられる。基本的にエチレンオキ
シドを用いるのが有利である。例えば、PEGブロック(エチレンオキシド単位
からなるブロック)と、PPGブロック(プロピレンオキシド単位からなるブロ
ック)と、PTMGブロック(ポリテトラヒドロフランブロックともよばれるテ
トラメチレングリコール単位からなるブロック)とを用いることもできる。
〜50%にすることができる。ポリエーテルブロックは一定の順番またはランダ
ムに分散する一つまたは複数のアルキレンオキシド単位からなるか、その混合物
で構成することができる。アルキレンオキシドとしてはエチレンオキシド、プロ
ピレンオキシドおよびテトラヒドロフランが挙げられる。基本的にエチレンオキ
シドを用いるのが有利である。例えば、PEGブロック(エチレンオキシド単位
からなるブロック)と、PPGブロック(プロピレンオキシド単位からなるブロ
ック)と、PTMGブロック(ポリテトラヒドロフランブロックともよばれるテ
トラメチレングリコール単位からなるブロック)とを用いることもできる。
【0021】
本発明の第2の対象では、ポリエーテルエステルアミドが第1の対象の第2お
よび第3のタイプのポリエーテルエステルアミドと同じポリアミドブロックを有
する。第2の対象のポリエーテルブロックはアルキレンオキシドと芳香族ジオー
ルとの付加物である。 芳香族ジオールの例としては〔化1〕で表される化学式の化合物が挙げられる
:
よび第3のタイプのポリエーテルエステルアミドと同じポリアミドブロックを有
する。第2の対象のポリエーテルブロックはアルキレンオキシドと芳香族ジオー
ルとの付加物である。 芳香族ジオールの例としては〔化1〕で表される化学式の化合物が挙げられる
:
【0022】
【化1】
【0023】
(ここで、
Z1およびZ2は1〜4個の炭素原子を有するアルキル基、6〜10個の炭素原
子を有するアラルキル基、アリール基およびハロゲンから選択され、互いに同一
でも異なっていてもよく、 Yは共有結合、アルキリデン基、アリールアルキリデン基、酸素原子、硫黄原
子、スルホニル基、ビストリフルオロメチルメチレン基またはカルボニル基であ
り、 nおよびmは0〜4の整数である)
子を有するアラルキル基、アリール基およびハロゲンから選択され、互いに同一
でも異なっていてもよく、 Yは共有結合、アルキリデン基、アリールアルキリデン基、酸素原子、硫黄原
子、スルホニル基、ビストリフルオロメチルメチレン基またはカルボニル基であ
り、 nおよびmは0〜4の整数である)
【0024】
この化合物はビスフェノールであり、例としてはジヒドロキシジフェニル、ア
ルキルで置換されたビスフェノール、ハロゲン化ビスフェノール、ビスフェノー
ルF等のアルキレンビスフェノール、ビスフェノールA等のアルキリデンビスフ
ェノール、シクロヘキシリデンビスフェノール、ビストリフルオロメチルメチレ
ンビスフェノール、アリールアルキリデンビスフェノール、ビスフェノールSお
よびヒドロキシベンゾフェノンが挙げられる。ビスフェノールAが好ましい。
ルキルで置換されたビスフェノール、ハロゲン化ビスフェノール、ビスフェノー
ルF等のアルキレンビスフェノール、ビスフェノールA等のアルキリデンビスフ
ェノール、シクロヘキシリデンビスフェノール、ビストリフルオロメチルメチレ
ンビスフェノール、アリールアルキリデンビスフェノール、ビスフェノールSお
よびヒドロキシベンゾフェノンが挙げられる。ビスフェノールAが好ましい。
【0025】
本発明の第1および第2の対象のポリエーテルエステルアミドはポリアミドブ
ロックとポリエーテルブロックとを結合する任意の手段を用いて作ることができ
る。実際には2段階法と、1段階法の2つの方法が用いられる。これらの方法の
説明では一般的な表記「連鎖制限剤」および「ポリアミド先駆体」を用いるが、
その種類はポリエーテルエステルアミドの説明で既に述べたものをそのまま用い
ることができる。
ロックとポリエーテルブロックとを結合する任意の手段を用いて作ることができ
る。実際には2段階法と、1段階法の2つの方法が用いられる。これらの方法の
説明では一般的な表記「連鎖制限剤」および「ポリアミド先駆体」を用いるが、
その種類はポリエーテルエステルアミドの説明で既に述べたものをそのまま用い
ることができる。
【0026】
2段階法では、初めに連鎖制限剤であるジカルボン酸の存在下でポリアミド先
駆体を縮合してカルボン酸末端基を有するポリアミドブロックを作り、第2段階
でポリエーテルと触媒を添加する。反応は一般に180〜300℃、好ましくは
200〜260℃で約2時間行う。反応器内の圧力は例えば5〜30バールに設
定することができる。反応器を脱気して圧力をゆっくりと下げ、過剰な水は例え
ば1,2時間の蒸留で除去する。
駆体を縮合してカルボン酸末端基を有するポリアミドブロックを作り、第2段階
でポリエーテルと触媒を添加する。反応は一般に180〜300℃、好ましくは
200〜260℃で約2時間行う。反応器内の圧力は例えば5〜30バールに設
定することができる。反応器を脱気して圧力をゆっくりと下げ、過剰な水は例え
ば1,2時間の蒸留で除去する。
【0027】
カルボン酸末端を有するポリアミドを作った後に、ポリエーテルと触媒とを添
加する。ポリエーテルおよび触媒は1回または複数回で添加できる。好ましい実
施例では、ポリエーテルを初めに添加する。ポリエーテルのOH末端基とポリア
ミドのCOOH末端基との反応と、エステル結合の形成および水の除去が一緒に
始まる。反応混合物中の水を蒸留によってできるだけ除去した後、触媒を導入し
てポリアミドブロックのポリエーテルブロックへの結合を完成させる。この第2
段階は好ましくは少なくとも5mmHg(650Pa)の減圧下で反応物および
得られたコポリマーが溶融状態にあるような温度で攪拌しながら実施する。この
温度は例えば100〜400℃、一般に200〜300℃でよい。溶融ポリマー
から攪拌器に加わるトルクを測定するか、攪拌器の消費電力を測定することによ
って反応をモニターし、このトルクまたは消費電力値によって反応の終点を決定
する。触媒とはエステル化によってポリアミドブロックをポリエーテルブロック
に結合させる任意の化合物を意味する。この触媒はチタン、ジルコニウムおよび
ハフニウムで形成される群の中から選択される金属(M)の誘導体であるのが有
利である。
加する。ポリエーテルおよび触媒は1回または複数回で添加できる。好ましい実
施例では、ポリエーテルを初めに添加する。ポリエーテルのOH末端基とポリア
ミドのCOOH末端基との反応と、エステル結合の形成および水の除去が一緒に
始まる。反応混合物中の水を蒸留によってできるだけ除去した後、触媒を導入し
てポリアミドブロックのポリエーテルブロックへの結合を完成させる。この第2
段階は好ましくは少なくとも5mmHg(650Pa)の減圧下で反応物および
得られたコポリマーが溶融状態にあるような温度で攪拌しながら実施する。この
温度は例えば100〜400℃、一般に200〜300℃でよい。溶融ポリマー
から攪拌器に加わるトルクを測定するか、攪拌器の消費電力を測定することによ
って反応をモニターし、このトルクまたは消費電力値によって反応の終点を決定
する。触媒とはエステル化によってポリアミドブロックをポリエーテルブロック
に結合させる任意の化合物を意味する。この触媒はチタン、ジルコニウムおよび
ハフニウムで形成される群の中から選択される金属(M)の誘導体であるのが有
利である。
【0028】
この誘導体の例としては一般式:M(OR)4で表されるテトラアルコキシド
が挙げられる(ここで、Mはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムを表し、R
は、1〜24個の炭素原子を有する線形または枝分れしたアルキル基を示し、互
いに同一でも異なっていてもよい)。 本発明方法で触媒として用いられるテトラアルコキシドのR基の中のC1〜C2 4 アルキル基は例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、エチ
ルヘキシル、デシル、ドデシルまたはヘキサドデシル等である。好ましい触媒は
テトラアルコキシドであり、そのR基はC1〜C8アルキル基であり、互いに同一
でも、異なっていてもよい。このような触媒の例としては特に、 Zr(OC2H5)4、Zr(O−isoC3H7)4、Zr(OC4H9)4、Zr(OC5 H11)4、Zr(OC6H13)4、Hf(OC2H5)4、Hf(OC4H9)4およびHf
(O−isoC3H7)4が挙げられる。
が挙げられる(ここで、Mはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムを表し、R
は、1〜24個の炭素原子を有する線形または枝分れしたアルキル基を示し、互
いに同一でも異なっていてもよい)。 本発明方法で触媒として用いられるテトラアルコキシドのR基の中のC1〜C2 4 アルキル基は例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、エチ
ルヘキシル、デシル、ドデシルまたはヘキサドデシル等である。好ましい触媒は
テトラアルコキシドであり、そのR基はC1〜C8アルキル基であり、互いに同一
でも、異なっていてもよい。このような触媒の例としては特に、 Zr(OC2H5)4、Zr(O−isoC3H7)4、Zr(OC4H9)4、Zr(OC5 H11)4、Zr(OC6H13)4、Hf(OC2H5)4、Hf(OC4H9)4およびHf
(O−isoC3H7)4が挙げられる。
【0029】
本発明方法で用いられる触媒は上記式:M(OR)4で表される一つまたは複
数のテトラアルコキシドのみにすることができるが、一つまたは複数のテトラア
ルコキシドと、式:(R1O)pYで表される一つまたは複数のアルカリ金属また
はアルカリ土類金属のアルコラートとの組み合せにすることもできる(ここで、
R1は炭化水素残基、好ましくはC1〜C24、さらに好ましくはC1〜C8アルキル
残基を表し、Yはアルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、pはYの原子価
である)。混合触媒として組み合せるこのアルカリ金属またはアルカリ土類金属
アルコキシドおよびジルコニウムまたはハフニウムテトラアルコキシドの量は広
範囲に変えることができるが、アルコラートのモル比がテトラアルコキシドのモ
ル比とほぼ同じになるような量のアルコラートおよびテトラアルコキシドを用い
るのが好ましい。
数のテトラアルコキシドのみにすることができるが、一つまたは複数のテトラア
ルコキシドと、式:(R1O)pYで表される一つまたは複数のアルカリ金属また
はアルカリ土類金属のアルコラートとの組み合せにすることもできる(ここで、
R1は炭化水素残基、好ましくはC1〜C24、さらに好ましくはC1〜C8アルキル
残基を表し、Yはアルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、pはYの原子価
である)。混合触媒として組み合せるこのアルカリ金属またはアルカリ土類金属
アルコキシドおよびジルコニウムまたはハフニウムテトラアルコキシドの量は広
範囲に変えることができるが、アルコラートのモル比がテトラアルコキシドのモ
ル比とほぼ同じになるような量のアルコラートおよびテトラアルコキシドを用い
るのが好ましい。
【0030】
触媒の重量比、すなわち触媒がアルカリ金属またはアルカリ土類金属アルコラ
ートを含まない場合のテトラアルコキシドの量、または触媒がこれら2種類の化
合物の組み合せから成る場合には一つまたは複数のテトラアルコキシドと上記ア
ルコキシドの量は、ジカルボン酸ポリアミドとポリオキシアルキレングリコール
との混合物の重量の0.01〜5%、好ましくは0.05〜2%にするのが好ま
しい。
ートを含まない場合のテトラアルコキシドの量、または触媒がこれら2種類の化
合物の組み合せから成る場合には一つまたは複数のテトラアルコキシドと上記ア
ルコキシドの量は、ジカルボン酸ポリアミドとポリオキシアルキレングリコール
との混合物の重量の0.01〜5%、好ましくは0.05〜2%にするのが好ま
しい。
【0031】
他の誘導体の例としては金属(M)塩、特に金属(M)と有機酸との塩および
金属(M)の酸化物および/または金属(M)の水酸化物と有機酸との錯塩を挙
げることができる。有機酸は蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、バレリン(valer
ique)酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸
、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、シクロヘキサンカルボ
ン酸、フェニル酢酸、安息香酸、サリチル酸、蓚酸、マロン酸、琥珀酸、グルタ
ル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸およびクロトン酸にするこ
とができる。酢酸およびプロピオン酸が特に好ましく、Mはジルコニウムである
のが有利である。これらの塩はジルコニル塩とよぶことができる。本出願人はこ
のジルコニウムと有機酸との塩または上記錯塩はプロセス中にZrO++を放出す
ると考えているが、この説明に限定されるものではない。酢酸ジルコニル(ziec
onyl acetate)の名称で市販の製品が用いられ、その使用量はM(OR)4誘導
体と同じである。
金属(M)の酸化物および/または金属(M)の水酸化物と有機酸との錯塩を挙
げることができる。有機酸は蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、バレリン(valer
ique)酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸
、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、シクロヘキサンカルボ
ン酸、フェニル酢酸、安息香酸、サリチル酸、蓚酸、マロン酸、琥珀酸、グルタ
ル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸およびクロトン酸にするこ
とができる。酢酸およびプロピオン酸が特に好ましく、Mはジルコニウムである
のが有利である。これらの塩はジルコニル塩とよぶことができる。本出願人はこ
のジルコニウムと有機酸との塩または上記錯塩はプロセス中にZrO++を放出す
ると考えているが、この説明に限定されるものではない。酢酸ジルコニル(ziec
onyl acetate)の名称で市販の製品が用いられ、その使用量はM(OR)4誘導
体と同じである。
【0032】
上記方法および触媒は米国特許第4,332,920号、米国特許第4,23
0,838号、米国特許第4,331,786号、米国特許第4,252,92
0号、日本特許公開第07145368号、日本特許公開第06287547号
および欧州特許第613919号に記載されている。
0,838号、米国特許第4,331,786号、米国特許第4,252,92
0号、日本特許公開第07145368号、日本特許公開第06287547号
および欧州特許第613919号に記載されている。
【0033】
1段階法では、2段階法で用いられる全ての反応物、例えばポリアミド先駆体
、連鎖制限剤のジカルボン酸、ポリエーテルおよび触媒の全てを混合する。これ
らは前記の2段階法で用いたものと同じ反応物および触媒である。 前記2段階法の第一段階と同様に、反応器を閉じ、攪拌しながら加熱する。そ
の後は前記2段階法の場合と同様にする。 1段階法で使用する触媒は金属(M)と有機酸との塩または金属(M)の酸化
物および/または金属(M)の水酸化物と有機酸との錯塩にするのが好ましい。
、連鎖制限剤のジカルボン酸、ポリエーテルおよび触媒の全てを混合する。これ
らは前記の2段階法で用いたものと同じ反応物および触媒である。 前記2段階法の第一段階と同様に、反応器を閉じ、攪拌しながら加熱する。そ
の後は前記2段階法の場合と同様にする。 1段階法で使用する触媒は金属(M)と有機酸との塩または金属(M)の酸化
物および/または金属(M)の水酸化物と有機酸との錯塩にするのが好ましい。
【0034】
本発明の第3の対象の熱可塑性ポリマー(A)の例としてはポリオレフィン、
ポリアミド、フッ素ポリマー、飽和ポリエステル、ポリカーボネート、スチレン
樹脂、PMMA、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、PVC、エチレン・酢酸ビ
ニルコポリマー(EVA)、エチレン・アルキル(メタ)アクリレートコポリマ
ー、ABS、SAN、ポリアセタールおよびポリケトンが挙げられる。「ポリオ
レフィン」にはエチレンとα-オレフィンとのコポリマーも含まれる。2種また
はそれ以上の熱可塑性ポリマー(A)の混合物を用いても本発明の範囲を逸脱す
るものではない。 熱可塑性ポリマー(A)とポリエーテルエステルアミド(B)の比率において
ポリエーテルエステルアミド(B)の量は要求される帯電防止性のレベルとポリ
エーテルエステルアミド(B)中のポリエーテルの比率とに依存する。熱可塑性
ポリマー(A)とポリエーテルエステルアミド(B)の比率は98〜60部の熱
可塑性ポリマー(A)に対して2〜40部のポリエーテルエステルアミド(B)
である。98〜80部の(A)に対して2〜20部の(B)であるのが好ましい
。
ポリアミド、フッ素ポリマー、飽和ポリエステル、ポリカーボネート、スチレン
樹脂、PMMA、熱可塑性ポリウレタン(TPU)、PVC、エチレン・酢酸ビ
ニルコポリマー(EVA)、エチレン・アルキル(メタ)アクリレートコポリマ
ー、ABS、SAN、ポリアセタールおよびポリケトンが挙げられる。「ポリオ
レフィン」にはエチレンとα-オレフィンとのコポリマーも含まれる。2種また
はそれ以上の熱可塑性ポリマー(A)の混合物を用いても本発明の範囲を逸脱す
るものではない。 熱可塑性ポリマー(A)とポリエーテルエステルアミド(B)の比率において
ポリエーテルエステルアミド(B)の量は要求される帯電防止性のレベルとポリ
エーテルエステルアミド(B)中のポリエーテルの比率とに依存する。熱可塑性
ポリマー(A)とポリエーテルエステルアミド(B)の比率は98〜60部の熱
可塑性ポリマー(A)に対して2〜40部のポリエーテルエステルアミド(B)
である。98〜80部の(A)に対して2〜20部の(B)であるのが好ましい
。
【0035】
本発明組成物は下記の中から選択される少なくとも一つの添加剤をさらに含む
ことができる: 充填剤(無機、難燃剤等) 繊維 無機塩および/または有機塩および/または高分子電解質塩 染料 顔料 蛍光増白剤 酸化防止剤 紫外線安定剤。 本発明組成物は熱可塑性樹脂の成形で一般的な押出法または二軸スクリュー混
練機を用いる方法等で作ることができる。
ことができる: 充填剤(無機、難燃剤等) 繊維 無機塩および/または有機塩および/または高分子電解質塩 染料 顔料 蛍光増白剤 酸化防止剤 紫外線安定剤。 本発明組成物は熱可塑性樹脂の成形で一般的な押出法または二軸スクリュー混
練機を用いる方法等で作ることができる。
【0036】
上記の方法に従ってポリエーテルエステルアミドを作った。その詳細は〔表1
〕に示してある。
〕に示してある。
【0037】
【表1】
【0038】
実施例の説明を簡単にするために、実施例6の前に実施例7を説明する。実施例7
NaSIPで制限されたポリエーテルエステルアミド:6/11/6.12/P
EG.NaSIP(重量比24.5/24.5/21/30)の合成 1リットル容の反応器に、147gのカプロラクタム、147gのウンデカン
酸、42.2gのヘキサメチレンジアミンおよび83.8gのドデカンジオン酸
を、55.6gのNaSIPを190.2gの脱塩水に溶かした溶液と一緒に導
入する。得られた混合物を不活性雰囲気下に置き、温度が230℃に達するまで
加熱し、成分が溶けた後、激しい攪拌状態に2時間維持する。雰囲気圧の作用で
反応混合物から蒸発した水を連続蒸留する。T=245℃で窒素でフラッシング
しながら、Mn=600g/molのポリエチレングリコール124.4gと、
ジルコニル酢酸の水/酢酸溶液1.05g(ジルコニル酢酸全量の0.625%
;pH=3.0〜3.5)との溶液を導入する。 得られた混合物を約5mbarの減圧下に置く。反応を2時間続ける。得られ
た生成物は固有粘度が0.80dl/gで、融点(視覚で決定)が105〜11
5℃である。
EG.NaSIP(重量比24.5/24.5/21/30)の合成 1リットル容の反応器に、147gのカプロラクタム、147gのウンデカン
酸、42.2gのヘキサメチレンジアミンおよび83.8gのドデカンジオン酸
を、55.6gのNaSIPを190.2gの脱塩水に溶かした溶液と一緒に導
入する。得られた混合物を不活性雰囲気下に置き、温度が230℃に達するまで
加熱し、成分が溶けた後、激しい攪拌状態に2時間維持する。雰囲気圧の作用で
反応混合物から蒸発した水を連続蒸留する。T=245℃で窒素でフラッシング
しながら、Mn=600g/molのポリエチレングリコール124.4gと、
ジルコニル酢酸の水/酢酸溶液1.05g(ジルコニル酢酸全量の0.625%
;pH=3.0〜3.5)との溶液を導入する。 得られた混合物を約5mbarの減圧下に置く。反応を2時間続ける。得られ
た生成物は固有粘度が0.80dl/gで、融点(視覚で決定)が105〜11
5℃である。
【0039】実施例6
実施例7と同じ操作を行うが、NaSIPは用いない。実施例8、9
実施例7と同じ操作を行うが、触媒および/またはNaSIPの比率および/
またはPEGの比率を変える。
またはPEGの比率を変える。
【0040】
【表2】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ
,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG
,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,
RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,
AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C
A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM
,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,
GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K
E,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS
,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,
MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,R
U,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM
,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN,
YU,ZA,ZW
(72)発明者 ラクロワ,クリストフ
フランス国 27700 アルケンシ アモー
レ ヴェリエール(番地なし)
Fターム(参考) 4J001 DA04 EA06 EA16 EA17 EB08
EB26 EB36 EB37 EB46 EC04
EC08 EC09 ED34 ED63
4J002 BB001 BB061 BB071 BC031
BC061 BD041 BD121 BG061
BN151 CB001 CF031 CG001
CK021 CL072
Claims (8)
- 【請求項1】 ポリアミドブロックの連鎖制限剤として、または、ポリアミド
ブロックのモノマー成分の一つとしてジアミンと組み合わせて、ジカルボン酸ス
ルホネートを含むポリアミドブロックを有し、ポリエーテルブロックが基本的に
アルキレンオキシド単位からなるポリエーテルエステルアミド(B)。 - 【請求項2】 ポリアミドブロックがジカルボン鎖末端を有し且つ下記(i)
または(ii)の縮合: (i)連鎖制限剤のジカルボン酸の存在下でのα,ω−アミノカルボン酸または
ラクタムの縮合、 (ii)連鎖制限剤のジカルボン酸またはポリアミドブロックで用いる過剰なジカ
ルボン酸の存在下でのジカルボン酸とジアミンとの縮合、 で得られ、 連鎖制限剤として用いる過剰なジカルボン酸または連鎖制限剤として用いるジ
カルボン酸の全部または一部がジカルボン酸スルホネートである、請求項1に記
載のポリエーテルエステルアミド(B)。 - 【請求項3】 ポリアミドブロックが、ジカルボン酸スルホネートの存在下、
必要な場合にはさらに4〜12個の炭素原子を有するジカルボン酸の存在下での
α,ω-アミノカルボン酸および/または6〜12個の炭素原子を有するラクタム
の縮合で得られる平均分子量Mnが400〜900のオリゴマーである請求項1
に記載のポリエーテルエステルアミド(B)。 - 【請求項4】 ポリアミドブロックが、少なくとも一つのα,ω-アミノカル
ボン酸またはラクタムと、少なくとも一つのジアミンと、少なくとも一つのジカ
ルボン酸との縮合で得られ、連鎖制限剤は過剰なジカルボン酸または別のジカル
ボン酸でもよく、連鎖制限剤の全部または一部がジカルボン酸スルホネートで置
換されている請求項1に記載のポリエーテルエステルアミド(B)。 - 【請求項5】 ジカルボン酸スルホネートの量が連鎖制限剤として必要な量よ
りも大きく且つポリアミドブロックを構成するジアミンと組み合わせて用いられ
るジカルボン酸の全部または一部の代わりに用いられる請求項4に記載のポリエ
ーテルエステルアミド(B)。 - 【請求項6】 (i)平均分子量Mn=400〜900のポリアミドオリゴマ
ー形またはジカルボン酸スルホネートを含むコポリアミド形のポリアミドブロッ
クと、(ii)アルキレンオキシドと芳香族ジオールとの付加物であるポリエーテ
ルブロックとを有するポリエーテルエステルアミド(B)。 - 【請求項7】 熱可塑性ポリマー(A)と、請求項1〜6のいずれか一項に記
載の少なくとも一つのポリエーテルエステルアミド(B)としらなる帯電防止性
または通気性ポリマー組成物。 - 【請求項8】 熱可塑性ポリマー(A)がポリオレフィン、ポリアミド、フッ
素ポリマー、飽和ポリエステル、ポリカーボネート、スチレン樹脂、PMMA、
熱可塑性ポリウレタン(TPU)、PVC、エチレン・酢酸ビニルコポリマー(
EVA)、エチレン・アルキル(メタ)アクリレートコポリマー、ABS、SA
N、ポリアセタールおよびポリケトンから選択される請求項7に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR99/12956 | 1999-10-18 | ||
FR9912956 | 1999-10-18 | ||
PCT/FR2000/002889 WO2001029113A1 (fr) | 1999-10-18 | 2000-10-17 | Polyetheresteramides et compositions de polymeres antistatiques les contenant |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003512487A true JP2003512487A (ja) | 2003-04-02 |
Family
ID=9551039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001531905A Abandoned JP2003512487A (ja) | 1999-10-18 | 2000-10-17 | ポリエーテルエステルアミドと、これを含む帯電防止ポリマー組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6706851B1 (ja) |
EP (1) | EP1155065A1 (ja) |
JP (1) | JP2003512487A (ja) |
KR (1) | KR100629122B1 (ja) |
CN (1) | CN1210330C (ja) |
AU (1) | AU7801800A (ja) |
CA (1) | CA2355705C (ja) |
WO (1) | WO2001029113A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021155574A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 酒井化学工業株式会社 | 発泡樹脂シート |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2812647B1 (fr) * | 2000-08-04 | 2003-02-21 | Atofina | Film imper-respirant |
FR2824329B1 (fr) * | 2001-05-03 | 2003-06-13 | Atofina | Compositions de polymeres antistatique |
EP1470189A1 (fr) | 2002-01-31 | 2004-10-27 | Atofina | Compositions de polymeres styreniques antistatiques |
US7022764B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-04-04 | General Electric Company | Static dissipating resin composition and methods for manufacture thereof |
US20070049703A1 (en) * | 2002-12-18 | 2007-03-01 | Murray Michael C | Static dissipating resin compositions, methods for manufacture and articles made therefrom |
JP2004208943A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Sharp Corp | 集塵容器およびそれを備えた電気掃除機 |
WO2004065471A2 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Antistatic composition |
FR2927631B1 (fr) | 2008-02-15 | 2010-03-05 | Arkema France | Utilisation d'un promoteur d'adherence dans une solution de nettoyage de la surface d'un substrat a base de tpe et/ou de pa, pour augmenter l'adherence dudit substrat avec les joints de colle aqueux. |
FR2936803B1 (fr) | 2008-10-06 | 2012-09-28 | Arkema France | Copolymere a blocs issu de matieres renouvelables et procede de fabrication d'un tel copolymere a blocs. |
FR2941238B1 (fr) | 2009-01-22 | 2012-06-08 | Arkema France | Utilisation d'une composition transparente pour photobioreacteurs. |
FR2941700B1 (fr) | 2009-02-02 | 2012-03-16 | Arkema France | Procede de synthese d'un alliage de copolymere a blocs presentant des proprietes antistatiques ameliorees. |
FR2954151B1 (fr) | 2009-12-17 | 2012-03-16 | Oreal | Utilisation d'une composition cosmetique comprenant au moins un polymere elastomere filmogene pour le traitement de la transpiration humaine |
FR2958649B1 (fr) | 2010-04-07 | 2012-05-04 | Arkema France | Copolymere a blocs issu de matieres renouvelables et procede de fabrication d'un tel copolymere a blocs |
FR2960773B1 (fr) | 2010-06-03 | 2015-12-11 | Oreal | Procedes de traitement cosmetique utilisant un revetement a base d'un polymere polyamide-polyether |
CA2822496A1 (en) | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Achim Feldermann | Antistatic polycarbonate molding compounds |
FR2972351B1 (fr) | 2011-03-09 | 2013-04-12 | Oreal | Procede de traitement cosmetique de la transpiration humaine comprenant l'application d'un film polymerique anti-transpirant solubilisable |
KR101798237B1 (ko) | 2011-05-06 | 2017-11-15 | 심천 워트 어드밴스드 머티리얼즈 주식회사 | 전방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지, 상기 전방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지를 포함하는 고분자 필름, 상기 고분자 필름을 포함하는 연성 금속박 적층판, 및 상기 연성 금속박 적층판을 구비하는 연성 인쇄 회로기판 |
US9966629B2 (en) | 2015-02-03 | 2018-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sodium-conducting solid electrolyte |
WO2017186663A1 (de) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | Covestro Deutschland Ag | Antistatische thermoplastische formmassen |
US10655011B2 (en) | 2016-04-27 | 2020-05-19 | Covestro Deutschland Ag | Antistatic and light-stable thermoplastic polycarbonate moulding compounds |
FR3096683B1 (fr) | 2019-05-27 | 2022-03-04 | Arkema France | copolyesteramide auto-ignifugé |
FR3096684B1 (fr) | 2019-05-29 | 2022-03-04 | Arkema France | Copolymère à blocs à résistance améliorée au sébum |
CN112175174B (zh) * | 2019-07-02 | 2023-03-28 | 财团法人工业技术研究院 | 液晶聚合物、积层材料、液晶聚合物溶液与液晶聚合物薄膜的形成方法 |
JP6807478B1 (ja) * | 2020-05-28 | 2021-01-06 | 三洋化成工業株式会社 | 帯電防止剤 |
CN115124714B (zh) * | 2021-03-24 | 2023-07-04 | 杭州聚合顺新材料股份有限公司 | 亲水性两性离子改性聚酰胺及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2466478B2 (fr) | 1979-10-02 | 1986-03-14 | Ato Chimie | Procede de preparation de copolyetheresteramides aliphatiques elastomeres |
DE3788818T2 (de) | 1986-04-14 | 1994-06-30 | Toray Industries | Innerlich antistatische thermoplastische Harzzusammensetzungen. |
US4899521A (en) | 1986-10-14 | 1990-02-13 | W. R. Grace & Co. - Conn. | Antistatic thermoplastic/polyamide-polyether compositions and antistatic polymeric films made therefrom |
DE3714267A1 (de) | 1987-04-29 | 1988-11-10 | Degussa | Schlagzaehe polyoxymethylen-formmassen |
JPH07774B2 (ja) | 1991-11-20 | 1995-01-11 | 三洋化成工業株式会社 | 帯電防止剤 |
CA2088338A1 (en) | 1992-01-29 | 1993-07-30 | Peter Malcolm Goman | Anti-static agent for thermoplastic polymers |
US5652326A (en) * | 1993-03-03 | 1997-07-29 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Polyetheresteramide and antistatic resin composition |
ES2259596T3 (es) | 1999-04-23 | 2006-10-16 | Arkema France | Composiciones de polimeros antiestaticos. |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2001531905A patent/JP2003512487A/ja not_active Abandoned
- 2000-10-17 WO PCT/FR2000/002889 patent/WO2001029113A1/fr not_active Application Discontinuation
- 2000-10-17 US US09/868,099 patent/US6706851B1/en not_active Ceased
- 2000-10-17 EP EP00968057A patent/EP1155065A1/fr not_active Ceased
- 2000-10-17 AU AU78018/00A patent/AU7801800A/en not_active Abandoned
- 2000-10-17 US US11/376,699 patent/USRE39994E1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-17 CN CNB008022801A patent/CN1210330C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-17 CA CA002355705A patent/CA2355705C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-17 KR KR1020017007671A patent/KR100629122B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021155574A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 酒井化学工業株式会社 | 発泡樹脂シート |
JP7473166B2 (ja) | 2020-03-27 | 2024-04-23 | 酒井化学工業株式会社 | 発泡樹脂シート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001029113A1 (fr) | 2001-04-26 |
AU7801800A (en) | 2001-04-30 |
KR20010082367A (ko) | 2001-08-29 |
KR100629122B1 (ko) | 2006-09-27 |
EP1155065A1 (fr) | 2001-11-21 |
US6706851B1 (en) | 2004-03-16 |
USRE39994E1 (en) | 2008-01-01 |
CN1210330C (zh) | 2005-07-13 |
CA2355705C (fr) | 2007-04-24 |
CN1327461A (zh) | 2001-12-19 |
CA2355705A1 (fr) | 2001-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003512487A (ja) | ポリエーテルエステルアミドと、これを含む帯電防止ポリマー組成物 | |
JP3427261B2 (ja) | 帯電防止ポリマー組成物 | |
KR100470245B1 (ko) | 대전방지성 고분자 조성물 | |
JP2635259B2 (ja) | ブロックポリエーテル―アミドの合成方法 | |
US5416172A (en) | Transparent polyamide compositions having high resistance to chemical agents | |
US6916517B2 (en) | Polyamide-based transparent composition | |
US20050165210A1 (en) | Transparent copolymers having polyamide blocks and polyether blocks | |
KR920018108A (ko) | 블럭 폴리에테르아미드, 이의 합성 방법 | |
JP2003508622A (ja) | 帯電防止性のアクリルポリマー組成物 | |
JPH0146528B2 (ja) | ||
JPS58210925A (ja) | ポリエ−テルエステルアミドの製造方法 | |
JPS63130631A (ja) | シリコーンを含むポリアミド組成物 | |
JPH08134206A (ja) | 共重合ポリアミド樹脂 | |
JPH0125491B2 (ja) | ||
JPH0314868B2 (ja) | ||
JPH10259247A (ja) | 生分解性ポリマー及びその製法 | |
JPS59217726A (ja) | ポリエ−テルエステルアミドエラストマ | |
JPS63120754A (ja) | 熱可塑性ポリエステル組成物 | |
JPH046730B2 (ja) | ||
JPH0621162B2 (ja) | 親水性のポリアミドエラストマ | |
JPS6142565A (ja) | 樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071017 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20081008 |