JP2003272912A - 酸化物磁性材料、及びそれを用いた積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課 題】 閉磁路を形成する電子部品に使用されて大
きな外部応力が負荷された場合でも、所望の磁気特性を
確保することができ、且つ優れた直流重畳特性を有する
酸化物磁性材料、及びそれを用いた積層型電子部品を提
供する。 【解決手段】 酸化物磁性材料は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系
フェライト材料の主成分組成が、Ｆｅ_２Ｏ_３：４５〜５
０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜３２ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５〜
１５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部、からなり、且つ前記主成
分組成の組成比総和に対し、ＳｎＯ_２が０．２〜３ｗｔ
％添加されており、これにより、４０ＭＰａの圧縮応力
が負荷された場合でも初透磁率の変化率を±１０％以内
に抑制し、且つ良好な直流重畳特性を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は酸化物磁性材料、及
び積層型電子部品に関し、より詳しくは閉磁路を形成す
る積層型電子部品の素材に使用される酸化物磁性材料、
及び該酸化物磁性材料を用いて製造される積層型インダ
クタや積層型インピーダンス、積層型ＬＣ複合部品等の
積層型電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等を含有した酸
化物磁性材料としてのフェライト材料は、優れた磁気特
性を有することから、各種電子部品のコア（磁心）に使
用されている。

【０００３】しかしながら、フェライト材料は、圧縮応
力等の外部応力が負荷されると、インダクタンスが変化
して磁気特性が悪化する傾向がある。したがって、斯か
る応力が負荷されても、インダクタンスの変化が少ない
フェライト材料を得る必要がある。

【０００４】このため、外部応力に対してインダクタン
スの変化率が小さいフェライト材料の開発が盛んに行わ
れている。例えば、Ｎｉ系フェライト材料に、ＰｂＯを
０．５〜３０ｗｔ％添加し、５００ｋｇ／ｃｍ^２（約５
０ＭＰａ）の圧縮応力がフェライトコアに負荷された場
合でも、インダクタンスの変化率が±２％以内になるよ
うにした技術（特開平２−６０１１０号公報；以下、
「第１の従来技術」という）がある。

【０００５】この第１の従来技術によれば、Ｉ型コア
（棒状コア）に導線を所定回数巻回して開磁路を形成
し、斯かるＩ型コアに樹脂モールドを施した場合に、樹
脂収縮等によって圧縮応力が負荷されても、インダクタ
ンスの変化率が２〜５％以内となるようにし、所望の磁
気特性を確保しようとしている。

【０００６】これに対して、積層インダクタのような積
層型電子部品は、一般に閉磁路を形成することが知られ
ており、近年における電子部品の超小形化の要請に伴な
い、盛んに使用されている。このような積層型電子部品
では、銀等の電極材料とフェライト材料とを同時焼成す
る必要があることから、９３０℃以下の低温で所望の焼
成が可能なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料が広く使
用されている。

【０００７】この種のフェライト材料としては、例え
ば、Ｂｉを０．５〜１０ｗｔ％添加したものがあり、
０．５ｋｇ／ｍｍ^２（約５ＭＰａ）の圧縮応力がフェラ
イトコアに負荷された場合でも、インダクタンスの変化
率が１０％以内になるようにした技術（特開平１０−２
２３４２４号公報；以下、「第２の従来技術」という）
がある。

【０００８】しかしながら、上記積層型電子部品は、そ
のコイル導体に直流電流を通電していくと、電流値に応
じてインダクタンスが低下する傾向がある。電子部品と
しては、インダクタンスが低下しても、極力大きな電流
が通電できることが望ましい。そのため、直流電流の通
電に対するインダクタンスの変化率が小さいこと、すな
わち、直流重畳特性が良好であることが必要となる。

【０００９】そこで、斯かる観点から、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎ系フェライトにおいて、Ｆｅ_２Ｏ _３：４９．０〜５
０．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１８．０〜２６．０ｍｏｌ
％、ＣｕＯ：０〜１２．０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％
を含まない。）、残部がＮｉＯ、とすることにより、コ
ア損失を１５０ｋＷ／ｍ^３以下とし、且つ飽和磁束密度
が４２０ｍＴ以上の高い値が得られるようにした技術
（特開平１０−７４５４号公報；以下、「第３の従来技
術」という）がある。

【００１０】この第３の従来技術では、通電によりイン
ダクタンスが２０％減少した場合でも、従前よりも電流
値を１５％程度延ばすことができ、これにより直流重畳
特性の改善を図ることができる。

【００１１】さらに、直流重畳特性を電子部品の構造面
から改善した技術として、磁性体層内部に非磁性体層を
設けた積層型インダクタンス素子がある（特開２０００
−１８２８３４；以下、「第４の従来技術」という）。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記第１の
従来技術では、開磁路と閉磁路の双方でインダクタンス
の変化を評価しているが、開磁路ではインダクタンスの
変化率が±２％以内であるのに対し、閉磁路では−４０
％と大きい。そのため、開磁路に比べて閉磁路の方が、
外部応力に対するインダクタンスの変化率が大きいと考
えられる。

【００１３】また、閉磁路を形成する積層型電子部品
は、内部電極を形成する銀等の電極材料とフェライト材
料とを同時に焼成して形成されるが、電極材料の熱膨張
率はフェライト材料の熱膨張率よりも大きい。このよう
な熱膨張率の相違から、積層型電子部品では、開磁路を
形成する電子部品に比べて、フェライト材料に大きな圧
縮応力が負荷される。斯かる観点からも、閉磁路では圧
縮応力、その他の外部応力に対するインダクタンスの変
化率が大きくなると考えられる。

【００１４】しかしながら、上記第１の従来技術は、開
磁路を形成するＩ型コアを樹脂モールドで外装した場合
に、樹脂部からの外部応力に起因するインダクタンスの
変化を抑制しようとしたものである。したがって、閉磁
路を形成する積層型電子部品に対し、前記第１の従来技
術をそのまま適用しても、開磁路と同様の効果を期待す
ることはできない。

【００１５】また、上記第２の従来技術では、積層型イ
ンダクタに対して、０．５ｋｇ／ｍｍ^２（約５ＭＰａ）
程度の外部応力を負荷したときに、インダクタンスの変
化率を１０％以内に抑制することができる。しかしなが
ら、上述したように、積層型電子部品では、フェライト
材料に大きな圧縮応力が負荷される（約４０ＭＰａと推
定される）。そのため、斯かる圧縮応力、その他の外部
応力に対して磁気特性を安定化させるためには、０．５
ｋｇ／ｍｍ^２（約５ＭＰａ）程度の外部応力に耐え得る
だけでは不十分であり、さらなる改善が望まれる。

【００１６】一方、直流重畳特性の改善に関し、上記第
３の従来技術は、インダクタンスを初期値から２０％低
下させた場合でも、電流値の延びを従前に比べて１５％
程度改善している。しかしながら、今日の超小形化され
た積層型電子部品への対応としては未だ不十分であり、
さらなる改善を図る必要がある。

【００１７】また、上記第４の従来技術のように、磁性
体層間に非磁性体層を介装させた場合は、初期のインダ
クタンスが小さくなるという問題があった。初透磁率を
低くすると、インダクタンスを減少させた場合に電流値
が高くなる傾向にあり、直流重畳特性を改善することが
可能であると考えられる。しかしながら、インダクタン
スは透磁率に依存するため、初透磁率を下げた場合は、
取得するインダクタンスも低くなるという問題が新たに
生じる。

【００１８】本発明はこのような事情に鑑み、閉磁路を
形成する電子部品に使用されて大きな外部応力が負荷さ
れた場合でも、所望の磁気特性を確保することができ、
且つ直流重畳特性に優れた酸化物磁性材料を提供するこ
と、及びこの酸化物磁性材料を用いて積層型電子部品を
提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】インダクタンスは透磁率
μに依存することから、外部応力の負荷に対し、インダ
クタンスの変化率を小さくするためには、外部応力の無
負荷時に対し、応力が負荷された場合の初透磁率の変化
率Δμを小さくすればよいと考えられる。

【００２０】そこで、本発明者らは、４０ＭＰａのよう
な大きな外部応力が負荷されても、初透磁率の変化率Δ
μが小さくなるように鋭意研究した。その結果、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料にＳｎＯ_２を０．２〜３ｗ
ｔ％添加することにより、閉磁路を形成した場合でも、
初透磁率の変化率Δμを±１０％以内に抑制することが
できるという知見を得た。

【００２１】さらに、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材
料にＳｎＯ_２を０．２〜３ｗｔ％添加した場合、直流電
流を通電した場合のインダクタンスの変化を従来に比べ
て小さくすることができるので、これにより直流重畳特
性も改善することができるという知見を得た。

【００２２】本発明は、斯かる知見に基づきなされたも
のであって、本発明に係る酸化物磁性材料は、主成分組
成が、Ｆｅ_２Ｏ_３：４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜
３２ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５〜１５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残
部、からなり、且つ前記主成分組成の組成比総和に対
し、ＳｎＯ_２が０．２〜３ｗｔ％添加されていることを
特徴としている。

【００２３】上記構成によれば、ＳｎＯ_２を構成するＳ
ｎ^４＋イオンが、結晶の磁気異方性を増大させてフェラ
イト内部に歪みが生じ、内部応力が増大する。そして、
前記内部応力を消去するための外部応力、すなわち、初
透磁率の極大を示す応力が増大し、これにより、無負荷
時に対する高負荷時の初透磁率の変化率が小さくなる。

【００２４】さらに、上記構成によれば、インダクタン
スが減少しても、通電される許容電流を従来よりも高く
維持することができ、直流重畳特性の向上を図ることが
できる。

【００２５】また、本発明の酸化物磁性材料は、閉磁路
形成時における外部からの応力負荷に対し、初透磁率の
変化率Δμが、±１０％以内となる。これにより、上記
酸化物磁性材料を、閉磁路を形成した積層型電子部品に
適用した場合でも、インダクタンスの変化が少なく、所
望の磁気特性を確保することができる。

【００２６】また、本発明の酸化物磁性材料は、４０Ｍ
Ｐａの外部応力が負荷された場合でも、インダクタンス
の変化は小さく、安定した磁気特性を確保することがで
きる。

【００２７】また、本発明の酸化物磁性材料は、残留磁
束密度をＢｒ（Ｔ）、保磁力をＨｃ（Ａ／ｍ）、初透磁
率をμ_ｉ、及び真空透磁率をμ_０とした場合、Ｂｒ／
（μ_０・μ_ｉ・Ｈｃ）≦３．７（但し、μ_０＝４π×１
０^−７（Ｈ／ｍ））となる。

【００２８】すなわち、本発明は、上述の如く、インダ
クタンスが減少しても通電可能な許容電流を従来よりも
高く維持することができ、これにより直流重畳特性を向
上させることができる。しかしながら、インダクタンス
は上述したように透磁率μに依存し、また、この透磁率
μは、下記の数式（１）で示すように、磁束密度Ｂと磁
場Ｈとの比で定義される。

【００２９】μ＝Ｂ／Ｈ……（１） 一方、透磁率μ（Ｂ／Ｈ）は、Ｂ−Ｈ曲線（磁気ヒステ
リシス曲線、または、減磁曲線）上ではその傾きを示
し、斯かる傾きＢ／Ｈは、残留磁束密度Ｂｒと保磁力Ｈ
ｃとの比Ｂｒ／Ｈｃで近似することができる。

【００３０】また、上記、発明が解決しようとする課題
の項でも述べたように、初透磁率μ _ｉを低くすると、イ
ンダクタンスを減少させた場合の許容電流が高くなるこ
とから、初透磁率μ_ｉも直流重畳特性の良否に影響を及
ぼす。

【００３１】したがって、Ｂｒ／Ｈｃと初透磁率μ_ｉと
の比を算出することにより、直流重畳特性を定量的に評
価することが可能となる。これにより、透磁率μの影響
を考慮することなく、直流重畳特性の普遍的な評価が可
能となる。

【００３２】そして、本発明では、下記の数式（２）で
定義されるＡ値を３．７以下とすることにより、直流電
流の通電時におけるインダクタンスの低下、すなわち、
透磁率の変化率を抑制することができ、直流重畳特性を
改善することができる。

【００３３】 Ａ＝Ｂｒ／（μ_０・μ_ｉ・Ｈｃ）……（２） ここで、Ｂｒ（Ｔ）は、磁場が「０」になってもフェラ
イト材料に磁束が残る残留磁束密度を示し、Ｈｃ（Ａ／
ｍ）は、フェライト材料の磁束密度を「０」にするため
に必要な磁場を示す保磁力を示している。また、μ_０は
真空透磁率（４π×１０^−７（Ｈ／ｍ））である。

【００３４】また、本発明に係る積層型電子部品は、上
記の酸化物磁性材料を用いて形成されていることを特徴
としている。

【００３５】すなわち、本積層型電子部品は、４０ＭＰ
ａのような大きな外部応力が負荷されている場合でも、
無負荷時に対するインダクタンスの変化率が小さく、し
たがって、良好な磁気特性を確保することができ、しか
も、直流重畳特性にも優れたものとなる。

【００３６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を詳説
する。

【００３７】本発明に係る酸化物磁性材料の一実施の形
態として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料（以下、
単に「フェライト材料」という。）は、主成分組成が、
Ｆｅ _２Ｏ_３：４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜３２ｍ
ｏｌ％、ＣｕＯ：５〜１５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部、か
らなり、且つ前記主成分組成の組成比総和に対し、Ｓｎ
Ｏ_２が０．２〜３ｗｔ％添加されている。

【００３８】以下、上記フェライト材料の主成分を構成
するＦｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、及びＣｕＯの含有量、及びＳ
ｎＯ_２の添加量を上述の範囲に限定した理由を説明す
る。

【００３９】（１）Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量 強磁性材料としてのＦｅは、優れた磁気特性を有するた
め、Ｆｅ_２Ｏ_３としてフェライト材料に含有されるが、
Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量が５０ｍｏｌ％を超えると焼結性が
低下する。一方、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量が４５ｍｏｌ％未
満になると比抵抗（抵抗率）が低下し、このため、製品
化された電子部品の機械的品質係数Ｑｍが低下して、電
子部品の信頼性を損なう。そこで、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量
を４５〜５０ｍｏｌ％に限定した。

【００４０】（２）ＺｎＯの含有量 ＺｎＯは、初透磁率μ_ｉを制御するためにフェライト材
料に含有される。すなわち、ＺｎＯ量の増加に対応して
ＮｉＯ量を減少させることにより、初透磁率μ _ｉを増加
させ、また、ＺｎＯ量の減少に対応してＮｉＯ量を増加
させることにより、初透磁率μ_ｉを減少させることがで
きる。これにより、初透磁率μ_ｉを制御することができ
る。

【００４１】しかしながら、ＺｎＯの含有量が１ｍｏｌ
％未満になると、９３０℃以下での焼結性が不十分とな
って、低温での焼結が困難となる。一方、ＺｎＯの含有
量が３２ｍｏｌ％を超えると、強磁性体から常磁性体に
転移するキュリー温度が１２０℃以下となり、飽和磁束
密度が低くなって好ましくない。そこで、ＺｎＯの含有
量を１〜３２ｍｏｌ％に限定した。

【００４２】（３）ＣｕＯの含有量 ＣｕＯは焼結性の向上に寄与する成分であり、特に積層
型電子部品のように、９３０℃以下の低温で焼成処理す
る場合に効果的に作用するが、所期の作用効果を奏する
ためには、少なくとも５ｍｏｌ％以上含有することが必
要である。しかしながら、ＣｕＯの含有量が１５ｍｏｌ
％を超えると比抵抗が低下し、また，焼結後におけるＣ
ｕの偏析が顕著となって好ましくない。そこで、ＣｕＯ
の含有量を５〜１５ｍｏｌ％に限定した。

【００４３】（４）ＳｎＯ_２の添加量 ＳｎＯ_２は、閉磁路を形成した場合に、フェライト材料
に４０ＭＰａ程度の大きな圧縮応力が負荷されても、初
透磁率の変化率Δμを±１０％以内に抑制することがで
きる。したがって、ＳｎＯ_２を添加することにより、大
きな外部応力の負荷に対し、インダクタンスの変化率を
極力抑制して、所望の磁気特性を確保することができ
る。

【００４４】さらに、ＳｎＯ_２には、コイルに直流電流
を通電していって、インダクタンスが、例えば３０％程
度減ぜられた場合でも、ＳｎＯ_２無添加の場合に比べて
１５％以上の電流値の伸びを示す作用がある。すなわ
ち、インダクタンスが減ぜられても、許容電流の低下を
抑制することが可能であり、したがって、ＳｎＯ_２の添
加は、直流重畳特性の改善にも大きく寄与する。

【００４５】しかしながら、ＳｎＯ_２の添加重量が、フ
ェライト材料を構成する主成分組成の総和に対し、０．
２ｗｔ％未満の場合は、無添加の場合に比べて１０％以
下の電流値の伸びしか期待できない。一方、ＳｎＯ_２の
添加重量が３ｗｔ％を超えると、焼結密度が５．００ｇ
／ｃｍ^３以下となって焼結性が低下し、９３０℃以下の
低温で焼成処理を行うことが困難となって好ましくな
い。そこで、ＳｎＯ_２の添加量を０．２〜３ｗｔ％に限
定した。

【００４６】そして、ＳｎＯ_２を０．２〜３ｗｔ％添加
することにより、前記数式（２）で定義されるＡ値が
３．７以下となり、これにより直流重畳特性の評価を数
値化することができる。

【００４７】以下、図１に示すＢ−Ｈ曲線を参照しなが
ら、前記Ａ値の意義について説明する。図１において、
横軸は磁場Ｈ（Ａ／ｍ）、縦軸は磁束密度Ｂ（Ｔ）を示
している。

【００４８】フェライト材料が外部の磁場を受けると、
周知のように、磁気のない状態（点０）から磁化され、
矢印Ａに示すように磁束密度Ｂが上昇し、飽和状態に達
して飽和磁束密度（点Ｃ）を得る。そして、矢印Ｄに示
すように、点Ｃの飽和状態から磁場Ｈを減少させてゆく
と、磁束密度Ｂもこれに対応して減少する。そして、磁
場Ｈが「０」になった後も、マイナス方向に磁場Ｈを付
与してゆくと、飽和磁束密度（点Ｅ）を得る。その後、
矢印Ｆに示すように、プラスの磁場を加えてゆくと、再
び飽和磁束密度（点Ｃ）に到達する。Ｂ−Ｈ曲線がＹ軸
と交差するＢｒが残留磁束密度であり、Ｂ−Ｈ曲線のＸ
軸と交差するＨｃが保磁力である。

【００４９】そして、透磁率μは、課題を解決するため
の手段の項で述べた数式（１）（μ＝Ｂ／Ｈ）で表わさ
れることから、Ｂ−Ｈ曲線の傾きが透磁率μを示し、ま
た、Ｂ−Ｈ曲線の傾きＢ／Ｈは、残留磁束密度Ｂｒと保
磁力Ｈｃとの比、すなわち、Ｂｒ／Ｈｃで近似すること
ができる。

【００５０】また、初透磁率μ_ｉを低くすると、インダ
クタンスを減少させた場合の許容電流が高くなるところ
から、初透磁率μ_ｉも直流重畳特性の良否に影響を及ぼ
す。したがって、Ｂｒ／Ｈｃと初透磁率μ_ｉとの比、す
なわち、前記数式（２）で示したＡ値により、直流重畳
特性の良否を評価することができる。そして、本実施の
形態では、フェライト材料にＳｎＯ_２を０．２〜３ｗｔ
％添加すると、Ａ値は３．７以下となる。

【００５１】このように、本実施の形態では、フェライ
ト材料に固有の残留磁束密度Ｂｒ、保磁力Ｈｃ及び初透
磁率μ_ｉにより、直流重畳特性を評価することが可能と
なるので、磁場が印加されていった場合の透磁率μの変
化等を考慮する必要がなくなる。

【００５２】このように、本実施の形態によれば、フェ
ライト材料にＳｎＯ_２を０．２〜３ｗｔ％添加すること
により、閉磁路において外部から大きな圧縮応力が負荷
されても、初透磁率の変化率Δμを小さく抑制すること
ができる。しかも、優れた直流重畳特性を有し、インダ
クタンスが減じられても、コイルに流れる許容電流の大
幅な低下を回避することが可能となる。

【００５３】図２は、上記フェライト材料を用いて作製
された積層型電子部品の一例、すなわち、積層型ＬＣ複
合部品の一実施の形態を示す斜視図であり、図３は図２
のＸ−Ｘ線による断面図である。

【００５４】図２、図３に示すように、積層型ＬＣ複合
部品は、部品本体３がコンデンサ部１とコイル部２とが
積層状態で構成されている。部品本体３の一方の端部に
は入力電極４が形成され、他方の端部には出力電極５が
形成されている。さらに、部品本体３の入力電極４と出
力電極５の略中央部には、部品本体３の側面及び底面に
わたって接地電極６、７が形成されている。

【００５５】コンデンサ部１は、表面にコンデンサ導体
８ａ〜８ｄが形成された誘電体シートが多数積層されて
積層体とされ、この積層体が焼成されて焼結体となるこ
とにより形成されている。具体的には、各誘電体シート
は、セラミックス粉末と結合剤とを混錬して、シート状
に形成されている。また、コンデンサ導体８ａ〜８ｄ
は、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ等の導電性材料が印刷、スパッタ
リング、或いは蒸着等の方法により、誘電体シートの表
面の所定箇所に被着されている。本実施の形態では、コ
ンデンサ導体８ａ〜８ｄが形成された４枚の誘電体シー
トが積層されており、コンデンサ導体８ａ、８ｃとコン
デンサ導体８ｂ、８ｄとの間に静電容量が形成される。

【００５６】コイル部２は、表面にコイル導体９ａ〜９
ｈが形成された磁性体シートが多数積層されて積層体と
され、この積層体が焼成されて焼結体となることにより
形成されている。具体的には、各磁性体シートは、上記
フェライト材料と結合剤とを混練してシート状に形成さ
れている。また、コイル導体９ａ〜９ｈは、コンデンサ
導体８ａ〜８ｄと同様、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ等の導電性材
料を印刷、スパッタリング、或いは蒸着等の方法により
磁性体シートの表面の所定箇所に被着されている。本実
施の形態では、コイル導体９ａ〜９ｈが形成された８枚
の磁性体シートが積層されている。コイル導体９ａ〜９
ｄは、各磁性体シートに形成されたビアホール（図示せ
ず）を介して電気的に直列に接続され、時計回り方向に
巻回されたコイル１０ａを形成している。コイル導体９
ｅ〜９ｈも、各磁性体シートに形成されたビアホール
（図示せず）を介して電気的に直列に接続され、反時計
回り方向に巻回されたコイル１０ｂを形成している。

【００５７】部品本体３を構成しているコンデンサ部１
とコイル部２は、誘電体シート、磁性体シートが積層さ
れて積層体とされ、焼成されて一体の焼結体となってい
る。

【００５８】また、入力電極４、出力電極５、接地電極
６、７も、コンデンサ導体８ａ〜８ｄ及びコイル導体９
ａ〜９ｈと同様、印刷や、スパッタリング或いは蒸着等
により形成される。入力電極４は、コイル導体９ａの一
方の端部と電気的に接続され、出力電極５は、コイル導
体９ｈの一方の端部と電気的に接続されている。さら
に、接地電極６は、コンデンサ導体８ｂ、８ｄの引出部
１１ｂ、１１ｄと電気的に接続され、接地電極７は、コ
イル導体９ｄ、９ｅの一方の端部、及びコンデンサ導体
８ａ、８ｃの引出部１１ａ、１１ｃと電気的に接続され
ている。

【００５９】このように構成された積層型ＬＣ複合部品
においては、コイル部２がＳｎＯ_２を０．２〜３ｗｔ％
添加したフェライト材料で形成されている。そのため、
４０ＭＰａ程度の大きな圧縮応力が磁性体層に負荷され
ても、透磁率の変化率Δμは±１０％以内に抑制するこ
とができる。したがって、大きな圧縮応力が負荷されて
も、インダクタンスの変動を抑制することができ、これ
により、所望の磁気特性を確保することができる。しか
も、直流電流の通電に対しても、インダクタンスの変動
が小さいので、直流重畳特性に優れた積層型ＬＣ複合部
品を得ることができる。

【００６０】

【実施例】次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

【００６１】〔第１の実施例〕本発明者らは、ＳｎＯ_２
の添加量が異なる種々の試験片（実施例１〜１０、及び
比較例１〜７）を作製し、これら試験片の焼結密度、初
透磁率の変化率Δμを測定し、さらに、直流重畳特性を
評価した。

【００６２】（実施例１〜５）まず、組成物中のＦｅ_２
Ｏ_３が４８．５ｍｏｌ％、ＺｎＯが２９．５ｍｏｌ％、
ＣｕＯが８ｍｏｌ％、ＮｉＯが１４ｍｏｌ％となるよう
に夫々秤量し、さらに、ＳｎＯ_２の添加量を０．２〜３
ｗｔ％の範囲で秤量した。そして、これら秤量物を、粉
砕媒体として１ｍｍφのＰＳＺ（Ｐａｒｔｉａｌ Ｓｔ
ａｂｉｌｉｚｅｄ Ｚｉｒｃｏｎｉａ；部分安定化ジル
コニア）を内有し、かつ、内容積が１×１０^−３ｍ^３の
ボールミルに純水０．３ｋｇと共に投入した。そして、
上記秤量物を混合して２４時間湿式粉砕し、スラリーを
作製した。次いで、該スラリーを脱水・乾燥し、温度７
００〜７５０℃で２時間仮焼し、再度、上記ボールミル
に投入して２０時間湿式粉砕し、仮焼粉末を得た。

【００６３】（実施例６）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４
８．５ｍｏｌ％、ＺｎＯが２５．５ｍｏｌ％、ＣｕＯが
８ｍｏｌ％、ＮｉＯが１８ｍｏｌ％となるように夫々秤
量し、さらに、ＳｎＯ_２の添加量が０．７５ｗｔ％とな
るように秤量し、実施例１〜５と同様の方法・手順で仮
焼粉末を作製した。

【００６４】（実施例７〜９）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が
４８ｍｏｌ％、ＺｎＯが２０ｍｏｌ％、ＣｕＯが９ｍｏ
ｌ％、ＮｉＯが２３ｍｏｌ％となるように夫々秤量し、
さらにＳｎＯ_２の添加量を０．４〜３ｗｔ％の範囲で秤
量し、実施例１〜５と同様の方法・手順で仮焼粉末を作
製した。

【００６５】（実施例１０）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４
８ｍｏｌ％、ＺｎＯが１８ｍｏｌ％、ＣｕＯが９ｍｏｌ
％、ＮｉＯが２５ｍｏｌ％となるように夫々秤量し、さ
らに、ＳｎＯ_２の添加量が１ｗｔ％となるように秤量
し、実施例１〜５と同様の方法・手順で仮焼粉末を作製
した。

【００６６】（比較例１、２）Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｃ
ｕＯ、及びＮｉＯは実施例１〜５と同量を秤量し、これ
にＳｎＯ_２を添加しないものを比較例１、また、ＳｎＯ
_２を０．１ｗｔ％添加したものを比較例２として、夫々
上記実施例１〜５と同様の方法・手順で仮焼粉末を作製
した。

【００６７】（比較例３）Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｃｕ
Ｏ、及びＮｉＯは実施例６と同量を秤量したが、ＳｎＯ
_２を添加せずに、上記実施例１〜５と同様の手順で仮焼
粉末を作製した。

【００６８】（比較例４〜６）Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｃ
ｕＯ、及びＮｉＯは実施例７〜９と同量を秤量し、これ
にＳｎＯ_２を添加しないものを比較例４、ＳｎＯ_２を
０．１５ｗｔ％添加したものを比較例５、また、ＳｎＯ
_２を３．５ｗｔ％添加したものを比較例６として、夫々
上記実施例１〜５と同様の方法・手順で仮焼粉末を作製
した。

【００６９】（比較例７）Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｃｕ
Ｏ、及びＮｉＯは実施例１０と同量を秤量したが、Ｓｎ
Ｏ_２を添加せずに、上記実施例１〜５と同様の方法・手
順で仮焼粉末を作製した。

【００７０】表１は、上記各実施例及び比較例の成分組
成を示している。

【００７１】

【表１】 次に、上記各実施例及び比較例の各仮焼粉末について、
角型トロイダルコアを作製し、焼結密度及び初透磁率μ
_ｉを算出した。

【００７２】すなわち、上記仮焼粉末にバインダとして
ポリビニルアルコールを加えて混合し、スプレー乾燥し
て造粒し、造粒粉を得た。次に、この造粒粉を用いてプ
レス成形を行い、図４に示すように、外寸３８ｍｍ×１
５ｍｍ、内寸１２ｍｍ×５ｍｍ、厚み４ｍｍの角型のリ
ング形状に成形した。この成形体を大気中にて温度８７
０〜９３０℃で２時間焼成処理を施し、角型リング状の
トロイダルコアを作製した。なお、得られた焼結体は角
型リング形状であるため、閉磁路を形成している。

【００７３】次に、アルキメデス法により各焼結体の焼
結密度を計測したところ、実施例１〜１０，比較例１〜
５及び７は、５．００ｇ／ｃｍ^３以上の焼結密度を確保
することができた。しかしながら、比較例６は、ＳｎＯ
_２の添加重量が３．５ｗｔ％と３．０ｗｔ％を超えてい
るため、焼結密度が４．７５ｇ／ｃｍ^３となって、５．
００ｇ／ｃｍ^３未満となり、焼結不足と判断して磁気特
性の評価対象外とした。

【００７４】次いで、実施例１〜１０、比較例１〜５及
び７について、軟銅線を２０ターン巻回し、インピーダ
ンスアナライザ（ＹＨＰ社製４１９４Ａ）で１ＭＨｚに
おけるインダクタンスを測定し、該インダクタンスの測
定値から初透磁率μ_ｉを算出した。

【００７５】次に、図５に示すように、矢印Ｐ方向から
圧縮応力を負荷し、ＬＣＲメータ（ＨＰ社製４２６３
Ｂ）で１００ｋＨｚでのインダクタンスを測定し、該イ
ンダクタンスの測定値から、各圧縮応力負荷時の初透磁
率μ_ｉを算出した。

【００７６】なお、圧縮応力は、図６に示す斜線部面に
所定の加重が負荷されるように、適宜調整した。

【００７７】そして、下記数式（３）に示すように、４
０ＭＰａの圧縮応力が負荷されたときの初透磁率μ_４０
と無負荷時の初透磁率μ_ｉに基づき、初透磁率の変化率
Δμを算出した。

【００７８】 Δμ＝｛（μ_４０−μ_ｉ）／μ_ｉ｝×１００……（３） 次に、上記実施例１〜１０、比較例１〜５及び７で作製
された前記仮焼粉末に、バインダとしてのアクリルエマ
ルジョンを０．０３ｋｇ加えて混合し、ドクターブレー
ド法でグリーンシートを作製した。

【００７９】次いで、該グリーンシートを積層して圧着
し、ブロックを形成し、外径１６ｍｍ、内径８ｍｍ、厚
み１ｍｍとなるようにリング形状に打ち抜き、大気中に
て８７０〜９３０℃で２時間焼成処理を行い、円形トロ
イダルコアを作製した。

【００８０】次いで、得られた円形トロイダルコアに軟
銅線を４０ターン巻回した後、該円形トロイダルコアに
直流電流を通電し、電流量を増大させていってインダク
タンスの変化量を計測した。また、磁場の強さを３００
０Ａ／ｍ、測定周波数を１０ｋＨｚに設定して、残留磁
束密度Ｂｒ及び保磁力ＨｃをＢ−Ｈアナライザ（岩崎通
信機社製ＳＹ８２３２）で測定した。

【００８１】表２は、各実施例及び比較例の測定結果を
示している。

【００８２】

【表２】 〔透磁率の変化率〕比較例１〜５及び７は、フェライト
材料にＳｎＯ_２が添加されていないか、添加されていて
もその添加量が０．１５ｗｔ％、または０．１ｗｔ％と
少ないため、圧縮応力による透磁率の変化率Δμが−１
０％を超えて、磁気特性が悪化することが分かった。

【００８３】これに対して、実施例１〜１０は、フェラ
イト材料にＳｎＯ_２が０．２〜３ｗｔ％添加されている
ため、初透磁率の変化率Δμを±９％以内に抑制し、磁
気特性を改善できることが分かった。

【００８４】図７及び図８は、透磁率の変化率Δμと圧
縮応力との関係を示す特性図であって、横軸が圧縮応力
（ＭＰａ）、縦軸が初透磁率の変化率Δμ（％）を示し
ている。

【００８５】図７において、△印が実施例１、×印が実
施例２、＊印が実施例３、●印が実施例４、＋印が実施
例５、◆印が比較例１、■印が比較例２を示し、フェラ
イト材料中の主成分組成が同一の試験片同士を比較して
いる。

【００８６】この図７から明らかなように、比較例１、
２は、圧縮応力に対する初透磁率の変化率Δμが大き
く、圧縮応力が２０ＭＰａを超えた時点で、初透磁率の
変化率Δμが−１０％以上となった。さらに、４０ＭＰ
ａ（破線で示す）の圧縮応力が負荷された場合は、変化
率Δμが−２５％を超えて悪化している。

【００８７】これに対して、実施例１〜５は、４０ＭＰ
ａの圧縮応力が負荷された場合であっても、初透磁率の
変化率Δμは±１０％以内となっており、比較例１、２
に比べて、初透磁率の変化率Δμが小さいことが分かっ
た。

【００８８】また、図８も略同様であり、比較例４、５
は、圧縮応力に対する初透磁率の変化率Δμが大きく、
圧縮応力が４０ＭＰａを超えると、初透磁率の変化率Δ
μが−１０％を超えて悪化している。

【００８９】これに対して、実施例７〜９は、４０ＭＰ
ａの圧縮応力が負荷された場合であっても、初透磁率の
変化率Δμは±１０％以内となっており、比較例４、５
に比べて、初透磁率の変化率Δμが小さいことが分かっ
た。

【００９０】このようにフェライト材料を構成する主成
分組成が同一の試験片同士を比較することにより、Ｓｎ
Ｏ_２の添加量を０．２〜３ｗｔ％とした場合に、初透磁
率の変化率Δμが小さくなり、ＳｎＯ_２には初透磁率の
変化率Δμを制御する作用効果のあることが分かった。

【００９１】〔直流重畳特性〕図９は、初透磁率μ_ｉが
略同等である実施例７、８と比較例４、５の直流重畳特
性を示す特性図であって、横軸は電流Ｉ、縦軸はインダ
クタンスの変化率ΔＬを示している。また、図中、△印
は実施例７、×印が実施例８、○印は比較例４、■印は
比較例５を示している。

【００９２】すなわち、インダクタンスの初期値は初透
磁率μ_ｉに応じて異なるため、略同一の初透磁率μ_ｉを
有する試験片同士を比較し、直流重畳特性に対するＳｎ
Ｏ_２の添加効果を評価した。

【００９３】この図９から明らかなように、各試験片に
直流電流を通電していって、インダクタンスが３０％低
下した場合、ＳｎＯ_２の添加されていない比較例４で
は、電流値Ｉ_３０は４００ｍＡである。一方、ＳｎＯ_２
が０．１５ｗｔ％添加された比較例５では、電流値Ｉ
_３０が４３０ｍＡとなるが、電流値の伸びはＳｎＯ_２無
添加の上記比較例４に比べ、１０％未満（７．５％）の
伸びしか得ることができない。

【００９４】これに対して、ＳｎＯ_２が０．４ｗｔ％添
加されている実施例７では４７０ｍＡ、さらに、１．５
０ｗｔ％添加されている実施例８では５２０ｍＡとな
る。すなわち、ＳｎＯ_２の添加されていない比較例４に
対し、夫々１７．５％、３０％の電流値の伸びを示し、
ＳｎＯ_２の添加量を増加させてゆくことにより、直流重
畳特性が改善されることが分かった。

【００９５】また、ＳｎＯ_２が０．２〜３ｗｔ％添加さ
れた実施例１〜１０は、Ａ値が３．７以下となってお
り、斯かる範囲にＡ値を制御することにより、直流重畳
特性を向上させることができることも分かった。

【００９６】すなわち、表２からもわかるように、初透
磁率μ_ｉを低くすることにより、インダクタンスを減じ
たときの電流Ｉを高く維持することができると考えられ
る。しかしながら、初透磁率μ_ｉを単に低くしただけで
は、インダクタンスの初期値が小さくなり、このためＡ
値が大きくなって３．７を超え、所望の直流重畳特性を
得ることができない。

【００９７】そこで、ＳｎＯ_２を０．２〜３ｗｔ％添加
することにより、残留磁束密度Ｂｒが低下する傾向にあ
る一方で保磁力Ｈｃが増加し、これによりＡ値が３．７
以下となって直流重畳特性を向上させることができる。

【００９８】図１０は、実施例８と比較例４のＢ−Ｈ曲
線であり、実線が実施例８、破線が比較例４を示してい
る。

【００９９】この図１０から明らかなように、実施例８
と比較例４とを比較すると、両試験片に磁場を加えてい
った場合、Ｂ−Ｈ曲線の傾きが第１象限の或る点で逆転
し、その後、実施例８のＢ−Ｈ曲線の傾きは、比較例４
のＢ−Ｈ曲線の傾きに比べて緩やかになる。その結果、
磁場が約６００〜７００Ａ／ｍでは、実施例８の透磁率
の変化率が比較例４に比べて緩やかになる。したがっ
て、電流値に対するインダクタンスの変化量も小さくな
り、直流重畳特性が改善されることが分かる。

【０１００】〔第２の実施例〕ＳｎＯ_２の添加量を０．
５ｗｔ％とし、フェライト材料の主成分であるＦｅ_２Ｏ
_３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯの含有量が異なる種々の試
験片（実施例１１〜１６、及び比較例１１〜１６）を作
製し、焼結密度、初透磁率の変化率Δμを測定し、直流
重畳特性を評価した。

【０１０１】（実施例１１〜１６）組成物中のＦｅ_２Ｏ
_３が４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯが１〜３２ｍｏｌ％、
ＣｕＯが５〜１５ｍｏｌ％、及びＮｉＯが１１〜３９ｍ
ｏｌ％となるように夫々秤量した（但し、各成分組成の
総和は１００ｍｏｌ％）。さらに、ＳｎＯ_２を０．５ｗ
ｔ％添加し、第１の実施例と同様の方法・手順で仮焼粉
末を作製した。

【０１０２】（比較例１１）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が５
２ｍｏｌ％、ＺｎＯが２０ｍｏｌ％、ＣｕＯが９ｍｏｌ
％、及びＮｉＯが１９ｍｏｌ％となるように夫々秤量
し、さらに、ＳｎＯ_２を０．５ｗｔ％添加し、第１の実
施例と同様の方法・手順で仮焼粉末を作製した。

【０１０３】（比較例１２）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４
３ｍｏｌ％、ＮｉＯが２８ｍｏｌ％となるように秤量し
た以外は、比較例１１と同様の方法・手順で仮焼粉末を
作製した。

【０１０４】（比較例１３）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４
８ｍｏｌ％、ＺｎＯが３３ｍｏｌ％、ＣｕＯが９ｍｏｌ
％、及びＮｉＯが１０ｍｏｌ％となるように夫々秤量し
た。さらに、ＳｎＯ _２を０．５ｗｔ％添加し、第１の実
施例と同様の方法・手順で仮焼粉末を作製した。

【０１０５】（比較例１４）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４
８ｍｏｌ％、ＣｕＯが１２ｍｏｌ％、及びＮｉＯが４０
ｍｏｌ％となるように夫々秤量したが、ＺｎＯ成分は含
有しないようにした。さらに、ＳｎＯ_２を０．５ｗｔ％
添加し、第１の実施例と同様の方法・手順で仮焼粉末を
作製した。

【０１０６】（比較例１５）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４
８ｍｏｌ％、ＺｎＯが２０ｍｏｌ％、ＣｕＯが１７ｍｏ
ｌ％、及びＮｉＯが１５ｍｏｌ％となるように夫々秤量
した。さらに、ＳｎＯ_２を０．５ｗｔ％添加し、第１の
実施例と同様の方法・手順で仮焼粉末を作製した。

【０１０７】（比較例１６）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４
８ｍｏｌ％、ＺｎＯが２０ｍｏｌ％、ＣｕＯが２ｍｏｌ
％、及びＮｉＯが３０ｍｏｌ％となるように夫々秤量し
た。さらに、ＳｎＯ _２を０．５ｗｔ％添加し、第１の実
施例と同様の方法・手順で仮焼粉末を作製した。

【０１０８】表３は、作製された各実施例及び比較例の
成分組成を示している。

【０１０９】

【表３】 そして、第１の実施例と同様にして、角型トロイダルコ
ア及び円形トロイダルコアを作製し、焼結密度、初透磁
率の変化率Δμを算出し、また直流重畳特性を評価し
た。

【０１１０】さらに、本第２の実施例では、示差熱分析
でキュリー温度を測定し、さらに、四端子法で比抵抗を
測定した。

【０１１１】表４はその測定結果を示している。

【０１１２】

【表４】 比較例１１は、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量が５２ｍｏｌ％と多
く、５０ｍｏｌ％を超えているため、焼結密度が５．０
０ｇ／ｃｍ^３未満となり、焼結不足と判断し、その他の
各種測定は行わなかった。

【０１１３】比較例１２は、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量が４３
ｍｏｌ％と少なく、４５ｍｏｌ％未満であるため、比抵
抗が３×１０^７Ω・ｃｍと小さく、コア損失が大きくな
ることが分かった。

【０１１４】比較例１３は、ＺｎＯの含有量が３３ｍｏ
ｌ％と多く、３２ｍｏｌ％を超えているため、キュリー
温度が１０５℃と低く、１２０℃に達していないため、
所望の磁気特性を得ることができない。

【０１１５】比較例１４は、ＺｎＯが含有されていない
ため、焼結密度が５．００ｇ／ｃｍ ^３未満となり、焼結
不足と判断し、その他の各種測定は行わなかった。

【０１１６】比較例１５は、ＣｕＯの含有量が１７ｍｏ
ｌ％と多く、１５ｍｏｌ％を超えているため、比抵抗が
５×１０^７Ω・ｃｍと小さく、コア損失が大きくなるこ
とが分かった。

【０１１７】比較例１６は、ＣｕＯの含有量が２ｍｏｌ
％と少なく、５ｍｏｌ％未満であるため、焼結密度が
５．００ｇ／ｃｍ^３未満となり、焼結不足と判断し、そ
の他の各種測定は行わなかった。

【０１１８】これに対して、実施例１１〜１６は、Ｆｅ
_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯの各主成分組成が本発
明の範囲内であるので、焼結密度は５．００ｇ／ｃｍ^３
以上を確保することができ、初透磁率の変化率Δμは±
１０％以内に抑制することができた。

【０１１９】また、実施例１１〜１６は、Ａ値が３．７
以下であることから、良好な直流重畳特性を得ることが
できる。しかも、キュリー温度は、少なくとも１２０℃
を確保することができると共に、比抵抗も１×１０^８Ω
・ｃｍを確保することができる。これにより、種々の磁
気特性、直流重畳特性に優れたフェライト材料を得られ
ることが分かった。

【０１２０】〔第３の実施例〕 （実施例２１）組成物中のＦｅ_２Ｏ_３が４８ｍｏｌ％、
ＺｎＯが１７ｍｏｌ％、ＣｕＯが９ｍｏｌ％、及びＮｉ
Ｏが２６ｍｏｌ％となるように夫々秤量した。さらに、
ＳｎＯ _２の添加量が１ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３の添加量が
０．２５ｗｔ％となるように秤量し、上記第１の実施例
と同様の方法・手順で角型トロイダルコア及び円形トロ
イダルコアを作製した。

【０１２１】（比較例２１）実施例２１において、Ｓｎ
Ｏ_２が添加されない角型トロイダルコア及び円形トロイ
ダルコアを作製した。

【０１２２】次に、これら角型トロイダルコア及び円形
トロイイダルコアについて、第１の実施例と同様、初透
磁率μ_ｉ、圧縮応力を負荷した場合の初透磁率、直流電
流を通電してゆき、インダクタンスが３０％低下した場
合の電流値Ｉ_３０、残留磁束密度Ｂｒ、及び保磁力Ｈｃ
を測定し、初透磁率の変化率Δμ、及びＡ値を算出し
た。

【０１２３】表５は、実施例２１及び比較例２１の成分
組成を示し、表６はその測定結果を示している。

【０１２４】

【表５】

【０１２５】

【表６】 この表６から明らかなように、比較例２１では、４０Ｍ
Ｐａの圧縮応力が負荷された場合の初透磁率の変化率Δ
μが−２５％と大きいのに対し、実施例２１では−３％
と±１０％以内に抑制することができる。

【０１２６】図１１は、本第３の実施例の直流重畳特性
を示す特性図であって、横軸は電流Ｉ、縦軸はインダク
タンスの変化率ΔＬを示している。また、図中、実線は
実施例２１、破線は比較例２１を示している。

【０１２７】この図１１から明らかなように、各試験片
に直流電流を通電してゆき、インダクタンスが３０％低
下した場合、ＳｎＯ_２の添加されていない比較例２１で
は、電流値Ｉ_３０が５４０ｍＡである。これに対して、
ＳｎＯ_２が１ｗｔ％添加されている実施例２１は７１０
ｍＡであり、組成比が略同様の実施例１０（第１の実施
例、表１及び表２）と同様の直流重畳特性を得ることが
できる。すなわち、Ｂｉ_２Ｏ_３のようなＳｎＯ_２以外の
物質が添加された場合であっても、上述したＳｎＯ_２の
添加による作用効果が損なわれないことが分かった。

【０１２８】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明に係る酸
化物磁性材料は、主成分組成が、Ｆｅ _２Ｏ_３：４５〜５
０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜３２ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５〜
１５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部、からなり、且つ前記主成
分組成の組成比総和に対し、ＳｎＯ_２が０．２〜３ｗｔ
％添加されているので、大きな外部応力が負荷された場
合でも、初透磁率の変化率を抑制することができる。し
たがって、閉磁路を形成する場合でも、外部応力に対し
てインダクタンスの変化率が小さくなり、磁気特性を向
上させることができる。また、直流電流を通電した場合
のインダクタンスの変化率も、従来に比べて小さく、直
流重畳特性を改善することができる。

【０１２９】さらに、本発明の酸化物磁性材料は、閉磁
路形成時における外部からの応力負荷（４０ＭＰａ）に
対し、初透磁率の変化率Δμが±１０％以内であるの
で、閉磁路を形成した積層型電子部品に適用した場合
も、インダクタンスの変化が小さく、所望の磁気特性を
確保することができる。

【０１３０】また、本発明の酸化物磁性材料は、残留磁
束密度をＢｒ（Ｔ）、保磁力をＨｃ（Ａ／ｍ）、外部応
力が負荷されていないときの初透磁率をμ_ｉ、及び真空
透磁率をμ_０とした場合、Ｂｒ／（μ_０・μ_ｉ・Ｈｃ）
≦３．７（但し、μ_０＝４π×１０^−７（Ｈ／ｍ））で
あるので、透磁率μの影響を受けることなく、直流重畳
特性を数値により、定量的且つ普遍的に評価することが
できる。

【０１３１】また、本発明に係る積層型電子部品は、上
記酸化物磁性材料を使用して形成されているので、４０
ＭＰａのような大きな外部応力に対しても初透磁率の変
化率が小さい。したがって、大きな外部応力に対して
も、インダクタンスの変化が抑制され、これにより、所
望の磁気特性を確保することができ、しかも直流重畳特
性にも優れた積層型電子部品を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る酸化物磁性材料の直流重畳特性を
説明するためのＢ−Ｈ曲線である。

【図２】本発明に係る積層型電子部品の一実施の形態と
しての積層型ＬＣ複合部品の斜視図である。

【図３】図２のＸ−Ｘ断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例に使用した角型トロイダ
ルコアの正面図である。

【図５】圧縮応力を負荷したときの初透磁率の測定方法
を説明するための説明図である。

【図６】図４のＹ−Ｙ断面図である。

【図７】本発明の第１の実施例における圧縮応力と初透
磁率の変化率との関係の一例を比較例と共に示した特性
図（その１）である。

【図８】本発明の第１の実施例における圧縮応力と初透
磁率の変化率との関係の一例を比較例と共に示した特性
図（その２）である。

【図９】本発明の第１の実施例における直流重畳特性の
一例を示した特性図である。

【図１０】本発明の第１の実施例における減磁特性の一
例を比較例と共に示したＢ−Ｈ曲線である。

【図１１】本発明の第３の実施例における直流重畳特性
の一例を示した特性図である。

【手続補正書】

【提出日】平成１４年３月２７日（２００２．３．２
７）

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３】

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図８

【補正方法】変更

【補正内容】

【図８】

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図９】

【手続補正６】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１０】

【手続補正７】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新居 嗣朗 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 児玉 高志 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G018 AA23 AA24 AA25 AA33 5E041 AB11 CA01 NN02 5E070 AA01 BA12 CB13

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主成分組成が、 Ｆｅ_２Ｏ_３：４５〜５０ｍｏｌ％、 ＺｎＯ：１〜３２ｍｏｌ％、 ＣｕＯ：５〜１５ｍｏｌ％、 ＮｉＯ：残部、 からなり、且つ前記主成分組成の組成比総和に対し、Ｓ
   ｎＯ_２が０．２〜３ｗｔ％添加されていることを特徴と
   する酸化物磁性材料。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の酸化物磁性材料を用い
   て形成されていることを特徴とする積層型電子部品。