JPS6235587A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPS6235587A JPS6235587A JP60174680A JP17468085A JPS6235587A JP S6235587 A JPS6235587 A JP S6235587A JP 60174680 A JP60174680 A JP 60174680A JP 17468085 A JP17468085 A JP 17468085A JP S6235587 A JPS6235587 A JP S6235587A
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- JP
- Japan
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- protective film
- film
- compound semiconductor
- electrode
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ)産業上の利用分野
不発σJはアルミニウム金倉む化合物半導体(;関する
。
。
口)従来の技術
化合物半導体素子の電極パターン形成時C二使用される
電極金属(主として金)のエツチング液(Iz−KI混
合液)は、G a A 73 A s等のアルミニウム
(AJ)t−含む化合物半導体をも容易(;エツチング
してしまう事はよく知られている。そこで特開昭58−
30171号公報や特開昭59−2380号公報二二お
1て示されている様に、電極材料の一部として、このエ
ツチング液l:対して保護膜として作用子る丁ず(Sn
)膜を形成した後、電極形成、エツチングを行って電極
パターン形成金していた。ところが丁ず膜は、電極表U
fiに析出し表面を荒ら丁。このため電極に対して配線
丁る時のワイヤボンドの%性(ボンダビリティ−)が悪
く、v!B看不良不良電中の抵抗値上昇あるいは断線が
多発し不都合であった。
電極金属(主として金)のエツチング液(Iz−KI混
合液)は、G a A 73 A s等のアルミニウム
(AJ)t−含む化合物半導体をも容易(;エツチング
してしまう事はよく知られている。そこで特開昭58−
30171号公報や特開昭59−2380号公報二二お
1て示されている様に、電極材料の一部として、このエ
ツチング液l:対して保護膜として作用子る丁ず(Sn
)膜を形成した後、電極形成、エツチングを行って電極
パターン形成金していた。ところが丁ず膜は、電極表U
fiに析出し表面を荒ら丁。このため電極に対して配線
丁る時のワイヤボンドの%性(ボンダビリティ−)が悪
く、v!B看不良不良電中の抵抗値上昇あるいは断線が
多発し不都合であった。
ハ)発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の点?考慮してなされたもので、化合物半
導体をエツチング液から保護し、またボンダビリティの
低下も生じない発光素子を提供丁るものである。
導体をエツチング液から保護し、またボンダビリティの
低下も生じない発光素子を提供丁るものである。
二)問題点を解決丁るための手段
本発明は上述の電極の最下層区;位置丁る保護膜として
クロム(elk用い、かつその保護膜は高温処理膜であ
る事を特徴と丁るものである。
クロム(elk用い、かつその保護膜は高温処理膜であ
る事を特徴と丁るものである。
ホ)作 用
これにより安定し九保護膜とすることができる0
へ)冥 施 例
図は不発由の実施例の発光素子の側面模式図で、GaA
a基板συ上(二G a A l A s変成層u7J
GaAl!As層α314)tエピタキシャル成長させ
てPn接合α5を形成したGaAl!Asの化合物半導
体ul示している。■はその主面の電極、■は裏面電極
である。
a基板συ上(二G a A l A s変成層u7J
GaAl!As層α314)tエピタキシャル成長させ
てPn接合α5を形成したGaAl!Asの化合物半導
体ul示している。■はその主面の電極、■は裏面電極
である。
主面の電極CAについ千えその製造方法と共(:説明す
る。まず化合物半憾Qt−真空チャンバーにセットし、
10−’Torrの真空状態≦:おき、電子ビームを用
いて予じめ用意されたCrt蒸看蒸暑。
る。まず化合物半憾Qt−真空チャンバーにセットし、
10−’Torrの真空状態≦:おき、電子ビームを用
いて予じめ用意されたCrt蒸看蒸暑。
これは保護膜12υとなるもので厚みは例えば50^で
ある。次いで約300℃付近まで昇温し、一定時間保持
し、Cr膜をいわゆる焼成(アニール)する。その後、
再ひもとの温度及び真空条件とし、Go全王とする第2
電極層の、Aul主とする第6電極層Caを形成する。
ある。次いで約300℃付近まで昇温し、一定時間保持
し、Cr膜をいわゆる焼成(アニール)する。その後、
再ひもとの温度及び真空条件とし、Go全王とする第2
電極層の、Aul主とする第6電極層Caを形成する。
蒸暑が終了すると、フォトリングラフィ技術を用い感光
膜(図示せず)をパターン形成し、よう素よう化カリ混
合液(I2−KIxツf’rント)でAu−LGel@
lzツチングする。Au−Gaの第2を極Nの、第6電
極層のは、あわせて約2000DAであり、45℃エッ
チャント2〜3分でエツチングは終了する。そして化合
物半導体C1(iの表面はCrの保、24膜シDで覆わ
れているので侵されない。その後硝酸第2セリウムアン
モニウム、過塩素酸、及び水の混合液でCrのエツチン
グをする。この場合エツチング条件をあやまると化合物
半導体2エツチングするが、最もエツチングしや丁いの
はエツチング液中のよう素(I2)である事が判ったた
め、CrのエツチングC;おいては3液の混合比とa度
管理によって化合物半導体叫の表面がエツチングされな
いうちにエツチング終了することができた。
膜(図示せず)をパターン形成し、よう素よう化カリ混
合液(I2−KIxツf’rント)でAu−LGel@
lzツチングする。Au−Gaの第2を極Nの、第6電
極層のは、あわせて約2000DAであり、45℃エッ
チャント2〜3分でエツチングは終了する。そして化合
物半導体C1(iの表面はCrの保、24膜シDで覆わ
れているので侵されない。その後硝酸第2セリウムアン
モニウム、過塩素酸、及び水の混合液でCrのエツチン
グをする。この場合エツチング条件をあやまると化合物
半導体2エツチングするが、最もエツチングしや丁いの
はエツチング液中のよう素(I2)である事が判ったた
め、CrのエツチングC;おいては3液の混合比とa度
管理によって化合物半導体叫の表面がエツチングされな
いうちにエツチング終了することができた。
上述の例で、オーミック接触をとるため(:はCrから
なる保護膜は薄い方がよい。それはオーミック用アニー
ルの条件g二よつて厚さが100A未満であれば実用上
さしつかえない。しかしILlO八未満へCr膜膜は、
化合物半導体との′i#着性ヤピンホールの発生等(:
よって金R薄仄か不安定であり、そのままでは保護膜と
なり得ない。そこで約600℃という高温処理をすると
ピンホールがつぶれ、密着性(親和力)も向上し、安定
な保護膜となることが判った。
なる保護膜は薄い方がよい。それはオーミック用アニー
ルの条件g二よつて厚さが100A未満であれば実用上
さしつかえない。しかしILlO八未満へCr膜膜は、
化合物半導体との′i#着性ヤピンホールの発生等(:
よって金R薄仄か不安定であり、そのままでは保護膜と
なり得ない。そこで約600℃という高温処理をすると
ピンホールがつぶれ、密着性(親和力)も向上し、安定
な保護膜となることが判った。
ト)発明の効果
以上の如くによりクロム(Cr)膜は薄膜でありながら
充分にアルミニウムを含む化合物半導体のエツチングの
保護膜の役目をはたし、かつクロム(Cr)そのものは
安定で上層の電極層への析出をしないから金属細線のボ
ンダビリティは99.9以上を確保でき、かつ目視でワ
イヤボンドが確実なものC:対して通電中のワイヤボン
ド不良は発生しなかった。
充分にアルミニウムを含む化合物半導体のエツチングの
保護膜の役目をはたし、かつクロム(Cr)そのものは
安定で上層の電極層への析出をしないから金属細線のボ
ンダビリティは99.9以上を確保でき、かつ目視でワ
イヤボンドが確実なものC:対して通電中のワイヤボン
ド不良は発生しなかった。
図は本発明実施例の発光素子のN面模式図である。
ul・・・化合物半導体、(7)・・・(主面の)電極
、関・・・裏面′1極、2υ・・・保#!i、膜、囚・
・・第2電極層、の・・・第3電極層
、関・・・裏面′1極、2υ・・・保#!i、膜、囚・
・・第2電極層、の・・・第3電極層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)アルミニウムを含む化合物半導体と、その化合物半
導体の主面に設けられ高温処理された金属薄膜からなる
保護膜と、保護膜上に積層された電極層とを具備した事
を特徴とする発光素子。 2)前記保護膜はクロム(Cr)からなる100Å未満
の金属薄膜である事を特徴とする前記特許請求の範囲第
1項記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17468085A JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17468085A JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6235587A true JPS6235587A (ja) | 1987-02-16 |
JP2594032B2 JP2594032B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=15982814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17468085A Expired - Lifetime JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2594032B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6531715B1 (en) | 1999-11-11 | 2003-03-11 | Vishay Semiconductor Gmbh | Multilayer contact electrode for compound semiconductors and production method thereof |
JP2012243954A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2013191810A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5289488A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-27 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
JPS5598880A (en) * | 1979-01-20 | 1980-07-28 | Nec Corp | Light transmitting/receiving semiconductor device |
JPS5976486A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
JPS6050981A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17468085A patent/JP2594032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5289488A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-27 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
JPS5598880A (en) * | 1979-01-20 | 1980-07-28 | Nec Corp | Light transmitting/receiving semiconductor device |
JPS5976486A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
JPS6050981A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6531715B1 (en) | 1999-11-11 | 2003-03-11 | Vishay Semiconductor Gmbh | Multilayer contact electrode for compound semiconductors and production method thereof |
JP2012243954A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP2013191810A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2594032B2 (ja) | 1997-03-26 |
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