JP2003340386A - 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 - Google Patents
超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法Info
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- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 62
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 39
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Abstract
することが可能な超音波洗浄装置を提供すること。 【解決手段】被洗浄物Wの被洗浄面Waに対向配置され
る超音波洗浄ユニット40と、超音波洗浄ユニット40
を位置決めする位置決め機構30とを備え、超音波洗浄
ユニット40は、一方の面に超音波振動子63が固定さ
れ他方の面が被洗浄物Wと対向して配置され超音波振動
子63からの超音波振動を拡散する超音波拡散体62
と、超音波拡散体62と被洗浄面Waとの相対距離を計
測する非接触距離センサ71とを有し、位置決め機構3
0は、非接触距離センサ71の出力に基づき、超音波拡
散体62と被洗浄面Waとの距離を所定寸法に保つよう
に、超音波洗浄ユニット40を位置決めする制御回路3
2とを有している。
Description
するシリコンウエハや半導体ウエハ等の半導体基板や、
液晶表示装置を形成するガラス基板等の被洗浄物を超音
波処理により洗浄する際に好適な超音波洗浄装置及び超
音波洗浄方法に関するものである。
板等の製造工程では、種々の微細加工の前後で、半導体
基板やガラス基板等の被洗浄物に付着したサブミクロン
オーダのパーティクル等を洗浄除去する必要がある。そ
こで、被洗浄物に対して、ダメージの少ない500kH
z〜1.5MHzの高周波数の超音波を印加した洗浄液
を照射して洗浄する超音波洗浄方法が用いられている。
拡散する超音波拡散体を被洗浄物の被洗浄面に近接さ
せ、その隙間に洗浄液を供給することで、超音波が印加
された洗浄液で被洗浄物を洗浄する方法が考えられてい
る。
を被洗浄物の被洗浄面に近接させる洗浄方法には次のよ
うな問題があった。すなわち、超音波拡散体と被洗浄物
とのギャップが大きいと、このギャップを満たすための
洗浄液の必要量が増大しコスト高を招くことになる。こ
のため、超音波拡散体を被洗浄物の表面に可能な限り近
付ける必要がある。しかしながら、ギャップが小さくな
ると、被洗浄物の表面には微小なうねりや被洗浄物の厚
さの不均一性があるため、一定の高さ位置で超音波洗浄
ユニットを移動させた場合、超音波拡散体と被洗浄物と
が接触し、被洗浄物の表面に形成された配線等が破壊さ
れることが考えられる。
洗浄物との接触を防止することで、被洗浄物にダメージ
を与えることなく効率よく超音波洗浄を行うことが可能
な超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供することを
目的としている。
達成するために、本発明の超音波洗浄装置及び超音波洗
浄方法は次のように構成されている。
した洗浄液を用いて洗浄する超音波洗浄装置において、
上記被洗浄物を保持する保持手段と、この保持手段に保
持された上記被洗浄物の被洗浄面に対向配置される超音
波洗浄ユニットと、この超音波洗浄ユニットを上記被洗
浄物の被洗浄面に対して位置決めする位置決め手段とを
備え、上記超音波洗浄ユニットは、一方の面に超音波振
動子が固定され他方の面が上記被洗浄物と対向して配置
され上記超音波振動子からの超音波振動を拡散する拡散
手段と、上記被洗浄物の被洗浄面に洗浄液を供給する洗
浄液供給手段と、上記拡散手段と上記被洗浄面との相対
距離を計測する計測手段とを有し、上記位置決め手段
は、上記計測手段の出力に基づき、上記拡散手段と上記
被洗浄面との距離を所定寸法に保つように、上記超音波
洗浄ユニットを位置決めする制御手段とを有しているこ
とを特徴とする。
装置であって、上記計測手段は、上記超音波洗浄ユニッ
トの進行方向に設けられていることを特徴とする。
面に超音波振動子が固定され他方の面が上記被洗浄物と
対向して配置される上記超音波振動子からの超音波振動
を拡散する拡散手段を有する超音波洗浄ユニットを、上
記拡散手段の他方の面と上記被洗浄面とを所定距離まで
近接させる位置決め工程と、上記被洗浄面に対して洗浄
液を供給し、上記被洗浄面と上記拡散手段の他方の面と
の間を上記洗浄液で満たす洗浄液供給工程と、上記超音
波振動子を駆動し、上記拡散手段を介して伝播してきた
超音波振動を拡散させて上記被洗浄面に伝播し、上記被
洗浄面の洗浄を行う洗浄工程と、上記拡散手段の他方の
面と上記被洗浄面との相対距離を計測する計測工程とを
備え、上記位置決め工程は、上記計測工程により計測さ
れた相対距離に基づいて、上記拡散手段と上記被洗浄面
との距離を所定寸法に保つ制御工程とを有していること
を特徴とする。
る超音波洗浄装置10を示す側面図、図2は超音波洗浄
装置10に組み込まれた超音波洗浄ユニット40を示す
縦断面図、図3は超音波洗浄装置10における超音波洗
浄ユニットと被洗浄物との関係を示す平面図である。な
お、これらの図中矢印XYZは互いに直交する三方向を
示しており、矢印XYは水平方向、矢印Zは鉛直方向を
示している。
の半導体基板や液晶表示装置用ガラス基板等の被洗浄物
Wを搬送する搬送機構20と、後述する超音波洗浄ユニ
ット40を位置決めする位置決め機構30と、被洗浄物
Wに対して洗浄液Lを供給すると共に、該洗浄液Lに超
音波を付与して被洗浄物Wの被洗浄面Waを洗浄する超
音波洗浄ユニット40から構成されている。
り駆動される複数の回転ドラム21を備えている。これ
ら回転ドラム21によって被洗浄物Wが図中矢印X方向
に沿って搬送される。
の高さ方向(図中矢印Z方向)の位置決めを行う上下動
機構31と、この上下動機構31に支持されるとともに
その先端に超音波洗浄ユニット40が取り付けられたア
ーム32と、後述する非接触距離センサ71の出力に基
づいて上下動機構31を制御する制御回路33を備えて
いる。
被洗浄面Waに対して洗浄液Lを供給する洗浄液供給部
50と、被洗浄面Wa上に供給された洗浄液Lに対して
超音波を印加する超音波付与部60と、超音波付与部6
0の超音波拡散体62と被洗浄面Waとのギャップδを
計測する計測部70とから構成されている。
数のノズル体51a〜51fを備え、これから超音波付
与部60と対向する被洗浄物Wの上流側に洗浄液Lを供
給する配置となっている。このような構成とすること
で、付与した洗浄液Lに対して効率良く超音波を付与す
ることができ、洗浄効果を向上させることができるとと
もに、洗浄液Lを節約できる。
を超音波付与部60と別体として設けているが、超音波
付与部60と一体的に設けても良く、また、洗浄液Lを
後述する超音波拡散体62表面を伝って被洗浄物Wに供
給するような構成としても良い。
標)材製の支持部61を有している。支持部61の長さ
(図1及び図2における奥行方向)については後述す
る。支持部61内部には、一方の面62aが平面状に形
成され、他方の面62bが凸形状(本例においては球
面)に形成された超音波拡散体62が設けられている。
超音波拡散体62は例えば石英から形成されている。な
お、石英の他、サファイア、SiC、アルミナ、ステン
レス、或いはTaのいずれか一種から構成されるように
してもよい。超音波拡散体62は、直接洗浄液Lに接す
るため、洗浄液Lの種類によっては、超音波拡散体62
に含まれる成分が溶出して被洗浄物Wを逆に汚染するこ
とも考えられる。したがって、その材質については、使
用する洗浄液Lの種類によって適宜選択する必要があ
る。
置には超音波振動子63が接着固定されている。超音波
振動子63には、電源線63aを介して図示しない例え
ばRF電源が接続されており、これを制御駆動すること
により、超音波振動の発振を制御するように構成してい
る。
5が形成され、冷却水導通路65には、冷却水を供給す
る冷却水供給口66及び冷却水を排出するための冷却水
排出口67が設けられている。なお、冷却水供給口66
及び冷却水排出口67の数は超音波洗浄ユニット40の
大きさにより適宜選択する。また、これら冷却水供給口
66及び冷却水排出口67は、アーム32内部を通じて
図示しない冷却水供給源及び冷却水排出部に接続されて
いる。
接触距離センサ71を備えている。この非接触距離セン
サ71の出力は、位置決め機構30の制御回路33に入
力され、制御回路33では上下動機構31によりアーム
32の上下位置を制御する。
の長さについて説明する。支持部61は、図3に示すよ
うに被洗浄物(例えば液晶表示装置用ガラス基板等)W
の横幅より若干長く形成されている。このような構成と
することで、被洗浄物Wが超音波付与部60の下方を一
度通過することで全面を一通り洗浄することができる。
大きさにより適宜変更可能であり、後述するように、ス
ポット的に超音波振動を付与するように小さく構成する
ことも可能である。図3中破線で示した領域Gは、超音
波拡散体62と被洗浄物Wとが洗浄液Lにより連通され
た部分を示している。
いて説明すると、被洗浄物Wの被洗浄面Waと、超音波
付与部60の超音波拡散体62との隙間のギャップδが
2〜3mm程度となるまで近付け、この隙間に洗浄液L
を供給すると図2に示すように、洗浄液Lは表面張力に
より超音波拡散体62側に凸形状をなして接触する。一
方、超音波振動子63による振動は超音波拡散体62に
達する。超音波拡散体62に達した超音波Pは、超音波
拡散体62の曲面状の凸形状により放射状に拡散されて
洗浄液Lに対して超音波Pを付与することになる。
しての洗浄方法について説明する。次に、アーム32を
下降させて超音波洗浄ユニット40を搬送機構20に被
洗浄物Wの厚さと所定のギャップδに基づいて近接させ
る。続いて、搬送機構20により被洗浄物Wを搬送す
る。これにより、被洗浄物W表面と超音波付与部60の
超音波拡散体62の最凸部とが所定のギャップδがほぼ
維持されるようになる。同時に、非接触距離センサ71
は被洗浄物W表面と超音波付与部60の超音波拡散体6
2との距離を測定し、その値を位置決め機構30に入力
することで、上下動機構31が制御され、ギャップδが
常に適正範囲内に維持される。
浄物Wの被洗浄面Waに対して洗浄液Lを供給する。被
洗浄面Wa上に所定量の洗浄液Lが供給されると、図2
に示すように、超音波拡散体62と被洗浄面Waとのギ
ャップが洗浄液Lにより満たされ、領域Gにおいて被洗
浄面Waと超音波拡散体62とが洗浄液Lによりつなが
る。この状態において超音波振動子63を駆動すると、
超音波Pによる振動は超音波拡散体62及び洗浄液Lを
介して被洗浄物Wの被洗浄面Waに達し、被洗浄面Wa
表面に付着したパーティクル等を除去し洗浄することが
できる。
音波洗浄装置10を利用して超音波洗浄を行うと、被洗
浄物Wがうねりがあったり、厚さに不均一な部分があっ
ても、超音波拡散板62と被洗浄体Wの被洗浄面Waと
の接触を防止することができる。このため、ギャップδ
を小さくして、洗浄液使用効率を高めることが可能とな
る。
構成とした超音波付与部60の変形例に係る超音波付与
部90を示す底面図である。なお、断面形状は上述した
超音波付与部60と同様であり、同一機能部分には同一
符号を付し、その詳細な説明は省略する。なお、超音波
付与部90においては、支持部91がリング状に形成さ
れている。
述した超音波付与部60を用いた超音波洗浄装置10と
同様の効果を得ることができる。
るものではない。すなわち、上述した実施の形態では、
図1〜3に示すような直線状の形態や、図4に示すよう
なスポット照射可能な形態としているが、これらの組合
せは自由であり、必要に応じて適宜採用することがで
き、それぞれ同様の効果を奏することができる。この
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能
であるのは勿論である。
被洗浄物との接触を防止することで、被洗浄物にダメー
ジを与えることなく効率よく超音波洗浄を行うことが可
能となる。
示す側面図。
ットを示す縦断面図。
被洗浄物との関係を示す平面図。
Claims (3)
- 【請求項1】被洗浄物の被洗浄面を超音波を印加した洗
浄液を用いて洗浄する超音波洗浄装置において、 上記被洗浄物を保持する保持手段と、 この保持手段に保持された上記被洗浄物の被洗浄面に対
向配置される超音波洗浄ユニットと、 この超音波洗浄ユニットを上記被洗浄物の被洗浄面に対
して位置決めする位置決め手段とを備え、 上記超音波洗浄ユニットは、一方の面に超音波振動子が
固定され他方の面が上記被洗浄物と対向して配置され上
記超音波振動子からの超音波振動を拡散する拡散手段
と、 上記被洗浄物の被洗浄面に洗浄液を供給する洗浄液供給
手段と、 上記拡散手段と上記被洗浄面との相対距離を計測する計
測手段とを有し、 上記位置決め手段は、上記計測手段の出力に基づき、上
記拡散手段と上記被洗浄面との距離を所定寸法に保つよ
うに、上記超音波洗浄ユニットを位置決めする制御手段
とを有していることを特徴とする超音波洗浄装置。 - 【請求項2】上記計測手段は、上記超音波洗浄ユニット
の進行方向に設けられていることを特徴とする超音波洗
浄装置。 - 【請求項3】被洗浄物の被洗浄面に対し、一方の面に超
音波振動子が固定され他方の面が上記被洗浄物と対向し
て配置される上記超音波振動子からの超音波振動を拡散
する拡散手段を有する超音波洗浄ユニットを、上記拡散
手段の他方の面と上記被洗浄面とを所定距離まで近接さ
せる位置決め工程と、 上記被洗浄面に対して洗浄液を供給し、上記被洗浄面と
上記拡散手段の他方の面との間を上記洗浄液で満たす洗
浄液供給工程と、 上記超音波振動子を駆動し、上記拡散手段を介して伝播
してきた超音波振動を拡散させて上記被洗浄面に伝播
し、上記被洗浄面の洗浄を行う洗浄工程と、 上記拡散手段の他方の面と上記被洗浄面との相対距離を
計測する計測工程とを備え、 上記位置決め工程は、上記計測工程により計測された相
対距離に基づいて、上記拡散手段と上記被洗浄面との距
離を所定寸法に保つ制御工程とを有していることを特徴
とする超音波洗浄方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002149130A JP2003340386A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
US10/443,012 US6875696B2 (en) | 2002-05-23 | 2003-05-22 | Ultrasonic-wave washing unit, ultrasonic-wave washing apparatus, ultrasonic-wave washing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of manufacturing a liquid crystal display |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002149130A JP2003340386A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003340386A true JP2003340386A (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=29767398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002149130A Pending JP2003340386A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
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US20050145264A1 (en) | 2005-07-07 |
US6875696B2 (en) | 2005-04-05 |
US20080110473A1 (en) | 2008-05-15 |
US20040200500A1 (en) | 2004-10-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041124 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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