JP2003508909A - シリコン基板上への導電性珪化物層の形成方法および導電性珪化物接点の形成方法 - Google Patents
シリコン基板上への導電性珪化物層の形成方法および導電性珪化物接点の形成方法Info
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Abstract
Description
点の形成方法に関する。
される隔離能動デバイス領域に電気接点が形成されるのが一般的である。この能
動領域は、一般的に基板表面上に形成された絶縁材上に作られた導電性の高いパ
スあるいはラインによって接続されている。さらに、電気接点はバルクウェーハ
の外側に設けられた他の導電性領域、例えば導電性ライン、接点プラグ、その他
装置にも設けられるのが一般的である。二つの導電性領域間の電気的接続を行な
うために、絶縁層中の開口部を所望の領域へエッチングし、その後に形成される
導電性フィルムによって前記領域との接続をとることが一般的に行なわれる。前
記所望の領域がシリコンを含んでいる場合、かかるシリコン領域へ導電性金属珪
化物インタフェースを形成することによりコンダクタンスを大幅に増加させるこ
とが可能である。
、デバイスサイズを水平面的に小さくすることに努力を払ってきた。また、過剰
な電流密度を避けるため、横方向のスケーリングは必ずしも縦方向の寸法の縮小
化が伴う必要はない。このため特に接点開口部に関しては、一般的にアスペクト
比と称されるデバイス幅に対するデバイス高の比の増加を生じている。
エッチング形成する際に通常用いられる全体エッチング処理において困難な問題
を生ずるものである。例えば、絶縁材を通る電気接点開口部がエッチングされる
一般的絶縁材としてボロフォスフォシリケイトグラス(BPSG)がある。開口
を形成するために、フォトレジストが一般的にはBPSG上に堆積され且つパタ
ーン化されるBPSG中に接点開口をエッチングする一般的な方法としてはプラ
ズマを用いるかあるいは用いないドライ異方性エッチングがある。エッチングの
結果として、フォトレジストは基板から剥離除去される。エッチングの最終段階
及び除去工程において、シリコン上の接点開口底部に二酸化珪素が生成される。
この除去によって二酸化珪素が不足当量の二酸化珪素へと変換される傾向がある
。ここで「不足当量の二酸化珪素」とはSiOxを意味し、ここでxは0より大
きく2より小さい数値である。
。かかる影響は対処を要する二つの問題のうちの一つである。例えば、チタンの
二酸化珪素上の接点開口部底部への堆積においては、もし該酸化物が適当に薄け
れば、珪化物の焼きなましに際して該酸化物を通して導電性珪化物接点の形成が
もたらされることが知られている。あるいは、二酸化珪素は、金属堆積直前に、
例えばHFあるいは水酸化テトラメチルアンモニウム溶液を用いた迅速なウエッ
トエッチングにより、またはドライエッチングによって取除くことが可能である
。しかしながら、かかる方法では不足当量の二酸化珪素をエッチングによって、
化学量論的二酸化珪素がエッチングで取除かれる程度まで取除くことができない
。さらに、例え前記金属が前記酸化物上に直接堆積しても、珪化物化は化学量論
的二酸化珪素と不足当量の二酸化珪素双方が存在している接点の全体に渡って均
質には行なわれない。そのため接点底部に形成される珪化物厚にばらつきを生じ
、あるいは部位によっては珪化物が形成されない結果を生じ、基板の接点抵抗の
増加や漏出の問題を生じていた。
である。本発明は付帯のクレームにより字義通りに限定される範囲に限定されて
はならず、その範囲は均等性理論により解釈されるべきものである。
接点を形成する方法に関するものである。本発明の一実施形態において、シリコ
ン基板上に導電性珪化物層を形成する方法は、シリコン基板中のシリコンと酸素
を反応させて該基板中のシリコンからシリコン酸化物を生成するものである。こ
のシリコン酸化物には化学量論的二酸化珪素と不足当量の二酸化珪素が含まれる
。前記化学量論的二酸化珪素及び不足当量の二酸化珪素はオゾンへ露出されるこ
とにより、前記不足当量の二酸化珪素の少なくとも一部が化学量論的二酸化珪素
へと変換される。前記の露出処理後、導電性金属珪化物がシリコン基板中のシリ
コンと電気的に接続された状態で生成される。
法は、シリコン基板中のシリコンと酸素を反応させて該基板中のシリコンからシ
リコン酸化物を生成するものである。このシリコン酸化物には化学量論的二酸化
珪素と不足当量の二酸化珪素が含まれる。前記化学量論的二酸化珪素および不足
当量の二酸化珪素は、酸素ガス(O2)中へ露出されることにより、不足当量の
二酸化珪素の少なくとも一部が化学量論的二酸化珪素へと変換される。前記の露
出処理後、金属がシリコン基板中のシリコンと反応して導電性金属珪化物が生成
される。
ーハ片は、図示されたような導電性拡散領域14がウェーハ片中に形成されたバ
ルク単結晶シリコン半導体基板から成るものである。本明細書の記載においては
、用語「半導体基板」あるいは「半電導性基板」とは、大部分が半導電性である
物質を含む半導電性物質から成るいかなる構造物、以下に限定されないが、例え
ば半導電性ウェーハ(単体及び他の物質との集合体も含む)、及び半導体物質層
(単体及び他の物質を含む集合体も含む)、を意味するものである。用語「基板
」とは支持構造物を指し、例えばこれに限定されないが上述の半導体基板はこの
定義に含まれるものである。また、本記載中において「シリコン基板」とは、単
結晶シリコン材料、多結晶質シリコン材料、及び/又はシリコン複合材料から成
る基板を意味するものである。拡散領域14は、一例ではあるが、電気的接続が
所望されるシリコン基板上における接続点を構成するものである。
6上にはマスク層18が形成されている。マスク層18の好ましい材料としては
フォトレジストを例示することができ、この場合、接続点部位/拡散領域14へ
接点開口部をパターン化するために光露光を用いることができる。
つ拡散領域14の上方に図示されたような開口部20が形成されている。
絶縁材層16中へ、また好ましくは図示されたように絶縁材16を完全に貫通す
る状態で開口部21が形成されている。かかるエッチングはプラズマを使用した
あるいは無使用のドライ異方性エッチングで行なうことが好ましく、実質的には
絶縁層16及び接続点領域14に対して選択的に行なわれる。ドライエッチング
ガスとしては炭素ハロゲン混合物が例示でき、一例としてCF4を挙げることが
できる。ウエットエッチングあるいは他のエッチング方法によって行なってもよ
い。
レジスト層18が除去されている。かかるフォトレジストを除去する一般的方法
としては、基板を100°Cから300°Cの範囲の温度下で酸素原子、分子及
び/又はラジカルへ露出させる方法を挙げることができる。かかる除去処理によ
って、絶縁材開口部21内部の例えば指定領域22において、基板12中のシリ
コンからシリコン酸化物を生成することが可能となる。かかる酸化物は、化学量
論的二酸化珪素と不足当量の二酸化珪素から成るものである。これら化学量論的
二酸化珪素及び不足当量の二酸化珪素は実質的に同質な混合物から成り、図示し
た接点開口部の全体に渡って散在状に形成されている。また、前記化学量論的二
酸化珪素及び不足当量の二酸化珪素の厚みは接点開口部の全体に渡ってほぼ均一
であるか、あるいはかなり異なっている。上記した方法はシリコン酸化物を生成
するものであるが単なる一例である。前記シリコン酸化物は、シリコン基板中の
シリコンと酸素を反応させる他の方法によっても生成することができる。また、
本発明による導電性珪化物接点はマスク材層を欠いていても形成することが可能
である。また、本発明の範囲を広く見た場合、本発明は、絶縁層あるいは他の層
を通して接点の形成を問わずに、シリコン基板上へ導電性珪化物層を形成する方
法を提供するものである。
4)は、オゾンに露出されることにより、不足当量の二酸化珪素の少なくとも一
部が化学量論的二酸化珪素へ変換されている。図5では、不足当量の二酸化珪素
のほぼ全部が変換されて化学量論的二酸化珪素領域24を生成している状態を示
している。前記露出処理の好ましい実施例では、オゾンと酸素ガス(O2)の混
合ガスをウェーハが収容された反応室中へ送り込んで露出処理を行なっている。
また、好ましい他の実施例として、オゾンとO2を別々に反応室へ送り込んで露
出処理を行なっても良い。反応室へ送り込むオゾンの容積流量比は、反応室への
オゾンとO2の混合ガス流量比の約30%から約50%の範囲内であることが好
ましい。ウェーハの温度は約300°Cから約700°Cの範囲内に維持するこ
とが好ましく、反応槽圧は約2トールから約20トールの範囲内が好ましく、ま
た本処理は約10秒から30秒の時間内で行なうことが好ましい。具体例として
、本露出処理は400°C、5トール、20秒間の条件において行なわれる。さ
らに他の実施例として、オゾンの純ガスをウェーハへ送り込む方法によってもよ
い。
出、好ましくは液状のH2Oへの露出が含まれていてもよい。いずれにせよ、オ
ゾンとH2Oを反応室外で混合して、混合したオゾンとH2Oを反応室へ送り込
む。この処理は図9に概略的に実施例として示されている。ここではウェーハ1
0を反応室30内へ収容する。適当なバブラー装置32を反応室30の外側に設
置し、この装置から反応室30へ給送管34を配する。図に示すように液状のH 2 Oをガス状のオゾン(O3)流(好ましくは酸素(O2)とオゾン(O3)の
混合ガス)と共にバブラー32へ送り込み、バブラー中で泡状の混合液へと調製
する。この液状化されたガス流は給送管34を経由して反応室30へ送り込まれ
る。給送管34中におけるオゾンの濃度は水に対して約0.1から約5.0pp
mの濃度範囲内であることが好ましい。好ましい処理時間は1ないし5分間の範
囲内であり、通常気圧及び室温下で処理することが好ましい。上記の好ましい処
理においては、層22から層24へと形成されあるいは変換される層の厚みは3
0から40オングストロームの範囲内に自己制御される。
O3が別々に反応室30へ送り込まれる。
珪素へと変換されていて、その後に開口部21から二酸化珪素層24が全て除去
されていることが好ましい。層24の除去はウエットエッチングあるいは他のエ
ッチングによって行なうことが可能である。ウエットエッチングの具体例として
は、重量比で100部のH2O、1部のHF、1部のTMAHから成るエッチ液
へ27.6°C、通常気圧下で1−2分間露出させることによって除去を行なう
ことができる。ウエットエッチングの他の具体例としては、同一の温度気圧条件
及び処理時間において、重量比でフッ化アンモニウム33%、リン酸(H3PO 4 )3%、H2O64%から成るエッチ液を用いる方法がある。他に実施例とし
ては、Ar/H2、H2/NF3、Ar/Cl2等の混合ガスを用いてプラズマ
を発生させるドライエッチング法を挙げることができる。次いで、金属層36(
例えば1または2以上の元素状態あるいは合金形態)を好ましくは堆積させて絶
縁材層21内部へ該金属層を形成する。あるいは、特に好ましくはないが、絶縁
材開口部21内部から領域24を除去しないまま絶縁材開口部21内へ金属を処
理してもよい。図7は、従来法または最新の珪化物化処理を施された金属36を
基板中のシリコンと反応させて導電性金属珪化物領域40を形成した状態を示し
ている。処理例としては、700−800°Cで10−30秒間処理するRTP
を挙げることが出来る。
挙げることが出来る。かかる金属は化学蒸着、物理的蒸着、あるいは示されたど
の部位にも金属を堆積できる他の方法によって堆積させることができる。さらに
他の実施例として、ウェーハ全体に珪化物を堆積させてもよい。さらに、最も好
ましい方法として、金属を層へ堆積させる際に該金属が堆積過程において基板中
のシリコンと反応して珪化物を生成し該金属が基板へ接触させる方法が挙げられ
る。この方法は二酸化珪素及び/又は他の非シリコン表面上への金属の堆積にも
用いられる。特定の化学蒸着法を用いて本発明方法のさらに好ましい方法とする
具体例として、反応槽へのガス流速をTiCl4(300sccm/分)、H2 O(500sccm/分)、アルゴン(5000sccm/分)とし、ウェーハ
/反応槽温度650°C、反応槽内圧5トール、RF電力500ワットの条件下
において平行平板容量結合型反応槽中で約75秒で処理を行なう方法が挙げられ
る。
コンへは直接露出されていないので反応は起こらず珪化物は生成されない。その
ため前記接点開口部底部に残っている領域40は従来法あるいは最新の方法によ
って除去することができる。除去方法の例として、NH4OH/H2O2/H2 O混合液(容積比で1:1:5)中へ65°Cで5分間浸漬する方法を挙げるこ
とが出来る。開口部21の残存部分は、拡散領域14への導電性プラグ接点形成
のために最終的には導電性材で充填される。
の方法として、プラズマ反応槽中でO2プラズマへ露出させる方法がある。平行
平板容量結合型反応槽を用いた好ましい具体例においては、圧力2−10トール
、サセプタ温度約400−約500°C、電力約300−約700ワット、ガス
流としてO2約100−500sccm、アルゴン約1000−2000scc
m、反応時間約10−60秒間で反応が行なわれる。さらに好ましい具体例にお
ける条件は圧力が5トール、サセプタ温度が450°C、ガス流としてO2が3
00sccm、アルゴンが1500sccm、電力が500ワット、反応時間が
45秒間である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図。
。
Claims (32)
- 【請求項1】 シリコン基板中のシリコンと酸素を反応させることにより、
前記基板中のシリコンとのシリコン酸化物であって、化学量論的二酸化珪素と不
足当量の二酸化珪素からなるシリコン酸化物を生成する工程と、 前記化学量論的二酸化珪素および前記不足当量の二酸化珪素をオゾンへ露出さ
せて前記不足当量の二酸化珪素の少なくとも一部を化学量論的二酸化珪素へ変換
する工程と、 前記露出処理後に、シリコン基板中のシリコンと電気的に接続された状態で導
電性金属珪化物を生成する工程と、 から構成されることを特徴とするシリコン基板上への導電性珪化物層の形成方
法。 - 【請求項2】 前記化学量論的二酸化珪素および前記不足当量の二酸化珪素
をオゾンと共にH2Oへ露出させる工程を含むことを特徴とする前記請求項1に
記載の方法。 - 【請求項3】 前記露出処理が反応室中で行なわれ、前記反応室の外部でオ
ゾンとH2Oを混合し混合されたオゾン及びH2Oを前記反応室内へ送り込むこ
とを特徴とする前記請求項2に記載の方法。 - 【請求項4】 前記露出処理が反応室中で行なわれ、オゾンとH2Oを別々
に前記反応室内へ送り込むことを特徴とする前記請求項2に記載の方法。 - 【請求項5】 オゾンがH2Oに対する濃度で約0.1ppmから5.0p
pm存在することを特徴とする前記請求項2に記載の方法。 - 【請求項6】 前記化学量論的二酸化炭素が露出処理を受けるH2Oは液状
のH2Oであることを特徴とする前記請求項2に記載の方法。 - 【請求項7】 前記露出処理が反応室中で行なわれ、前記オゾンがガス状で
O2と共に反応室へ送り込まれることを特徴とする前記請求項1に記載の方法。 - 【請求項8】 前記反応室へ送り込まれる前記オゾンの容積流量比が、前記
反応室へのオゾンとO2の混合流量の約30−50%であることを特徴とする前
記請求項7に記載の方法。 - 【請求項9】 前記露出処理後に、変換された化学量論的二酸化珪素を前記
金属との反応前に除去することを特徴とする前記請求項1に記載の方法。 - 【請求項10】 シリコン基板上へ絶縁材を形成する工程と、 電気的接続が必要とされる前記シリコン基板上の接続点部位上方の前記絶縁材
中に開口部を形成する工程と、 前記開口部内の前記基板中のシリコンから、化学量論的二酸化珪素と不足当量
の二酸化珪素とからなるシリコン酸化物を形成する工程と、 前記化学量論的二酸化珪素および前記不足当量の二酸化珪素をオゾンへ露出さ
せて前記不足当量の二酸化珪素の少なくとも一部を化学量論的二酸化珪素へ変換
する工程と、 前記露出処理後、前記開口部内の前記シリコン基板中のシリコンと電気的に接
続された状態で導電性金属珪化物を形成する工程と、 から構成されることを特徴とする導電性珪化物接点の形成方法。 - 【請求項11】 前記露出処理後に、変換された化学量論的二酸化珪素を前
記開口部内に前記金属を形成する前に前記開口部から除去することを特徴とする
前記請求項10に記載の方法。 - 【請求項12】 前記除去処理がウエットエッチングで行なわれることを特
徴とする前記請求項11に記載の方法。 - 【請求項13】 前記除去処理がドライエッチングで行なわれることを特徴
とする前記請求項11に記載の方法。 - 【請求項14】 前記露出処理により実質的に全ての前記不足当量の二酸化
珪素が化学量論的二酸化珪素へと変換され、前記露出処理後に、前記開口部から
実質的に全ての化学量論的二酸化珪素を前記開口部内へ前記金属を形成する前に
除去することを特徴とする前記請求項10に記載の方法。 - 【請求項15】 前記絶縁材の上方へマスク層を形成し、前記接続点の上方
へマスク層を通して開口部を形成し、 前記絶縁材中への前記開口部は前記マスク層中の開口部を通して形成され、 前記絶縁材層中へ前記開口部を形成した後、前記基板からマスク層を除去し、 前記除去処理中に前記不足当量の二酸化珪素が形成される、 ことを特徴とする前記請求項10に記載の方法。 - 【請求項16】 前記化学量論的二酸化珪素および不足当量の二酸化珪素を
オゾンとともにH2Oへ露出させることを特徴とする前記請求項10に記載の方
法。 - 【請求項17】 前記露出処理は反応室中で行なわれ、反応室の外部でオゾ
ンをH2Oと混合し、混合したオゾンとH2Oを反応室へ送り込むことを特徴と
する前記請求項16に記載の方法。 - 【請求項18】 前記露出処理は反応室中で行なわれ、反応室内へオゾンと
H2Oを別々に送り込むことを特徴とする前記請求項16に記載の方法。 - 【請求項19】 前記オゾンがH2Oに対する濃度として0.1ppmから
5.0ppmの範囲内で存在することを特徴とする前記請求項16に記載の方法
。 - 【請求項20】 前記化学量論的二酸化珪素が露出処理されるH2Oが液状
のH2Oであることを特徴とする前記請求項16に記載の方法。 - 【請求項21】 前記露出処理は反応室中で行なわれ、反応室内へオゾンが
H2Oと混合されたガス状で送り込まれることを特徴とする前記請求項10に記
載の方法。 - 【請求項22】 前記オゾンが、前記反応室へのオゾンとO2の混合流量の
約30−50%の容積流量比で前記反応室へ送り込まれることを特徴とする前記
請求項21に記載の方法。 - 【請求項23】 シリコン基板上方へ絶縁材層を形成する工程と、 前記絶縁材層の上方へマスク層を形成する工程と、 前記マスク層をパターン化してマスク層中に開口部を形成する工程と、 電気的接続が必要とされる前記シリコン基板上の接続点部位上方のマスク層開
口部の少なくとも一つを通して前記絶縁材層中へ開口部を形成する工程と、 前記絶縁材層中への開口部の形成後、前記基板から前記マスク層を除去して前
記絶縁材開口部内の基板中のシリコンとのシリコン酸化物であって化学量論的二
酸化珪素と不足当量の二酸化珪素とからなるシリコン酸化物を生成する工程と、 前記化学量論的二酸化珪素および前記不足当量の二酸化珪素をオゾンへ露出さ
せて前記不足当量の二酸化珪素の少なくとも一部を化学量論的二酸化珪素へ変換
する工程と、 前記露出処理後に、前記開口部から変換された化学量論的二酸化珪素を除去す
る工程と、 前記開口部から変換された化学量論的二酸化珪素を除去した後、前記開口部内
の前記シリコン基板と電気的に接続した状態で導電性金属珪化物を形成する工程
と、 から構成される導電性珪化物接点の形成方法。 - 【請求項24】 前記露出処理により実質的に全ての前記不足当量の二酸化
珪素が化学量論的二酸化珪素へ変換され、前記露出処理後に、前記開口部から実
質的に全ての化学量論的二酸化珪素を前記開口部内へ前記金属を形成する前に除
去することを特徴とする前記請求項23に記載の方法。 - 【請求項25】 シリコン基板中のシリコンと酸素を反応させることにより
、前記基板中のシリコンとのシリコン酸化物であって化学量論的二酸化珪素と不
足当量の二酸化珪素とからなるシリコン酸化物を生成する工程と、 前記化学量論的二酸化珪素および前記不足当量の二酸化珪素をO2プラズマへ
露出させて前記不足当量の二酸化珪素の少なくとも一部を化学量論的二酸化珪素
へ変換する工程と、 前記露出処理後に、シリコン基板中のシリコンと電気的に接続された状態で導
電性金属珪化物を形成する工程と、 から構成されることを特徴とするシリコン基板上への導電性珪化物層の形成方
法。 - 【請求項26】 前記露出処理後に前記金属との反応前に変換された化学量
論的二酸化珪素を除去することを特徴とする前記請求項25に記載の方法。 - 【請求項27】 シリコン基板上へ絶縁材層を形成する工程と、 電気的接続が必要とされる前記シリコン基板上の接続点部位上方の前記絶縁材
層中へ開口部を形成する工程と、 前記開口部内の前記基板中のシリコンから、化学量論的二酸化珪素と不足当量
の二酸化珪素シリコン酸化物とからなるシリコン酸化物を生成する工程と、 前記化学量論的二酸化珪素および前記不足当量の二酸化珪素をO2プラズマへ
露出させて前記不足当量の二酸化珪素の少なくとも一部を化学量論的二酸化珪素
へ変換する工程と、 前記露出処理後、前記開口部内の前記シリコン基板中のシリコンと電気的に接
続した状態で導電性金属珪化物を形成する工程と、 から構成されることを特徴とする導電性珪化物接点の形成方法。 - 【請求項28】 前記露出処理後に変換された化学量論的二酸化珪素を、前
記開口部内に前記金属を形成する前に、前記開口部から除去することを特徴とす
る前記請求項27に記載の方法。 - 【請求項29】 前記露出処理により実質的に全ての前記不足当量の二酸化
珪素が化学量論的二酸化珪素へ変換され、前記露出処理後に、前記開口部から実
質的に全ての化学量論的二酸化珪素を前記開口部内へ前記金属を形成する前に除
去することを特徴とする前記請求項27に記載の方法。 - 【請求項30】 前記絶縁材の上方へマスク層を形成し、前記接続点の上方
へマスク層を通して開口部を形成し、 前記絶縁材中への前記開口部は前記マスク層中の開口部を通して形成され、 前記絶縁材層中へ前記開口部を形成した後、前記基板からマスク層を除去し、 前記除去処理中に前記不足当量の二酸化珪素が優位的に形成される、 ことを特徴とする前記請求項27に記載の方法。 - 【請求項31】 シリコン基板上方へ絶縁材層を形成する工程と、 前記絶縁材層の上方へマスク層を形成する工程と、 前記マスク層をパターン化してマスク層中に開口部を形成する工程と、 電気的接続が必要とされる前記シリコン基板上の接続点部位上方のマスク層開
口部の少なくとも一つを通して前記絶縁材層中へ開口部を形成する工程と、 前記絶縁材層中への開口部の形成後、前記基板から前記マスク層を除去して前
記絶縁材開口部内の基板中のシリコンとのシリコン酸化物であって化学量論的二
酸化珪素と不足当量の二酸化珪素とからなるシリコン酸化物を生成する工程と、 前記化学量論的二酸化珪素および前記不足当量の二酸化珪素をO2プラズマへ
露出させて前記不足当量の二酸化珪素の少なくとも一部を化学量論的二酸化珪素
へ変換する工程と、 前記露出処理後に、前記開口部から変換された化学量論的二酸化珪素を除去す
る工程と、 前記開口部から変換された化学量論的二酸化珪素を除去した後、前記開口部内
の前記シリコン基板と電気的に接続された状態で導電性金属珪化物を形成する工
程と、 から構成される導電性珪化物接点の形成方法。 - 【請求項32】 前記露出処理により実質的に全ての前記不足当量の二酸化
珪素が化学量論的二酸化珪素へ変換され、前記露出処理後に、前記開口部から実
質的に全ての化学量論的二酸化珪素を前記開口部内へ前記金属を形成する前に除
去することを特徴とする前記請求項31に記載の方法。
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