JPH07111255A - ウェーハ研磨装置 - Google Patents

ウェーハ研磨装置

Info

Publication number
JPH07111255A
JPH07111255A JP25430693A JP25430693A JPH07111255A JP H07111255 A JPH07111255 A JP H07111255A JP 25430693 A JP25430693 A JP 25430693A JP 25430693 A JP25430693 A JP 25430693A JP H07111255 A JPH07111255 A JP H07111255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
surface plate
flow rate
polishing
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP25430693A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichi Yoshida
裕一 吉田
Yoshinori Takahashi
義則 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP25430693A priority Critical patent/JPH07111255A/ja
Publication of JPH07111255A publication Critical patent/JPH07111255A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハ研磨装置において、遊離砥粒を含有
したラップ研磨液の安定供給を図ることにより、厚さ一
定、平行度、平坦度の精度の高いウェーハの研磨を可能
にすること。 【構成】 ウェーハ研磨装置10は、ラップ液の供給流
量を調整する流量調整バルブ20と、上定盤11と下定
盤12との間隔dを測定する静電容量式変位センサなど
から構成される上下定盤間隔測定センサ23と、研磨途
中のウェーハ15の厚さtを測定する超音波式距離セン
サなどから構成されるウェーハ厚測定センサ26とを有
する。マイクロコンピュータ31は、定盤間隔dとウェ
ーハ厚さtとの寸法差d−tを算出すると共に、寸法差
d−tが所定範囲内a<d−t<bとなるように、流量
調整バルブ20を作動させてラップ液の供給流量を適正
流量に増減制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、厚み一定かつ精度の高
い平坦度のウェーハを得るための研磨装置に関するもの
で、主として半導体用ウェーハに用いる研磨装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体用ウェーハの製造には種々の工程
があるが、インゴットからスライスしたウェーハを厚み
600〜1200μmの範囲中で一定厚さに揃え、かつ
平行及び平坦度を一定にするラップ盤による研磨工程
は、高精度、高平坦性を有する最終ウェーハを得るため
の必須の工程である。
【0003】ウェーハ最終品質は、この研磨工程におい
て、いかに一定厚さのウェーハ及び平行かつ高平坦度の
ウェーハを得るか、にかかっており、この研磨工程での
品質の良否が、次工程で行われるエッチング、ポリッシ
ュに残り、最終ウェーハへの品質にも影響を及ぼす。
【0004】したがって、研磨工程において、ウェーハ
の厚みを揃え、平行、平坦度をいかに達成するかが、高
精度のウェーハ品質を得ることの課題となっていた。
【0005】この課題解決のために、従来、2つの時点
でウェーハの厚みと研磨機構の積算回転数とを検出し、
これらの値からラップ速度を演算し、このラップ速度に
基づいて所要ウェーハ厚さになる最終積算回転数を演算
し、最終積算回転数に達すればラップ盤を停止させるこ
とにより、所要とする厚さのウェーハを得るようにした
研磨装置が提案されている(特開昭56−62756号
参照)。また、ウェーハの厚みを検出して目標寸法に達
すれば研磨を自動的に終了し、自動化により生産性を高
め品質の維持を図るようにした研磨装置も提案されてい
る(特開昭61−90867号参照)。さらに、予めラ
ップパターンを設定しておき、圧力、回転数を順次立ち
上げた後に一定に維持し、ウェーハ厚さが設定値に達し
たときから順次立ち下げ、目標厚さに達すれば研磨を終
了するようにした研磨装置も提案されている(特開昭6
2−119354号参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように従来より、
厚さ一定、平行、平坦度の精度の高いウェーハを得るた
めの種々のウェーハ研磨装置が提案されているものの、
遊離砥粒を含有したラップ研磨液の安定的な供給を考慮
したものはなかった。
【0007】このため、ラップ研磨液が少ない状態つま
り遊離砥粒が不足した状態でウェーハを研磨した場合、
演算した最終積算回転数に基づいて研磨を終了する方式
にあっては、所要ウェーハ厚さに達していない虞があ
り、検出したウェーハ厚さに基づいて研磨を終了する方
式にあっては、研磨時間の長期化を招く虞がある。さら
に、スクラッチ疵が発生することもあり、生産性や歩留
まりの低下を招くという欠点がある。
【0008】一方、必要以上に多量のラップ研磨液を供
給しつつウェーハを研磨した場合には、ラップ研磨液が
無駄になることは勿論のこと、うねりや欠陥等の不具合
が発生する欠点がある。
【0009】そこで、本発明は、遊離砥粒を含有したラ
ップ研磨液の安定供給を図ることにより、厚さ一定、平
行度、平坦度の精度の高いウェーハを得るようにしたウ
ェーハ研磨装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、上定盤と下定盤との間に被研磨材としての
ウェーハを挟み込み、ラップ研磨液を供給しつつ、上下
定盤により圧下力と回転運動とを加えて前記ウェーハを
研磨するようにしたウェーハ研磨装置において、前記ラ
ップ液の供給流量を調整する流量調整手段と、前記上定
盤と前記下定盤との間隔を測定する定盤間隔測定手段
と、研磨途中の前記ウェーハの厚さを測定するウェーハ
厚測定手段と、前記定盤間隔測定手段により測定した定
盤間隔と前記ウェーハ厚測定手段により測定したウェー
ハ厚さとの寸法差を算出する演算手段と、この演算手段
で算出した前記寸法差が所定範囲内となるように、前記
流量調整手段を作動させて前記ラップ液の供給流量を増
減する制御手段と、を有することを特徴とするウェーハ
研磨装置である。
【0011】
【作用】まず、定盤間隔測定手段により上定盤と下定盤
との間隔を測定し、ウェーハ厚測定手段により研磨途中
のウェーハ厚さを測定し、演算手段は、定盤間隔とウェ
ーハ厚さとの寸法差を算出する。次いで、制御手段は、
算出した前記寸法差が所定範囲内となるように、流量調
整手段を作動させてラップ液の供給流量を増減制御す
る。このように制御すれば、ラップ研磨液に含有される
遊離砥粒の不足あるいは過剰供給がなくなり、遊離砥粒
が研磨部に適正流量の下で安定的に供給されることにな
り、研磨ウェーハは、厚みが一定で、平行度、平坦度も
高くなる。また、スクラッチ疵、うねり、欠陥等の不具
合の発生が抑制され、研磨時間の長期化が防止される。
さらに、ラップ研磨液の過剰供給がないため、ラップ研
磨液を無駄にすることもない。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1は、本発明の一実施例に係るウェーハ研磨
装置を制御系とともに示す構成図、図2は、図1に示さ
れる上定盤、下定盤およびキャリアなどを示す斜視図で
ある。なお、図面においては、把握の容易のために、ウ
ェーハの厚さとキャリアの厚さの差を拡大して示してあ
る。。
【0013】ウェーハ研磨装置10は、図1および図2
に示すように、回転自在な上定盤11と、この上定盤1
1に対向するように配置され図示しないモータなどによ
り回転駆動される下定盤12と、これら上下定盤11、
12の間に挟み込まれる円盤形状のキャリア13と、遊
離砥粒を含有したラップ研磨液を供給する研磨液供給系
統14とを有し、上定盤11にはエア源等を用いて圧下
力Fが加えられるようになっている。図2にも示すよう
に、キャリア13には、複数個(図示例では5個)の保
持穴13aが形成されており、被研磨材としてのウェー
ハ15は、前記保持穴13aに保持された状態で、上下
定盤11、12の間に圧下力Fの下で挟み込まれる。下
定盤12とは独立して回転駆動されるサンギア16が上
下定盤11、12の中央部に設けられており、このサン
ギア16には、キャリア13の外周に形成したギアが噛
み合っている。また、キャリア13外周のギアは、下定
盤12の周囲に別個配置したインターナルギア17にも
噛み合っている。サンギア16、インターナルギア17
等からなるキャリア回転機構によりキャリア13を回転
させると、定盤11、12およびキャリア13の回転運
動に従って、被研磨材ウェーハ15には定盤11、12
との間で相対的な遊星回転運動が生じる。この遊星回転
運動により、図3中点線で示すように、ウェーハ15
は、定盤11、12全面を覆う遊星軌道18を描いて移
動する。この遊星軌道18より明らかなように、研磨途
中においては、ウェーハ15はキャリア13から脱落す
ることがない程度にその一部が定盤11、12よりも外
方に露出するようになっている。このようにするのは、
ウェーハ研磨と同時に上下定盤11、12が微小に削ら
れるため、この磨耗を定盤11、12全面にわたって均
一なものとするためである。なお、キャリア13の厚み
はウェーハ15の研磨終了時の目標厚みより薄く設定さ
れており、研磨中はウェーハ15の表裏両面が上下定盤
11、12のそれぞれに常に当接するようになってい
る。
【0014】研磨液供給系統14は、ラップ研磨液を貯
蔵した図示しないタンクを有し、このタンクから送液ポ
ンプ、配管19を介して上下定盤11、12の間ないし
各定盤11、12とウェーハ15との間に向けて供給さ
れる。ラップ研磨液は、圧下力F、回転運動を利用して
上下定盤11、12間などに巻き込まれ、含有した遊離
砥粒によりウェーハ15の表裏が研磨される。配管19
の途上には、ラップ研磨液の供給流量を調整する流量調
整バルブ20(流量調整手段に相当する)が配置されて
いる。この流量調整バルブ20は、バルブコントローラ
21からの信号に基づいて弁開度を調整して流量制御を
行う。なお、研磨液の圧力、流量および弁開度の相関関
係は予め検定されており、バルブコントローラ21は研
磨液の圧力を検出しつつ弁開度を調整するようになって
いる。
【0015】上下定盤11、12は表面平坦度を維持す
るため、研磨に先立って、形状修正が行われていると共
に、下定盤12には、ラップ研磨液の排出性を良くする
ために細かい溝が網目状に配置されている。また、上定
盤11は、下定盤12の駆動回転に追従可能なように、
フリーに回転する機構を上定盤支持金物22に有し、か
つ研磨中ウェーハ15の厚み差あるいは凹凸部の接触に
よって発生する微小な傾きを吸収できるように調芯機構
33を有する。さらに、研磨性能の維持および被研磨ウ
ェーハ15以外の磨耗を防ぐため材質に耐研磨性能差を
もたせ、上下定盤11、12は鋳鉄(FC30等)、キ
ャリア13は工具鋼(SK等)で構成し、徐々に発生影
響してくる装置磨耗も、上下の定盤11、12を修正加
工することにより吸収再生可能としている。
【0016】上定盤11と下定盤12との間隔dを測定
するために、ウェーハ研磨装置10には、定盤間隔測定
手段としての上下定盤間隔測定センサ23が設けられて
いる。このセンサ23は、例えば、静電容量式変位セン
サから構成されており、変位センサプローブ24が上定
盤11の回転中心近傍に配置され、このプローブ24と
所定の間隙(例えば1mm)を隔ててターゲット25が
上定盤11に取り付けられている。下定盤12の位置は
所定の位置に定められており、上定盤11の変位量を測
定することにより、上定盤11と下定盤12との間隔d
が測定されるようになっている。静電容量式変位センサ
23の分解能は、約2μmである。
【0017】なお、上下定盤間隔測定センサ23は、静
電容量式変位センサに限定されず、渦電流式変位センサ
あるいは接触式の変位センサなど公知のセンサを使用す
ることができる。また、下定盤12の位置が変動する構
成であれば、上定盤11の変位量と下定盤12の変位量
とに基づいて、上下定盤11、12の間隔dを測定する
ようにしても良い。
【0018】研磨途中のウェーハ15の厚さtを測定す
るために、ウェーハ研磨装置10には、ウェーハ厚測定
手段としてのウェーハ厚測定センサ26が設けられてい
る。このセンサ26は、ラップ油、研磨粉などの影響を
考慮し、例えば、超音波式距離センサから構成されてい
る。超音波式距離センサ26は、図4にも示すように、
遊星軌道18により定盤11、12よりも外方に露出す
るウェーハ15の裏面に対向する位置に配置されてい
る。超音波送受信装置27に接続された送受波器28は
水柱29内に埋没するように設けられている。水柱29
内に埋没させる理由は、超音波は空気中より液体中の方
が伝播性が良く、理想的な反射波が得られるからであ
る。
【0019】超音波式距離センサ26によるウェーハ厚
さtの測定原理を、図5に基づいて概説すれば、送信さ
れた超音波がウェーハ15表面で反射したとき(B0の
状態)からウェーハ15の底面で2回反射したとき(B
2の状態)までの時間間隔τ、あるいは、ウェーハ15
の底面で1回反射したとき(B1の状態)からウェーハ
15の底面で3回反射したとき(B3の状態)までの時
間間隔τを精密測定する。この時間間隔τが測定される
と、ウェーハ15の厚さtは、次式、 t=(1/4)・v・τ (vは音速) で求められる。
【0020】超音波式距離センサ26から発せられる超
音波の周波数は30MHzであり、分解能は、約2μm
である。なお、ウェーハ厚測定センサ26は、超音波式
距離センサに限定されるものではなく、研磨作業を阻害
せずかつウェーハ厚さtを正確に測定し得るものであれ
ば,他の公知のセンサを利用することができる。
【0021】図1に示すように、静電容量式変位センサ
23および超音波送受信装置27からの出力信号はマイ
クロコンピュータ31に入力され、このマイクロコンピ
ュータ31において、測定した定盤間隔dとウェーハ厚
さtとの寸法差d−tが算出される。さらに、マイクロ
コンピュータ31は、算出した寸法差d−tが所定範囲
内a<d−t<bに入るように、バルブコントローラ2
1に制御信号を出力する。バルブコントローラ21は、
マイクロコンピュータ31からの制御信号に基づいて流
量調整バルブ20を作動させ、ラップ研磨液の供給流量
を増減制御する。また、マイクロコンピュータ31には
所定の警報を発するアラーム32も接続されている。上
記のマイクロコンピュータ31が演算手段に相当し、マ
イクロコンピュータ31およびバルブコントローラ21
が制御手段に相当する。上述したa、bは遊離砥粒の砥
粒径に応じて予め設定されている定数であり、遊離砥粒
の砥粒平均径が例えば16μmの場合には、a=10μ
m、b=70μmである。寸法差d−tがa〜bの範囲
内の例えば50μmということは、上定盤11とウェー
ハ15上面との間隔および下定盤12とウェーハ15下
面との間隔(図4参照)の総計が50μmであり、砥粒
平均径16μmの遊離砥粒で研磨するのに適した間隔で
あることを意味している。
【0022】次ぎに、本実施例の作用を説明する。
【0023】まず、研磨の概要を説明すると、キャリア
13及びキャリア13に保持されたウェーハ15を上下
定盤11、12の間に挟み込んで圧下力Fを加えると共
に、上下定盤11、12の間ないし各定盤11、12と
ウェーハ15との間に向けて研磨液供給系統14を介し
てラップ研磨液を供給する。下定盤12を回転駆動し、
さらにサンギア16、インターナルギア17等からなる
キャリア回転機構によりキャリア13を回転させると、
被研磨材ウェーハ15には定盤11、12全面にわたる
遊星回転運動が生じ、この圧力、回転運動を利用してラ
ップ研磨液が巻き込まれる。これにより、ラップ研磨液
に含有された遊離砥粒によって、ウェーハ15の表裏両
面が研磨される。このようなウェーハ15の研磨中にお
いては、ラップ研磨液の供給流量の増減制御がなされて
いる。
【0024】次ぎに、ラップ研磨液流量の増減制御ルー
チンを、図6に示すフローチャートを参照しつつ説明す
る。
【0025】まず、ステップS1において、静電容量式
変位センサ23により上定盤11の変位量を測定し、上
定盤11と下定盤12との間隔dを計測する。次いで、
上述した測定原理に基づき、超音波式距離センサ26に
より、研磨途中のウェーハ15の厚さtを計測する(S
2)。マイクロコンピュータ31では、測定した定盤間
隔dとウェーハ厚さtとの寸法差d−tが算出される
(S3)。
【0026】次いで、マイクロコンピュータ31は、算
出した寸法差d−tが所定範囲内a<d−t<bに入っ
ているか否かを判断する。つまり、寸法差d−tがaよ
り小さいか否かを判断し(S4)、寸法差d−tがbよ
り大きいか否かを判断する(S5)。a、bは、上述し
たとおり、砥粒径に応じて予め設定されている定数であ
る。そして、a<d−t<bを満足する場合には(S
6)、上定盤11とウェーハ15上面との間隔および下
定盤12とウェーハ15下面との間隔が砥粒平均径に応
じた適切な間隔であるため、ラップ研磨液の現在の供給
流量を維持しつつ(S7)、研磨を続行する。
【0027】寸法差d−tがaより小さい(d−t<
a)場合には(S4)、ラップ研磨液の現在の供給流量
Fが最大流量Fmaxでなければ(S8)、マイクロコ
ンピュータ31は、定盤11、12とウェーハ15との
間に遊離砥粒をさらに供給して、寸法差d−tがaより
大きくなるように、バルブコントローラ21に制御信号
を出力する。バルブコントローラ21は、この制御信号
に基づいて流量調整バルブ20を開作動させ、ラップ研
磨液の供給流量を増量制御する(S9)。
【0028】また、寸法差d−tがbより大きい(d−
t>b)場合には(S5)、ラップ研磨液の現在の供給
流量Fが最小流量Fminでなければ(S13)、マイ
クロコンピュータ31は、定盤11、12とウェーハ1
5との間に供給する遊離砥粒を減らして、寸法差d−t
がbより小さくなるように、バルブコントローラ21に
制御信号を出力する。バルブコントローラ21は、この
制御信号に基づいて流量調整バルブ20を閉作動させ、
ラップ研磨液の供給流量を減量制御する(S14)。な
お、上述したラップ研磨液供給流量の最大流量Fmax
は例えば1500ml/minであり、最小流量Fmi
nは500ml/minである。
【0029】このようにラップ研磨液の供給流量を増量
調節あるいは減量調節することにより(S9、S1
4)、研磨部における遊離砥粒の不足あるいは過剰供給
がなくなり、遊離砥粒が研磨部に適正流量の下で安定的
に供給されることになり、厚み一定及び平行度、平坦度
の精度の高い研磨ウェーハ15を得ることが可能となっ
た。また、スクラッチ疵、うねり、欠陥等の不具合の発
生が抑制され、研磨時間の長期化が防止されて、生産性
や歩留まりが著しく向上した。さらに、ラップ研磨液の
過剰供給がないため、ラップ研磨液を無駄にすることも
なく、ランニングコストの低減を図ることもできる。
【0030】一方、ラップ研磨液の現在の供給流量Fが
最大流量Fmaxあるいは最小流量Fminであるとき
には(S8、S13)、その状態が一定時間経過してい
るか否かが判断される(S10、S15)。この一定時
間は、例えば1分程度が妥当である。一定時間経過して
いる場合には、ラップ研磨液供給流量の増減調節が研磨
性能の向上に寄与し得ないときであるため、アラーム3
2を発して作業者に警告を促し(S11、S16)、ウ
ェーハ研磨装置10の作動を停止する(S12、S1
7)。そして、作業者は、上下定盤11、12の修正研
磨や、研磨液供給系統14の点検などの復帰作業を行
う。
【0031】以上説明したように、上下定盤11、12
の間隔dとウェーハ厚さtとの寸法差d−tの値から、
ウェーハ15の上下面に供給される遊離砥粒の供給安定
性を判断し、ラップ研磨液の供給流量を増減制御して適
正流量に修正することによって、厚み一定及び平行、平
坦度の精度の高い研磨ウェーハ15を得ることが可能と
なった。また、ラップ研磨液の流量制御によっても前記
寸法差d−tが所定範囲に入らないない場合は、上下定
盤11、12の修正時期に達したと容易に判断すること
ができる。
【0032】近年では、大規模集積回路が高密度化し、
ウェーハへの平行度、平坦度要求は一段と厳格になりつ
つあり、現在もDRAMで64M(メガ)相当の場合に
はウェーハの厚みバラツキは数μm、面内バラツキも
0.5〜1.0μm以内が要求されると言われている。
本発明によるウェーハ研磨装置は、この高密度化に対応
可能なウェーハの供給を可能とするものである。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェーハ
研磨装置によれば、上下定盤の間隔とウェーハ厚さとの
寸法差に基づいて、ウェーハの上下面に供給されるラッ
プ研磨液の供給安定性が判断され、ラップ研磨液の供給
流量が増減制御されて適正流量に修正されることによ
り、被研磨ウェーハの平坦度、平行度を向上させた最終
ウェーハを得ることができ、近年の高密度化に対応可能
なウェーハを供給することが可能となる。さらに、スク
ラッチ疵、うねり、欠陥等の不具合の発生が抑制され、
研磨時間の長期化が防止されて、生産性や歩留まりが著
しく向上し、ラップ研磨液を無駄に供給することもない
ためランニングコストの低減を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係るウェーハ研磨装置を
制御系とともに示す構成図である。
【図2】 図1に示される上定盤、下定盤およびキャリ
アなどを示す斜視図である。
【図3】 研磨途中におけるウェーハの遊星軌道を示す
図である。
【図4】 ウェーハの厚さを測定するウェーハ厚測定手
段を示す図である。
【図5】 超音波式距離センサによるウェーハ厚さの測
定原理を示す説明図である。
【図6】 ラップ研磨液流量の増減制御ルーチンを示す
フローチャートである。
【符号の説明】
11…上定盤、 12…下定盤、13
…キャリア、 14…研磨液供給系統、
15…被研磨材用ウェーハ、 18…ウェーハ軌
跡、19…配管、 20…流量調整
バルブ(流量調整手段)、21…バルブコントローラ
(制御手段)、23…上下定盤間隔測定センサ(静電容
量式変位センサ、定盤間隔測定手段)、26…ウェーハ
厚測定センサ(超音波式距離センサ、ウェーハ厚測定手
段)、27…超音波送受信装置、31…マイクロコンピ
ュータ(演算手段、制御手段)、 32…アラーム、
F…圧下力。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上定盤(11)と下定盤(12)との間に被研磨
    材としてのウェーハ(15)を挟み込み、ラップ研磨液を供
    給しつつ、上下定盤(11,12) により圧下力(F) と回転運
    動とを加えて前記ウェーハ(15)を研磨するようにしたウ
    ェーハ研磨装置において、 前記ラップ液の供給流量を調整する流量調整手段(20)
    と、 前記上定盤(11)と前記下定盤(12)との間隔(d) を測定す
    る定盤間隔測定手段(23)と、 研磨途中の前記ウェーハ(15)の厚さ(t) を測定するウェ
    ーハ厚測定手段(26)と、 前記定盤間隔測定手段(23)により測定した定盤間隔(d)
    と前記ウェーハ厚測定手段(26)により測定したウェーハ
    厚さ(t) との寸法差(d-t) を算出する演算手段(31)と、 この演算手段(31)で算出した前記寸法差(d-t) が所定範
    囲内(a<d-t<b) となるように、前記流量調整手段(20)を
    作動させて前記ラップ液の供給流量を増減する制御手段
    (31,21) と、を有することを特徴とするウェーハ研磨装
    置。
JP25430693A 1993-10-12 1993-10-12 ウェーハ研磨装置 Withdrawn JPH07111255A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25430693A JPH07111255A (ja) 1993-10-12 1993-10-12 ウェーハ研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25430693A JPH07111255A (ja) 1993-10-12 1993-10-12 ウェーハ研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07111255A true JPH07111255A (ja) 1995-04-25

Family

ID=17263163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25430693A Withdrawn JPH07111255A (ja) 1993-10-12 1993-10-12 ウェーハ研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07111255A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083917A1 (fr) * 2002-03-28 2003-10-09 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Dispositif et procede de polissage a double face pour plaquette
WO2008138725A1 (en) 2007-05-16 2008-11-20 Sez Ag Apparatus and method for ultrasonic wet treatment of plate-like articles
JP2009107042A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及び研削方法
JP2015112695A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社ディスコ 研磨方法
US9566616B2 (en) 2013-06-28 2017-02-14 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
JP2018171695A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 株式会社Sumco ウェーハの両面研磨装置および両面研磨方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083917A1 (fr) * 2002-03-28 2003-10-09 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Dispositif et procede de polissage a double face pour plaquette
CN100380600C (zh) * 2002-03-28 2008-04-09 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
US7364495B2 (en) 2002-03-28 2008-04-29 Etsu Handotai Co., Ltd. Wafer double-side polishing apparatus and double-side polishing method
WO2008138725A1 (en) 2007-05-16 2008-11-20 Sez Ag Apparatus and method for ultrasonic wet treatment of plate-like articles
US8573236B2 (en) 2007-05-16 2013-11-05 Lam Research Ag Apparatus and method for ultrasonic wet treatment of plate-like articles
TWI421933B (zh) * 2007-05-16 2014-01-01 Lam Res Corp 板狀物件之超音波濕式處理的裝置與方法
JP2009107042A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及び研削方法
US9566616B2 (en) 2013-06-28 2017-02-14 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
US9808836B2 (en) 2013-06-28 2017-11-07 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
JP2015112695A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社ディスコ 研磨方法
JP2018171695A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 株式会社Sumco ウェーハの両面研磨装置および両面研磨方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5743784A (en) Apparatus and method to determine the coefficient of friction of a chemical mechanical polishing pad during a pad conditioning process and to use it to control the process
US5486129A (en) System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US7147541B2 (en) Thickness control method and double side polisher
KR101059935B1 (ko) 폴리싱패드의 드레싱방법과 장치, 기판폴리싱장치, 및 기판폴리싱방법
JP5554332B2 (ja) 計量フィードバックに基づくパッドプロファイルの閉ループ制御
US6306009B1 (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US6628410B2 (en) Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates
US7018275B2 (en) Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US5762537A (en) System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
US6702646B1 (en) Method and apparatus for monitoring polishing plate condition
US8870625B2 (en) Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method
US5620357A (en) Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing
KR101297931B1 (ko) 연마 장치, 이 연마 장치를 이용한 반도체 디바이스 제조방법, 및 이 반도체 디바이스 제조 방법에 의해 제조된반도체 디바이스
GB2347102A (en) Wafer grinder and method of detecting grinding amount
JPH07111255A (ja) ウェーハ研磨装置
JP2000271854A (ja) 加工方法及びその装置並びに半導体基板の加工方法
JP2005347568A (ja) 基板研磨方法及び基板研磨装置
WO2001032360A1 (en) Closed-loop ultrasonic conditioning control for polishing pads
JP7254645B2 (ja) 両面研磨装置の制御システム、制御装置および基板の製造方法
KR100789842B1 (ko) 연마 패드의 형상을 측정하는 장치와, 이를 이용한 연마패드 형상 보정 방법 및 이를 이용한 화학적 기계적 연마장치
JP4326985B2 (ja) ウエーハ研磨方法
JP2002307303A (ja) 薄板円板状ワークの両面研削方法および装置
JP4682449B2 (ja) 化学的機械的研磨方法及び化学的機械的研磨装置
JPH10118917A (ja) 研磨装置
JP2002337046A (ja) 研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20001226