JP2003264333A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的及び熱的に安定で、薬品耐性に優れた
低反射膜を出射端面に備え、出射端面の光学損傷の発生
を抑制し、長期間にわたって安定して動作する半導体レ
ーザ素子を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ素子１０は、半導体基板
１２上に活性層１４を有する共振器構造１６を備えた端
面発光型の６５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ素子であっ
て、共振器構造の出射端面に低反射３層膜１８を、後端
面に高反射多層膜２０をそれぞれ備えている。低反射３
層膜１８は、出射端面上に順次スパッタ法によって成膜
された膜厚１０ｎｍの第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、膜厚１
９０ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び膜厚１０ｎｍの第２
のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃの３層積層膜として構成され、端面
反射率が１０％になるように設定されている。後端面に
設けた高反射多層膜２０は、Ａｌ2Ｏ3膜２０ａと、ａ−
Ｓｉ膜２０ｂの多層膜構造として構成されている。
低反射膜を出射端面に備え、出射端面の光学損傷の発生
を抑制し、長期間にわたって安定して動作する半導体レ
ーザ素子を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ素子１０は、半導体基板
１２上に活性層１４を有する共振器構造１６を備えた端
面発光型の６５０ｎｍ帯赤色半導体レーザ素子であっ
て、共振器構造の出射端面に低反射３層膜１８を、後端
面に高反射多層膜２０をそれぞれ備えている。低反射３
層膜１８は、出射端面上に順次スパッタ法によって成膜
された膜厚１０ｎｍの第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、膜厚１
９０ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び膜厚１０ｎｍの第２
のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃの３層積層膜として構成され、端面
反射率が１０％になるように設定されている。後端面に
設けた高反射多層膜２０は、Ａｌ2Ｏ3膜２０ａと、ａ−
Ｓｉ膜２０ｂの多層膜構造として構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、端面出射型半導体
レーザ素子に関し、更に詳細には、光学損傷による出射
端面の劣化を抑制して、高出力で長期間にわたり安定し
て動作する半導体レーザ素子に関するものである。
レーザ素子に関し、更に詳細には、光学損傷による出射
端面の劣化を抑制して、高出力で長期間にわたり安定し
て動作する半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ系の端面出射型半導体レーザ素
子では、光出力を増大するために、注入電流を増して行
くと、光出力が急激に減少する現象が発生する。これ
は、半導体レーザ素子の出射端面の光学損傷（ＣＯＤ：
Catastrophic Optical Damage ）によるもので、以下の
ようなメカニズムで発生するものと考えられている。す
なわち、半導体レーザ素子の出射端面には高密度の表面
準位が存在するので、電流注入すると、この表面準位を
介して非発光再結合電流が流れる。そのため、出射端面
近傍でのキャリア密度はレーザ内部に比べて低くなり、
光の吸収が生じる。この光吸収によって発熱が生じ、出
射端面付近の温度が上昇するので、出射端面付近でのバ
ンドギャップ・エネルギーが減少し、更に一層光吸収が
増大する。この正帰還ループによって、出射端面の温度
が極端に上昇して、終には出射端面が融解してしまい、
レーザ発振が停止する。また、光吸収は、出射端面の酸
化及び空格子等の点欠陥の発生によって増加すると言わ
れている。そこで、従来、光学損傷の発生を防止するた
めに、出射端面に低反射膜を形成して、出来るだけ外部
にレーザ光を取り出すようにする対策が施されている。
子では、光出力を増大するために、注入電流を増して行
くと、光出力が急激に減少する現象が発生する。これ
は、半導体レーザ素子の出射端面の光学損傷（ＣＯＤ：
Catastrophic Optical Damage ）によるもので、以下の
ようなメカニズムで発生するものと考えられている。す
なわち、半導体レーザ素子の出射端面には高密度の表面
準位が存在するので、電流注入すると、この表面準位を
介して非発光再結合電流が流れる。そのため、出射端面
近傍でのキャリア密度はレーザ内部に比べて低くなり、
光の吸収が生じる。この光吸収によって発熱が生じ、出
射端面付近の温度が上昇するので、出射端面付近でのバ
ンドギャップ・エネルギーが減少し、更に一層光吸収が
増大する。この正帰還ループによって、出射端面の温度
が極端に上昇して、終には出射端面が融解してしまい、
レーザ発振が停止する。また、光吸収は、出射端面の酸
化及び空格子等の点欠陥の発生によって増加すると言わ
れている。そこで、従来、光学損傷の発生を防止するた
めに、出射端面に低反射膜を形成して、出来るだけ外部
にレーザ光を取り出すようにする対策が施されている。
【０００３】例えば、第２８７０４８６号特許公報（以
下、第１の従来例と言う）によれば、Ａｌ2Ｏ3膜とＳｉ
3Ｎ4膜とでは、相互に反対方向の応力がそれぞれに生じ
るので、Ａｌ2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜とを積層した積層膜で
は、Ａｌ2Ｏ3膜に生じた歪応力とＳｉ3Ｎ4膜に生じた歪
応力とが打ち消し合って積層膜全体の歪応力を消失させ
ることができる。そこで、半導体レーザ素子の出射端面
にＡｌ2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜の２層膜を積層することによ
って出射端面に生じる歪応力を低減させ、応力歪みに起
因する空格子欠陥等の点欠陥の発生を抑制し、安定な誘
電体−化合物半導体界面を形成することにより、ＣＯＤ
による出射端面の劣化を抑制することができるとしてい
る。
下、第１の従来例と言う）によれば、Ａｌ2Ｏ3膜とＳｉ
3Ｎ4膜とでは、相互に反対方向の応力がそれぞれに生じ
るので、Ａｌ2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜とを積層した積層膜で
は、Ａｌ2Ｏ3膜に生じた歪応力とＳｉ3Ｎ4膜に生じた歪
応力とが打ち消し合って積層膜全体の歪応力を消失させ
ることができる。そこで、半導体レーザ素子の出射端面
にＡｌ2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜の２層膜を積層することによ
って出射端面に生じる歪応力を低減させ、応力歪みに起
因する空格子欠陥等の点欠陥の発生を抑制し、安定な誘
電体−化合物半導体界面を形成することにより、ＣＯＤ
による出射端面の劣化を抑制することができるとしてい
る。
【０００４】また、特開平６−２２４５１４号公報（以
下、第２の従来例と言う）は、熱伝導率が比較的高いＳ
ｉ膜と、熱伝導率が比較的低いＡｌ2Ｏ3膜との２層膜を
半導体レーザ素子の後端面に高反射コーティング膜とし
て設け、Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚をλ／ｎ1 （λ：波長、
ｎ1 ：Ａｌ2Ｏ3の屈折率）より薄くし、Ｓｉ膜の膜厚を
λ／ｎ2 （λ：波長、ｎ2 ：Ｓｉの屈折率）より厚くし
て、高反射コーティング膜全体の熱伝導率を高めること
により、半導体レーザ素子の放熱性を改良することがで
きるとしている。
下、第２の従来例と言う）は、熱伝導率が比較的高いＳ
ｉ膜と、熱伝導率が比較的低いＡｌ2Ｏ3膜との２層膜を
半導体レーザ素子の後端面に高反射コーティング膜とし
て設け、Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚をλ／ｎ1 （λ：波長、
ｎ1 ：Ａｌ2Ｏ3の屈折率）より薄くし、Ｓｉ膜の膜厚を
λ／ｎ2 （λ：波長、ｎ2 ：Ｓｉの屈折率）より厚くし
て、高反射コーティング膜全体の熱伝導率を高めること
により、半導体レーザ素子の放熱性を改良することがで
きるとしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した第
１の従来例には、以下のような問題があった。すなわ
ち、第１の従来例は、出射端面に発生した歪応力をＡｌ
2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜との積層膜によって打ち消すことに
より、ＣＯＤによる出射端面の劣化を抑制している。従
って、Ａｌ2Ｏ3の屈折率（ｎ＝１．６）、及びＳｉ3Ｎ4
の屈折率（ｎ＝２．１）に基づいて、所定の発光波長に
対する端面反射率が所望値になり、しかも歪応力を打ち
消し合うように、Ａｌ2Ｏ3膜及びＳｉ3Ｎ4膜の膜厚及び
成膜条件を設定することが必要である。
１の従来例には、以下のような問題があった。すなわ
ち、第１の従来例は、出射端面に発生した歪応力をＡｌ
2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜との積層膜によって打ち消すことに
より、ＣＯＤによる出射端面の劣化を抑制している。従
って、Ａｌ2Ｏ3の屈折率（ｎ＝１．６）、及びＳｉ3Ｎ4
の屈折率（ｎ＝２．１）に基づいて、所定の発光波長に
対する端面反射率が所望値になり、しかも歪応力を打ち
消し合うように、Ａｌ2Ｏ3膜及びＳｉ3Ｎ4膜の膜厚及び
成膜条件を設定することが必要である。
【０００６】しかし、端面反射率及び歪応力の打ち消し
の双方を満足させるＡｌ2Ｏ3膜及びＳｉ3Ｎ4膜の膜厚及
び成膜条件を選択することは、実際には極めて難しいと
いう問題があった。また、Ａｌ2Ｏ3膜及びＳｉ3Ｎ4膜の
成膜条件の自由度が小さいので、成膜が難しいという問
題もあった。このために、発光波長、端面反射率、用途
が異なる半導体レーザ素子全般に第１の従来例を適用す
ることは、実際には困難であって、実用的ではない。
の双方を満足させるＡｌ2Ｏ3膜及びＳｉ3Ｎ4膜の膜厚及
び成膜条件を選択することは、実際には極めて難しいと
いう問題があった。また、Ａｌ2Ｏ3膜及びＳｉ3Ｎ4膜の
成膜条件の自由度が小さいので、成膜が難しいという問
題もあった。このために、発光波長、端面反射率、用途
が異なる半導体レーザ素子全般に第１の従来例を適用す
ることは、実際には困難であって、実用的ではない。
【０００７】また、化学的及び熱的に不安定なＳｉ3Ｎ4
が露出しているので、後続のプロセス工程、例えば洗浄
工程での薬品耐性が低くなり、生産歩留まりが悪化し、
更には、半導体レーザ素子の駆動に伴った大気による酸
化進行により光学特性が変化するという問題もあった。
更に、重要なことには、第１の従来例の低反射多層膜を
設けた半導体レーザ素子では、レーザ特性が劣化し易
く、長期間にわたって安定して動作させることが難しい
という問題があった。
が露出しているので、後続のプロセス工程、例えば洗浄
工程での薬品耐性が低くなり、生産歩留まりが悪化し、
更には、半導体レーザ素子の駆動に伴った大気による酸
化進行により光学特性が変化するという問題もあった。
更に、重要なことには、第１の従来例の低反射多層膜を
設けた半導体レーザ素子では、レーザ特性が劣化し易
く、長期間にわたって安定して動作させることが難しい
という問題があった。
【０００８】一方、第２の従来例は、半導体レーザ素子
の後端面に設ける高反射膜が対象であって、半導体レー
ザ素子の出射端面に適用することは技術的に無理があ
る。また、仮に第２の従来例を出射端面に適用したとし
ても、Ｓｉ膜は０．８μｍ帯以下の波長で光吸収が生じ
ることから、第２の従来例を適用する半導体レーザ素子
の発光波長範囲は限定されることになる。
の後端面に設ける高反射膜が対象であって、半導体レー
ザ素子の出射端面に適用することは技術的に無理があ
る。また、仮に第２の従来例を出射端面に適用したとし
ても、Ｓｉ膜は０．８μｍ帯以下の波長で光吸収が生じ
ることから、第２の従来例を適用する半導体レーザ素子
の発光波長範囲は限定されることになる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、化学的及び熱的
に安定し、適用波長範囲の広い低反射膜を設けることに
より、出射端面の光学損傷の発生を抑制し、長期間にわ
たって安定して動作する半導体レーザ素子を提供するこ
とである。
に安定し、適用波長範囲の広い低反射膜を設けることに
より、出射端面の光学損傷の発生を抑制し、長期間にわ
たって安定して動作する半導体レーザ素子を提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、第１の従来
例の半導体レーザ素子で生じる動作不安定性を調べたと
ころ、次のことが判った。すなわち、Ａｌ2Ｏ3／Ｓｉ3
Ｎ4の２層構造では、パーティクルが付着し易いＳｉ3Ｎ
4膜が露出している。そのために、２層構造を形成した
後の後続プロセス、例えば洗浄工程、或いは劈開して得
たレーザバーをヒートシンクに融着してダイシングし、
チップ化する工程で、多数個のパーティクルがＳｉ3Ｎ4
膜上に付着する。付着したパーティクルは、出射端面か
ら出射されるレーザ光に干渉したり、場合によってはレ
ーザ光を吸収して発熱し、レーザ特性の劣化を引き起こ
す。このために、半導体レーザ素子が安定して動作しな
いことが判った。
例の半導体レーザ素子で生じる動作不安定性を調べたと
ころ、次のことが判った。すなわち、Ａｌ2Ｏ3／Ｓｉ3
Ｎ4の２層構造では、パーティクルが付着し易いＳｉ3Ｎ
4膜が露出している。そのために、２層構造を形成した
後の後続プロセス、例えば洗浄工程、或いは劈開して得
たレーザバーをヒートシンクに融着してダイシングし、
チップ化する工程で、多数個のパーティクルがＳｉ3Ｎ4
膜上に付着する。付着したパーティクルは、出射端面か
ら出射されるレーザ光に干渉したり、場合によってはレ
ーザ光を吸収して発熱し、レーザ特性の劣化を引き起こ
す。このために、半導体レーザ素子が安定して動作しな
いことが判った。
【００１１】ところで、ＣＯＤによる出射端面の劣化の
原因は、前述したように、出射端面でのキャリア密度の
低下及びそれに伴う光の吸収に起因して、出射端面が温
度上昇することである。従って、第１の従来例のよう
に、歪応力を打ち消してＣＯＤによる出射端面の劣化を
抑制するより、寧ろ、誘電体膜からなる低反射膜の熱伝
導率を高めて放熱性を向上させ、局所的な温度上昇を抑
制する方が、ＣＯＤによる出射端面の劣化の抑制に有効
である。
原因は、前述したように、出射端面でのキャリア密度の
低下及びそれに伴う光の吸収に起因して、出射端面が温
度上昇することである。従って、第１の従来例のよう
に、歪応力を打ち消してＣＯＤによる出射端面の劣化を
抑制するより、寧ろ、誘電体膜からなる低反射膜の熱伝
導率を高めて放熱性を向上させ、局所的な温度上昇を抑
制する方が、ＣＯＤによる出射端面の劣化の抑制に有効
である。
【００１２】そこで、本発明者は、通常、３５％以下の
低反射コート膜にはＡｌ2Ｏ3膜の単層構造が用いられる
ことに注目し、低反射コート膜としてＡｌ2Ｏ3膜を使用
して、かつＡｌ2Ｏ3膜の熱伝導率を良好にするために、
熱伝導率がＡｌ2Ｏ3膜より高い誘電体膜、例えばＳｉ3
Ｎ4膜を積層することを考えた。更に言えば、Ａｌ2Ｏ3
膜を出射端面上の第１の膜とするのは、Ａｌ2Ｏ3膜が共
振器端面との密着性が高く、広い波長範囲で透明性を有
し、熱的及び化学的に安定であって、化合物半導体結晶
と容易に化合しないからである。更に、Ｓｉ3Ｎ4膜が露
出していると、パーティクル付着性が強く、薬品耐性、
化学的及び熱的安定性が乏しくなるので、Ｓｉ3Ｎ4膜上
にＡｌ2Ｏ3膜を保護膜として積層することを着想した。
そして、本発明者は、実験を重ねて、その有効性を確認
し、更に着想を発展させて、本発明を発明するに到っ
た。
低反射コート膜にはＡｌ2Ｏ3膜の単層構造が用いられる
ことに注目し、低反射コート膜としてＡｌ2Ｏ3膜を使用
して、かつＡｌ2Ｏ3膜の熱伝導率を良好にするために、
熱伝導率がＡｌ2Ｏ3膜より高い誘電体膜、例えばＳｉ3
Ｎ4膜を積層することを考えた。更に言えば、Ａｌ2Ｏ3
膜を出射端面上の第１の膜とするのは、Ａｌ2Ｏ3膜が共
振器端面との密着性が高く、広い波長範囲で透明性を有
し、熱的及び化学的に安定であって、化合物半導体結晶
と容易に化合しないからである。更に、Ｓｉ3Ｎ4膜が露
出していると、パーティクル付着性が強く、薬品耐性、
化学的及び熱的安定性が乏しくなるので、Ｓｉ3Ｎ4膜上
にＡｌ2Ｏ3膜を保護膜として積層することを着想した。
そして、本発明者は、実験を重ねて、その有効性を確認
し、更に着想を発展させて、本発明を発明するに到っ
た。
【００１３】上記目的を達成するために、上述の知見に
基づいて、本発明に係る半導体レーザ素子は、一対の共
振器端面を有する端面発光型半導体レーザ素子におい
て、第１の誘電体膜、第１の誘電体膜より熱伝導率の高
い第２の誘電体膜、及び第２の誘電体膜より熱伝導率の
低い第３の誘電体膜の誘電体３層膜からなる低反射多層
膜が、共振器端面の一方の出射端面上に設けられている
ことを特徴としている。
基づいて、本発明に係る半導体レーザ素子は、一対の共
振器端面を有する端面発光型半導体レーザ素子におい
て、第１の誘電体膜、第１の誘電体膜より熱伝導率の高
い第２の誘電体膜、及び第２の誘電体膜より熱伝導率の
低い第３の誘電体膜の誘電体３層膜からなる低反射多層
膜が、共振器端面の一方の出射端面上に設けられている
ことを特徴としている。
【００１４】本発明では、第１の誘電体膜は低反射膜と
して機能する。第１の誘電体膜より熱伝導率の高い第２
の誘電体膜は熱伝導膜として機能する。これにより、出
射端面で発生した熱は第１の誘電体膜を介して熱伝導膜
である第２の誘電体膜に伝達され、続いて第２の誘電体
膜を経由して外部に放出される。第３の誘電体膜は第２
の誘電体膜の保護膜として機能し、第２の誘電体膜にパ
ーティクルが付着したり、洗浄等の後続プロセスで第２
の誘電体膜が損傷するのを防止している。本発明に係る
半導体レーザ素子では、以上の構成により、出射端面の
端面反射率を３５％以下に、更には１０％以下にするこ
とができる。
して機能する。第１の誘電体膜より熱伝導率の高い第２
の誘電体膜は熱伝導膜として機能する。これにより、出
射端面で発生した熱は第１の誘電体膜を介して熱伝導膜
である第２の誘電体膜に伝達され、続いて第２の誘電体
膜を経由して外部に放出される。第３の誘電体膜は第２
の誘電体膜の保護膜として機能し、第２の誘電体膜にパ
ーティクルが付着したり、洗浄等の後続プロセスで第２
の誘電体膜が損傷するのを防止している。本発明に係る
半導体レーザ素子では、以上の構成により、出射端面の
端面反射率を３５％以下に、更には１０％以下にするこ
とができる。
【００１５】本発明の好適な実施態様では、第１の誘電
体膜は、Ａｌ2Ｏ3膜、ＺｒＯ2 膜、ＨｆＯ2 膜、及びＡ
ｌＮ膜のいずれかである。また、第２の誘電体膜は、Ｓ
ｉ3Ｎ4膜、ＡｌＮ膜、ＧａＮ膜、及びＳｉＣ膜のいずれ
かである。更に、第３の誘電体膜は、Ａｌ2Ｏ3膜、Ｚｒ
Ｏ2 膜、ＨｆＯ2 膜、及びＳｉＯ 2 膜のいずれかであ
る。第１の誘電体膜及び第３の誘電体膜は、同じ組成の
膜でも、異なる組成の膜でも良く、膜厚も同じである必
要はない。
体膜は、Ａｌ2Ｏ3膜、ＺｒＯ2 膜、ＨｆＯ2 膜、及びＡ
ｌＮ膜のいずれかである。また、第２の誘電体膜は、Ｓ
ｉ3Ｎ4膜、ＡｌＮ膜、ＧａＮ膜、及びＳｉＣ膜のいずれ
かである。更に、第３の誘電体膜は、Ａｌ2Ｏ3膜、Ｚｒ
Ｏ2 膜、ＨｆＯ2 膜、及びＳｉＯ 2 膜のいずれかであ
る。第１の誘電体膜及び第３の誘電体膜は、同じ組成の
膜でも、異なる組成の膜でも良く、膜厚も同じである必
要はない。
【００１６】本発明では、出射端面に発生した応力を出
射端面に設けた低反射多層膜によって低減する必要はな
いので、第１の従来例のように、端面反射率が所要値に
なるように、かつ、出射端面に発生した歪応力を打ち消
し合うように、第１の誘電体膜と第２の誘電体膜との膜
厚及び成膜条件を、例えばＡｌ2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜との
膜厚及び成膜条件を設定する必要はない。本発明では、
誘電体膜の端面反射率が誘電体膜の膜厚変化に対して周
期的に変化すること、換言すれば所定の端面反射率を示
す誘電体膜の膜厚は薄膜から厚膜に段階的に変化するこ
とを利用して、低反射３層膜の端面反射率が所望の値に
なるように、第１の誘電体膜、例えばＡｌ2Ｏ3膜より熱
伝導率の高い第２の誘電体膜の膜厚を段階的に変化する
複数個の膜厚から選択することができる。従って、熱伝
導性を考慮し、所要の端面反射率を有する誘電体膜の膜
厚を容易に設定することができる。例えば、熱伝導度の
低いＡｌ2Ｏ3膜の膜厚を１０ｎｍの薄膜にし、熱伝導率
の高い誘電体膜を厚膜に設定することにより、所望の端
面反射率を有し、しかも全体的な熱伝導率の高い低反射
３層膜を得ることができる。
射端面に設けた低反射多層膜によって低減する必要はな
いので、第１の従来例のように、端面反射率が所要値に
なるように、かつ、出射端面に発生した歪応力を打ち消
し合うように、第１の誘電体膜と第２の誘電体膜との膜
厚及び成膜条件を、例えばＡｌ2Ｏ3膜とＳｉ3Ｎ4膜との
膜厚及び成膜条件を設定する必要はない。本発明では、
誘電体膜の端面反射率が誘電体膜の膜厚変化に対して周
期的に変化すること、換言すれば所定の端面反射率を示
す誘電体膜の膜厚は薄膜から厚膜に段階的に変化するこ
とを利用して、低反射３層膜の端面反射率が所望の値に
なるように、第１の誘電体膜、例えばＡｌ2Ｏ3膜より熱
伝導率の高い第２の誘電体膜の膜厚を段階的に変化する
複数個の膜厚から選択することができる。従って、熱伝
導性を考慮し、所要の端面反射率を有する誘電体膜の膜
厚を容易に設定することができる。例えば、熱伝導度の
低いＡｌ2Ｏ3膜の膜厚を１０ｎｍの薄膜にし、熱伝導率
の高い誘電体膜を厚膜に設定することにより、所望の端
面反射率を有し、しかも全体的な熱伝導率の高い低反射
３層膜を得ることができる。
【００１７】本発明は、基板、及び基板上に形成された
共振器構造を構成する化合物半導体層の組成に制約無く
適用でき、例えばＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系の半導体レーザ素子に好適に適用できる。ま
た、埋め込み型、エアリッジ型等のレーザストライプの
構成に制約無く適用できる。更には、本発明は、端面出
射型半導体レーザ素子である限り、広い発光波長範囲で
適用でき、例えば４００ｎｍ、６５０ｎｍ、７８０ｎ
ｍ、８５０ｎｍ、９８０ｎｍ等の広範囲な発光波長の半
導体レーザ素子に適用することができる。
共振器構造を構成する化合物半導体層の組成に制約無く
適用でき、例えばＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系の半導体レーザ素子に好適に適用できる。ま
た、埋め込み型、エアリッジ型等のレーザストライプの
構成に制約無く適用できる。更には、本発明は、端面出
射型半導体レーザ素子である限り、広い発光波長範囲で
適用でき、例えば４００ｎｍ、６５０ｎｍ、７８０ｎ
ｍ、８５０ｎｍ、９８０ｎｍ等の広範囲な発光波長の半
導体レーザ素子に適用することができる。
【００１８】低反射３層膜全体の熱伝導率を向上させる
ためには、熱伝導率の低い第１の誘電体膜の膜厚は、出
来る限り薄い方が好ましいものの、表面を完全に被膜
し、ピンホールなどが発生しない膜厚にするために、第
１の誘電体膜の膜厚は５ｎｍ以上か好ましい。例えばＡ
ｌ2Ｏ3膜であれは、その膜厚を５ｎｍ以上とする。ま
た、第３の誘電体膜の膜厚は、表面保護層として薬品耐
性があり、大気中からの酸化進行を抑制するために、例
えばＡｌ2Ｏ3膜であれば、その膜厚は５ｎｍ以上が好ま
しい。第１及び第３の誘電体膜の膜種、膜厚を設定した
のち、熱伝導性を考慮して、所定の端面反射率を示して
段階的に薄から厚に変化する複数個の膜厚から第２の誘
電体膜の膜厚を選択することにより、所定の端面反射率
を有し、しかも熱伝導性の良好な低反射３層膜を構成す
ることができる。更に、本発明では、第１の従来例のよ
うに歪応力を打ち消す必要はないので、成膜条件を比較
的自由に設定することができる。
ためには、熱伝導率の低い第１の誘電体膜の膜厚は、出
来る限り薄い方が好ましいものの、表面を完全に被膜
し、ピンホールなどが発生しない膜厚にするために、第
１の誘電体膜の膜厚は５ｎｍ以上か好ましい。例えばＡ
ｌ2Ｏ3膜であれは、その膜厚を５ｎｍ以上とする。ま
た、第３の誘電体膜の膜厚は、表面保護層として薬品耐
性があり、大気中からの酸化進行を抑制するために、例
えばＡｌ2Ｏ3膜であれば、その膜厚は５ｎｍ以上が好ま
しい。第１及び第３の誘電体膜の膜種、膜厚を設定した
のち、熱伝導性を考慮して、所定の端面反射率を示して
段階的に薄から厚に変化する複数個の膜厚から第２の誘
電体膜の膜厚を選択することにより、所定の端面反射率
を有し、しかも熱伝導性の良好な低反射３層膜を構成す
ることができる。更に、本発明では、第１の従来例のよ
うに歪応力を打ち消す必要はないので、成膜条件を比較
的自由に設定することができる。
【００１９】本発明では、誘電体膜の端面反射率は誘電
体膜の膜厚変化に対して周期的に変化することを利用し
て、上述したように、低反射３層膜を構成する第１の誘
電体膜、第１の誘電体膜より熱伝導率の高い第２の誘電
体膜、及び第３の誘電体膜の膜厚を自由に変えることが
できる。第１及び第３の誘電体膜の厚さを設定し、かつ
低反射３層膜の端面反射率を設定したとき、熱伝導率の
高いＳｉ3Ｎ4膜等の第２の誘電体膜の膜厚を、所定の端
面反射率を有して薄い膜厚から厚い膜厚に段階的に変化
する複数個の所要膜厚の中から、熱伝導性を考慮して選
択した誘電体膜の膜厚に設定する。
体膜の膜厚変化に対して周期的に変化することを利用し
て、上述したように、低反射３層膜を構成する第１の誘
電体膜、第１の誘電体膜より熱伝導率の高い第２の誘電
体膜、及び第３の誘電体膜の膜厚を自由に変えることが
できる。第１及び第３の誘電体膜の厚さを設定し、かつ
低反射３層膜の端面反射率を設定したとき、熱伝導率の
高いＳｉ3Ｎ4膜等の第２の誘電体膜の膜厚を、所定の端
面反射率を有して薄い膜厚から厚い膜厚に段階的に変化
する複数個の所要膜厚の中から、熱伝導性を考慮して選
択した誘電体膜の膜厚に設定する。
【００２０】以上のことから、本発明では、第１の誘電
体膜の膜厚は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあり、
かつ第２の誘電体膜の膜厚は５０ｎｍ以上４００ｎｍ以
下の範囲にある。例えば、第１の誘電体膜として５ｎｍ
以上１００ｎｍ以下の範囲の膜厚のＡｌ 2Ｏ3膜を使用
し、第２の誘電体膜として５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下
の範囲の膜厚のＳｉ3Ｎ4膜を使用する。第１の誘電体膜
として使用するＡｌ2Ｏ3膜の膜厚を１００ｎｍ以下にし
たのは、１００ｎｍ以上の膜厚になると第１の誘電体膜
の熱伝導性が低下するからであり、Ｓｉ3Ｎ4膜の膜厚を
４００ｎｍ以下にしたのは、４００ｎｍを超える膜厚に
しても、熱伝導性がそれに応じて向上することがないか
らである。
体膜の膜厚は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にあり、
かつ第２の誘電体膜の膜厚は５０ｎｍ以上４００ｎｍ以
下の範囲にある。例えば、第１の誘電体膜として５ｎｍ
以上１００ｎｍ以下の範囲の膜厚のＡｌ 2Ｏ3膜を使用
し、第２の誘電体膜として５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下
の範囲の膜厚のＳｉ3Ｎ4膜を使用する。第１の誘電体膜
として使用するＡｌ2Ｏ3膜の膜厚を１００ｎｍ以下にし
たのは、１００ｎｍ以上の膜厚になると第１の誘電体膜
の熱伝導性が低下するからであり、Ｓｉ3Ｎ4膜の膜厚を
４００ｎｍ以下にしたのは、４００ｎｍを超える膜厚に
しても、熱伝導性がそれに応じて向上することがないか
らである。
【００２１】本発明で、第１の誘電体膜から第３の誘電
体膜の成膜は、既知のスパッタ法、ＣＶＤ法、ＥＢ蒸着
法等により行うことができる。なかでも、膜厚制御性の
良いスパッタ法が好ましい。
体膜の成膜は、既知のスパッタ法、ＣＶＤ法、ＥＢ蒸着
法等により行うことができる。なかでも、膜厚制御性の
良いスパッタ法が好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子の実施
形態の一例であって、図１（ａ）は本実施形態例の半導
体レーザ素子の出射端面の低反射３層膜及び後端面の高
反射多層膜の構成を示す模式的平面図、及び図１（ｂ）
は図１（ａ）の線Ｉ−Ｉでの断面図である。本実施形態
例の半導体レーザ素子１０は、図１に示すように、Ｇａ
Ａｓ基板等の化合物半導体基板１２上に活性層１４を有
する共振器構造１６を備えた端面発光型の６５０ｎｍ帯
赤色半導体レーザ素子であって、共振器構造の出射端面
に低反射３層膜１８を、後端面に高反射多層膜２０をそ
れぞれ備えている。後端面に設けた高反射多層膜２０
は、Ａｌ2Ｏ3膜２０ａと、ａ−Ｓｉ（アモルファス・シ
リコン）膜２０ｂの多層膜構造として構成されている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ素子の実施
形態の一例であって、図１（ａ）は本実施形態例の半導
体レーザ素子の出射端面の低反射３層膜及び後端面の高
反射多層膜の構成を示す模式的平面図、及び図１（ｂ）
は図１（ａ）の線Ｉ−Ｉでの断面図である。本実施形態
例の半導体レーザ素子１０は、図１に示すように、Ｇａ
Ａｓ基板等の化合物半導体基板１２上に活性層１４を有
する共振器構造１６を備えた端面発光型の６５０ｎｍ帯
赤色半導体レーザ素子であって、共振器構造の出射端面
に低反射３層膜１８を、後端面に高反射多層膜２０をそ
れぞれ備えている。後端面に設けた高反射多層膜２０
は、Ａｌ2Ｏ3膜２０ａと、ａ−Ｓｉ（アモルファス・シ
リコン）膜２０ｂの多層膜構造として構成されている。
【００２３】低反射３層膜１８は、出射端面上に順次ス
パッタ法によって成膜された第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、
Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃの３層
積層膜として構成され、端面反射率が１０％になるよう
に設定されている。ここで、第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、
Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃは、そ
れぞれ、本発明の第１の誘電体膜、第２の誘電体膜及び
第３の誘電体膜として機能する。
パッタ法によって成膜された第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、
Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃの３層
積層膜として構成され、端面反射率が１０％になるよう
に設定されている。ここで、第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、
Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃは、そ
れぞれ、本発明の第１の誘電体膜、第２の誘電体膜及び
第３の誘電体膜として機能する。
【００２４】低反射３層膜１８全体の熱伝導率を向上さ
せるためには、熱伝導率の低い第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ
及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｂの膜厚は出来る限り薄い方
が好ましいものの、出射端面を完全に被膜し、ピンホー
ルなどが発生しない膜厚にするために、第１のＡｌ2Ｏ3
膜１８ａの膜厚は、５ｎｍ以上が好ましいので、本実施
形態例では、１０ｎｍに設定されている。また、第２の
Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚は、低反射３層膜１８の表面保護層と
して薬品耐性があり、大気による酸化進行を抑制するた
めに、１０ｎｍ以上が好ましいので、本実施形態例で
は、１０ｎｍに設定されている。
せるためには、熱伝導率の低い第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ
及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｂの膜厚は出来る限り薄い方
が好ましいものの、出射端面を完全に被膜し、ピンホー
ルなどが発生しない膜厚にするために、第１のＡｌ2Ｏ3
膜１８ａの膜厚は、５ｎｍ以上が好ましいので、本実施
形態例では、１０ｎｍに設定されている。また、第２の
Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚は、低反射３層膜１８の表面保護層と
して薬品耐性があり、大気による酸化進行を抑制するた
めに、１０ｎｍ以上が好ましいので、本実施形態例で
は、１０ｎｍに設定されている。
【００２５】誘電体膜の端面反射率は誘電体膜の膜厚変
化に対して周期的に変化するので、端面反射率を１０％
に設定しても、低反射３層膜１８を構成する第１のＡｌ
2Ｏ3膜１８ａ、Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第２のＡｌ2Ｏ3
膜１８ｃの膜厚を自由に変えることができる。例えば、
第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ及び１８ｂの厚さを１
０ｎｍに設定したとき、低反射３層膜１８の端面反射率
を１０％にするＳｉ3Ｎ4膜１８ｂの所要膜厚は、以下の
関係に基づいて、３６、８５、１９０、２４０ｎｍ等に
なるので、熱伝導性を考慮してその中から選択すること
ができる。また、第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、１
８ｃの膜厚を５０ｎｍとしたときには、Ｓｉ3Ｎ4膜１８
ｂの所要膜厚は、２７、１３７、１８２、２９２ｎｍ等
になるので、熱伝導性を考慮してその中から選択するこ
とができる。
化に対して周期的に変化するので、端面反射率を１０％
に設定しても、低反射３層膜１８を構成する第１のＡｌ
2Ｏ3膜１８ａ、Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第２のＡｌ2Ｏ3
膜１８ｃの膜厚を自由に変えることができる。例えば、
第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ及び１８ｂの厚さを１
０ｎｍに設定したとき、低反射３層膜１８の端面反射率
を１０％にするＳｉ3Ｎ4膜１８ｂの所要膜厚は、以下の
関係に基づいて、３６、８５、１９０、２４０ｎｍ等に
なるので、熱伝導性を考慮してその中から選択すること
ができる。また、第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、１
８ｃの膜厚を５０ｎｍとしたときには、Ｓｉ3Ｎ4膜１８
ｂの所要膜厚は、２７、１３７、１８２、２９２ｎｍ等
になるので、熱伝導性を考慮してその中から選択するこ
とができる。
【００２６】低反射３層膜１８全体の熱伝導率を高める
ためには、Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂの膜厚は５０ｎｍ以上が好
ましいので、第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、１８ｃ
を１０ｎｍに設定した本実施形態例では、上述の３６、
８５、１９０、２４０ｎｍから選択して、Ｓｉ3Ｎ4膜１
８ｂの膜厚を１９０ｎｍに設定している。
ためには、Ｓｉ3Ｎ4膜１８ｂの膜厚は５０ｎｍ以上が好
ましいので、第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、１８ｃ
を１０ｎｍに設定した本実施形態例では、上述の３６、
８５、１９０、２４０ｎｍから選択して、Ｓｉ3Ｎ4膜１
８ｂの膜厚を１９０ｎｍに設定している。
【００２７】本実施形態例の半導体レーザ素子１０を作
製する際には、先ず、既知のエピタキシー技術、エッチ
ング法、電極形成プロセス等により共振器構造を基板上
に作製する。次いで、所望の共振器長に劈開してレーザ
バーを形成し、続いて、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＥＢ蒸
着法等により出射端面に低反射３層膜１８を、後端面に
高反射多層膜２０を成膜した後、チップ化する。
製する際には、先ず、既知のエピタキシー技術、エッチ
ング法、電極形成プロセス等により共振器構造を基板上
に作製する。次いで、所望の共振器長に劈開してレーザ
バーを形成し、続いて、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＥＢ蒸
着法等により出射端面に低反射３層膜１８を、後端面に
高反射多層膜２０を成膜した後、チップ化する。
【００２８】本実施形態例では、第１の誘電体膜として
第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、第２の誘電体膜としてＡｌ2
Ｏ3膜より熱伝導率の高いＳｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第３
の誘電体膜として第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃの誘電体３層
膜からなる低反射多層膜１８を共振器端面の一方の出射
端面上に設けることにより、高出力動作させた時に生じ
る光学損傷（ＣＯＤ）による出射端面劣化を抑制して、
長期間にわたり安定した動作を行うことができる半導体
レーザ素子を実現している。また、本実施形態例の半導
体レーザ素子１０では、出射端面が化学的及び熱的に強
い第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃで被覆されているので、低反
射３層膜の形成後の薬品洗浄工程、熱プロセス等で、出
射端面が損傷するのが防止される。更には、本明細書と
共に提出した参考写真に示すように、組み立て工程での
パーティクル付着などの問題も生じない。従って、半導
体レーザ素子の製品歩留りが向上する。
第１のＡｌ2Ｏ3膜１８ａ、第２の誘電体膜としてＡｌ2
Ｏ3膜より熱伝導率の高いＳｉ3Ｎ4膜１８ｂ、及び第３
の誘電体膜として第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃの誘電体３層
膜からなる低反射多層膜１８を共振器端面の一方の出射
端面上に設けることにより、高出力動作させた時に生じ
る光学損傷（ＣＯＤ）による出射端面劣化を抑制して、
長期間にわたり安定した動作を行うことができる半導体
レーザ素子を実現している。また、本実施形態例の半導
体レーザ素子１０では、出射端面が化学的及び熱的に強
い第２のＡｌ2Ｏ3膜１８ｃで被覆されているので、低反
射３層膜の形成後の薬品洗浄工程、熱プロセス等で、出
射端面が損傷するのが防止される。更には、本明細書と
共に提出した参考写真に示すように、組み立て工程での
パーティクル付着などの問題も生じない。従って、半導
体レーザ素子の製品歩留りが向上する。
【００２９】本実施形態例では、Ａｌ2Ｏ3膜より熱伝導
率の高い誘電体膜としてＳｉ3Ｎ4膜を用いているが、Ｓ
ｉ3Ｎ4膜に代えて、ＡｌＮ膜、ＧａＮ膜、及びＳｉＣ膜
のいずれかを用いることもできる。Ｓｉ3Ｎ4以外の材料
を用いる場合にも、本実施形態例の同様にして、所望の
端面反射率及び熱伝導性が得られるようにＡｌ2Ｏ3及び
Ｓｉ3Ｎ4膜に代わる誘電体膜の膜厚を設定する。また、
第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜に代えて、ＺｒＯ2 膜、Ｈｆ
Ｏ2 膜、及びＡｌＮ膜を使用することもできる。本実施
形態例では、端面発光型の６５０ｎｍ帯赤色半導体レー
ザ素子を例にしているが、端面発光型である限り、発光
波長の異なる半導体レーザ素子にも本発明を適用するこ
とができる。
率の高い誘電体膜としてＳｉ3Ｎ4膜を用いているが、Ｓ
ｉ3Ｎ4膜に代えて、ＡｌＮ膜、ＧａＮ膜、及びＳｉＣ膜
のいずれかを用いることもできる。Ｓｉ3Ｎ4以外の材料
を用いる場合にも、本実施形態例の同様にして、所望の
端面反射率及び熱伝導性が得られるようにＡｌ2Ｏ3及び
Ｓｉ3Ｎ4膜に代わる誘電体膜の膜厚を設定する。また、
第１及び第２のＡｌ2Ｏ3膜に代えて、ＺｒＯ2 膜、Ｈｆ
Ｏ2 膜、及びＡｌＮ膜を使用することもできる。本実施
形態例では、端面発光型の６５０ｎｍ帯赤色半導体レー
ザ素子を例にしているが、端面発光型である限り、発光
波長の異なる半導体レーザ素子にも本発明を適用するこ
とができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、第１の誘電体膜、第１
の誘電体膜より熱伝導率の高い第２の誘電体膜、及び第
２の誘電体膜より熱伝導率の低い第３の誘電体膜の誘電
体３層膜からなる低反射多層膜を共振器端面の一方の出
射端面上に設けることにより、高出力動作させた時に生
じる光学損傷（ＣＯＤ）による出射端面劣化を抑制し
て、長期間にわたり安定した動作を行うことができる半
導体レーザ素子を実現している。本発明は、端面出射型
半導体レーザ素子である限り、４００ｎｍ、６５０ｎ
ｍ、７８０ｎｍ、８５０ｎｍ、９８０ｎｍ等の広範囲な
発光波長の半導体レーザ素子に適用することができる。
の誘電体膜より熱伝導率の高い第２の誘電体膜、及び第
２の誘電体膜より熱伝導率の低い第３の誘電体膜の誘電
体３層膜からなる低反射多層膜を共振器端面の一方の出
射端面上に設けることにより、高出力動作させた時に生
じる光学損傷（ＣＯＤ）による出射端面劣化を抑制し
て、長期間にわたり安定した動作を行うことができる半
導体レーザ素子を実現している。本発明は、端面出射型
半導体レーザ素子である限り、４００ｎｍ、６５０ｎ
ｍ、７８０ｎｍ、８５０ｎｍ、９８０ｎｍ等の広範囲な
発光波長の半導体レーザ素子に適用することができる。
【図１】図１（ａ）は本実施形態例の半導体レーザ素子
の出射端面の低反射３層膜及び後端面の高反射多層膜の
構成を示す模式的平面図、及び図１（ｂ）は図１（ａ）
の線Ｉ−Ｉでの断面図である。
の出射端面の低反射３層膜及び後端面の高反射多層膜の
構成を示す模式的平面図、及び図１（ｂ）は図１（ａ）
の線Ｉ−Ｉでの断面図である。
１０……実施形態例の半導体レーザ素子、１２……半導
体基板、１４……活性層、１６……共振器構造、１８…
…低反射３層膜、１８ａ……第１のＡｌ2Ｏ3膜、１８ｂ
……Ｓｉ3Ｎ4膜、１８ｃ……第２のＡｌ2Ｏ3膜、２０…
…高反射多層膜、２０ａ……Ａｌ2Ｏ3膜、２０ｂ……ａ
−Ｓｉ膜
体基板、１４……活性層、１６……共振器構造、１８…
…低反射３層膜、１８ａ……第１のＡｌ2Ｏ3膜、１８ｂ
……Ｓｉ3Ｎ4膜、１８ｃ……第２のＡｌ2Ｏ3膜、２０…
…高反射多層膜、２０ａ……Ａｌ2Ｏ3膜、２０ｂ……ａ
−Ｓｉ膜
Claims (6)
- 【請求項１】 一対の共振器端面を有する端面発光型半
導体レーザ素子において、 第１の誘電体膜、第１の誘電体膜より熱伝導率の高い第
２の誘電体膜、及び第２の誘電体膜より熱伝導率の低い
第３の誘電体膜の誘電体３層膜からなる低反射多層膜
が、共振器端面の一方の出射端面上に設けられているこ
とを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 第１の誘電体膜は、Ａｌ2Ｏ3膜、ＺｒＯ
2 膜、ＨｆＯ2 膜、及びＡｌＮ膜のいずれかであること
を特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 第２の誘電体膜は、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＡｌＮ
膜、ＧａＮ膜、及びＳｉＣ膜のいずれかであることを特
徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 第３の誘電体膜は、Ａｌ2Ｏ3膜、ＺｒＯ
2 膜、ＨｆＯ2 膜、及びＳｉＯ2 膜のいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に
記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 第１の誘電体膜の膜厚は５ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下の範囲にあり、かつ第２の誘電体膜の膜厚は
５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の範囲にあることを特徴と
する請求項４に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 第１の誘電体膜が５ｎｍ以上１００ｎｍ
以下の範囲の膜厚のＡｌ2Ｏ3膜であり、かつ第２の誘電
体膜が５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の範囲の膜厚のＳｉ
3Ｎ4膜であることを特徴とする請求項５に記載の半導体
レーザ素子。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2002065174A JP3856300B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 半導体レーザ素子 |
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| KR1020030014703A KR100989789B1 (ko) | 2002-03-11 | 2003-03-10 | 반도체 레이저 소자 |
| TW092105214A TWI231634B (en) | 2002-03-11 | 2003-03-11 | Semiconductor laser device |
| US11/264,866 US7230962B2 (en) | 2002-03-11 | 2005-11-02 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002065174A JP3856300B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 半導体レーザ素子 |
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|---|---|
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Family
ID=29197618
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7003009B2 (ja) |
| JP (1) | JP3856300B2 (ja) |
| KR (1) | KR100989789B1 (ja) |
| TW (1) | TWI231634B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073631A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2008218865A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7697585B2 (en) | 2006-01-30 | 2010-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser diode |
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