JP2010527162A - プレート状物品の超音波湿式処理のための装置および方法 - Google Patents
プレート状物品の超音波湿式処理のための装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010527162A JP2010527162A JP2010507871A JP2010507871A JP2010527162A JP 2010527162 A JP2010527162 A JP 2010527162A JP 2010507871 A JP2010507871 A JP 2010507871A JP 2010507871 A JP2010507871 A JP 2010507871A JP 2010527162 A JP2010527162 A JP 2010527162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- distance
- ultrasonic
- article
- transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
【選択図】 図9
Description
・プレート状の物品を超音波エネルギで処理するためのトランスデューサに接続された固体要素であって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する、固体要素と、
・固体要素とプレート状物品との間の隙間の中に液体を導入するための液体分配手段とを含む。
・プレート状物品を超音波エネルギで処理するためのトランスデューサに接続された固体要素であって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する、固体要素と、
・処理される際に固体要素とプレート状物品との間の隙間の中に液体を導入するための液体分配手段と、
・距離d2制御するための手段とを含み、距離を制御するための手段が、距離d2を測定するための手段と、測定された距離を所望の距離d0と比較するための手段と、それに応じて距離を調節するための距離調節手段とを含む。
は、
・プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する状態にし、ここで、この隙間が液体で満たされるステップと、
・距離d2を測定し、測定された距離を所望の距離d0と比較し、それに応じて距離を調節することによって距離d2を制御するステップとを含む。
・プレート状の物品を超音波エネルギで処理するためのトランスデューサに接続された固体要素であって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する、固体要素と、
・処理される際に固体要素とプレート状物品との間の隙間の中に液体を導入するための液体分配手段と、
・超音波検出器を含む超音波を測定するための手段とを含む。
でよいが、プレート状物品の湿式処理のためのトランスデューサと同じでなくてもよい。
・プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する状態にし、ここで、この隙間が液体で満たされるステップと、
・超音波を検出するステップとからなる。
クト14を含み、湿式処理中にウェーハから液が飛散し、この液体は環状ダクト14の底近くの開口部(図示せず)を通して排出される。液体収集器は、環状ダクト14の上に内向き方向の環状のガス吸引ノズル12をさらに含み、周囲のガスおよび湿式処理に由来する噴霧を受ける。0.1−5.0mmの周囲の隙間を残して第1のプレートが液体収集器の中に挿入可能なように、液体収集器10の上部の内径は、第1のプレート31の外径よりもわずかに大きいだけである。この隙間は処理中に周囲に対してウェーハを密閉するのに十分に小さく、しかし、第1のプレートが回転中に、第1のプレート31と液体収集器10との間の摩擦を避けるために十分大きいものでなければならない。
離d2が既に全点で所望の範囲に入っているように、超音波洗浄プロセスが開始される前に送出可能である。このように、ウェーハ上の構造への損傷が防止可能であり、最大の粒子除去効率が再現よく達成可能である。
された超音波からの反響音を検出するため、および、洗浄トランスデューサ4によって放射された超音波を監視するために、同時に使用される。
ーサ81用の、および検出トランスデューサ82から来る検出された信号用の配線が棒状プローブを通して導かれる。トランスデューサ81および82の両方が、棒状プローブの穴の中に押し込まれる。プローブ(固体要素)が、ウェーハに対して、トランスデューサ組み立て体81、82の上のみで十分に平行であることが、固体要素とウェーハとの間の距離d2を測定するために必要である。平行度が補正すべき場合にも、第2のトランスデューサ組み立て体81、82が有用である。
Claims (33)
- プレート状物品の超音波湿式処理のための装置であって、
前記プレート状の物品を超音波エネルギで処理するためのトランスデューサに接続された固体要素であって、前記固体要素と前記プレート状物品との間に隙間が形成され、前記隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する、固体要素と、
処理される際に前記固体要素と前記プレート状物品との間の前記隙間の中に液体を導入するための液体分配手段と、
前記距離d2制御するための手段とを含み、前記距離を制御するための前記手段が、前記距離d2を測定するための手段と、前記測定された距離を所望の距離d0と比較するための手段と、それに応じて前記距離を調節するための距離調節手段とを含む、装置。 - 前記距離d2を測定するための前記手段は光学測定要素を含む、請求項1記載の装置。
- 前記距離d2を測定するための前記手段は、前記距離測定信号を送出するための超音波トランスデューサと前記距離測定信号を検出するための超音波検出器とを含む超音波測定要素を含む、請求項1記載の装置。
- 前記距離を測定するための前記超音波トランスデューサは、同時に、前記プレート状物品の湿式処理のための前記トランスデューサである、請求項3記載の装置。
- 前記距離を測定するための前記超音波トランスデューサは、前記プレート状物品の湿式処理のための前記トランスデューサと同じでない、請求項3記載の装置。
- 前記距離を測定するための前記超音波検出器は、同時に、前記距離測定信号を送出するための前記超音波トランスデューサである、請求項3記載の装置。
- 前記距離を測定するための前記超音波検出器は、同時に、前記プレート状物品の湿式処理のための前記トランスデューサである、請求項3記載の装置。
- 前記距離を測定するために少なくとも3つの超音波トランスデューサを備える、請求項3記載の装置。
- プレート状物品の超音波湿式処理のための方法であって、
プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を、前記固体要素と前記プレート状物品との間に隙間が形成され、前記隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する状態にし、ここで、この隙間が液体で満たされるステップと、
前記距離d2を測定し、前記測定された距離を所望の距離d0と比較し、それに応じて前記距離を調節することによって前記距離d2を制御するステップとを含む、方法。 - 前記隙間は、前記固体要素と前記プレート状物品との間の前記隙間を満たすための液体を分配することによって満たされる、請求項9記載の方法。
- 前記距離d2を測定するための前記手段は光学測定要素を含む、請求項9記載の方法。
- 前記距離d2を測定するための前記手段は、前記距離測定信号を送出するための超音波トランスデューサと前記距離測定信号を検出するための超音波検出器とを含む超音波測定要素を含む、請求項9記載の方法。
- 前記距離を測定するための前記超音波トランスデューサは、同時に、前記プレート状物
品の湿式処理のための前記トランスデューサである、請求項12記載の方法。 - 前記距離を測定するための前記超音波トランスデューサは、前記プレート状物品の湿式処理のための前記トランスデューサと同じでない、請求項12記載の方法。
- 前記距離を測定するための前記超音波検出器は、同時に、前記距離測定信号を送出するための前記超音波トランスデューサである、請求項12記載の方法。
- 前記距離を測定するための前記超音波検出器は、同時に、前記プレート状物品の湿式処理のための前記トランスデューサである、請求項12記載の方法。
- 前記距離を測定するために少なくとも3つの超音波トランスデューサを備える、請求項12記載の方法。
- 前記距離を制御するための前記手段は前記距離d2を自動的に制御するための制御装置をさらに含む、請求項9記載の方法。
- プレート状物品の超音波湿式処理のための装置であって、
前記プレート状の物品を超音波エネルギで処理するためのトランスデューサに接続された固体要素であって、前記固体要素と前記プレート状物品との間に隙間が形成され、前記隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する、固体要素と、
処理される際に前記固体要素と前記プレート状物品との間の前記隙間の中に液体を導入するための液体分配手段と、
超音波検出器を含む超音波を測定するための手段とを含む、装置。 - 前記超音波検出器は、同時に、前記プレート状物品の超音波湿式処理のためのトランスデューサである、請求項19記載の装置。
- 前記超音波検出器は、前記プレート状物品の湿式処理のための前記トランスデューサと同じでない、請求項19記載の装置。
- 前記超音波検出器は、同時に、前記プレート状物品の超音波湿式処理のための前記超音波トランスデューサである、請求項19記載の装置。
- 前記超音波検出器は、同時に、前記プレート状物品の湿式処理のためのトランスデューサである、請求項19記載の装置。
- 前記超音波検出器は超音波距離測定システムの一部である、請求項19記載の装置。
- 前記超音波検出器は超音波画像システムの一部である、請求項19記載の装置。
- 前記超音波検出器は超音波出力監視システムの一部である、請求項19記載の装置。
- プレート状物品の超音波湿式処理のための方法であって、
プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を、前記固体要素と前記プレート状物品との間に隙間が形成され、前記隙間は0.1mmと15mmとの間の距離d2を有する状態にし、この隙間が液体で満たされるステップと、
超音波を検出するステップとからなる、方法。 - 前記隙間は、前記固体要素と前記プレート状物品との間の前記隙間を満たすための液体
を分配することによって満たされる、請求項27記載の方法。 - 超音波を前記検出するステップが超音波湿式処理の前に実行される、請求項27記載の超音波湿式処理のための方法。
- 前記固体要素と前記プレート状物品との間の前記隙間が液体で満たされている場合には、超音波を前記検出するステップが超音波湿式処理の前に実行される、請求項27記載の超音波湿式処理のための方法。
- 前記固体要素と前記プレート状物品との間の前記隙間が液体で満たされていない場合には、超音波を前記検出するステップが超音波湿式処理の前に実行される、請求項27記載の超音波湿式処理のための方法。
- 前記固体要素と前記プレート状物品との間の前記隙間が液体で満たされている場合には、超音波を前記検出するステップが前記超音波湿式処理と同時に実行される、請求項27記載の超音波湿式処理のための方法。
- 超音波を前記検出するステップは超音波出力を監視するために使用される、請求項27記載の超音波湿式処理のための方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATA772/2007 | 2007-05-16 | ||
AT7722007 | 2007-05-16 | ||
PCT/EP2008/054974 WO2008138725A1 (en) | 2007-05-16 | 2008-04-24 | Apparatus and method for ultrasonic wet treatment of plate-like articles |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010527162A true JP2010527162A (ja) | 2010-08-05 |
JP5538213B2 JP5538213B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=39561736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010507871A Expired - Fee Related JP5538213B2 (ja) | 2007-05-16 | 2008-04-24 | プレート状物品の超音波湿式処理のための装置および方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8573236B2 (ja) |
EP (1) | EP2150969B1 (ja) |
JP (1) | JP5538213B2 (ja) |
KR (1) | KR101641738B1 (ja) |
CN (1) | CN101702949B (ja) |
TW (1) | TWI421933B (ja) |
WO (1) | WO2008138725A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018900A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-27 | Imec | 音響洗浄の最適操作を制御する方法および装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010066081A1 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
JP5540835B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-02 | 富士通株式会社 | 洗浄システム及び洗浄方法 |
US20140261535A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Lam Research Corporation | Standing Wave Generation in Holes to Enhance Cleaning in the Holes in Liquid Sonification Cleaning Systems |
US9953847B2 (en) * | 2013-09-10 | 2018-04-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method for cleaning |
US10688536B2 (en) * | 2014-02-24 | 2020-06-23 | The Boeing Company | System and method for surface cleaning |
CN105983552B (zh) * | 2015-02-15 | 2019-12-24 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 一种防掉落的半导体清洗装置 |
US10794872B2 (en) * | 2015-11-16 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Acoustic measurement of fabrication equipment clearance |
US11298727B2 (en) * | 2017-03-30 | 2022-04-12 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Substrate cleaning apparatus |
KR20230090848A (ko) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조 장치 및 그 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303161A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Ricoh Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2003340386A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
WO2004114372A1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Sez Ag | Device and method for wet treating disc-like substrates |
JP2005026668A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005347761A (ja) * | 2005-06-15 | 2005-12-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
WO2006048185A1 (de) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Hamatech Ape Gmbh & Co. Kg | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten und düseneinheit hierfür |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2081184B1 (ja) * | 1970-03-16 | 1974-05-24 | Comp Generale Electricite | |
US4698775A (en) * | 1985-05-17 | 1987-10-06 | Flexible Manufacturing Systems, Inc. | Self-contained mobile reprogrammable automation device |
JPH057835Y2 (ja) * | 1986-06-10 | 1993-02-26 | ||
US5147462A (en) * | 1990-02-16 | 1992-09-15 | Alcan Aluminum Corporation | Apparatus for automatic film thickness control |
US5444637A (en) * | 1993-09-28 | 1995-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Programmable semiconductor wafer for sensing, recording and retrieving fabrication process conditions to which the wafer is exposed |
JPH07111255A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nippon Steel Corp | ウェーハ研磨装置 |
US5787595A (en) * | 1996-08-09 | 1998-08-04 | Memc Electric Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling flatness of polished semiconductor wafer |
JPH1154471A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
US6228563B1 (en) * | 1999-09-17 | 2001-05-08 | Gasonics International Corporation | Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices |
US7021319B2 (en) * | 2000-06-26 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | Assisted rinsing in a single wafer cleaning process |
KR100473475B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 장치 |
US7306002B2 (en) * | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
US6890390B2 (en) * | 2003-05-22 | 2005-05-10 | Lawrence Azar | Method for ultrasonic cleaning using phased transducer arrays |
EP2261741A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7117104B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-10-03 | Celerity, Inc. | Ultrasonic liquid flow controller |
US9799536B2 (en) * | 2005-02-07 | 2017-10-24 | Planar Semiconductor, Inc. | Apparatus and method for cleaning flat objects in a vertical orientation with pulsed liquid jet |
-
2008
- 2008-04-11 TW TW097113207A patent/TWI421933B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-04-24 JP JP2010507871A patent/JP5538213B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-24 US US12/600,351 patent/US8573236B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-24 EP EP08736526A patent/EP2150969B1/en not_active Not-in-force
- 2008-04-24 CN CN2008800162013A patent/CN101702949B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-24 KR KR1020097026174A patent/KR101641738B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-24 WO PCT/EP2008/054974 patent/WO2008138725A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303161A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Ricoh Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2003340386A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
JP2005026668A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2004114372A1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Sez Ag | Device and method for wet treating disc-like substrates |
WO2006048185A1 (de) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Hamatech Ape Gmbh & Co. Kg | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten und düseneinheit hierfür |
JP2005347761A (ja) * | 2005-06-15 | 2005-12-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018900A (ja) * | 2009-07-02 | 2011-01-27 | Imec | 音響洗浄の最適操作を制御する方法および装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101702949A (zh) | 2010-05-05 |
JP5538213B2 (ja) | 2014-07-02 |
CN101702949B (zh) | 2011-11-16 |
WO2008138725A1 (en) | 2008-11-20 |
EP2150969B1 (en) | 2012-10-03 |
KR101641738B1 (ko) | 2016-07-21 |
TWI421933B (zh) | 2014-01-01 |
TW200847264A (en) | 2008-12-01 |
US20100147336A1 (en) | 2010-06-17 |
EP2150969A1 (en) | 2010-02-10 |
KR20100029767A (ko) | 2010-03-17 |
US8573236B2 (en) | 2013-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5538213B2 (ja) | プレート状物品の超音波湿式処理のための装置および方法 | |
KR101364137B1 (ko) | 디스크상 기판의 습식처리 장치 및 방법 | |
US8279712B2 (en) | Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same | |
US6754980B2 (en) | Megasonic cleaner and dryer | |
US6260562B1 (en) | Substrate cleaning apparatus and method | |
CN106029242B (zh) | 用于表面清洁的系统和方法 | |
TWI486239B (zh) | A non-contact holding device, a transfer device, and a non-contact holding method | |
US20150258583A1 (en) | Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same | |
JP4769818B2 (ja) | ウェーハの湿式処理用の装置及び方法 | |
US7100304B2 (en) | Megasonic cleaner and dryer | |
US20120227775A1 (en) | Method and Apparatus for Controlling Optimal Operation of Acoustic Cleaning | |
JPH08290136A (ja) | 基板洗浄方法とその装置 | |
KR20060126096A (ko) | 반도체 기판 코팅 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120830 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130219 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140107 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140110 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5538213 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140428 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |