JP2003503597A5

JP2003503597A5 -

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Publication number: JP2003503597A5
Application number: JP2001506301A
Authority: JP
Filing date: 2000-06-14
Publication date: 2007-08-02
Anticipated expiration: 2020-06-14

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体処理装置の部材の金属表面をコーティングするための方法であって、
（ａ）半導体処理装置の部材の金属表面にニッケル−リンめっきを堆積すること、
（ｂ）前記ニッケル−リンめっき上に、最外郭表面を形成するセラミック・コーティングを堆積すること
を含む方法。
【請求項２】前記ニッケル−リンめっきを無電界めっきにより堆積させる請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項３】前記部材がプラズマ・チャンバの側壁を含み、前記ニッケル−リンめっきを前記側壁の露出した内側表面の上に堆積させる請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項４】前記セラミック・コーティングがＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＣ、またはＡｌＮを含む請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項５】前記ニッケル−リンめっきが約９から約１２重量パーセントのリンを含む請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項６】前記ニッケル−リンめっきを約０．００２から約０．００４インチの範囲の厚さに堆積させる請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項７】前記セラミック・コーティングを堆積する前に前記ニッケル−リンめっきに表面粗化処理をおこない、前記ニッケル−リンめっきの全部または一部分を被覆するように前記セラミック・コーティングを前記ニッケル−リンめっき上にプラズマ溶射することによって前記セラミック・コーティングを粗化ニッケル−リンめっき上に堆積することをさらに含む、請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項８】前記セラミック・コーティングを約０．００５から約０．０４０インチの範囲の厚さに堆積させる請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項９】前記金属表面が、陽極酸化された、または陽極酸化されていないアルミニウムもしくはアルミニウム合金であり、前記セラミック・コーティングがＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＣ、またはＡｌＮである請求項１に記載のコーティングするための方法。
【請求項１０】半導体処理装置の部材であって、
（ａ）金属表面と、
（ｂ）前記金属表面上のニッケル−リンめっきと、
（ｃ）前記ニッケル−リンめっき上の、最外郭表面を形成するセラミック・コーティングと
を含む部材。
【請求項１１】金属表面が、陽極酸化された、または陽極酸化されていないアルミニウムもしくはアルミニウム合金である請求項１０に記載の部材。
【請求項１２】前記セラミックがＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＣ、またはＡｌＮである請求項１０に記載の部材。
【請求項１３】前記ニッケル−リンめっきが約９から約１２重量パーセントのリンを含む請求項１０に記載の部材。
【請求項１４】前記ニッケル−リンめっきが約０．００２から約０．００４インチの範囲の厚さを有する請求項１０に記載の部材。
【請求項１５】前記セラミック・コーティングが約０．００５から約０．０３０インチの範囲の厚さを有するプラズマ溶射アルミナ・コーティングである請求項１０に記載の部材。
【請求項１６】前記部材がプラズマ・チャンバ壁である請求項１０に記載の部材。
【請求項１７】前記セラミック・コーティングが耐亀裂性である請求項１０に記載の部材。
【請求項１８】ニッケル−リンめっきがセラミック・コーティングと接触する粗化表面を含み、セラミック・コーティングが熱溶射によるコーティングである請求項１０に記載の部材。
【請求項１９】セラミック・コーティングがアルミナであり、金属表面が、陽極酸化された、または陽極酸化されていないアルミニウムもしくはアルミニウム合金である請求項１８に記載の部材。
【請求項２０】請求項１０に記載の部材を含むプラズマ・チャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、半導体基板の露出表面をプラズマと接触させることを含む方法。
【請求項２１】半導体処理装置の部材の金属表面をコーティングするための方法であって、
（ａ）半導体処理装置の部材の金属表面にニッケル−リンめっきを堆積すること、
（ｂ）前記ニッケル−リンめっき上に、前記部材の最外郭表面を形成するセラミック・コーティングを堆積すること
を含み、前記部材がプラズマ・チャンバの側壁を含み、前記ニッケル−リンめっきを前記側壁の露出した内側表面の上に堆積させる方法。
【請求項２２】前記セラミック・コーティングがＡｌ _２Ｏ _３、ＳｉＣ、Ｓｉ _３Ｎ _４、ＢＣ、またはＡｌＮである請求項２１に記載のコーティングするための方法。
【請求項２３】前記セラミック・コーティングを堆積する前に前記ニッケル−リンめっきに表面粗化処理をおこない、前記セラミック・コーティングが、プラズマ溶射することによって粗化ニッケル−リンめっき上に堆積される請求項２１に記載のコーティングするための方法。
【請求項２４】半導体処理装置の部材であって、
（ａ）金属表面と、
（ｂ）前記金属表面上のニッケル−リンめっきと、
（ｃ）前記ニッケル−リンめっき上の、前記部材の最外郭表面を形成するセラミック・コーティングと
を含み、プラズマ・チャンバの側壁として構成される部材。
【請求項２５】前記セラミック・コーティングがＡｌ _２Ｏ _３、ＳｉＣ、Ｓｉ _３Ｎ _４、ＢＣ、またはＡｌＮである請求項２４に記載の部材。