JPS6333888A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPS6333888A JPS6333888A JP17691386A JP17691386A JPS6333888A JP S6333888 A JPS6333888 A JP S6333888A JP 17691386 A JP17691386 A JP 17691386A JP 17691386 A JP17691386 A JP 17691386A JP S6333888 A JPS6333888 A JP S6333888A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- al2o3
- evaporating
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N oxoaluminum Chemical compound O1[Al]O[Al]1 WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
半導体レーザのキャビテイ面は、結晶のへき開によって
形成されるが、このへき開面をそのまま使用すると酸化
等による劣化が起こり、寿命が短 、かくなるので、信
頼性向上のために従来は、Ａｎ２０３．ＳｉＯ２，Ｓｉ
３Ｎ４．Ｓｌなどからなる一層あるいは多層のコーティ
ングが施されていた。
形成されるが、このへき開面をそのまま使用すると酸化
等による劣化が起こり、寿命が短 、かくなるので、信
頼性向上のために従来は、Ａｎ２０３．ＳｉＯ２，Ｓｉ
３Ｎ４．Ｓｌなどからなる一層あるいは多層のコーティ
ングが施されていた。
発明が解決しようとする間層点
しかし、これらのコーティングでは、へき開時からコー
ティングに至るまでの間のへき開面の酸化を避けること
ができなかった。
ティングに至るまでの間のへき開面の酸化を避けること
ができなかった。
この問題を解決するために、Ｇ ａ Ａ ｓの酸化した
表面にＩＩＩを薄く（６０八程度）コートし、Ｇ ａ
Ａ ｓの酸化した表面から、八２が酸素を吸着すること
によってＡ４２０３に変化することを利用して信頼性の
高い保護膜を作る方法があった。しかし、この場合には
、Ａｎを直接キャピテイ面に蒸着するため半導体レーザ
自体の特性を落とすことがあり、歩留りの低下を招くと
いう問題があった。
表面にＩＩＩを薄く（６０八程度）コートし、Ｇ ａ
Ａ ｓの酸化した表面から、八２が酸素を吸着すること
によってＡ４２０３に変化することを利用して信頼性の
高い保護膜を作る方法があった。しかし、この場合には
、Ａｎを直接キャピテイ面に蒸着するため半導体レーザ
自体の特性を落とすことがあり、歩留りの低下を招くと
いう問題があった。
本発明は上記欠点を考慮し、歩留り向上のために、まず
八２２０３を薄く（１００Å以下）付着し、このＡｌ２
ｏ３上にＡ４を蒸着することによって特性を落とすこと
なく端面保護膜を形成することのできる半導体レーザ装
置を提供するものである。
八２２０３を薄く（１００Å以下）付着し、このＡｌ２
ｏ３上にＡ４を蒸着することによって特性を落とすこと
なく端面保護膜を形成することのできる半導体レーザ装
置を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体、レーザ
装置はキャビテイ面にＡｌ２Ｏ２がごく薄く（１０ｏ八
以下）付着され、その上にＡＩ２が１０ｏＯ八以下の厚
さで付着されていることから構成されている。
装置はキャビテイ面にＡｌ２Ｏ２がごく薄く（１０ｏ八
以下）付着され、その上にＡＩ２が１０ｏＯ八以下の厚
さで付着されていることから構成されている。
作 用
へき開面にまずＡｌ２０３を薄く蒸着することによって
、Ａｌを直接蒸着した場合のように、半導体レーザ自体
の劣化を招かず、その後に蒸着したＡｎが、ＡＩ！、２
０３の薄膜を通して、へき開面から酸素を吸着すること
ができるので、信頼性の高い半導体レーザを効率よく得
ることができる。
、Ａｌを直接蒸着した場合のように、半導体レーザ自体
の劣化を招かず、その後に蒸着したＡｎが、ＡＩ！、２
０３の薄膜を通して、へき開面から酸素を吸着すること
ができるので、信頼性の高い半導体レーザを効率よく得
ることができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図はダブルへテロ構造の半導体レーザチップの側面
図であり、同図中１は負電極、２はｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓ層、３はｎ −Ｇ ａｌ−、Ａ］アＡ ｓクラッド層
、４はＧ ａ １−ｘ ＡＩＬｘＡ ｓ活性層、５はｐ
−Ｇ ａｌ−、Ａ１１ｙ Ａｓクラッド層、６はｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓブロッキング層、７はｐ−ＧａＡｇ基
板、８は正電極である。このキャビテイ面に第２図に示
すように、Ａ１２０３９を２０人蒸着する。この後、第
３図に示すようにＡｆｌｌｏを６０人蒸着する。
図であり、同図中１は負電極、２はｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓ層、３はｎ −Ｇ ａｌ−、Ａ］アＡ ｓクラッド層
、４はＧ ａ １−ｘ ＡＩＬｘＡ ｓ活性層、５はｐ
−Ｇ ａｌ−、Ａ１１ｙ Ａｓクラッド層、６はｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓブロッキング層、７はｐ−ＧａＡｇ基
板、８は正電極である。このキャビテイ面に第２図に示
すように、Ａ１２０３９を２０人蒸着する。この後、第
３図に示すようにＡｆｌｌｏを６０人蒸着する。
さらに膜厚をλ／２ （２，６００人）にするために、
２．４３ＯＡ ノＡ！１２０３１１ヲ：Ｉ−） ｔル。
２．４３ＯＡ ノＡ！１２０３１１ヲ：Ｉ−） ｔル。
このコートは用途に応じて変化させることができる。
λ／２コートを施したもので比較した結果、Ａｌ２Ｏ２
のみのコーティングでは、寿命が、５０’Ｃ。
のみのコーティングでは、寿命が、５０’Ｃ。
３０ ｍＷ でＭＴ Ｔ Ｆ（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ ｔ
ｏ Ｆａｉｌｕｒｅ ）は１．０００時間であったのに
対して、本発明によるコーティングのものは、２，００
０時間にまで延びた。
ｏ Ｆａｉｌｕｒｅ ）は１．０００時間であったのに
対して、本発明によるコーティングのものは、２，００
０時間にまで延びた。
また、八２を直接キャビテイ面に蒸着したものでは、シ
ョート率が５０係であったのに対し、本発明のものでは
全くンヨートシなかった。
ョート率が５０係であったのに対し、本発明のものでは
全くンヨートシなかった。
発明の効果
以上のように、本発明は、Ａ℃を蒸着する前にＡ１２Ｑ
３膜を薄く蒸着することにより、ショート不良の発生を
防ぐことができ、その実用的効果は犬なるものがある。
３膜を薄く蒸着することにより、ショート不良の発生を
防ぐことができ、その実用的効果は犬なるものがある。
第１図〜第４図は本発明の一実施例における半導体レー
ザ装置の製造工程図である。 １・・・・負電極、２・・−・・・ｎ−ＧａＡｓ、３・
・・−ｎ−Ｇ ａ １−ｙ Ａｎ ｙ Ａ ｓクラッド
層、４ ・・・□ Ｇ ａｌ−ｘＡＧＡ ｓ活性層、５
・・・・ｐ Ｇ ａ １ｙ ＡｎアＡｓクラッド層、
６・・・・ｎ ＧａＡｓブロッキング層、７・・・・
ｐ−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、８−−正電極、９−・・・Ａ
ｌ１２０３．１゜、・・・ＡＭ 、１１・・・４ｆｉ、
０３゜代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１
名第２Ｉ２１ 第３図 第４Ｉ２１
ザ装置の製造工程図である。 １・・・・負電極、２・・−・・・ｎ−ＧａＡｓ、３・
・・−ｎ−Ｇ ａ １−ｙ Ａｎ ｙ Ａ ｓクラッド
層、４ ・・・□ Ｇ ａｌ−ｘＡＧＡ ｓ活性層、５
・・・・ｐ Ｇ ａ １ｙ ＡｎアＡｓクラッド層、
６・・・・ｎ ＧａＡｓブロッキング層、７・・・・
ｐ−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、８−−正電極、９−・・・Ａ
ｌ１２０３．１゜、・・・ＡＭ 、１１・・・４ｆｉ、
０３゜代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１
名第２Ｉ２１ 第３図 第４Ｉ２１
Claims (1)
- キャビティ端面に、１００Å以下の厚さのＡｌ＿２Ｏ＿
３膜が付着され、さらにその上に１０００Å以下の厚さ
のＡｌが付着されていることを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17691386A JPS6333888A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17691386A JPS6333888A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333888A true JPS6333888A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=16021948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17691386A Pending JPS6333888A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333888A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372915A (ja) * | 1989-05-06 | 1991-03-28 | Hitachi Zosen Corp | 硫黄酸化物および窒素酸化物の乾式同時除去方法 |
| US7230962B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-06-12 | Sony Corporation | Semiconductor laser device |
| WO2021200670A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子及び量子カスケードレーザ装置 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP17691386A patent/JPS6333888A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372915A (ja) * | 1989-05-06 | 1991-03-28 | Hitachi Zosen Corp | 硫黄酸化物および窒素酸化物の乾式同時除去方法 |
| US7230962B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-06-12 | Sony Corporation | Semiconductor laser device |
| WO2021200670A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子及び量子カスケードレーザ装置 |
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