KR101641738B1 - 판형상 물체 습식 초음파 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

- 판형상 물체에 인접하게 변환기에 연결됨으로써 고체 요소와 판형상 물체 사이에 갭이 형성되고, 상기 갭은 0.1 mm 내지 5 mm 사이의 거리를 가지며, 상기 갭은 액체로 채워지도록 고체요소를 가져오는 단계와, 고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭을 채우기 위하여 액체를 분배하는 단계와, 거리(d2)를 측정하고 측정된 거리와 원하는 거리(d0)를 비교하고 비교에 의해 상기 거리를 조정하는 상기 거리(d2)를 검출 및/또는 제어하는 단계를 구비한 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치 및 방법을 개시한다.

Description

판형상 물체 습식 초음파 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR ULTRASONIC WET TREATMENT OF PLATE-LIKE ARTICLES}
본 발명은:
- 초음파 에너지로 판형상 물체를 처리하기 위한 변환기에 연결된 고체 요소와, 갭이 상기 고체 요소와 상기 판 형상 물체 사이에 형성되어 있고, 상기 갭은 0.1 mm 내지 15 mm 사이의 거리(d2)를 가지고,
- 상기 고체 요소와 상기 판형상 물체 상의 갭 내로 액체를 도입하기 위한 액체 분배 수단을 구비한 판형상 물체 습식 초음파 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
판형상 물체에 대한 고체 요소의 거리가 파장 거리(λ)(즉, d2≤10*λ) 또는 그 이하 일 때, 이를 근접장 초음파라 한다.
판형상 물체 습식 처리 장치는 고체 요소로서 판과, 상기 판에 실제적으로 평행한 단일의 판형상 물체를 지지하기 위한 지지 수단과, 처리될 때, 상기 제 1 판과 판형상 물체 사이의 제 1 갭 내로 액체를 도입하기 위한 분배 수단을 구비한다. 고체 요소와 같은 이러한 판은 전체의 판형상 물체 또는 그 일부만을 덮을 수 있다. 판형상 물체의 일부만이 덮혀 있다면 판형상 고체 요소는 파이 형상이다.
그러나, 이러한 고체 요소는 또한 긴 프로브(즉, 로드 또는 축)일 수 있으며, 여기에 초음파 변환기가 접속된다.
이하에서 웨이퍼라는 용어는 판형상 물체를 의미한다.
이러한 판형상 물체는 반도체 웨이퍼와 같은 원반형 물체 또는 평판 디스플레이 또는 격자와 같은 다각형 물체와 컴팩트 디스크일 수도 있다.
본원에 사용된 초음파라는 용어는 1 MHz이상의 특정한 형태의 초음파를 포함하는 메가소닉이라는 것으로 이해하여야 한다.
WO 2004/114372 A1호에는 두 개의 판(하나의 판은 초음파 변환기를 지지한다) 사이에 판형상 물체가 지지되고 판형상 물체와 변환기 판이 서로 대항되어 회전하는 메가소닉 클리너가 개시되어 있다.
비록 본 시스템이 양호한 세정 결과를 가져오기는 하나 종종 웨이퍼 상의 반도체 장치 및 구조들의 손상을 발생시킨다.
그러므로, 본 발명의 목적은 처리 결과를 개선하기 위하여 제어될지라도 더욱 양호하게 모니터할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 판형상 물체의 습식 초음파 처리 장치는:
- 초음파 에너지로 판형상 물체를 처리하기 위한 변환기에 연결된 고체 요소와; 여기에서 상기 고체 요소와 상기 판형상 물체 사이에 갭이 형성되고, 상기 갭은 0.1 mm와 15 mm 사이에 거리(d2)를 가지고,
- 처리시 고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭 내로 액체를 도입하기 위한 액체 분배 수단과;
- 거리(d2)를 제어하기 위한 수단과; 상기 거리 제어 수단은 거리(d2)를 측정하기 위한 수단과, 원하는 거리(d0)와 측정된 거리를 비교하기 위한 수단과, 이에 따라 거리를 조정하기 위한 거리 조정 수단을 구비하여 본 발명의 목적이 달성된다.
고체 요소는 초음파 에너지로 판형상 물체를 처리하기 위한 변환기에 부착되어 있고, 이에 의해 초음파 에너지는 고체 요소에 의해 처리액체를 통하여 판형상 물체를 향해 전달된다. 이러한 연결은 고체 요소와 변환기를 함께 소결하거나 접착하거나 변환기는 결합액체에 의해 고체 요소에 결합 될 수 있다.
이러한 액체 분배 수단은 다른 실시형태로부터 선택할 수 있다. 고체 요소가 판형상 물체와 실제적으로 평행할 경우에 구멍을 가진 액체 파이프는 판형상 물체의 중심을 폐쇄한다. 이러한 관련된 수단의 중심을 폐쇄하는 것은 구멍의 중심은 판형상 물체의 중심으로부터 20 mm이하로 이격된다.
고체 요소가 봉이거나 판형상 물체가 완전히 커버되지 않는다면, 액체는 판형상 물체에 자유 유동 방식으로 분배될 수 있다.
고체 요소와 판형상 물체가 탱크 내에 잠긴다면, 액체 분배 수단은 탱크 내로 액체를 공급하기 위한 공급 파이프이다. 따라서, 고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭이 채워진다.
원하는 거리(d0)는 통상적으로 판형상 물체까지의 거리이고, 이때, 입자제거효율(PRE)은 가능한한 가장 높은 레벨이고, 동시에 낮은 손상(즉, 전선/전기 연결부의 파괴) 또는 더 양호하기로는 손상이 일어나지 않는다. 이러한 원하는 거리(d0)는 λ/2, λ, λ/4 또는 3λ/4 일수도 있다. 그러나, 원하는 거리(d0)는 판형상 물체의 재질, 판형상 물체의 표면 정도, 고체 요소의 임피던스, 변환기의 종류와 같은 다른 변수에 종속된다. 그러므로, d0는 주어진 장치의 구성과 주어진 판형상 물체에 대하여 주로 결정된다.
더욱이, 시스템, 원하는 공정의 결과 및 판형상 물체에 따라 원하는 최대 편차(△d =d2 - d0)가 결정된다. 거리(d2)를 제어하기 위하여, 실제 거리가 측정되고, △d 가 산출되고 편차가 원하는 것보다 크다면, 거리는 거리가 원하는 범위 내에 들어올 때까지 거리 조정 수단으로 변경한다. 이러한 제어 루프는 통상적으로 잘 공지된 컴퓨터나 제어기로 행한다. 상기 제어 수단(즉, 컴퓨터)은 측정된 거리 신호를 받아서 필요한 거리 조정 신호를 산출한다.
반도체 웨이퍼와 같은 판형상 물체를 세정하기 위한 이러한 장치는 필요하다면 조정할 수 있고 최적화되고, 영구적 또는 주기적으로 모니터되는 공정을 사용하여 처리(즉, 세정)될 수 있다.
거리 조정 수단은 선형 모터, 전기 모터(즉, 스텝핑 모터, 서보 모터)에 의해 구동되는 스핀들, 유압 모터, 공압 모터, 유압 실린더, 공압 실린더 및/또는 아번-전기 모터 또는 구동장치를 구비할 수도 있다.
판형상 물체와 판형상 고체 요소 또는 봉형 고체 요소 사이에서 평행성이 충분하다면, 오직 하나의 거리 조정 수단이 필요하다.
평행성이 충분하지 않다면 조정을 해야만 하며, 거리가 원하는 편차 이내이고, 하나 이상의 조정 수단이 바람직하다. 고체 요소가 판이라면, 거리 측정 수단은 판형상 물체와 고체 요소 사이의 거리가 적어도 세 개의 다른 측정점에서 측정될 수 있도록 요소 들을 구비하는 것이 바람직하다. 하나의 거리 측정 수단은 각각의 측정점에 대응하는 것이 바람직하다. 다르게는, 하나의 거리 조정 수단이 구비되고 두 개의 각도 조정 수단이 구비되는 것이 바람직하다. 각각의 각도 조정 수단은 경사축에 대하여 판을 경사지게 할 수 있으며, 각각의 경사축은 판에 수직이지 않으며 두 개의 경사축은 서로 평행하지 않다.
본 장치의 하나의 실시예에 있어서, 거리(d2)를 측정하기 위한 수단은 광학 거리 측정 요소를 구비한다. 이러한 광학 거리 측정 요소는 레이저 거리 측정 요소를 구비할 수도 있다. 이 경우에 있어서, 광이 요소로부터 출사되고 이는 판형상 물체와 대면하는 고체 요소의 표면에 부착되어 있고 표면에 부착되어 있는 다른 요소에 의해 검출되고 판형상 물체에 의해 반사된다. 검출 요소와 함께 발광 요소는 판형상 물체와 대면하는 고체 요소의 표면의 매끄러움을 방해하지 않으며; 바꾸어 말하면 발광요소도 검출 요소도 평면 표면으로부터 0.2 mm이상 돌출되어 있지 않다.
거리(d2)를 측정하기 위한 수단은 거리 측정 신호(즉, 반파, 온파, 사이너스 또는 사각형상 또는 펄스 신호)를 보내기 위한 초음파 변환기와 거리 측정 신호를 검출하기 위한 초음파 검출기를 구비한 초음파 측정 요소를 구비한다.
거리 측정 신호를 보내기 위한 초음파 변환기는 거리 측정 신호를 검출하기 위하여 동시에 사용된다. 초음파 에너지(처리 변환기)로 판형상 물체를 처리하기 위한 초음파 변환기는 거리 측정 신호를 보내고 및/또는 검출하기 위하여 동시에 사용된다. 처리 변환기가 펄스 신호를 보대기 위하여 사용되었다면, 초음파 처리 주파수는 펄스 신호에 의해 중첩되어야만 한다. 처리 변환기가 거리 측정 신호를 검출하기 위하여 사용된다면, 처리 변환기로부터 수신된 검출 신호는 검출 신호를 여과시키기 위하여 분할되어야 한다.
하나의 실시예에 있어서, 거리를 측정하기 위한 초음파 변환기는 판형상 물체의 습식 처리용 변환기와 동일한 것은 아니다.
다른 하나의 실시예에 있어서, 거리를 측정하기 위한 초음파 검출기는 거리 측정 신호를 보내기 위한 초음파 변환기와 동일하다.
거리를 측정하기 위한 적어도 세 개의 초음파 변환기가 구비되어 있다면, 거리의 검출뿐만 아니라 판형상 물체 대 판형상 고체 요소의 평행성이 또한 모니터된다.
본 발명의 다른 형태에서, 판형상 물체의 습식 초음파 처리 방법에 있어서,
- 갭이 고체 요소와 판형상 물체 사이에 형성되도록 판형상 물체의 표면에 인접하게 변환기에 연결된 변환기를 가져오고; 상기 갭은 0.1 mm 내지 15 mm 사이의 거리(d2)를 가지며, 상기 갭은 액체로 채워지고,
- 원하는 거리(d0)와 측정된 거리를 비교하여 이에 따라 거리를 조정하고, 거리(d2)를 측정하여 거리(d2)를 제어하는 단계를 구비한다.
갭은 고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭을 채우기 위한 액체를 분배하여 채워질 수 있다. 다르게는, 갭은 판형상 물체가 탱크 내에 잠길 때, 생기게 된다.
본 발명의 하나의 실시예에 있어서, 거리(d2)를 측정하기 위한 수단은 광학 측정 요소를 구비한다. 다르게는, 거리 측정은 용량성 또는 유도성 측정 수단에 의해 행해질 수도 있다. 거리 측정이 기계적인 측정 방법이 사용될지라도 공정이 개시되기 전에 행해질 수 있다.
거리(d2)를 측정하기 위한 수단은 거리 측정 신호를 보내기 위한 초음파 변환기와 거리 측정 신호를 검출하기 위한 초음파 검출기를 구비한 초음파 측정 요소를 구비한다.
상기 방법에 있어서, 거리를 측정하기 위한 초음파 변환기는 판형상 물체의 습식 처리를 위한 변환기와 동일하다. 다르게는, 거리를 측정하기 위한 초음파 변환기는 판형상 물체의 습식 처리를 할 때와 같은 동일한 변환기가 아니다.
거리를 동시에 측정하기 위한 초음파 검출기는 판형상 물체를 습식 처리하기 위한 변환기 및/또는 거리 측정 신호를 보내기 위한 초음파 변환기 일 수 있다.
거리를 측정하기 위한 적어도 세 개의 초음파 변환기가 구비되는 데, 판형상 물체를 처리하는 초음파 에너지를 제공하기 위한 고체요소로서 판이 사용된다면, 유용하다.
본 방법의 바람직한 실시예에 있어서, 거리를 제어하기 위한 수단은 거리(d2)를 자동적으로 조정하기 위한 제어장치(즉, 컴퓨터)를 더 구비한다.
본 발명의 다른 하나의 양태에서, 판형상 물체의 습식 처리 장치는:
- 초음파 에너지로 판형상 물체를 처리하기 위한 변환기에 연결되는 고체 요소와; 고체 요소와 판형상 물체 사이에 갭이 형상되고, 상기 갭은 0.1 mm 내지 15 mm 사이의 거리(d2)를 가지고,
- 처리될 때, 고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭 안으로 액체를 주입하기 위한 액체 분배 수단과;
초음파 검출기를 구비한 초음파를 측정하기 위한 수단을 구비한다.
초음파 검출기는 압전 전기 변환기 또는 하이드로폰으로부터 선택될 수 있다.
초음파를 측정하기 위한 수단은 거리 측정 요소 및/또는 초음파 이미징 시스템일 수 있다.
초음파 검출기는 판형상 물체 습식 초음파 처리용 변환기일 수도 있고 판형상 물체 습식 처리용 변환기와 다를 수도 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 초음파 검출기는 초음파를 모니터링하기 위한 초음파 파워 모니터링 시스템의 일부이고, 이는 세정 변환기에 의해 세정액 내에서 결합된다. 이러한 모니터링을 하기 위하여, 세정액에 적용된 특정한 초음파 신호(즉, 펄스 신호)을 가질 필요는 없다. 파워 모니터링 시스템은 시스템에 의해 반사되고 검출된 초음파를 단순히 검출하고 모니터한다. 모니터링은 변수(즉, 거리(d2), 초음파 발생기 변수)를 자동적으로 조정할 수 있는 제어장치(즉, 컴퓨터)에 의해 행해진다. 제어장치는 실제 거리(d2)를 측정하지 않고도 원하는 신호와 모니터된 신호를 비교하여 거리(d2)를 조정할 수 있다.
습식 초음파 처리를 위한 변환기가 신호를 검출하기 위해 동시에 사용된다면, 검출된 신호는 전자적으로 여과되어야만 한다.
하나의 실시예에 있어서, 초음파 검출기는 초음파 이미징 시스템의 일부분이다. 이러한 이미지는 판형상 물체를 처리하는 동안에 처리 상태를 모두 모니터하기 위하여 사용 및/또는 변환기 조립체의 상태를 체크하고 이것이 고체 요소에 적정하게 잘 결합되어 있는지 모니터하는 데 사용된다.
본 발명의 다른 양태에 있어서, 판형상 물체를 습식 초음파 처리하는 방법은:
- 초음파 에너지로 판형상 물체를 처리하기 위한 변환기에 연결되는 고체 요소와; 고체 요소와 판형상 물체 사이에 갭이 형상되고, 상기 갭은 0.1 mm 내지 15 mm 사이의 거리(d2)를 가지고,
- 초음파를 검출하는 단계를 구비한다.
갭은 고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭을 채우도록 액체를 분배하여 채워질 수 있다. 다르게는, 갭은 판형상 물체가 탱크 내에서 잠겨질 때, 채워질 수도 있다.
습식 초음파 처리를 하기 위한 이러한 방법에 있어서, 초음파의 검출은 습식 초음파 처리 전에 행해진다. 이는 갭 내에 액체가 없는 상태에서 행해질 수 있으며, 갭 내에 특정한 액체 및/또는 갭 내에 실제적인 처리액으로 채워진 상태에서 행해질 수 있다.
이러한 시험 단계는 실제적인 시험이 실행되기 전에 낮은 파워로 행해질 수 있다.
습식 초음파 처리 방법의 하나의 실시예에 따라서, 초음파의 검출은 고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭이 액체로 채워지지 않을 때, 습식 초음파 처리 전에 행해진다. 이는 일차적으로 장비를 테스트하기 위해 행해진다(고체 요소에 적절히 결합할 때, 변환기의 기능으로서). 그러므로, 장비의 결함은 판형상 물체를 실제로 처리(즉, 세정)하는 능력을 장비가 잃기 전 또는 처리될 판형상 물체로 장비가 손상되기 전에 검출될 수 있다.
고체 요소와 판형상 물체 사이의 갭이 액체로 채워질 때, 초음파의 검출이 습식 초음파 처리와 동시에 행해지는 습식 초음파 처리 방법이 제공된다. 이는 단지 공정 제어 및 처리를 모니터링하기 위한 것이다. 이에 의해, 판형상 물체를 초음파 처리하기 위해 사용되는 초음파가 검출 및/또는 부가적으로 방출되는 펄스 신호 또는 비펄스 신호가 검출된다.
초음파의 검출은 초음파 파워, 즉 초음파의 파워를 모니터링하는 데 사용되는 것이 바람직하고, 이는 세정 변환기에 의해 세정액 내에서 결합된다. 이러한 모니터링을 위하여, 세정액에 적용되는 특정한 초음파 신호(즉, 펄스 신호)를 가질 필요는 없다. 세정 변환기로부터 방출된 초음파는 단순히 검출되고 모니터링되고 그런 후에 시스템에 의해 반사되고 편향된다. 세정 공정의 모니터된 초음파 파워 변수는 수동 및/또는 자동으로 조정될 수 있다.
거리(d2)는 모니터되는 초음파 파워가 가능한 낮아질 때까지 변화되는 것이 바람직하다. 그러므로, PRE는 세정 변환기로 공급되는 발생되는 초음파 파워를 증가시키지 않고도 최대화할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 실시예를 도시한 측단면도이다(도 2의 I-I선).
도 2는 본 발명에 따른 장치의 실시예를 도시한 측단면도이다(도 1의 II-II선).
도 3은 도 1 내의 단면 III의 상세도이다.
도 4 내지 도 7은 도 3에 도시된 세정 변환기, 신호 송출 변환기, 검출 변환기의 다른 대체 장치를 도시한 도면이다.
도 8은 웨이퍼에 자유 유동으로 액체가 분배된 다른 실시예를 도시한 측단면도이다.
도 9 내지 도 11은 웨이퍼에 초음파를 공급하는 고체 요소가 축인 다른 실시예의 측단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 습식 처리 장치(1)를 도시한다. 중앙 구멍(42)을 가진 수평 장착 판(41) 상에 수직 회전축(A)을 가진 중공 축 모터(8)가 장착된다. 중공 축 모터는 고정자(8s), 회전자(8r), 상기 고정자(8s)에 고정된 중 공 회전 축(23)을 구비한다.
중공 축(23)의 하부 단부는 제 1 장착 판(41)의 중앙 구멍을 통하여 돌출되어 있고 상기 중공 축(23)에 수직인 제 1 판(31)에 연결되어 있다. 상기 제 1 판(31)은 원형 디스크 형상을 가지며 중공 축(23)의 중앙축(A)은 제 1 판(31)의 중심을 통과한다. 제 1 판(31)은 파지 장치(스핀 척)의 일부분이고, 이는 편심되게 가동가능한 파지 핀(35)을 더 구비한다.
이러한 파지 핀(35)은, 즉 미국특허 제4903717호에 개시된 바와 같은 톱니를 가진 기어(도시 안됨)를 통하여 편심되게 이동된다. 다르게는, 핀 이동 기구는 미국특허 제5788453호 또는 미국특허 제5156174호에 개시되어 있다. 도시된 실시예는 6개의 핀을 구비한다. 다르게는 3개의 핀만이 사용될 수 있으며, 여기에서 오직 하나의 핀은 웨이퍼를 고정 척킹하기 위하여 편심되게 이동가능하다. 다른 파지(클램핑) 요소가 사용된다면 상기 갯수는 하나의 이동 요소를 포함하여 두 개로 감소시킬 수 있다. 그러므로, 제 1 판(31)은 아래를 향하여 있으며, 핀(35)은 상기 제 1 판(31) 아래의 웨이퍼(W)를 지지하기 위하여 아래 방향으로 돌출되어 있다. 핀이 파지 장치(즉, 톱니를 가진 기어가 서보 모터를 통하여 교반 또는 자석 스위치를 통하는 각각의 핀)가 회전되는 동안에 개방될 수 있다면, 웨이퍼는 두 개의 유체 쿠션 사이에서 자유롭게 부유되도록 한다.
제 2 판(32)은 상기 제 1 판(31)에 실제적으로 평행하게 아래에 구비된다. 제 2 판(32)은 원형 디스크 형상을 가지며 중공 축(23)의 중심축(A)은 제 2 판(32)의 중심을 통과한다. 상기 제 2 판(32)은 각각 컵, 사발, 튀김 방지대로 불릴 수 있는 원형의 액체 수집기(10)로 둘레방향으로 둘러싸여 있다. 제 2 판(32)은 O형 링(도시 안함)을 가진 액체 수집기에 대하여 밀봉 또는 제 2 판(32)이 액체 수집기의 일부이다. 액체 수집기는 액체를 수집하기 위한 환형 덕트(14)를 구비하고, 습식 처리되는 동안에 웨이퍼에 투입되고 액체는 환형 덕트(14)의 바닥 근처의 구멍(도시 안됨)을 통하여 배출된다. 액체 수집기는 습식 처리시 나온 수증기와 주변 가스를 수용하기 위한 환형 덕트(14) 내측 위로 향해 있는 환형 가스 흡인 노즐(12)을 구비한다. 액체 수집기(10)의 상부 부분의 내경은 제 1 판(31)의 외경부다 약간만 크며 이에 의해 제 1 판은 0.1 내지 5.0 mm의 외주 갭을 가진 액체 수집기 내로 삽입된다. 갭은 처리하는 동안에 주변에 대하여 웨이퍼를 밀봉하기에 충분히 작지만 제 1 판이 회전되는 동안에 제 1 판(31)과 액체 수집기(10) 사이에서 마찰을 회피하기에 충분히 크다.
액체 수집기(10)는 제 2 장착판(43)에 연결된다. 제 2 장착판(43)은 승강 수단(45)을 거쳐 제 1 장착판(41)에 연결된다. 승강 수단은 서로에 대하여 두 개의 장착판(41, 43)의 수직 위치를 변경시킨다. 제 2 장착판(43)이 기체(도시 안됨)에 연결되어 있다면, 승강 수단(45)은 제 1 판(31)과 파지 수단(35)을 구비한 스핀척과 함께 제 1 장착판(41)을 승강 및 하강시킬 수 있다. 제 1 장착판(41)이 기체에 연결되어 있다면, 승강 수단(45)은 액체 수집기(10)와 제 2 판(32)과 함께 제 2 장착판(43)을 승강 및 하강시킬 수 있다. 수직 이동은 화살표(Z)로 나타냈다.
웨이퍼(W)(판형상 물체)와 제 2 판(32) 사이의 거리(d2)가 3개의 다른 점에서 변경할 수 있도록 3개의 승강 수단(45)이 제공된다. 웨이퍼(W)와 제 2 판(32)은 모두 충분히 편평하게 주어지며, 거리(d2)는 원하는 범위 내의 모든 점에서 거리(d2)를 가지도록 변경될 수 있다. 따라서, 3개의 승강 수단(45)은 개별적으로 구동된다. 도시된 실시예에서, 각각의 승강 수단(45)은 두 개의 다른 기능을 가진다. 첫 번째 기능은 장치로부터 웨이퍼를 집어 웨이퍼를 제자리에 두기 위하여 변환기 판(32)으로부터 웨이퍼를 승강하는 기능이다. 이러한 첫 번째 기능을 위하여, 승강 수단은 웨이퍼와 변환기 판 사이의 거리가 최소한 2cm를 변화시킬 수 있어야 한다. 상기 승강 수단의 두 번째 기능은 원하는 범위 내에서 모든 점에서 거리(d2)를 가지도록 웨이퍼가 변환기판까지의 거리를 조정하는 것이다. 두 번째 기능을 위하여, 승강 수단은 적어도 +/-0.1 mm의 정밀도를 가지고 거리를 조정할 수 있어야만 한다. 이러한 승강 수단의 적절한 구동 장치는 직선 모터, 스텝핑 모터를 가진 스핀들, 공압 승강 장치 또는 이러한 구동 장치의 조합 일 수 있다.
복수의 초음파 진동 요소(4)(세정 변환기)는 제 1 판(31)에 대향되어 있는 측면에서 제 2 판(32) 내의 공동 내에서 제 2 판(32)에 부착되고 이 때문에 제 2 판(32)에 음파적으로 결합된다. 진동 요소(4)는 습식 처리되는 동안 또는 진동 요소(4)가 제 2 판 전체에 펼쳐지는 동안에 웨이퍼를 커버하는 제 2 판(32)의 일부의 직경을 실제적으로 전체적으로 덮도록 배열된다. 진동 요소(4)는 통상적으로 압전 변환기이다.
부가적으로, 3개의 검출 변환기(82)는 제 2 판에 부착되어 있다. 각각의 검출 변환기는 승강 수단(45)에 대응한다. 검출기 변환기에 의해 검출된 신호는 웨이퍼와 제 2 판 사이의 거리를 산출하기 위하여 사용된다. 이는 승강 수단을 개별적 으로 제어하기 위하여 제어장치에 공급된다.
거리 측정 신호는 변환기(4)에 의해 제공된다. 이는 실제 처리 신호에 중첩되는 펄스 신호이다. 다르게는, 이러한 거리 측정 신호는 초음파 처리 공정이 개시되기 전에 보내져야 하며 이 때문에 거리(d2)는 초음파 세정이 개시되기 전에 모든 점에서 원하는 범위에 이미 있게 된다. 웨이퍼 상의 구조적 손상이 방지되고 최대 입자 제거 효율이 재생가능하게 달성된다.
회전축(A)에 대하여 편심되게 제 1 판(31)이 회전되는 데 대하여, 하부 분배기(6)는 제 2 판(32)에 부착되고 제 1 및 제 2 판(31, 32) 사이의 공간으로 개방된다. 하부 분배기(6)는 웨이퍼(W)의 하부 측면을 향하여 웨이퍼(W)와 제 2 판 사이의 갭(G2)을 완전히 채우도록 액체나 가스를 분배하도록 구성되어 있고, 이는 웨이퍼(W)에 진동 요소(4)에 의해 발생되는 초음파와 결합된다. 하부 분배기(6)의 구멍은 진동 요소가 웨이퍼 중심에 인접하게 배열되게 되도록 회전축(A)에 설치된다. 그러므로, 웨이퍼의 모든 영역은 초음파에 의해 도달할 수도 있다. 하부 분배기(6)는 멀티 포트 밸브(도시 안됨)에 연결되어 있고, 이는 적어도 하나의 액체원과 적어도 하나의 가스원에 더 결합되어 있다. 그러므로, 다른 액체(세척제)와 다른 가스(즉, 질소)가 선택적으로 적용될 수도 있다. 멀티 포트 밸브는 단일 솔레노이드 밸브의 적층일 수도 있다.
상부 분배 시스템은 제 1 판(31)에 부착되어 있는 중공축(23)을 통하여 인도되는 동축적으로 배열된 2개의 튜브(21, 22)와, 제 1 및 제 2 판(31, 32) 사이의 공간으로 구멍을 구비한다. 내측 튜브(21)는 액체를 분배하기 위한 것이고 내측 튜 브(21)와 외측 튜브(22) 사이의 공간은 가스를 분배하기 위한 것이다. 두 개의 튜브(21, 22)는 중공축(23)과 함께 회전가능하다. 내측 튜브(21)에 액체를 도입하기 위하여, 액체 회전 연결부(5)가 구비된다. 가스는 가스 회전 연결부(7)를 통하여 튜브(21, 22) 사이의 공간 내로 공급된다.
도 3에 도시된 바와 같이(도 1의 III의 상세도), 웨이퍼를 세정하기 위하여 사용된 변환기(4)는 초음파 신호 발사 요소이고 변환기(4)는 초음파 신호 검출 요소이다. 검출 변환기(82)는 각각 경계층에서 반사된 에코를 검출한다. 따라서, 변환기 판(고체 요소, 제 2 판)(32)과 웨이퍼(W) 사이의 제 2 갭(G2)의 거리를 측정할뿐만 아니라 제 2 판(32)과 웨이퍼(W) 사이의 제 1 갭의 거리(d1)도 측정된다. 이러한 시스템은 웨이퍼가 있거나 없거나 장치를 테스트하는 데 사용되거나 공정을 모니터하고 제어하는 데 사용된다.
다른 실시예에서, 검출 변환기(82)는 신호 방출 변환기로 또한 사용할 수도 있다.
도 3의 III 상세에 기초하여, 도 4 내지 도 7에 도시된 본 발명의 다른 모드를 실시한다.
도 4는 세정 변환기(4)를 가진 제 2 판(32)에 대향되어 있는 제 1 판(31) 내에 검출 시스템이 장착되어 있는 시스템을 도시한다. 그러므로, 검출기(82)는 갭(G2), 웨이퍼(W), 갭(1)을 통하여 전달되는 초음파 신호를 검출한다. 신호는 다른 재료(제 1 판(31), 제 2 판(32), 제 1 갭(G1) 내의 액체, 제 2 갭(G2) 내의 액체, 판형상 물체(W)의 임피던스에 따라 회절된다. 시스템은 웨이퍼(W)가 존재하지 않을 때, 장치를 테스팅하는 데 또한 사용될 수도 있다.
도 5는 측정된 신호(즉, 펄스 신호)를 보내기 위한 별개의 변환기(81)가 사용되는 시스템을 도시한다. 송출 변환기(81)와 검출 변환기(82) 모두는 세정 변환기 판(제 2 판)에 대향된 제 1 판(31)의 요소이다. 검출 변환기는 신호 변환기(81)에 의해 발사된 초음파로부터 에코를 검출하기 위하여 사용되고 동시에 세정 변환기(4)에 의해 초음파를 모니터링하는 데 사용된다.
다르게는, 송출 변환기(81)와 검출 변환기(82) 모두는 도 6에 도시된 바와 같이 제 2 판(32)(변환기판)의 요소일 수 있다. 이러한 구성은 제 1 판이 사용되지 않는다면(도 8에 도시된 바와 같은 실시예와 유사한), 또한 사용될 수 있다.
도 7은 신호 방출 변환기가 제 1 판(31)의 요소이고 검출 변환기(82)가 변환기판(32)의 요소인 시스템을 도시한다.
도 8은 링(70)에 장착된 파지핀(71)에 의해 웨이퍼(W)가 지지되는 시스템을 도시한다. 링(70)은 중공축 모터(도시 안됨)의 내측부(회전자)를 회전시키고 이에 의해 웨이퍼가 회전된다.
그러므로, 액체는 분배 노즐(90)에 의해 차단되지 않고 분배될 수 있다. 이에 의해 액체 메니스커스(meniscus)(L1)는 웨이퍼(W)의 상부 측면 상에 형성된다. 웨이퍼(W)의 아래에 변환기판(32)은 웨이퍼(W)의 인접(0.5 - 15 mm)하게 위치된다. 복수의 변환기(4)는 변환기판(32)에 음파적으로 결합된다. 변환기판(32)은 승강 수단(도시 안함)에 의해 중공축 모터의 고정자에 연결된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)와 변환기판(32) 사이의 거리(d2)는 변경될 수 있고 조정될 수 있다. 초음파 검출 기(82)는 변환기판에 음파적으로 결합된다. 갭(G2)은 분배기(91)를 통하여 액체로 채워진다. 세정 공정 후에 갭(G2)은 동일한 분배기(91)를 통하여 가스(g)와 함께 액체를 직접 분배하여 세정된다.
검출기(82)는 변환기(4)에서 방출된 초음파 신호를 검출한다. 검출기는 변환기(4)에 의해 방출된 펄스 초음파 신호의 에코를 검출 및/또는 변환기의 활동도를 모니터할 수 있다. 그러므로, 이러한 신호는 거리(d2)를 더 제어하기 위하여 사용될 수 있으며 거리(d2)를 측정하는 데 사용될 수 있다.
도 4 또는 도 7에 도시된 바와 같은 모드를 위하여, 신호 방출 변환기(4 또는 81)가 대응될 때, 신호 검출 변환기(82)는 제 1 판(31)과 제 2 판(32)이 서로 대향되어 회전할 때, 방출 변환기와 검출 변환기는 서로에 대하여 움직일 수 잇다는 것을 고려할 수도 있다. 양호한 측정은 방출 변환기와 검출 변환기가 서로 근접하게 설치되어 있으면 달성, 서로 2cm이하 떨어져 있으면 달성된다.
도 9는 US5365960호에 도시된 장치에 기초하여 본 발명의 다른 모드에 따른 초음파 세정 장치를 개시한다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼에 대향되어 있는 척판(75)과 함께 스핀척 상에 장착된다. 스핀척은 진공척 일 수도 있으며, 에지가 파지척에만 접촉하는 소위 베르누이척 일수도 있다. 다르게는, 웨이퍼는 액체 또는 가스 쿠션 상에서 부유되어 회전될 수 있다. 액체가 웨이퍼 상에 분배되고 이에 따라 액체 메니스커스(L1)가 형성된다. 봉형상 프로브(고체 요소)(65)는 근접하게 가져가고 웨이퍼 표면에 평행하게 되면 부분적으로 액체 매니스커스 내에 잠기게 된다. 봉형상 프로브는 초음파 변환기(4)에 음파적으로 결합된다. 제 2 액체는 중앙 액체 분배 기(도시 안됨, 도 8의 액체 분배기(91)와 유사)에 의해 웨이퍼와 척판(75) 사이의 갭(G2) 내로 분배될 수도 있다. 초음파 측정 신호 방출 변환기(81)와 초음파 측정 신호 검출 변환기(82)는 봉형상 프로브의 요소이고 웨이퍼와 대면한다. 신호 방출 변환기 전원 공급을 위한 배선과 검출 변환기(82)로부터 나오는 신호를 검출하기 위한 배선은 봉형상 프로브를 통하여 인도된다. 변환기(81, 82) 모두는 봉형상 프로브 내의 공동 내로 가압된다. 프로브(고체 요소)가 웨이퍼에 충분히 평행하게 구비되면 고체 요소와 웨이퍼 사이의 거리(d2)를 측정하기 위한 변환기(81, 82) 조립체가 필요하다. 평행성이 교정될 수 있다면, 변환기(81, 82) 조립체가 유용하다.
도 10은 도 9에 도시된 모드에 기초한 다른 실시예를 도시하며, 신호 방출 변환기(81)와 검출 변환기(82) 모두는 척판(75)에 위치한다. 제 2 액체는 중앙 액체 분배기(도시 안함, 도 8의 액체 분배기(91)와 유사)에 의해 웨이퍼와 척판(75) 사이의 갭(G2) 내로 분배된다. 척판이 봉형상 프로브에 거리를 가지고 회전가능할 때에만 변환기(81, 82) 조립체는 봉형상 프로브 밑에 위치될 수 있다. 측정은 세정 공정이 개시되기 전 또는 변환기 조립체가 봉형상 프로브를 통과할 때, 척판(75)이 일단 회전하게 되면, 행해진다.
도 11은 도 10에 도시된 모드에 기초한 다른 모드를 도시하는 데, 신호 방출 변환기를 위하여, 세정 변환기(4)가 사용되고 복수의 검출 변환기(82)(단면도는 두 개의 검출 변환기(82)를 도시)는 척판(75)에 위치한다.
측정은 봉형상 프로브가 검출 변환기(82)에 인접할 때, 행해진다. 측정 신호는 세정 변환기(4)로부터 나오며 봉향상 프로브(65)로부터 방출된다.

Claims (33)

  1. 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치에 있어서,
    - 고체 요소와 판형상 물체 사이에 갭이 형성되어 있고, 상기 갭은 0.1 mm 내지 15 mm 사이의 거리(d2)를 가지며 초음파 에너지로 상기 판형상 물체를 처리하기 위한 변환기에 연결된 고체 요소와,
    - 처리될 때, 상기 고체 요소와 상기 판형상 물체 사이의 갭 내로 액체를 도입하기 위한 액체 분배 수단을 구비하고,
    - 초음파 습식 처리와 동시에 거리(d2)를 측정하기 위한 수단과, 측정된 거리와 원하는 거리(d0)를 비교하기 위한 수단과, 비교에 따라 상기 거리(d2)를 조정하기 위한 거리 조정 수단을 구비한, 거리(d2)를 제어하기 위한 수단을 더 구비하고,
    상기 거리(d2)를 제어하기 위한 수단은 적어도 +/-0.1 mm의 정밀도를 가지고 거리를 조정할 수 있으며, 상기 거리(d2)를 측정하기 위한 수단은 거리 측정 신호를 보내기 위한 초음파 변환기와 상기 거리 측정 신호를 검출하기 위한 초음파 검출기를 구비한 초음파 측정 요소를 포함하고, 상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 변환기는 동시에 상기 판형상 물체를 처리하기 위한 상기 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 거리(d2) 측정하기 위한 수단은 광학 측정 요소를 구비한 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 검출기는 동시에 거리 측정 신호를 보내기 위한 상기 초음파 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 검출기는 동시에 상기 판형상 물체를 습식 처리하기 위한 상기 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 변환기가 적어도 3개 구비된 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 초음파 검출기는 동시에 상기 판형상 물체의 초음파 습식 처리를 위한 상기 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 초음파 검출기는 상기 판형상 물체 습식 처리 장치의 상기 변환기와 동일한 변환기가 아닌 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 초음파 검출기는 동시에 상기 판형상 물체의 습식 처리를 위한 상기 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 초음파 검출기는 초음파 거리 측정 시스템의 일부인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 초음파 검출기는 초음파 이미징 시스템의 일부인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 초음파 검출기는 초음파 파워 모니터링 시스템의 일부인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 장치.
  17. 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법에 있어서,
    - 판형상 물체의 표면에 인접하게 변환기에 연결됨으로써 고체 요소와 상기 판형상 물체 사이에 갭이 형성되고 상기 갭은 0.1 mm 내지 15 mm 사이의 거리(d2)를 가지며, 상기 갭은 액체로 채워지도록 고체요소를 가져오는 단계를 구비하고,
    - 초음파를 검출하는 단계;
    - 상기 초음파로 상기 거리(d2)를 측정하고, 상기 측정된 거리와 원하는 거리(d0)를 비교하고, 비교에 따라 상기 거리(d2)를 조정하여 거리(d2)를 제어하는 단계를 더 구비하고,
    - 상기 초음파의 검출은 상기 고체 요소와 상기 판형상 물체 사이의 상기 갭이 액체로 채워질 때, 초음파 처리와 동시에 행해지고,
    - 상기 거리(d2)는 적어도 +/-0.1 mm의 정밀도를 가지고 거리를 제어함에 의해 조정될 수 있으며, 상기 거리(d2)를 측정하기 위한 수단은 거리 측정 신호를 보내기 위한 초음파 변환기와 상기 거리 측정 신호를 검출하기 위한 초음파 검출기를 구비한 초음파 측정 요소를 포함하고, 상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 변환기는 동시에 상기 판형상 물체를 처리하기 위한 상기 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
  18. 삭제
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 갭은 상기 고체 요소와 상기 판형상 물체 사이의 갭을 채우기 위한 액체를 분배하여 채워지는 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 거리(d2)를 측정하기 위한 수단은 광학 측정 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 청구항 17에 있어서,
    상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 검출기는 동시에 거리 측정 신호를 보내기 위한 상기 초음파 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
  25. 청구항 17에 있어서,
    상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 검출기는 상기 판형상 물체를 습식 처리하기 위한 상기 변환기인 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
  26. 청구항 17에 있어서,
    상기 거리를 측정하기 위한 상기 초음파 변환기가 적어도 3개 구비되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
  27. 청구항 17에 있어서,
    상기 거리를 제어하기 위한 수단은 거리(d2)를 자동으로 제어하기 위한 제어장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 청구항 17에 있어서,
    상기 초음파의 검출은 초음파 파워를 모니터하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 판형상 물체 초음파 습식 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2010066081A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
EP2270838B1 (en) * 2009-07-02 2019-06-12 IMEC vzw Method and apparatus for controlling optimal operation of acoustic cleaning
JP5540835B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-02 富士通株式会社 洗浄システム及び洗浄方法
US20140261535A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Lam Research Corporation Standing Wave Generation in Holes to Enhance Cleaning in the Holes in Liquid Sonification Cleaning Systems
US9953847B2 (en) * 2013-09-10 2018-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method for cleaning
US10688536B2 (en) * 2014-02-24 2020-06-23 The Boeing Company System and method for surface cleaning
CN105983552B (zh) * 2015-02-15 2019-12-24 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种防掉落的半导体清洗装置
US10794872B2 (en) * 2015-11-16 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Acoustic measurement of fabrication equipment clearance
JP7056969B2 (ja) * 2017-03-30 2022-04-19 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 基板洗浄装置
KR20230090848A (ko) * 2021-12-15 2023-06-22 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 그 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004114372A1 (en) 2003-06-24 2004-12-29 Sez Ag Device and method for wet treating disc-like substrates
JP2005026668A (ja) * 2003-06-13 2005-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2081184B1 (ko) * 1970-03-16 1974-05-24 Comp Generale Electricite
US4698775A (en) * 1985-05-17 1987-10-06 Flexible Manufacturing Systems, Inc. Self-contained mobile reprogrammable automation device
JPH057835Y2 (ko) * 1986-06-10 1993-02-26
US5147462A (en) * 1990-02-16 1992-09-15 Alcan Aluminum Corporation Apparatus for automatic film thickness control
US5444637A (en) * 1993-09-28 1995-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Programmable semiconductor wafer for sensing, recording and retrieving fabrication process conditions to which the wafer is exposed
JPH07111255A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Nippon Steel Corp ウェーハ研磨装置
US5787595A (en) * 1996-08-09 1998-08-04 Memc Electric Materials, Inc. Method and apparatus for controlling flatness of polished semiconductor wafer
JP3558484B2 (ja) * 1997-04-23 2004-08-25 株式会社リコー 基板洗浄装置
JPH1154471A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
US7021319B2 (en) * 2000-06-26 2006-04-04 Applied Materials Inc. Assisted rinsing in a single wafer cleaning process
JP2003340386A (ja) * 2002-05-23 2003-12-02 Toshiba Corp 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
KR100473475B1 (ko) * 2002-08-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 기판 세정 장치
US7306002B2 (en) * 2003-01-04 2007-12-11 Yong Bae Kim System and method for wet cleaning a semiconductor wafer
US6890390B2 (en) * 2003-05-22 2005-05-10 Lawrence Azar Method for ultrasonic cleaning using phased transducer arrays
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US7117104B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Celerity, Inc. Ultrasonic liquid flow controller
DE102004053337A1 (de) * 2004-11-04 2006-05-11 Steag Hama Tech Ag Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Düseneinheit hierfür
US9799536B2 (en) * 2005-02-07 2017-10-24 Planar Semiconductor, Inc. Apparatus and method for cleaning flat objects in a vertical orientation with pulsed liquid jet
JP4255459B2 (ja) * 2005-06-15 2009-04-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005026668A (ja) * 2003-06-13 2005-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
WO2004114372A1 (en) 2003-06-24 2004-12-29 Sez Ag Device and method for wet treating disc-like substrates

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