JP2003505476A - 高選択性除草剤フェノキシプロピオン酸アルコキシカルボニルアニリド化合物及びその製造方法 - Google Patents

高選択性除草剤フェノキシプロピオン酸アルコキシカルボニルアニリド化合物及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、高選択除草剤フェノキシプロピオン酸アルコキシカルボニルアニリド化合物とその製造方法、稲作において発生するヒエを防除する用途、これらの化合物を含む除草剤組成物に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の属する技術分野) 本発明は、下記一般式(1)で表されるフェノキシプロピオン酸アルコキシカ
ルボニルアニリド化合物とその製造方法、稲作において発生するヒエを防除する
用途、これらの化合物を含む除草剤組成物に関する。
【化18】 (式中、 Rは、水素原子;メチル基;またはエチル基を示し; Rは、水素原子;C1〜Cアルキル基;ヒドロキシ基、カルボキシル基、
およびハロゲン原子から選ばれた置換基で1〜3個置換されたC1〜Cアルキ
ル基;C〜Cシクロアルキル基;C〜Cアルケニル基;C〜Cアル
キニル基;またはC〜Cアルコキシアルキル基を示し; nは1、または2の整数を示し、nが2の場合Rは各々異なる置換体の組合
せであってもよい。)
【0002】 (従来の技術) 米国特許第4,130,413号には、下記一般式(2)で表される化合物が
開示されている。
【化19】 [式中、(Rは水素原子、ハロゲン原子、CF、NO、CN、アルキ
ル基などであり;AはO、S、NHなどであり;Rは水素原子、またはアルキ
ル基であり;Zは様々な基のうち、
【外1】 (この際、RとRは同じであるか、異なっているものであって、水素原子
、C1〜Cアルキル基、C1〜Cヒドロキシアルキル基、C〜Cシクロア
ルキル基、C1〜Cアルコキシ基、またはフェニル基であって、C1〜Cアル
キル基、C1〜Cアルコキシ基、ハロゲンおよびCFから選ばれた1〜3個
の置換基で置換されたもの)を示す]。
【0003】 米国特許第4,531,969号には、下記一般式(3)で表される化合物が開
示されている。
【化20】 [(式中、R
【外2】 (この際、Rは水素原子、ハロゲンなどであり、Rは水素原子、アルキル
基などであり)などを示し;Zは前記で定義した通りである)]。
【0004】 米国特許第5,254,527号には、下記一般式(4)で表される化合物が開
示されている。
【化21】 (式中、RおよびZは各々前記で定義した通りである。)
【0005】 日本国特開平2−11580号には、下記一般式(5)で表される化合物が開示
されている。
【化22】 (式中、Lは低級アルキル基、ハロゲン原子、メトキシ基、メトキシフェノキシ
基、ベンジルオキシ基、メチルチオ基、メチルビニル基を示し;nは0〜3の整
数を示す)。
【0006】 米国特許第4,968,343号には、下記一般式(6)で表される化合物が開
示されている。
【化23】
【0007】 以上述べた特許以外に日本国特開昭53−40767号と昭54−11282
8号にもフェノキシプロピオン酸アミド誘導体が除草活性を有していると記述さ
れている。
【0008】 しかし、前述の従来技術を含めていずれの文献においても、上記一般式(1)
の化合物の合成が教示されておらず、その除草活性が試験されていない。また、
イネに対して優れた選択性を示し、かつ稲作において発生するヒエを良好に防除
するという事実は知られていない。
【0009】 (発明が解決しようとする課題) 現在、稲作には様々な田除草剤が使用されているが、いまだに稲作において最
も問題となっている雑草はヒエである。 したがって、水田のヒエを良好に防除する薬剤の開発が、稲作に従事する農夫
により、最も強く要求されている。特に、田植え後処理するこれまでに開発され
た従来の除草剤等は水田のヒエ発生を効果的に抑制できないため、水田のヒエが
イネの生育中期に再度生え、イネの収穫に大きな被害を与えている。田で発生す
るヒエはイネの収穫量に大きな影響を及ぼすが、たとえば、1m当りヒエ1株
が発生する場合のイネ収穫量の減少は2%程であり、1m当りヒエ5株が発生
する場合のイネ収穫量の減少は10%程であり、10株の場合は19%、20株
の場合は35%程のイネ収穫量の減少をもたらすと報告されている。
【0010】 イネの収穫量に大きな損害を与えるヒエの防除目的に、数多くの田除草剤が使
用されてきている。しかしながら、除草活性により幅があり、環境にやさしい特
性及び優れた費用効果を有する除草剤が、依然として要求されている。
【0011】 (課題を解決するための手段) 本発明者らは、このような水田のヒエを効果的に防除できる除草剤を発見する
ために鋭意研究した結果、フェノキシプロピオン酸アルコキシカルボニルアニリ
ド化合物のうちイネに対して高い安定性を示し、かつヒエ防除効果に優れた誘導
体を見出すことにより本発明を完成するに至った。このような効能を示す本発明
は従来の発明とは明確に区別される。
【0012】 本発明は、イネに極めて安全で、かつヒエの防除活性に優れた下記一般式(1
)で表される新規なフェノキシプロピオン酸アルコキシカルボニルアニリド化合
物をその特徴とする。
【化24】 (式中、R、R、およびnは各々前記で定義した通りである)。
【0013】 (発明の実施の形態) 本発明による前記一般式(1)で表される化合物をより具体的に例示すると次
の表1の通りである。
【0014】
【表1】
【0015】 以上述べたような本発明による前記一般式(1)で表される化合物は、通常の
有機合成方法を応用して下記反応式1に示すように、下記一般式(7)で表される
化合物と一般式(8)で表される化合物を結合反応させて製造できる。
【化25】 式中、X´はOH、Cl、Brまたはフェノキシ基などの脱離基を示し;R、R 、およびnは各々前記で定義した通りである)。
【0016】 前記反応式1による製造方法では、トリフェニルホスフィン、1,3−ジシク
ロカルボジイミドなどの結合剤とトリエチルアミン、ピリジンなどの有機塩基を 反応させて製造できる。この際、反応温度は0〜100℃の適当な温度を保持
し、稀釈溶媒としてはテトラヒドロフランなどのエーテル類、酢酸エチル、アセ
トニトリル、トルエン、キシレン、ヘキサン、塩化メチレン、四塩化炭素、ジク
ロロエタンなどの不活性溶媒を使用する。反応終了後、生成物は、溶媒を蒸発さ
せた後、残滓をクロマトグラフィー方法で分離精製して得られる。
【0017】 他の製造方法では、下記反応式2に示すように一般式(9)で表される化合物を
一般式(10)で表される化合物でアルキル化反応させて一般式(1)の化合物
が得られる。
【化26】 (式中、X"はCl、Br、I、ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、または低級硫酸アルキル基を示し;
R、R、およびnは各々前記で定義した通りである)。
【0018】 前記反応式2による反応は、アニリドのNHから水素を引き抜ける強塩基の存
在下で反応させることが好ましいが、たとえば、NaOH、KOH、LiOH、
NaH、n-BuLi、LDAなどのような強塩基が好ましい。反応温度は、−78
〜50℃の範囲を保持し、溶媒としては、エチルエーテル、ジオキサン、テトラ
ヒドロフランなどのエーテル類とヘキサンなどの炭化水素溶媒などのように反応
に影響を及ぼさない不活性溶媒が好ましい。
【0019】 また他の方法では、下記反応式3に示すように、下記一般式(11)で表され
る化合物と一般式(12)で表される化合物を塩基の存在下で反応させて一般式
(1)の化合物を製造できる。
【化27】 (式中、Y'はハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ、ハロアルキルスルホ
ニルオキシ、ベンゼンスルホニルオキシ基、またはトルエンスルホニルオキシ基
を示し;R、R、およびnは各々前記で定義した通りである。)
【0020】 前記反応式3による製造方法では、塩基としてたとえば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
などのアルカリ金属の炭酸塩類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの
アルカリ金属の重炭酸塩類などの無機塩基類、またはトリエチルアミン、N,N
−ジメチルアニリン、ピリジン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデ−
7−センなどの有機塩基類が使用できる。
【0021】 また、必要に応じてテトラ−n−ブチルアンモニウムブロミド、18−クラウ
ン−6[1,4,7,10,13,16−ヘキサオクタシクロオクタデカン]などの相間移動触媒
を添加することにより、目的とする反応を迅速に終結することもできる。また、
この反応は、必要に応じて1種または2種以上の適当な溶媒の存在下で行い得る
が、この際使用可能な溶媒としては不活性有機溶媒、たとえば、アセトンなどの
ケトン類、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素類、石油
エーテル、リグロインなどの脂肪族炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル類;アセトニトリル、プロピオニトリルな
どのニトリル類、またはN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド類などが使用可能である。反応温
度は0℃から反応が行われる還流温度までの任意の温度範囲であり、好ましくは
25℃〜100℃範囲である。反応時間は1〜24時間反応させる場合よい収率
で目的物が得られる。
【0022】 また他の製造方法では、下記反応式4に示すように、一般式(13)で表され
る化合物と一般式(14)で表される化合物を塩基の存在下で反応させて一般式
(1)で表される化合物を製造できる。
【化28】 (式中、Y'、R、R、およびnは各々前記で定義した通りである。) 前記反応式4による製造方法では、塩基としてたとえば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ムなどのアルカリ金属の炭酸塩類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなど
のアルカリ金属の重炭酸塩類などの無機塩基類、またはトリエチルアミン、N,
N−ジメチルアニリン、ピリジン、ピコリン、キノリン、1,8−ジアザビシク
ロ[5,4,0]ウンデ−7−センなどの有機塩基類が好ましい。
【0023】 また、必要に応じてテトラ−n−ブチルアンモニウムブロミド、18−クラウ
ン−6[1,4,7,10,13,16−ヘキサオクタシクロオクタデカン]などの相間移動触媒
を添加することにより反応を促進することができる。 さらに、必要に応じて適当な1種または2種以上の稀釈溶媒下で行い得るが、
この際使用可能な溶媒としては不活性有機溶媒、たとえば、アセトン、ブタノン
などのケトン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族
炭化水素類;石油エーテル、リグロインなどの脂肪族炭化水素類;ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類;アセトニトリル、プ
ロピオニトリルなどのニトリル類;またはN,N−ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド溶媒類が好まし
い。反応温度は0℃から反応溶媒の還流温度までの任意の温度であり、好ましく
は20℃〜100℃範囲である。反応時間は、1〜24時間反応させる場合よい
収率で目的物が得られる。 前記で例示した方法によって一般式(1)の化合物を製造できるが、特にR がHの化合物の場合は通常のエーテル基の加水分解方法によって得られる。
【0024】 (実施例) 以下、本発明を下記実施例によってより詳しく説明するが、本発明はこれらに
よって限定されるものではない。 実施例1:N−(3−エトキシカルボニルフェニル)−2−ブロモ−プロピオンア
ミドの合成 2−ブロモプロピオン酸(3.4 g, 0.022 mol)と3−アミノ安息香酸エチルエス
テル(3.96 g, 0.024 mol)をクロロホルム50mlに溶解した後、反応物の温度
を0℃に冷却した。ジシクロヘキシルカルボジイミド(5 g, 0.024 mol)をCHC
10mlに溶解した溶液を注射器を用いて徐々に注入した。反応混合物の
温度を常温まで徐々に上げた後、常温で1時間攪拌した。反応混合物中に溶けな
い固体を濾過した後、固体濾過物をCHCl20mlで2回洗浄した。 濾
過液を減圧蒸留した後カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:酢酸エチル/n−
ヘキサン=1/5)で精製して純粋な目的物5.2gを得た。1 H-NMR(CDCl3) : δ1.39(3H, t), 1.95(3H, d), 4.36(2H, q), 4.58(1H, q), 7.
37 〜 8.08(4H, m), 8.45(1H, br)
【0025】 実施例2:N−(3−エトキシカルボニルフェニル)−2−(4−ヒドロキシフ
ェノキシ)プロピオンアミドの合成 N−(3−エトキシカルボニルフェニル)−2−ブロモ−プロピオンアミド(3
0 g, 0.1 mol)とヒドロキノン(10 g, 0.091 mol)、KCO(15.2 g, 0.11 mo
l)およびテトラ-n-ブチルアンモニウムブロミド(1.5 g)を500mlのアセト
ニトリルに溶解した後、10時間還流した。反応混合物の温度を常温に下げた後
、反応混合物中に溶けない固体を濾過して除去し、濾過液を減圧蒸留した後カラ
ムクロマトグラフィー(溶出溶媒:酢酸エチル/n−ヘキサン=1/2)で精製し
て純粋な目的物27gを得た。1 H-NMR(CDCl3) : 1.38(3H, t), 1.58(3H, d), 4.34(2H, q), 4.65(1H, q), 6.7
〜8.27(8H, m), 8.4(1H, br)
【0026】 実施例3:2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノ
キシ]プロピオン酸−N−(3−エトキシカルボニルフェニル)アミドの合成 N−(3−エトキシカルボニルフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェノキシ
)プロピオンアミド(13.2 g, 0.04 mol)と2,6−ジクロロベンズオキサゾール
(6.85 g, 0.036 mol)、KCO(6 g, 0.043 mol)およびテトラ-n-ブチルア
ンモニウムブロミド(1 g)を250mlのアセトニトリルに溶解した後6時間還
流した。反応混合物の温度を常温に下げた後、反応混合物中に溶けない固体を濾
過して除去し、濾過液を減圧蒸留した後カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:
酢酸エチル/n−ヘキサン=1/4)で精製して純粋な目的物14.2gを得た。
m.p : 128〜130℃ 1 H-NMR(CDCl3) : δ1.4(3H, t), 1.67(3H, d), 4.4(2H, q), 4.8(1H, q), 7.05
〜8.04(11H, m), 8.29(1H, br)
【0027】 実施例4:2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノ
キシ]プロピオン酸−N−(3−エトキシカルボニルフェニル)アミドの合成 2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノキシ]プロ
ピオン酸(346.7 mg, 1 mmol)をテトラヒドロフラン10mlに溶媒した後、3−
アミノ安息香酸エチルエステル(165.19 mg, 1 mmol)、トリフェニルホスフィン(
393.4 mg, 1.5 mmol)、トリエチルアミン(0.15 ml, 1 mmol)とCCl(1 ml)を
順次入れ、6時間還流した。常温に温度を下げた後、反応混合物を5% HCl
で酸性化した後、水を入れ、酢酸エチルで3回抽出した。抽出した有機溶媒層を
MgSOで乾燥、減圧蒸留した後、カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:酢
酸エチル/n−ヘキサン=1/4)で精製して純粋な目的物250mgを得た。
1H-NMR(CDCl3) : δ1.4(3H, t), 1.67(3H, d), 4.4(2H, q), 4.8(1H, q), 7.05
〜8.04(11H, m), 8.29(1H, br)
【0028】 実施例5:2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノ
キシ]プロピオン酸−N−(3−エトキシカルボニルフェニル)アミドの合成 2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノキシ]プロ
ピオン酸(0.693 g, 2 mmol)をベンゼン20mlに溶解した後、SOCl
mlを入れ、10時間還流した。過量の塩化チオニルとベンゼンを減圧蒸留して
除去した。無水テトラヒドロフラン10ml中に無水テトラヒドロフラン(10m
l)と3−アミノ安息香酸エチルエステル(0.33 g, 2 mmol)とを溶解させた溶液
を、前記反応混合物に0℃で徐々に滴加した。反応混合物を0℃で30分間攪拌
した後、常温で1時間反応させ、水を入れて酢酸エチルで3回抽出した。抽出し
た有機溶媒層をMgSOで乾燥、濾過、減圧蒸留した後、カラムクロマトグラ
フィー(溶出溶媒:酢酸エチル/n−ヘキサン=1/4)で精製して純粋な目的物
0.75gを得た。
【0029】 実施例6:2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノ
キシ]プロピオン酸−N−(3−エトキシカルボニルフェニル)−N−メチルア
ミドの合成 2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノキシ]プロ
ピオン酸−N−(3−エトキシカルボニルフェニル)アミド(5.4 g, 11.2 mmol)
を無水テトラヒドロフラン10mlに溶解し、 温度を0℃に下げた後、60% NaH(0.98 g, 24.4 mmol)と(CH3) 2SO4(1.41g, 11.2 mmol)を順次入れ、常
温で2時間攪拌した。反応混合物を0℃に冷却した後、3% HClで酸性化し
た後、氷水を入れ、酢酸エチルで3回抽出し、 MgSOで乾燥、濾過、減圧
蒸留し、カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:酢酸エチル/n−ヘキサン=1/
2)で精製して純粋な目的物3.2gを得た。
【0030】 実施例7:2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノ
キシ]プロピオン酸−N−(3−メトキシカルボニルフェニル)アミドの合成 2−[4−(6−クロロ−2−ベンズオキサゾリルオキシ)−フェノキシ]プロ
ピオン酸(346.7 mg, 1mmol)と3−アミノ安息香酸メチルエステル(151.2 mg, 1 mmol)をテトラヒドロフラン15mlに溶解し、温度を−5℃に下げた後、1
,3−ジシクロヘキシルカルボジイミド(226 mg, 1.1 mmol)を入れた。 反応混合物の温度を常温まで徐々に上げた後、常温で2時間攪拌した。反応混
合物中に溶けない固体を濾過した後、固体濾過物をTHF 10mlで2回洗浄
した。濾過液を減圧蒸留した後カラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:酢酸エチ
ル/n−ヘキサン=1/4)で精製して純粋な目的物280mgを得た。 m.p : 135〜140℃1 H-NMR(CDCl3) : δ1.67(3H, d), 3.92(3H, s), 4.8(1H, q), 7.05〜8.08(11H,
m), 8.29(1H,br)
【0031】 実施例8〜11 前記実施例7の製造方法によって製造するが、但し、3−アミノ安息香酸メチ
ルエステルの代わりに対応するアミノ安息香酸エステルを用いて次の表2に示す
ような化合物を合成した。
【0032】
【表2】
【0033】 [製剤] 本発明による前記一般式(1)で表される化合物を除草剤として使用するため
には、本発明の化合物と農薬の製剤化に通常用いられる担体、界面活性剤、分散
剤、補助剤などを配合して各種水和剤、乳剤、各種粒剤、乳濁剤、液剤などの各
種形態に製剤化して使用する。これらの製剤は直接使用でき、適切な媒体に稀釈
して処理できる。噴霧容積量はヘクタール(ha)当り数百リットルないし数千リッ
トルまで使用できる。製剤は活性成分を重量比で約0.1%〜99%まで含み得
るが、この際界面活性剤を約0.1%〜20%範囲で含有させるか、または固体
または液体稀釈剤を0%〜99.9%範囲で含ませ得る。これを簡略に要約する
と次の表3の通りである。
【0034】
【表3】
【0035】 活性成分の比率は用途によって調節可能であり、活性成分に比べて界面活性剤
をさらに大きな比率で使用することが必要な場合もあり、製剤時に添加するかタ
ンク混合で使用できる。 吸収力が高い固体稀釈剤は、水和剤に好適である。液状稀釈剤と溶剤は0℃で
も相分離が起らず、安定なものがいい。すべての製剤には、泡防止、固まり、腐
食、微生物の成長を防止するために小量の添加剤を加えてもよい。 組成物を製造する方法は通常の方法であって、液剤は構成成分をただ混合すれ
ばよく、微細固状組成物はハンマーや流動製粉機で混合粉砕すればよい。乳濁剤
は湿式製粉機に混和処理して製造し、粒剤は活性物質を粒剤担体上に噴霧して製
造する。 代表的製剤製造例を示すと次の通りである。
【0036】 製剤1:水和剤 次の成分を完全に混合し、液体界面活性剤を固体成分上に噴霧しながら混合し
た。ハンマーミルで粉砕して粒径が100μm以下になるようにした。 活性成分(実施例3の化合物) 20重量% ドデシルフェノールポリエチレングリコールエーテル 2重量% ナトリウムリグニンスルホネート 4重量% ナトリウムシリコンアルミネート 6重量% モンモリロナイト 68重量%
【0037】 製剤2:水和剤 次の成分を混合し、粒径が25μm以下になるまでハンマーミルで粉砕した後
包装した。 活性成分(実施例3の化合物) 80重量% ナトリウムアルキルナフタレンスルホネート 2重量% ナトリウムリグニンスルホネート 2重量% 合成無定形シリカ 3重量% カオリナイト 13重量%
【0038】 製剤3:乳剤 次の成分を混合し、均一に溶解して乳剤とした。 活性成分(実施例3の化合物) 30重量% シクロヘキサノン 20重量% ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル 11重量% アルキルベンゼンスルホン酸カルシウム 4重量% メチルナフタレン 35重量%
【0039】 製剤4:粒剤 次の成分を均一に混合粉砕した後、この混合物100重量部に水20重量部を
加えて混合し、押出式造粒機を用いて14〜32メッシュの粒剤に加工した後乾
燥して粒剤とする。 活性成分(実施例3の化合物) 5重量% ナトリウムラウリルアルコール硫酸エステル塩 2重量% ナトリウムリグニンスルホネート 5重量% カルボキシメチルセルロース 2重量% 硫酸カリウム 16重量% 石膏 70重量% 本発明の製剤は、実際使用においては必要に応じて適当な濃度に稀釈して散布
する。
【0040】 [用途] 本発明の化合物は、イネの茎葉処理除草剤として高い活性を示し、特にヒエの
防除に優れるためイネに効果的である。 本発明の除草剤は、有効成分としてヘクタール(ha)当り30g〜1kgまで使
用できるが、好ましくは約50g〜400gを使用することが好ましい。薬量の
選択は雑草発生量や生育程度、製剤などの要素によって決定する。また、本発明
の除草剤は単独で使用でき、他の除草剤や殺虫剤または殺菌剤と混合して使用で
きる。特に、ベンタゾン、キンクロラック、プロパニル、シンメトリン、2,4
−D、フェノキサプロップエチル、リニュロン、MCPA、アザフェニジン、カ
フェントラゾン、モリネート、チオベンカーブ、ペンジメタリン、ベンスルヒュ
ロンメチル、ピラゾスルヒュロンエチル、メトスルヒュロンメチル、チフェンス
ルヒュロンメチル、トリベニュロンメチル、トリフルラリン、アミドスルヒュロ
ン、ブロオキシニル、ブタクロ、メコプロップ、メトリビュジン、ビフェノック
ス、ベンヒュルゼイト、イソプロチュロン、シハロポップブチル、メフェナセト
、フェントラザミド、ピリミノバックメチル、ビスピリバックナトリウム、アジ
ムスルヒュロン、シクロスルファミュロン、ピアンカーからなる群から選択され
る一つまたはそれ以上の薬剤と混合して使用することも有用である。 次に、本発明の化合物が示す雑草防除効果を試験した例を説明する。
【0041】 試験例1:茎葉処理試験 土壌を充填した600cmポットにイネ、コムギ、ムギ、トウモロコシ、ワ
タ、キビ、ヒエ、メヒシバ、オオクサキビなど各植物の種子を播種した。20〜
30℃の温室内に保持したヒエが3葉期に達したとき、試験薬剤1重量部とアセ
トン5重量部および乳化剤1重量部の混合物に溶かし、水で稀釈して調剤した水
和剤をヘクタール(ha)当り2000lの比率で植物茎葉表面に散布した。活性化合物
の量は所望する特定量になるように選択した。薬効調査は薬剤処理後14日目に
なる日に植物の損傷程度を薬剤を処理しなかった対照群と視覚的に比較して損傷
%として評価した。評価数値は次の通りである。 0% 無効果(薬剤を処理しなかったものと同じである) 20% 若干の効果 70% 除草効果 100% 全滅(完全枯死) 前記試験結果から分かるように、本発明による一般式(1)で表される化合物
は、作物には高い選択性を示し、雑草には強力な殺草効果を示す。 本試験に用いられた植物名を次の表4に示す。
【0042】
【表4】
【0043】 本発明による一般式(1)で表される化合物のうち、次の表5に示す化合物に
対する除草活性効果を評価して次の表6〜表8に示す。
【0044】
【表5】
【0045】
【表6】
【0046】
【表7】
【0047】
【表8】
【0048】 (発明の効果) これらの試験の結果として、本発明の化合物は、イネに対する選択性とヒエに
対する除草活性に優れていることが分かる。この他にも、本発明による化合物は
、大豆、ジャガイモ、野菜類などに高い安全性を示し、雑草の防除に有用である
ことが明らかとなった。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成13年6月22日(2001.6.22)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【化1】 (式中、 Rは、水素原子;メチル基;またはエチル基を示し; Rは、水素原子;C1〜Cアルキル基;ヒドロキシ基、カルボキシル基、
およびハロゲン原子から選ばれた置換基で1〜3個置換されたC1〜Cアルキ
ル基;C〜Cシクロアルキル基;C〜Cアルケニル基;C〜Cアル
キニル基;またはC〜Cアルコキシアルキル基を示し; nは1、または2の整数を示し、nが2の場合Rは各々異なる置換体の組合
せであってもよい。)
【化2】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りである)。
【化3】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りである)。
【化4】
【化5】
【化6】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;X'はOH
、Cl、Br、またはフェノキシ基を示す)。
【化7】
【化8】
【化9】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;X"はC
l、Br、I、ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基、メ
タンスルホニルオキシ基、または低級硫酸アルキル基を示す)。
【化10】
【化11】
【化12】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;Y'はハロ
ゲン原子、アルキルスルホニルオキシ、ハロアルキルスルホニルオキシ、ベンゼ
ンスルホニルオキシ基、またはトルエンスルホニルオキシ基を示す)。
【化13】
【化14】
【化15】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;Y'はハロ
ゲン原子、アルキルスルホニルオキシ、ハロアルキルスルホニルオキシ、ベンゼ
ンスルホニルオキシ基、またはトルエンスルホニルオキシ基を示す)。
【化16】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りである)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT, AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,C A,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM ,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH, GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,K E,KG,KP,KZ,LC,LK,LR,LS,LT ,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW, MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,S D,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR ,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN,YU, ZA,ZW (72)発明者 コ ヨン クワン 韓国 テジョン 305−333 ユソン−ク ウフン−ドン99 ハンビット アパートメ ント 102−1702 (72)発明者 リュ ジェ ウク 韓国 テジョン 305−333 ユソン−ク ウフン−ドン99 ハンビット アパートメ ント 120−305 (72)発明者 ウー ジェ チョン 韓国 テジョン 302−162 ソ−ク ドマ −2ドン 193 キョンナム アパートメ ント 111−603 (72)発明者 クー ドン ワン 韓国 テジョン 305−333 ユソン−ク ウフン−ドン99 ハンビット アパートメ ント 128−604 (72)発明者 キム テ−ジューン 韓国 テジョン 305−340 ユソン−ク ドリョン−ドン コンドンクワンリ アパ ートメント 6−503 Fターム(参考) 4C056 AA01 AB01 AC02 AD03 AE02 AF05 CA16 CC01 CD05 4H006 AA01 AB84 BJ50 BM10 BM73 BN30 BP30 BT32 BV25 4H011 AB01 AB02 BA01 BB10 BC05 BC07 BC18 BC19 BC20 DA14 DA16 DC04 DD03 DD04 DH03 DH09

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1)で表されることを特徴とする除草活性化合物。 【化1】 (式中、 Rは、水素原子;メチル基;またはエチル基を示し; Rは、水素原子;C1〜Cアルキル基;ヒドロキシ基、カルボキシル基、
    およびハロゲン原子から選ばれた置換基で1〜3個置換されたC1〜Cアルキ
    ル基;C〜Cシクロアルキル基;C〜Cアルケニル基;C〜Cアル
    キニル基;またはC〜Cアルコキシアルキル基を示し; nは1、または2の整数を示し、nが2の場合Rは各々異なる置換体の組合
    せであってもよい。)
  2. 【請求項2】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子、またはメ
    チル基であり;Rが水素原子、メチル基、またはエチル基であり;n=1であ
    ることを特徴とする請求項1記載の除草活性化合物。
  3. 【請求項3】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子、またはメ
    チル基であり;Rはメチル基、またはエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が3、または4位置であることを特徴とする請求項1記載の除草
    活性化合物。
  4. 【請求項4】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子であり;R がメチル基、またはエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が
    3位置であることを特徴とする請求項1記載の除草活性化合物。
  5. 【請求項5】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子であり;R がエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が3位置であること
    を特徴とする請求項1記載の除草活性化合物。
  6. 【請求項6】 下記一般式(1)で表される化合物の有効量を散布してイネが育
    っている田に発生するヒエをイネに実質的な害を与えないで防除する方法。 【化2】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りである)。
  7. 【請求項7】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子、またはメ
    チル基であり;Rが水素原子、またはエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が3、または4位置であることを特徴とする請求項6記載の防除
    方法。
  8. 【請求項8】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子、またはメ
    チル基であり;Rがメチル基、またはエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が3、または4位置であることを特徴とする請求項6記載の防除
    方法。
  9. 【請求項9】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子であり;R がメチル基、またはエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が
    3位置であることを特徴とする請求項6記載の防除方法。
  10. 【請求項10】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子であり;
    がエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が3位置であるこ
    とを特徴とする請求項6記載の防除方法。
  11. 【請求項11】 下記一般式(1)で表される化合物と農業的に使用できる担体
    、補助剤、界面活性剤、または他の除草剤化合物が含有されていることを特徴と
    する除草剤組成物。 【化3】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りである)。
  12. 【請求項12】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子、または
    メチル基であり;Rはメチル基、またはエチル基であり;n=1であることを
    特徴とする請求項11記載の除草剤組成物。
  13. 【請求項13】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子、または
    メチル基であり;Rがメチル基、またはエチル基であり;nは1であり;CO の置換位置が3または4であることを特徴とする請求項11記載の除草剤
    組成物。
  14. 【請求項14】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子であり;
    がメチル基、またはエチル基であり;nは1であり;COの置換位置
    が3位置であることを特徴とする請求項11記載の除草剤組成物。
  15. 【請求項15】 前記一般式(1)で表される化合物は、Rが水素原子であり;
    がエチル基であり;nは1であり;COの置換位置が3位置であるこ
    とを特徴とする請求項11記載の除草剤組成物。
  16. 【請求項16】 下記一般式(7)で表される化合物と下記一般式(8)で表さ
    れる化合物を反応させて製造することを特徴とする下記一般式(1)で表される
    化合物の製造方法。 【化4】 【化5】 【化6】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;X'はOH
    、Cl、Br、またはフェノキシ基を示す)。
  17. 【請求項17】 下記一般式(9)で表される化合物と下記一般式(10)で表
    される化合物を用いて製造することを特徴とする下記一般式(1)で表される化
    合物の製造方法。 【化7】 【化8】 【化9】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;X"はCl
    、Br、I、ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基、メタ
    ンスルホニルオキシ基、または低級硫酸アルキル基を示す)。
  18. 【請求項18】 下記一般式(11)で表される化合物と下記一般式(12)で
    表される化合物を用いて製造することを特徴とする下記一般式(1)で表される
    化合物の製造方法。 【化10】 【化11】 【化12】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;Y'はハロ
    ゲン原子、アルキルスルホニルオキシ、ハロアルキルスルホニルオキシ、ベンゼ
    ンスルホニルオキシ基、またはトルエンスルホニルオキシ基を示す)。
  19. 【請求項19】 下記一般式(13)で表される化合物と下記一般式(14)で
    表される化合物を用いて製造することを特徴とする下記一般式(1)で表される
    化合物の製造方法。 【化13】 【化14】 【化15】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;Y'はハロ
    ゲン原子、アルキルスルホニルオキシ、ハロアルキルスルホニルオキシ、ベンゼ
    ンスルホニルオキシ基、またはトルエンスルホニルオキシ基を示す)。
  20. 【請求項20】 下記一般式(12)で表されることを特徴とする中間体化合物
    。 【化16】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りであり;Y'はハロ
    ゲン原子、アルキルスルホニルオキシ、ハロアルキルスルホニルオキシ、ベンゼ
    ンスルホニルオキシ基、またはトルエンスルホニルオキシ基を示す)。
  21. 【請求項21】 下記一般式(14)で表されることを特徴とする中間体化合物
    。 【化17】 (式中、R、R、およびnは各々請求項1で定義した通りである)。
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