JP2003506902A - 集積回路の電源経路指定および接地経路指定 - Google Patents
集積回路の電源経路指定および接地経路指定Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
集積回路が複数のセルブロックと、信号および電力の経路指定のための導体を有する複数の層とを含んでいる。個々のセルのための電力接続および接地接続が、セルレベルにおける第1の導体層内の電源導体および接地導体により行われる。ブロックレベルにおける電源導体および接地導体は、重ねられているビアにより第1の層の電源導体と接地導体に接続されている1番上のレベルにおける電源導体および接地導体により行われる。介在している導体層を信号経路指定のために使用できる。この経路指定技術は、ブロックレベルの電源導体および接地導体が、1番上のレベルではなくて、第2の下側の導体レベルにある先行技術と比較して、回路密度を高くする。信号経路指定のための導体がブロックレベルの電源導体および接地導体の配置に依存して定められるレイアウト法も開示されている。
Description
【0001】
発明の属する技術分野
本発明は集積回路に関するものであり、更に詳しくいえば、電力および信号を
集積回路内の回路に供給するための集積回路内の導体の経路指定に関するもので
ある。
集積回路内の回路に供給するための集積回路内の導体の経路指定に関するもので
ある。
【0002】
従来の技術
集積回路(「IC」)は、「セル」およびセルの「ブロック」の階層状に通常
編成されている回路を含んでいる。各セルは、特定の基本的な機能を実行するた
めに、トランジスタ、抵抗、コンデンサなどの回路素子を多数含んでいる。セル
は後で回路「ブロック」にまとめられ、ICは多数の回路ブロックを含むことに
なる。ICはIC外からの電力や信号をIC内の回路ブロックに、回路ブロック
の間で、および各回路ブロック内のセルの間で、分配するために多数のレベルの
導体を使用している。
編成されている回路を含んでいる。各セルは、特定の基本的な機能を実行するた
めに、トランジスタ、抵抗、コンデンサなどの回路素子を多数含んでいる。セル
は後で回路「ブロック」にまとめられ、ICは多数の回路ブロックを含むことに
なる。ICはIC外からの電力や信号をIC内の回路ブロックに、回路ブロック
の間で、および各回路ブロック内のセルの間で、分配するために多数のレベルの
導体を使用している。
【0003】
導体は導電性材料の層をリソグラフィでパターニングすることにより形成され
て、IC基板の上から見て導電線を形成する。導電線が内部に形成されている導
電層は、(上から見て)他の層と交差している1つの層の線が物理的または電気
的に相互に接触しないように、絶縁層により分離されている。1つの層に形成さ
れている導体を他の層に形成されている導体に電気的に接続したい時は、2つの
導体の間の絶縁層を通じて延長する導体経路が形成される。この導体経路は集積
回路技術において「ビア」として知られている。導電層は通常は金属であって、
最も一般的にはアルミニウムであるが、タングステン、銅、チタンおよびそれら
の金属の合金も含まれる。金属シリサイド、金属ナイトライド、およびドープさ
れたポリシリコンなどの他の材料も知られている。絶縁層は一般的には二酸化シ
リコンなどの誘電体物質である。
て、IC基板の上から見て導電線を形成する。導電線が内部に形成されている導
電層は、(上から見て)他の層と交差している1つの層の線が物理的または電気
的に相互に接触しないように、絶縁層により分離されている。1つの層に形成さ
れている導体を他の層に形成されている導体に電気的に接続したい時は、2つの
導体の間の絶縁層を通じて延長する導体経路が形成される。この導体経路は集積
回路技術において「ビア」として知られている。導電層は通常は金属であって、
最も一般的にはアルミニウムであるが、タングステン、銅、チタンおよびそれら
の金属の合金も含まれる。金属シリサイド、金属ナイトライド、およびドープさ
れたポリシリコンなどの他の材料も知られている。絶縁層は一般的には二酸化シ
リコンなどの誘電体物質である。
【0004】
層は通常は異なる抵抗率を有し、最も低いレベルの層(層1)は最高の抵抗率
を持ち、最も高いレベルの層は最低の抵抗率を有する。その理由は、下の層は厚
さが薄いなどの技術的処理の制約によるものである。異なる抵抗率は経路指定に
影響を及ぼし、比較的近い接続(たとえば、セル内またはブロック内)を行うた
めに抵抗率が高い、下側の層が使用され、異なるブロック内の点の間などのより
長い接続を行うためにより高いレベルの、より低い抵抗率の層が使用される。
を持ち、最も高いレベルの層は最低の抵抗率を有する。その理由は、下の層は厚
さが薄いなどの技術的処理の制約によるものである。異なる抵抗率は経路指定に
影響を及ぼし、比較的近い接続(たとえば、セル内またはブロック内)を行うた
めに抵抗率が高い、下側の層が使用され、異なるブロック内の点の間などのより
長い接続を行うためにより高いレベルの、より低い抵抗率の層が使用される。
【0005】
導体のレイアウトは高度に発展しており、レイアウト技術者の入力およびガイ
ドによりレイアウト作業を自動化するために各種のソフトウエア・ツールを利用
できる。レイアウトを複雑にして、影響を及ぼす要因には、種々のセルの間や種
々のブロックの間の信号タイミングに関して選択された経路指定信号伝播の影響
と、回路密度に及ぼす経路指定の影響と、長い導体延長に沿う望ましくない電圧
降下とである。導電層の数も信号の経路指定に影響を及ぼす。ICの形状配置が
縮むと、利用できる層の数が3から5へ増加し、かつ一般に用いられる層の数は
更に増加することが予測される。
ドによりレイアウト作業を自動化するために各種のソフトウエア・ツールを利用
できる。レイアウトを複雑にして、影響を及ぼす要因には、種々のセルの間や種
々のブロックの間の信号タイミングに関して選択された経路指定信号伝播の影響
と、回路密度に及ぼす経路指定の影響と、長い導体延長に沿う望ましくない電圧
降下とである。導電層の数も信号の経路指定に影響を及ぼす。ICの形状配置が
縮むと、利用できる層の数が3から5へ増加し、かつ一般に用いられる層の数は
更に増加することが予測される。
【0006】
図1ないし図3は、一般的な手法に従って5つの導電層を採用している集積回
路内の導電線のレイアウトを示す。簡単にするために、かつ導体は金属に限定す
る必要はないので、導電線が形成される導電層のことを「層1」、「層2」、
「層3」、「層4」および「層5」と呼ぶことにする。層1は基板に最も近く、
層1、2、3のことを「低レベル」層と呼び、層4と層5を「高レベル層」と呼
ぶ。個々の導電線、または単に「導体」、には「XYY」という形で参照番号を
付けることにする。ここで、Xはその導体が存在する層レベルに対応する数字で
ある。すなわち、導体301は層3にあり、導体501は層5にある。また、ビ
アのことを数字「XZYY」で示し、数字XとZはそのビアが接続する上側導電
層および下側導電層をそれぞれ指す。
路内の導電線のレイアウトを示す。簡単にするために、かつ導体は金属に限定す
る必要はないので、導電線が形成される導電層のことを「層1」、「層2」、
「層3」、「層4」および「層5」と呼ぶことにする。層1は基板に最も近く、
層1、2、3のことを「低レベル」層と呼び、層4と層5を「高レベル層」と呼
ぶ。個々の導電線、または単に「導体」、には「XYY」という形で参照番号を
付けることにする。ここで、Xはその導体が存在する層レベルに対応する数字で
ある。すなわち、導体301は層3にあり、導体501は層5にある。また、ビ
アのことを数字「XZYY」で示し、数字XとZはそのビアが接続する上側導電
層および下側導電層をそれぞれ指す。
【0007】
図1は標準セル12の上面図を示す。セル12内には数多くの回路素子が上記
のようにして存在する。セルの向き合っている縁部12a、12bに沿って、層
1からリソグラフィにより形成された導体101、103がある。それらの水平
に延長している導体、この技術では「レール」として知られている、がセル12
を電源vdd!(レ−ル101)と、接地「gnd!」などの下側の電位源とに
レール103により接続するために用いられる。個々の回路素子の間と、回路素
子とそれぞれのレール101または103との間の接続は層1内に設けることも
できる。
のようにして存在する。セルの向き合っている縁部12a、12bに沿って、層
1からリソグラフィにより形成された導体101、103がある。それらの水平
に延長している導体、この技術では「レール」として知られている、がセル12
を電源vdd!(レ−ル101)と、接地「gnd!」などの下側の電位源とに
レール103により接続するために用いられる。個々の回路素子の間と、回路素
子とそれぞれのレール101または103との間の接続は層1内に設けることも
できる。
【0008】
図2はセルの「ブロック」の一部を示す。ブロック20はセル10、11、1
2、13を含んでいる。実際には、セルのブロックはより多くのセル(1千個の
セルなど)を通常含んでいる。一般的にいえば、セルの各ブロックは、導電パッ
ド(「ピン」)の形の入力接点/出力接点を有し、それらのパッドがIC上の他
のブロックに接続されてそれらを一緒に電気的に接続する、ということで「必要
なものを全て備えている」。また、密度を最高にするためにブロックは全ての側
が互いに接触しているのが普通である。ここでは、セル10、11の下側の行が
他のレール105、この場合には電源レール、により限られている。また、上の
平面内の導電層2から形成されて、レール101、103、105に対して直角
に、かつ層1に平行に延長している導体202、204、206、208が示さ
れている。層1からはレール101〜105が形成されている。導体202、2
04、206、208はこの技術では「条」として知られており、レールと類似
のやり方で電源(vdd!)および接地(gnd!)に関して交番する。接地条
204、208はそれぞれのビア2101、2102により接地レール103に
接続されている。電源条202、206はそれぞれのビア2103、2104、
2105、2106により電源レール101、103に接続されている。
2、13を含んでいる。実際には、セルのブロックはより多くのセル(1千個の
セルなど)を通常含んでいる。一般的にいえば、セルの各ブロックは、導電パッ
ド(「ピン」)の形の入力接点/出力接点を有し、それらのパッドがIC上の他
のブロックに接続されてそれらを一緒に電気的に接続する、ということで「必要
なものを全て備えている」。また、密度を最高にするためにブロックは全ての側
が互いに接触しているのが普通である。ここでは、セル10、11の下側の行が
他のレール105、この場合には電源レール、により限られている。また、上の
平面内の導電層2から形成されて、レール101、103、105に対して直角
に、かつ層1に平行に延長している導体202、204、206、208が示さ
れている。層1からはレール101〜105が形成されている。導体202、2
04、206、208はこの技術では「条」として知られており、レールと類似
のやり方で電源(vdd!)および接地(gnd!)に関して交番する。接地条
204、208はそれぞれのビア2101、2102により接地レール103に
接続されている。電源条202、206はそれぞれのビア2103、2104、
2105、2106により電源レール101、103に接続されている。
【0009】
通常は、5層システムでは、信号経路指定のための相互接続は層5で行われる
。また、電力をチップ外の電源からICを横切ってセルの種々のブロックに分配
する電源導体および接地導体は層5内にもある。ブロックへの電力の供給と、ブ
ロックとの間の信号のやり取りと、ブロックの間の信号の供給とは「トップレベ
ル」設計として知られている。図2に示されているように、セルレベルにおける
電源導体と接地導体とは層1にあり、ブロックレベルにおける電源接続と接地接
続は層2、3にある。ブロック内の信号経路指定は層3、4(図示せず)内で行
われる。
。また、電力をチップ外の電源からICを横切ってセルの種々のブロックに分配
する電源導体および接地導体は層5内にもある。ブロックへの電力の供給と、ブ
ロックとの間の信号のやり取りと、ブロックの間の信号の供給とは「トップレベ
ル」設計として知られている。図2に示されているように、セルレベルにおける
電源導体と接地導体とは層1にあり、ブロックレベルにおける電源接続と接地接
続は層2、3にある。ブロック内の信号経路指定は層3、4(図示せず)内で行
われる。
【0010】
ICのレイアウト設計は、セルレベルから始まって、ブロックレベルまで動き
、その後で1番上のレベルまで動く。ブロックは複数の設計者により同じソフト
ウエア・レイアウト・ツールを用いて並列に従来設計されていた。ブロックレイ
アウトが終了されると、その後で1番上のレベルのレイアウトが設計される。
、その後で1番上のレベルまで動く。ブロックは複数の設計者により同じソフト
ウエア・レイアウト・ツールを用いて並列に従来設計されていた。ブロックレイ
アウトが終了されると、その後で1番上のレベルのレイアウトが設計される。
【0011】
ブロックレベルにおける電力供給と接地とのために層2内の導体を用いるこの
レイアウトの手法の1つの問題は、これにより各セルの接触ピンに層1のみから
接近できるようにすることである。非常に短い距離よりも長いどのような距離に
もわたって信号の経路指定を行うために層1を使用すると、それの高い抵抗率の
ために適切な信号タイミングを達成することが困難にされる。セルは図2の層2
の条202、204、206、208の下に置くことはできない。その理由は、
そのようにすると信号経路指定のために金属1の使用を要するからである。図3
は条202、204の周囲のブロック20の領域の図である。図2におけるよう
に4つのセルのみを示す代わりに、図3は行に配列されたR1〜RNに配置され
ているより多くのセルを示す。条202、204の下にはセルを含んでいないそ
れらの条の下に広いチップ面積があることが極めて明らかである。したがって、
この無駄スペースはICの回路密度を低くして、それのコストを上昇させる。
レイアウトの手法の1つの問題は、これにより各セルの接触ピンに層1のみから
接近できるようにすることである。非常に短い距離よりも長いどのような距離に
もわたって信号の経路指定を行うために層1を使用すると、それの高い抵抗率の
ために適切な信号タイミングを達成することが困難にされる。セルは図2の層2
の条202、204、206、208の下に置くことはできない。その理由は、
そのようにすると信号経路指定のために金属1の使用を要するからである。図3
は条202、204の周囲のブロック20の領域の図である。図2におけるよう
に4つのセルのみを示す代わりに、図3は行に配列されたR1〜RNに配置され
ているより多くのセルを示す。条202、204の下にはセルを含んでいないそ
れらの条の下に広いチップ面積があることが極めて明らかである。したがって、
この無駄スペースはICの回路密度を低くして、それのコストを上昇させる。
【0012】
従来、ビアは層の間を垂直にのみ、すなわち、条とレールとに対して直角に延
長していた。これにより、1番上のレベルの電源導体および接地導体を層2内の
電源/接地レールに接続しようとする時に、「重ねられている」ビアを使用する
ことを要するので、問題が生ずる。「重ねられている」ビアは多数の層を接続す
るビアである。層5から層2へ接続するために、3つのビアのスタック、すなわ
ち、層5内の導体から層4内のそれの下の導体までの第1のビアと、層4内の導
体から層3内のそれの下の導体までの第2のビアと、層3導体から層2導体まで
の第3のビアとを要する。それらのビアは整列させられている。しかし、ブロッ
クレベル信号経路指定は層3、4内にあるので、層3、4内に介在信号導体が存
在する場所にはどの場所にもその重ねられているビアを置くことはできない。こ
れが問題である1つの理由は、下から上への階層設計手法のために、1番上のレ
ベルの設計者が1番上のレベルの電源導体と接地導体の経路指定を開始する前に
、層3、4内の信号経路指定が既に所定場所にあることである。別の理由は、層
3、4内の信号経路指定導体のシア(sheer)数が、層5を層2に接続する
ために必要な重ねられているビアのために広い接近領域を残さないことである。
したがって、層3、4内の信号導体の数が多いと、1番上のレベルにおける電源
導体または接地導体からブロックレベルにおける層2内の関連する電源導体また
は接地導体への以後の接続を行うことを通常実際的でなくする、層5と2の間の
それら2つの層内の信号導体の既存のきつく重ねられている迷路を形成すること
になる。
長していた。これにより、1番上のレベルの電源導体および接地導体を層2内の
電源/接地レールに接続しようとする時に、「重ねられている」ビアを使用する
ことを要するので、問題が生ずる。「重ねられている」ビアは多数の層を接続す
るビアである。層5から層2へ接続するために、3つのビアのスタック、すなわ
ち、層5内の導体から層4内のそれの下の導体までの第1のビアと、層4内の導
体から層3内のそれの下の導体までの第2のビアと、層3導体から層2導体まで
の第3のビアとを要する。それらのビアは整列させられている。しかし、ブロッ
クレベル信号経路指定は層3、4内にあるので、層3、4内に介在信号導体が存
在する場所にはどの場所にもその重ねられているビアを置くことはできない。こ
れが問題である1つの理由は、下から上への階層設計手法のために、1番上のレ
ベルの設計者が1番上のレベルの電源導体と接地導体の経路指定を開始する前に
、層3、4内の信号経路指定が既に所定場所にあることである。別の理由は、層
3、4内の信号経路指定導体のシア(sheer)数が、層5を層2に接続する
ために必要な重ねられているビアのために広い接近領域を残さないことである。
したがって、層3、4内の信号導体の数が多いと、1番上のレベルにおける電源
導体または接地導体からブロックレベルにおける層2内の関連する電源導体また
は接地導体への以後の接続を行うことを通常実際的でなくする、層5と2の間の
それら2つの層内の信号導体の既存のきつく重ねられている迷路を形成すること
になる。
【0013】
この問題に対する1つの解決策は、ブロックの周辺近くにおのおの形成されて
いる「リング」を使用することであった。図4はそれぞれの電力リング40、4
1、42、43をおのおの有するいくつかのブロック20、21、22、23を
示す集積回路の一部の上面図を示す。リング40は層2内の導体210、212
と層3内の導体311、313を含む。ブロック21のリング41は導体214
、216と、導体313と、導体315とを含む。電源レール501、503は
図示の4つのブロックの上側と下側を限る。層4の条402、404、406が
電源レール501と503の間を延長している。ビアはレール501、503を
条402、404、406に接続する。それらのレベル4条はビアによりレール
311、313、315に接続されている。それらのレベル3レールはビアによ
り導体210、212へも接続されている。このようにして、電源レール40は
、導体210、212と、導体311、313のうち導体210、212の間の
部分とによりブロック20のために形成されている。このリングはレール501
、503と導体402、404によりvdd!に接続されている。電力は、ビア
を導体210、212から、たとえば、図1に示されているようにセル縁部に沿
って延長しているレベル1のレールに落とすことにより、リング40から個々の
セルに分配される。図4には電源リングのみが示されている。対応する接地リン
グは電源リング41〜43のおのおのの近く、たとえば、それらの電源リングの
内側または外側にある。
いる「リング」を使用することであった。図4はそれぞれの電力リング40、4
1、42、43をおのおの有するいくつかのブロック20、21、22、23を
示す集積回路の一部の上面図を示す。リング40は層2内の導体210、212
と層3内の導体311、313を含む。ブロック21のリング41は導体214
、216と、導体313と、導体315とを含む。電源レール501、503は
図示の4つのブロックの上側と下側を限る。層4の条402、404、406が
電源レール501と503の間を延長している。ビアはレール501、503を
条402、404、406に接続する。それらのレベル4条はビアによりレール
311、313、315に接続されている。それらのレベル3レールはビアによ
り導体210、212へも接続されている。このようにして、電源レール40は
、導体210、212と、導体311、313のうち導体210、212の間の
部分とによりブロック20のために形成されている。このリングはレール501
、503と導体402、404によりvdd!に接続されている。電力は、ビア
を導体210、212から、たとえば、図1に示されているようにセル縁部に沿
って延長しているレベル1のレールに落とすことにより、リング40から個々の
セルに分配される。図4には電源リングのみが示されている。対応する接地リン
グは電源リング41〜43のおのおのの近く、たとえば、それらの電源リングの
内側または外側にある。
【0014】
リングを使用することに伴う1つの問題は、セルがリングから等間隔で隔てら
れていないためにブロック内のセルに電力が全体として等分に分配されないこと
である。ブロックの中央に近いセルはブロックの周縁部に近いセルよりも更に離
れている。より一様な分配は、層2のより多くの条を加えることにより達成でき
るが、前記したようにセルは層2の下に電源導体または接地導体を配置できない
ので、そのような付加層2の導体はブロック内のセルの損失を単に増すだけで、
回路の密度を更に低くすることさえある。
れていないためにブロック内のセルに電力が全体として等分に分配されないこと
である。ブロックの中央に近いセルはブロックの周縁部に近いセルよりも更に離
れている。より一様な分配は、層2のより多くの条を加えることにより達成でき
るが、前記したようにセルは層2の下に電源導体または接地導体を配置できない
ので、そのような付加層2の導体はブロック内のセルの損失を単に増すだけで、
回路の密度を更に低くすることさえある。
【0015】
発明の概要
本発明に従って、先行技術の上記諸欠点は、セル層を構成する回路素子の複数
のセルと、このセル層の近くで複数の層内に配置されている導体と、層内の導体
を他の層内の導体に接続するビアとを有する集積回路において克服される。導体
の層の数はN、Nは4またはそれより大きい、であって、第1の層はセルレベル
の次、およびN番目の層はセルレベルより離れている。各セルはセル境界を有し
ていて、セル境界に近い第1の層内のそれぞれ電源導体および接地導体に接続さ
れている。電源導体および接地導体はN番目の層およびN−1番目の層のうちの
少なくとも1つの層内の前記セルを横切って延長している。重ねられているビア
はN番目の層およびN−1番目の層のうちの少なくとも1つの層内の電源導体と
接地導体を第1の層のそれぞれ電源導体と接地導体に接続する。
のセルと、このセル層の近くで複数の層内に配置されている導体と、層内の導体
を他の層内の導体に接続するビアとを有する集積回路において克服される。導体
の層の数はN、Nは4またはそれより大きい、であって、第1の層はセルレベル
の次、およびN番目の層はセルレベルより離れている。各セルはセル境界を有し
ていて、セル境界に近い第1の層内のそれぞれ電源導体および接地導体に接続さ
れている。電源導体および接地導体はN番目の層およびN−1番目の層のうちの
少なくとも1つの層内の前記セルを横切って延長している。重ねられているビア
はN番目の層およびN−1番目の層のうちの少なくとも1つの層内の電源導体と
接地導体を第1の層のそれぞれ電源導体と接地導体に接続する。
【0016】
ブロックレベルの電源導体と接地導体を、下側レベルの層に配置する代わりに
、上の2つの導体層に配置すると、回路密度が大幅に高くなることが判明してい
る。その理由は主として、セルを高いレベル層の、電源導体と接地導体との下に
配置できるために、先行技術におけるような、層2の下の電源導体と接地導体の
セル損失問題を避けられるためである。 本発明の他の面はブロックレベルの電源導体と接地導体を高いレベルの導電層
に配置するためにICの導体をレイアウトする方法である。
、上の2つの導体層に配置すると、回路密度が大幅に高くなることが判明してい
る。その理由は主として、セルを高いレベル層の、電源導体と接地導体との下に
配置できるために、先行技術におけるような、層2の下の電源導体と接地導体の
セル損失問題を避けられるためである。 本発明の他の面はブロックレベルの電源導体と接地導体を高いレベルの導電層
に配置するためにICの導体をレイアウトする方法である。
【0017】
本発明の更に他の面は、ブロックおよび1番上のレベルのための電源導体また
は接地導体を1番上のレベルの層に配するという以前の指示に依存して信号経路
指定、電源導体または接地導体を下側レベルの層内に配置することにより、IC
の導体をレイアウトする方法に関するものである。電源導体と接地導体の格子を
、IC上のセルのブロックの寸法と配置を定める1番上のレベルに配置すること
が好ましい。また、1番上の電源導体と接地導体を第1のレベルの電源導体と接
地導体に接続するビアを配置した後で、信号経路指定導体を配置ができる。一般
的にいえば、この方法は、一般的に用いられている下から上へのやり方とは反対
に、上から下へのやり方であり、電力供給導体のレイアウトを信号経路指定導体
のそれよりも優先させる。回路密度を高くすることに加えて、このやり方が設計
サイクルを同様に短縮することを発明者等は見出した。というのは、ブロックレ
ベルの電源導体と接地導体を1番上のレベルの電源導体と接地導体に接続するこ
とが容易だからである。1番上のレベルにおけるブロックの4つの辺の全てから
接続を行う必要はない。そうすることが先行技術やり方において長い時間を費や
したのである。
は接地導体を1番上のレベルの層に配するという以前の指示に依存して信号経路
指定、電源導体または接地導体を下側レベルの層内に配置することにより、IC
の導体をレイアウトする方法に関するものである。電源導体と接地導体の格子を
、IC上のセルのブロックの寸法と配置を定める1番上のレベルに配置すること
が好ましい。また、1番上の電源導体と接地導体を第1のレベルの電源導体と接
地導体に接続するビアを配置した後で、信号経路指定導体を配置ができる。一般
的にいえば、この方法は、一般的に用いられている下から上へのやり方とは反対
に、上から下へのやり方であり、電力供給導体のレイアウトを信号経路指定導体
のそれよりも優先させる。回路密度を高くすることに加えて、このやり方が設計
サイクルを同様に短縮することを発明者等は見出した。というのは、ブロックレ
ベルの電源導体と接地導体を1番上のレベルの電源導体と接地導体に接続するこ
とが容易だからである。1番上のレベルにおけるブロックの4つの辺の全てから
接続を行う必要はない。そうすることが先行技術やり方において長い時間を費や
したのである。
【0018】
本発明のそれらの目的およびその他の目的、諸特徴および諸利点は以下の詳細
な説明および図面を参照して明らかになるであろう。
な説明および図面を参照して明らかになるであろう。
【0019】
実施の形態
図5および図6は電源導体と接地導体の本発明の改良した経路指定を示す。本
発明を5つの導電層を持つICに関連して説明することにするが、本発明は6つ
以上の層を持つICにも応用できる。以前の図における素子と同一に対応する素
子には同じ参照番号をつけている。セルレベルでは、交番する電源レールおよび
接地レール101、103、105が図1に既に示されているままである。
発明を5つの導電層を持つICに関連して説明することにするが、本発明は6つ
以上の層を持つICにも応用できる。以前の図における素子と同一に対応する素
子には同じ参照番号をつけている。セルレベルでは、交番する電源レールおよび
接地レール101、103、105が図1に既に示されているままである。
【0020】
図5で、ブロックレベルの経路指定が、図2の先行技術における層2内の代わ
りに、電力条および接地条を層4に有する。電力条412、416は重ねられて
いるビア4101、4102、4103、4104を介して電源レール101、
105に接続されている。重ねられている各ビアは、層4と層3の間の第1のビ
アと、層3と層2の間の第2のビアと、層2と層1の間の第3のビアとで構成さ
れている。接地条414、418はビア4105、4106により接地レール1
03に同様に接続されている。例としてのみ、尺度を理解するために、連続する
電力条412、416を400ミクロンのオーダーの距離だけ相互に隔てること
ができ、隣接する電力条412と接地条414の間の間隔を約7〜8ミクロンに
できる。
りに、電力条および接地条を層4に有する。電力条412、416は重ねられて
いるビア4101、4102、4103、4104を介して電源レール101、
105に接続されている。重ねられている各ビアは、層4と層3の間の第1のビ
アと、層3と層2の間の第2のビアと、層2と層1の間の第3のビアとで構成さ
れている。接地条414、418はビア4105、4106により接地レール1
03に同様に接続されている。例としてのみ、尺度を理解するために、連続する
電力条412、416を400ミクロンのオーダーの距離だけ相互に隔てること
ができ、隣接する電力条412と接地条414の間の間隔を約7〜8ミクロンに
できる。
【0021】
図6は図5に従っておのおの構成されている種々のブロック31、32、33
、34の「1番上の」相互接続を示す。全てのブロック(31〜34)の周縁部
で、接地リングが導体505、506、507、508により層5内に形成され
ている。また、全てのブロックの周縁部で、電源リングが導体405、406、
407、408により層4内に形成されている。ブロック33と34を横切って
レール509、513が接地導体506、508の間を延び、レール511、5
15が電力導体406、408の間を延びている。ブロック33内では、電力が
、条414と418を電源レール511、516に接続するビア5401、54
02および5403、5404により条414と48に供給されている。ブロッ
ク34内では、電力はレール511、515からビア5405、5406、54
07、5408によって条422および条426に供給される。同様に、ブロッ
ク33、34内では、条412、416、420、424がそれぞれのビア54
09〜5416により接地レール509、513に接続されている。ブロック3
1と32への電源接続と接地接続はブロック33と34に対する接続と同様にし
て行われるので、これ以上は説明しない。この実施例は電力供給と接地のために
リングを用いているが、それらのリングは1番上のレベルにあって、ブロックレ
ベルにないこと、およびブロックレベルにおけるリングはもはや必要ないことに
注目されたい。
、34の「1番上の」相互接続を示す。全てのブロック(31〜34)の周縁部
で、接地リングが導体505、506、507、508により層5内に形成され
ている。また、全てのブロックの周縁部で、電源リングが導体405、406、
407、408により層4内に形成されている。ブロック33と34を横切って
レール509、513が接地導体506、508の間を延び、レール511、5
15が電力導体406、408の間を延びている。ブロック33内では、電力が
、条414と418を電源レール511、516に接続するビア5401、54
02および5403、5404により条414と48に供給されている。ブロッ
ク34内では、電力はレール511、515からビア5405、5406、54
07、5408によって条422および条426に供給される。同様に、ブロッ
ク33、34内では、条412、416、420、424がそれぞれのビア54
09〜5416により接地レール509、513に接続されている。ブロック3
1と32への電源接続と接地接続はブロック33と34に対する接続と同様にし
て行われるので、これ以上は説明しない。この実施例は電力供給と接地のために
リングを用いているが、それらのリングは1番上のレベルにあって、ブロックレ
ベルにないこと、およびブロックレベルにおけるリングはもはや必要ないことに
注目されたい。
【0022】
電力条と接地条は共に同じ層にあるが、電源レールと接地レールは同じである
が、異なる層内にあることに注目されたい。電源リングと電力条は層4にあるこ
とが示されており、接地リングと接地レールは層5内にあることが示されている
が、それらは容易に逆にできる。
が、異なる層内にあることに注目されたい。電源リングと電力条は層4にあるこ
とが示されており、接地リングと接地レールは層5内にあることが示されている
が、それらは容易に逆にできる。
【0023】
電力条および接地条と、電源レールおよび接地レールとの少なくとも一方のた
めにより高いレベルの層を使用することの利点は、セルを層4と5内の導体の下
に置くことができることである。先行技術では、より下のレベルの層2と3が用
いられている場合には、セルを層2内の導体の下に置くことはできなかった。図
5および図6のICでは、各セルのための接続ピンに低いレベルの層(層1、2
、3)のいずれからでも容易にアクセスできる。したがって、レイアウト設計者
はセルを条(たとえば、412、414、416、418)の下に配置できる。
その結果、行の利用度が高くなる。いいかえると、任意に与えられたブロックで
は、セルを、図3におけるように、層2の条の下のセルの損失に匹敵して配置で
きないならば、連続して延長する領域はない。
めにより高いレベルの層を使用することの利点は、セルを層4と5内の導体の下
に置くことができることである。先行技術では、より下のレベルの層2と3が用
いられている場合には、セルを層2内の導体の下に置くことはできなかった。図
5および図6のICでは、各セルのための接続ピンに低いレベルの層(層1、2
、3)のいずれからでも容易にアクセスできる。したがって、レイアウト設計者
はセルを条(たとえば、412、414、416、418)の下に配置できる。
その結果、行の利用度が高くなる。いいかえると、任意に与えられたブロックで
は、セルを、図3におけるように、層2の条の下のセルの損失に匹敵して配置で
きないならば、連続して延長する領域はない。
【0024】
1番上のレベルにおいて、すなわち、ICにおけるブロックの接続では、ブロ
ックを、5層システムにおける層4または層5などの、高いレベルの層を用いて
ブロックを容易に接続できる。低いレベルの金属内ではブロック内にはリングや
レールは必要無い。これは、間に存在する層3と4内の信号導体による物理的阻
止のために、層5と層2の間で接続するために重ねられているビアを使用するこ
とができないのでリングを必要とした先行技術とは対照的である。
ックを、5層システムにおける層4または層5などの、高いレベルの層を用いて
ブロックを容易に接続できる。低いレベルの金属内ではブロック内にはリングや
レールは必要無い。これは、間に存在する層3と4内の信号導体による物理的阻
止のために、層5と層2の間で接続するために重ねられているビアを使用するこ
とができないのでリングを必要とした先行技術とは対照的である。
【0025】
本発明では、電力条と接地条にここで説明した先行技術におけるよりも多くの
重ねられているビアが存在する。しかし、付加された重ねられているビアにより
占められる面積を考慮に入れた後でさえも、広い面積節約を本発明の技術で達成
できる。下記は重ねられているビア占められる面積の計算と、水平条を持つブロ
ックの計算である。例えば、ブロック幅が1200μmで、100行を持ってい
る(ブロック高さ1200μm)ブロックについて考えることにする。本発明の
技術では、重ねられているビアのために占められる面積は次のようにして計算さ
れる。
重ねられているビアが存在する。しかし、付加された重ねられているビアにより
占められる面積を考慮に入れた後でさえも、広い面積節約を本発明の技術で達成
できる。下記は重ねられているビア占められる面積の計算と、水平条を持つブロ
ックの計算である。例えば、ブロック幅が1200μmで、100行を持ってい
る(ブロック高さ1200μm)ブロックについて考えることにする。本発明の
技術では、重ねられているビアのために占められる面積は次のようにして計算さ
れる。
【0026】
占められる面積[μm2]=条の数×[((行の数−2)×2.8)+(1.4
×2))×条幅] 1200ミクロン幅のブロック、および各条の条幅が6ミクロンである場合に
、垂直条の数が電力条で4、接地条で4であると仮定すると、重ねられているビ
アの占める面積は 占有面積=8×[((100−2)×2.8)+(1.4×2))×6] =48×[(98×2.8)+(2.8)] =48×2.8×99=13305.6μm2
×2))×条幅] 1200ミクロン幅のブロック、および各条の条幅が6ミクロンである場合に
、垂直条の数が電力条で4、接地条で4であると仮定すると、重ねられているビ
アの占める面積は 占有面積=8×[((100−2)×2.8)+(1.4×2))×6] =48×[(98×2.8)+(2.8)] =48×2.8×99=13305.6μm2
【0027】
代わりに、先行技術のリング方法をこの同じブロックに用いたとすると、幅がお
おおの6ミクロンである4水平条の占有面積は次の通りである。 占有面積[μm2]=ブロック幅・条幅・条の数 =1200×6×4=28800μm2 節約面積[μm2]=(28800−13305)/28800=0.52
おおの6ミクロンである4水平条の占有面積は次の通りである。 占有面積[μm2]=ブロック幅・条幅・条の数 =1200×6×4=28800μm2 節約面積[μm2]=(28800−13305)/28800=0.52
【0028】
この計算は、先行技術のリングと比較した本発明の技術により節約される面積
は約50%であることを示す。より多くのセルを含むためにブロックの幅を広げ
るにつれて、先行技術の付加レールにより占められる面積は、本発明により求め
られる重ねられているビアにより占められる面積よりも速く増大する。ブロック
幅を少し増すと、本発明の技術では余分の垂直条を設ける必要はないが、先行技
術のリング方法では余分の水平レールを設ける必要がある。したがって、ブロッ
クの寸法が大きいと、本発明による面積節約は50%よりも大きくさえできる。
は約50%であることを示す。より多くのセルを含むためにブロックの幅を広げ
るにつれて、先行技術の付加レールにより占められる面積は、本発明により求め
られる重ねられているビアにより占められる面積よりも速く増大する。ブロック
幅を少し増すと、本発明の技術では余分の垂直条を設ける必要はないが、先行技
術のリング方法では余分の水平レールを設ける必要がある。したがって、ブロッ
クの寸法が大きいと、本発明による面積節約は50%よりも大きくさえできる。
【0029】
他の利点は、各ブロック内では、ブロックの周囲にリングを用いている先行技
術におけるよりも一様に電力を供給できることである。。図5および図4から明
らかなように、条412、414、416、418はブロック内のセルを横切っ
てより一様に隔てることができ、既知のリングでは電力は電源リングの四隅から
供給されていて、一様に分配されてはいなかった。これは先行技術の図2の構造
に類似するように見えるが、セルの減少に関する条202、204、206、2
08の制約のためにそれは全く異なるが、図4におけるブロックレベル条はセル
を置くことを妨げない。また、層2内での信号経路指定を妨害する電力接続およ
び接地接続のための層2の導体が無いので、この層2を信号経路指定のために今
は完全に使用できることに注目されたい。
術におけるよりも一様に電力を供給できることである。。図5および図4から明
らかなように、条412、414、416、418はブロック内のセルを横切っ
てより一様に隔てることができ、既知のリングでは電力は電源リングの四隅から
供給されていて、一様に分配されてはいなかった。これは先行技術の図2の構造
に類似するように見えるが、セルの減少に関する条202、204、206、2
08の制約のためにそれは全く異なるが、図4におけるブロックレベル条はセル
を置くことを妨げない。また、層2内での信号経路指定を妨害する電力接続およ
び接地接続のための層2の導体が無いので、この層2を信号経路指定のために今
は完全に使用できることに注目されたい。
【0030】
面積節約および一様な電力分配に加えて、本発明の技術はレイアウト作業自体
を効率的にする。前記したように、ICは下から上へのやり方で通常レイアウト
されていた。本発明に従って、より有利な技術は、ブロックへの電源導体および
接地導体の経路指定に関して1番上のレベルの設計を最初にレイアウトすること
である。したがって、設計チームは、図6に示すように電源導体と接地導体を層
4、5内において効率的な格子を1番上のレベルにレイアウトできる。次に層4
の条がブロックレベルへ移動され、ブロックの寸法と配置を固定する。ブロック
の配置を固定した後で、1番上のレベルの電源導体および接地導体を層1の電源
レールおよび接地レールに接続するための重ねられているビアの場所が決定され
る。重ねられているビアを配置した後で、層2、3に対して信号経路指定が決定
されて、信号導体を重ねられているビアの周囲に巡らせることができるようにす
る。このように、本発明のレイアウトは多くの面で既知の技術とは反対で、1番
上にあるブロックへの接続、およびそれらのブロックとの間の接続を行う際の融
通性を高くし、回路密度の向上と、チップコストの低減を容易にする。
を効率的にする。前記したように、ICは下から上へのやり方で通常レイアウト
されていた。本発明に従って、より有利な技術は、ブロックへの電源導体および
接地導体の経路指定に関して1番上のレベルの設計を最初にレイアウトすること
である。したがって、設計チームは、図6に示すように電源導体と接地導体を層
4、5内において効率的な格子を1番上のレベルにレイアウトできる。次に層4
の条がブロックレベルへ移動され、ブロックの寸法と配置を固定する。ブロック
の配置を固定した後で、1番上のレベルの電源導体および接地導体を層1の電源
レールおよび接地レールに接続するための重ねられているビアの場所が決定され
る。重ねられているビアを配置した後で、層2、3に対して信号経路指定が決定
されて、信号導体を重ねられているビアの周囲に巡らせることができるようにす
る。このように、本発明のレイアウトは多くの面で既知の技術とは反対で、1番
上にあるブロックへの接続、およびそれらのブロックとの間の接続を行う際の融
通性を高くし、回路密度の向上と、チップコストの低減を容易にする。
【0031】
設計ツール変更の例
先に述べたように、ICのレイアウトは設計ツールで行われる。ここで与えら
れている例はCadenceからのシリコン・アンサンブル(Silicon
Ensemble)レイアウトツールで設計された。本発明の方法の実施には、
ビアの配置に関してシリコン・アンサンブル・ツールに設計されたオーバーライ
ド組み込み知能を要する。重ねられているビアを層5から層1へ置くために、標
準セルはvdd!ピンおよびgnd!ピンについて「ABUTMENT」特性を
持たなければならず、かつそれらの重ねられているビアをシリコン・アンサンブ
ルの下に得るために以後の変数を設定すべきである:
れている例はCadenceからのシリコン・アンサンブル(Silicon
Ensemble)レイアウトツールで設計された。本発明の方法の実施には、
ビアの配置に関してシリコン・アンサンブル・ツールに設計されたオーバーライ
ド組み込み知能を要する。重ねられているビアを層5から層1へ置くために、標
準セルはvdd!ピンおよびgnd!ピンについて「ABUTMENT」特性を
持たなければならず、かつそれらの重ねられているビアをシリコン・アンサンブ
ルの下に得るために以後の変数を設定すべきである:
【0032】
【表1】
【0033】
これらの3本の線はenbars.mac ファイルにおくことができる。
a) sedsm-m=500& コマンドを用いてシリコン・アンサンブルを開く。
b) 設計の要求されたLEF およびDEF ファイルを読む。
c) 次のqpconfig ファイルを用いて Qplaceを実行する。
【0034】
【表2】
【0035】
d) 使用すべき製造プロセスによって電源条及び接地条の幅を決定する。
e) 次のコマンドを用いて電源条を加える。
【0036】
【表3】
【0037】
f) CTGEN を実行し、CTGEN によって生成されたsedsm の下で mapped.d
ef ファイルを読む。 g) 以下のように、Followpinns コマンドを実行する。
ef ファイルを読む。 g) 以下のように、Followpinns コマンドを実行する。
【0038】
【表4】
【0039】
ここで面積の選択は重要である。その理由は、シリコン・アンサンブルが電力
条および接地条において停止しないからである。それは面積選択における点まで
ワイヤを延長する。条に接続を行うために求められているものより面積が広いと
すると、結果は金属信号経路指定のために有用なものとできる無駄にされた経路
指定トラックであろう。また、検査ジオメトリはアンテナInfo.flags
を与える。アンテナ・フラッグを避けるために電力と接地のためのsroute
コマンドを別々に実行する。
条および接地条において停止しないからである。それは面積選択における点まで
ワイヤを延長する。条に接続を行うために求められているものより面積が広いと
すると、結果は金属信号経路指定のために有用なものとできる無駄にされた経路
指定トラックであろう。また、検査ジオメトリはアンテナInfo.flags
を与える。アンテナ・フラッグを避けるために電力と接地のためのsroute
コマンドを別々に実行する。
【0040】
i) Wroute を実行し、他の信号の経路指定を完成する。
j) レイアウト生成する。
上記は本発明の方法を共通設計ツールでどのように実施するかの例として単に
与えられたものにすぎない。当業者は、ICおよびレイアウトツールについてこ
こで行った一般的な説明から他の設計ツールを使用できるであろう。
与えられたものにすぎない。当業者は、ICおよびレイアウトツールについてこ
こで行った一般的な説明から他の設計ツールを使用できるであろう。
【0041】
電源リングと接地リングは別々のレベルにあるので、それらのリングは、図5
に示されているようにずれている代わりに、上下に整列できることに注目された
い。たとえば、層5において電力経路指定を行い、層4内で接地経路指定を行う
ことにより、ICの寸法と、電力経路指定および接地経路指定の幅とに依存して
更に10〜20%の面積節約を実現できる。
に示されているようにずれている代わりに、上下に整列できることに注目された
い。たとえば、層5において電力経路指定を行い、層4内で接地経路指定を行う
ことにより、ICの寸法と、電力経路指定および接地経路指定の幅とに依存して
更に10〜20%の面積節約を実現できる。
【0042】
本発明は5層ICに限定されず、4層またはもっと多くの層のICにも応用で
きる。本発明の利点は、ブロックレベルにおける電源導体および接地導体が、層
の数とは無関係に、1番上の2つのレベルにある時に実現される。したがって、
集積回路がN番目の層を持っているとすると、N層が1番上の層であれば、ブロ
ックレベルにおける電源導体および接地導体はN層およびN−1層にある。
きる。本発明の利点は、ブロックレベルにおける電源導体および接地導体が、層
の数とは無関係に、1番上の2つのレベルにある時に実現される。したがって、
集積回路がN番目の層を持っているとすると、N層が1番上の層であれば、ブロ
ックレベルにおける電源導体および接地導体はN層およびN−1層にある。
【0043】
本発明の好適な実施例を示し、説明してきたが、発明の原理および要旨から逸
脱することなくそれらの実施例の変更を行えることがわかるであろう。発明の範
囲は特許請求の範囲で定められる。
脱することなくそれらの実施例の変更を行えることがわかるであろう。発明の範
囲は特許請求の範囲で定められる。
【0044】
本発明の多くの特徴および利点は詳細な明細書から明らかであり、発明の真の
要旨および範囲内に入るそれらの諸特徴および諸利点を含むことを添付した特許
請求の範囲により意図するものである。数多くの修正および変更を当業者は容易
に行えるので、本発明を示し、説明した構造および動作そのままに本発明を限定
することは希望せず、したがって、発明の範囲内に入る全ての適切な変更および
均等物を包含できる。
要旨および範囲内に入るそれらの諸特徴および諸利点を含むことを添付した特許
請求の範囲により意図するものである。数多くの修正および変更を当業者は容易
に行えるので、本発明を示し、説明した構造および動作そのままに本発明を限定
することは希望せず、したがって、発明の範囲内に入る全ての適切な変更および
均等物を包含できる。
【図1】
先行技術の集積回路の回路素子のセルの上面図。
【図2】
先行技術のセルのブロックの一部の上面図。
【図3】
層2内の条の下にセルを配置することを阻止する層2内の条を有する、数が増
加されているセルを有するブロックのより現実的な図を示す上面図。
加されているセルを有するブロックのより現実的な図を示す上面図。
【図4】
電力供給のために層2、3内にリングを有するセルのいくつかのブロックを示
す集積回路の一部の上面図。
す集積回路の一部の上面図。
【図5】
本発明の電源導体および接地導体の経路指定を示すセルのブロックの一部の上
面図。
面図。
【図6】
セルのいくつかのブロックおよび本発明の導体相互接続を示す上面図。
1、2、3、4、5 層
12 セル
12a、12b 縁部
20、21、22、23 ブロック
31、32、33、34 ブロック
101、105 電源レール
103 接地レール
202、204、206、208 条
210、212、214 導体
412、414、416、418 電力条
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 リンダ、エイ.バーンハート
オランダ国5656、アーアー、アインドーフ
ェン、プロフ.ホルストラーン、6
Fターム(参考) 5F038 CA17 CD02 CD05 CD20 DF14
EZ20
5F064 AA04 DD07 DD25 EE02 EE09
EE16 EE23 EE26 EE27 EE52
Claims (20)
- 【請求項1】 セル層を構成する回路素子の複数のセルと、このセル層の近くで複数の層内に
配置されている導体と、層内の導体を他の層内の導体に接続するビアとを有する
集積回路において、 導体の層の数はN、Nは4またはそれより大きい、であって、第1の層はセル
レベルの次、およびN番目の層はセルレベルより離れており、 各セルはセル境界を有していて、セル境界に近い第1の層内のそれぞれ電源導
体および接地導体に接続され、 電源導体および接地導体はN番目の層およびN−1番目の層のうちの少なくと
も1つの層内の前記セルを横切って延在しており、 N番目の層およびN−1番目の層のうちの少なくとも1つの層内の電源導体と
接地導体を第1の層の電源導体と接地導体にそれぞれ接続する重ねられているビ
アと、 を備えたことを特徴とする集積回路。 - 【請求項2】 前記セルは平行な行に配列され、各行は複数のセルを有し、セル境界は各行の
向き合う縁部を定める向き合う縁部を含み、かつ各行に沿って前記第1の導体層
の前記電源導体および前記接地導体が延在していることを特徴とする請求項1記
載の集積回路。 - 【請求項3】 前記セルは複数のブロックにまとめられ、少なくともN番目の層およびN−1
番目の層の少なくとも電源導体と接地導体が各ブロックを横切って延在し、それ
ぞれブロックレベル電源導体とブロックレベル接地導体を決定することを特徴と
する請求項2記載の集積回路。 - 【請求項4】 前記ブロックレベル電源導体とブロックレベル接地導体のおのおのはN番目の
層およびN−1番目の層の導体を含むことを特徴とする請求項3記載の集積回路
。 - 【請求項5】 N番目の層およびN−1番目の層のうちの1つの層に電源リングを、およびN
番目の層およびN−1番目の層のうちの他の層に接地リングを更に備え、ブロッ
クレベル電源導体は電源リングに接続され、接地リングは接地導体に接続されて
いることを特徴とする請求項4記載の集積回路。 - 【請求項6】 接地リングはN番目の層内にあり、電源リングはN−1番目の層にあり、 ブロックレベル電源導体は、(i)N番目の層内にあって、ビアにより電源リ
ングに接続され、かつセル行に平行に延在している電源レールと、(ii)電源
レールに対して直角に延在して、ビアにより電源レールに接続されているN−1
番目の層内の電源条と、を含み、 ブロックレベル接地導体は、(i)N番目の層内にあって、接地リングに接続
されていて、セル行に平行に延在している接地レールと、(ii)接地条に対し
て直角に延在して、ビアにより接地レールに接続されているN−1番目の層内の
接地条と、を含んでいる、 ことを特徴とする請求項5記載の集積回路。 - 【請求項7】 Nは5に等しいことを特徴とする請求項56記載の集積回路。
- 【請求項8】 電源リングおよび接地リングのおのおのは2つ以上のブロックを囲んでいるこ
とを特徴とする請求項5記載の集積回路。 - 【請求項9】 N番目の層およびN−1番目の層のうちの一方に電源リング、およびN番目の
層およびN−1番目の層のうちの他方に接地リングを更に備え、電源リングおよ
び接地リングのおのおのは複数のセルを囲んでおり、電源導体は電源リングに接
続され、接地導体は接地リングに接続されていることを特徴とする請求項1記載
の集積回路。 - 【請求項10】 接地リングはN番目の層内にあり、電源リングはN−1番目の層にあり、 電源導体は、ビアにより電源リングに接続されていて、セル行に平行に延在し
ているN番目の層内の電源レールと、電源レールに対して直角に延在して、ビア
により電源レールに接続されているN−1番目の層内の電源条と、を含み、 接地導体は、接地リングに接続されていて、セル行に平行に延在しているN番
目の層内の接地レールと、接地条に対して直角に延在して、ビアにより接地レー
ルに接続されているN−1番目の層内の接地条と、を含んでいることを特徴とす
る請求項9記載の集積回路。 - 【請求項11】 Nは5に等しいことを特徴とする請求項1記載の集積回路。
- 【請求項12】 集積回路のセルの近くに置くべき導体の層の数N、Nは4またはそれより大き
い、を選択し、第1の層はセルレベルの次、およびN番目の層はセルレベルより
離れているようにするステップと、 第1の層内の電源導体および接地導体を集積回路のセルの境界の近くに置くス
テップと、 前記セルを横切って延在する電源導体および接地導体をN番目の層およびN−
1番目の層のうちの少なくとも1つの層に置くステップと、 N番目の層およびN−1番目の層のうちの少なくとも1つの層の電源導体と接
地導体を、第1の層のそれぞれ電源導体および接地導体に接続する重ねられてい
るビアを置くステップと、 を備えたことを特徴とする集積回路の導体レイアウトを設計する方法。 - 【請求項13】 前記セルを、複数のセルをおのおの有している平行な行に配列するステップと
、前記セルの境界は各行の向き合う縁部を定める向き合う縁部を含み、かつ前記
第1の導体層の前記電源導体および前記接地導体を各行の向き合っている縁部に
沿って置くステップを更に備えたことを特徴とする請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 前記セルを複数のブロックにまとめるステップと、少なくともN番目の層およ
びN−1番目の層の少なくとも1つの電源導体と少なくとも1つの接地導体を各
ブロックを横切って延在するように置くステップとにより、それぞれブロックレ
ベル電源導体とブロックレベル接地導体を決定するステップと、を備えたことを
特徴とする請求項13記載の方法。 - 【請求項15】 前記ブロックレベル電源導体とブロックレベル接地導体のおのおのをN番目の
層およびN−1番目の層のおのおのに置くステップを更に備えるたことを特徴と
する請求項14記載の方法。 - 【請求項16】 N番目の層およびN−1番目の層のうちの一方の層に電源リングを置くステッ
プと、N番目の層およびN−1番目の層のうちの他方の層に接地リングを置くス
テップと、ブロックレベル電源導体を電源リングに接続し、かつブロックレベル
接地導体を接地リングに接続するステップを更に備えたことを特徴とする請求項
15記載の方法。 - 【請求項17】 電源リングと接地リングのおのおのは2つ以上のブロックを囲んでいることを
特徴とする請求項15記載の方法。 - 【請求項18】 第1の層乃至N−2番目の層のいずれかの層に、(i)信号経路指定導体と、
(ii)電源経路指定導体と、(iii)接地経路指定導体と、の少なくとも1
つを、N番目の層およびN−1番目の層内の電源導体および接地導体の配置に依
存して配置するステップを更に備えたことを特徴とする請求項12記載の方法。 - 【請求項19】 N番目の層およびN−1番目の層内の電源導体および接地導体は、N番目の層
およびN−1番目の層よりも基板に近い層内の電源導体および接地導体を配置す
る前に、配置することを特徴とする請求項18記載の方法。 - 【請求項20】 電源導体および接地導体をセルレベルの電源導体および接地導体に接続するビ
アは信号経路指定導体を配置するより前に配置されることを特徴とする請求項1
8記載の方法。
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PCT/EP2000/007462 WO2001011688A1 (en) | 1999-08-10 | 2000-08-01 | Integrated circuit power and ground routing |
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---|---|
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---|---|
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