JPS6235587A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPS6235587A JPS6235587A JP60174680A JP17468085A JPS6235587A JP S6235587 A JPS6235587 A JP S6235587A JP 60174680 A JP60174680 A JP 60174680A JP 17468085 A JP17468085 A JP 17468085A JP S6235587 A JPS6235587 A JP S6235587A
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- JP
- Japan
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- protective film
- film
- compound semiconductor
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
不発σＪはアルミニウム金倉む化合物半導体（；関する
。
。
口）従来の技術
化合物半導体素子の電極パターン形成時Ｃ二使用される
電極金属（主として金）のエツチング液（Ｉｚ−ＫＩ混
合液）は、Ｇ ａ Ａ ７３ Ａ ｓ等のアルミニウム
（ＡＪ）ｔ−含む化合物半導体をも容易（；エツチング
してしまう事はよく知られている。そこで特開昭５８−
３０１７１号公報や特開昭５９−２３８０号公報二二お
１て示されている様に、電極材料の一部として、このエ
ツチング液ｌ：対して保護膜として作用子る丁ず（Ｓｎ
）膜を形成した後、電極形成、エツチングを行って電極
パターン形成金していた。ところが丁ず膜は、電極表Ｕ
ｆｉに析出し表面を荒ら丁。このため電極に対して配線
丁る時のワイヤボンドの％性（ボンダビリティ−）が悪
く、ｖ！Ｂ看不良不良電中の抵抗値上昇あるいは断線が
多発し不都合であった。
電極金属（主として金）のエツチング液（Ｉｚ−ＫＩ混
合液）は、Ｇ ａ Ａ ７３ Ａ ｓ等のアルミニウム
（ＡＪ）ｔ−含む化合物半導体をも容易（；エツチング
してしまう事はよく知られている。そこで特開昭５８−
３０１７１号公報や特開昭５９−２３８０号公報二二お
１て示されている様に、電極材料の一部として、このエ
ツチング液ｌ：対して保護膜として作用子る丁ず（Ｓｎ
）膜を形成した後、電極形成、エツチングを行って電極
パターン形成金していた。ところが丁ず膜は、電極表Ｕ
ｆｉに析出し表面を荒ら丁。このため電極に対して配線
丁る時のワイヤボンドの％性（ボンダビリティ−）が悪
く、ｖ！Ｂ看不良不良電中の抵抗値上昇あるいは断線が
多発し不都合であった。
ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の点？考慮してなされたもので、化合物半
導体をエツチング液から保護し、またボンダビリティの
低下も生じない発光素子を提供丁るものである。
導体をエツチング液から保護し、またボンダビリティの
低下も生じない発光素子を提供丁るものである。
二）問題点を解決丁るための手段
本発明は上述の電極の最下層区；位置丁る保護膜として
クロム（ｅｌｋ用い、かつその保護膜は高温処理膜であ
る事を特徴と丁るものである。
クロム（ｅｌｋ用い、かつその保護膜は高温処理膜であ
る事を特徴と丁るものである。
ホ）作 用
これにより安定し九保護膜とすることができる０
へ）冥 施 例
図は不発由の実施例の発光素子の側面模式図で、ＧａＡ
ａ基板συ上（二Ｇ ａ Ａ ｌ Ａ ｓ変成層ｕ７Ｊ
ＧａＡｌ！Ａｓ層α３１４）ｔエピタキシャル成長させ
てＰｎ接合α５を形成したＧａＡｌ！Ａｓの化合物半導
体ｕｌ示している。■はその主面の電極、■は裏面電極
である。
ａ基板συ上（二Ｇ ａ Ａ ｌ Ａ ｓ変成層ｕ７Ｊ
ＧａＡｌ！Ａｓ層α３１４）ｔエピタキシャル成長させ
てＰｎ接合α５を形成したＧａＡｌ！Ａｓの化合物半導
体ｕｌ示している。■はその主面の電極、■は裏面電極
である。
主面の電極ＣＡについ千えその製造方法と共（：説明す
る。まず化合物半憾Ｑｔ−真空チャンバーにセットし、
１０−’Ｔｏｒｒの真空状態≦：おき、電子ビームを用
いて予じめ用意されたＣｒｔ蒸看蒸暑。
る。まず化合物半憾Ｑｔ−真空チャンバーにセットし、
１０−’Ｔｏｒｒの真空状態≦：おき、電子ビームを用
いて予じめ用意されたＣｒｔ蒸看蒸暑。
これは保護膜１２υとなるもので厚みは例えば５０＾で
ある。次いで約３００℃付近まで昇温し、一定時間保持
し、Ｃｒ膜をいわゆる焼成（アニール）する。その後、
再ひもとの温度及び真空条件とし、Ｇｏ全王とする第２
電極層の、Ａｕｌ主とする第６電極層Ｃａを形成する。
ある。次いで約３００℃付近まで昇温し、一定時間保持
し、Ｃｒ膜をいわゆる焼成（アニール）する。その後、
再ひもとの温度及び真空条件とし、Ｇｏ全王とする第２
電極層の、Ａｕｌ主とする第６電極層Ｃａを形成する。
蒸暑が終了すると、フォトリングラフィ技術を用い感光
膜（図示せず）をパターン形成し、よう素よう化カリ混
合液（Ｉ２−ＫＩｘツｆ’ｒント）でＡｕ−ＬＧｅｌ＠
ｌｚツチングする。Ａｕ−Ｇａの第２を極Ｎの、第６電
極層のは、あわせて約２０００ＤＡであり、４５℃エッ
チャント２〜３分でエツチングは終了する。そして化合
物半導体Ｃ１（ｉの表面はＣｒの保、２４膜シＤで覆わ
れているので侵されない。その後硝酸第２セリウムアン
モニウム、過塩素酸、及び水の混合液でＣｒのエツチン
グをする。この場合エツチング条件をあやまると化合物
半導体２エツチングするが、最もエツチングしや丁いの
はエツチング液中のよう素（Ｉ２）である事が判ったた
め、ＣｒのエツチングＣ；おいては３液の混合比とａ度
管理によって化合物半導体叫の表面がエツチングされな
いうちにエツチング終了することができた。
膜（図示せず）をパターン形成し、よう素よう化カリ混
合液（Ｉ２−ＫＩｘツｆ’ｒント）でＡｕ−ＬＧｅｌ＠
ｌｚツチングする。Ａｕ−Ｇａの第２を極Ｎの、第６電
極層のは、あわせて約２０００ＤＡであり、４５℃エッ
チャント２〜３分でエツチングは終了する。そして化合
物半導体Ｃ１（ｉの表面はＣｒの保、２４膜シＤで覆わ
れているので侵されない。その後硝酸第２セリウムアン
モニウム、過塩素酸、及び水の混合液でＣｒのエツチン
グをする。この場合エツチング条件をあやまると化合物
半導体２エツチングするが、最もエツチングしや丁いの
はエツチング液中のよう素（Ｉ２）である事が判ったた
め、ＣｒのエツチングＣ；おいては３液の混合比とａ度
管理によって化合物半導体叫の表面がエツチングされな
いうちにエツチング終了することができた。
上述の例で、オーミック接触をとるため（：はＣｒから
なる保護膜は薄い方がよい。それはオーミック用アニー
ルの条件ｇ二よつて厚さが１００Ａ未満であれば実用上
さしつかえない。しかしＩＬｌＯ八未満へＣｒ膜膜は、
化合物半導体との′ｉ＃着性ヤピンホールの発生等（：
よって金Ｒ薄仄か不安定であり、そのままでは保護膜と
なり得ない。そこで約６００℃という高温処理をすると
ピンホールがつぶれ、密着性（親和力）も向上し、安定
な保護膜となることが判った。
なる保護膜は薄い方がよい。それはオーミック用アニー
ルの条件ｇ二よつて厚さが１００Ａ未満であれば実用上
さしつかえない。しかしＩＬｌＯ八未満へＣｒ膜膜は、
化合物半導体との′ｉ＃着性ヤピンホールの発生等（：
よって金Ｒ薄仄か不安定であり、そのままでは保護膜と
なり得ない。そこで約６００℃という高温処理をすると
ピンホールがつぶれ、密着性（親和力）も向上し、安定
な保護膜となることが判った。
ト）発明の効果
以上の如くによりクロム（Ｃｒ）膜は薄膜でありながら
充分にアルミニウムを含む化合物半導体のエツチングの
保護膜の役目をはたし、かつクロム（Ｃｒ）そのものは
安定で上層の電極層への析出をしないから金属細線のボ
ンダビリティは９９．９以上を確保でき、かつ目視でワ
イヤボンドが確実なものＣ：対して通電中のワイヤボン
ド不良は発生しなかった。
充分にアルミニウムを含む化合物半導体のエツチングの
保護膜の役目をはたし、かつクロム（Ｃｒ）そのものは
安定で上層の電極層への析出をしないから金属細線のボ
ンダビリティは９９．９以上を確保でき、かつ目視でワ
イヤボンドが確実なものＣ：対して通電中のワイヤボン
ド不良は発生しなかった。
図は本発明実施例の発光素子のＮ面模式図である。
ｕｌ・・・化合物半導体、（７）・・・（主面の）電極
、関・・・裏面′１極、２υ・・・保＃！ｉ、膜、囚・
・・第２電極層、の・・・第３電極層
、関・・・裏面′１極、２υ・・・保＃！ｉ、膜、囚・
・・第２電極層、の・・・第３電極層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）アルミニウムを含む化合物半導体と、その化合物半
導体の主面に設けられ高温処理された金属薄膜からなる
保護膜と、保護膜上に積層された電極層とを具備した事
を特徴とする発光素子。 ２）前記保護膜はクロム（Ｃｒ）からなる１００Å未満
の金属薄膜である事を特徴とする前記特許請求の範囲第
１項記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17468085A JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17468085A JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235587A true JPS6235587A (ja) | 1987-02-16 |
| JP2594032B2 JP2594032B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=15982814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17468085A Expired - Lifetime JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594032B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531715B1 (en) | 1999-11-11 | 2003-03-11 | Vishay Semiconductor Gmbh | Multilayer contact electrode for compound semiconductors and production method thereof |
| JP2012243954A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2013191810A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5289488A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-27 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5598880A (en) * | 1979-01-20 | 1980-07-28 | Nec Corp | Light transmitting/receiving semiconductor device |
| JPS5976486A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JPS6050981A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17468085A patent/JP2594032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5289488A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-27 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5598880A (en) * | 1979-01-20 | 1980-07-28 | Nec Corp | Light transmitting/receiving semiconductor device |
| JPS5976486A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JPS6050981A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531715B1 (en) | 1999-11-11 | 2003-03-11 | Vishay Semiconductor Gmbh | Multilayer contact electrode for compound semiconductors and production method thereof |
| JP2012243954A (ja) * | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2013191810A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2594032B2 (ja) | 1997-03-26 |
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