JP2594032B2 - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JP2594032B2 JP2594032B2 JP17468085A JP17468085A JP2594032B2 JP 2594032 B2 JP2594032 B2 JP 2594032B2 JP 17468085 A JP17468085 A JP 17468085A JP 17468085 A JP17468085 A JP 17468085A JP 2594032 B2 JP2594032 B2 JP 2594032B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- electrode
- protective film
- light emitting
- etching
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 イ）産業上の利用分野 本発明はアルミニウムを含む化合物半導体に関する。
ロ）従来の技術 化合物半導体素子の電極パターン形成時に使用される
電極金属（主として金）のエツチング液（I2−KI混合
液）は、GaAlAs等のアルミニウム（Al）を含む化合物半
導体をも容易にエツチングしてしまう事はよく知られて
いる。そこで特開昭58−30171号公報や特開昭59−2380
号公報において示されている様に、電極材料の一部とし
て、このエツチング液に対して保護膜として作用するす
ず（Sn）膜を形成した後、電極形成、エツチングを行っ
て電極パターン形成をしていた。ところがすず膜は、電
極表面に析出し表面を荒らす。このため電極に対して配
線する時のワイヤボンドの特性（ボンダビリテイー）が
悪く、密着不良や通電中の抵抗値上昇あるいは断線が多
発し不都合であった。
電極金属（主として金）のエツチング液（I2−KI混合
液）は、GaAlAs等のアルミニウム（Al）を含む化合物半
導体をも容易にエツチングしてしまう事はよく知られて
いる。そこで特開昭58−30171号公報や特開昭59−2380
号公報において示されている様に、電極材料の一部とし
て、このエツチング液に対して保護膜として作用するす
ず（Sn）膜を形成した後、電極形成、エツチングを行っ
て電極パターン形成をしていた。ところがすず膜は、電
極表面に析出し表面を荒らす。このため電極に対して配
線する時のワイヤボンドの特性（ボンダビリテイー）が
悪く、密着不良や通電中の抵抗値上昇あるいは断線が多
発し不都合であった。
ハ）発明が解決しようとする問題点 本発明は上述の点を考慮してなされたもので、化合物
半導体をエツチング液から保護し、またボンダビリテイ
の低下も生じない発光素子を提供するものである。
半導体をエツチング液から保護し、またボンダビリテイ
の低下も生じない発光素子を提供するものである。
ニ）問題点を解決するための手段 本発明は上述の電極の最下層に位置する保護膜として
クロム（Cr）を用い、かつその保護膜は高温処理膜であ
る事を特徴とするものである。
クロム（Cr）を用い、かつその保護膜は高温処理膜であ
る事を特徴とするものである。
ホ）作用 これにより安定した保護膜とすることができる。
ヘ）実施例 図は本発明の実施例の発光素子の側面模式図で、GaAs
基板（11）上にGaAlAs変成層（12）GaAlAs層（13）（1
4）をエピタキシヤル成長させてPn接合（15）を形成し
たGaAlAsの化合物半導体（10）を示している。（20）は
その主面の電極、（30）は裏面電極である。
基板（11）上にGaAlAs変成層（12）GaAlAs層（13）（1
4）をエピタキシヤル成長させてPn接合（15）を形成し
たGaAlAsの化合物半導体（10）を示している。（20）は
その主面の電極、（30）は裏面電極である。
主面の電極（20）について、その製造法と共に説明す
る。まず化合物半導体（10）を真空チヤンバーにセツト
し、10-6Torrの真空状態におき、電子ビームを用いて予
じめ用意されたCrを蒸着する。これは保護膜（21）とな
るもので厚みは例えば50Åである。次いで約300℃付近
まで昇温し、一定時間保持し、Cr膜をいわゆる焼成（ア
ニール）する。その後、再びもとの温度及び真空条件と
し、Geを主とする第２電極層（22）、Auを主とする第３
電極層（23）を形成する。蒸着が終了すると、フオトリ
ソグラフイ技術を用い感光膜（図示せず）をパターン形
成し、よう素よう化カリ混合液（I2−KIエツチヤント）
でAu−Ge層をエツチングする。Au−Geの第２電極層（2
2）、第３電極層（23）は、あわせて約20000Åであり、
45℃エツチヤント２〜３分でエツチングは終了する。そ
して化合物半導体（10）の表面はCrの保護膜（21）で覆
われているので侵されない。その後硝酸第２セリウムア
ンモニウム、過塩素酸、及び水の混合液でCrのエツチン
グをする。この場合エツチング条件をあやまると化合物
半導体をエツチングするが、最もエツチングしやすいの
はエツチング液中のよう素（I2）である事が判ったた
め、Crのエツチングにおいては３液の混合比と温度管理
によって化合物半導体（10）の表面がエツチングされな
いうちにエツチング終了することができた。
る。まず化合物半導体（10）を真空チヤンバーにセツト
し、10-6Torrの真空状態におき、電子ビームを用いて予
じめ用意されたCrを蒸着する。これは保護膜（21）とな
るもので厚みは例えば50Åである。次いで約300℃付近
まで昇温し、一定時間保持し、Cr膜をいわゆる焼成（ア
ニール）する。その後、再びもとの温度及び真空条件と
し、Geを主とする第２電極層（22）、Auを主とする第３
電極層（23）を形成する。蒸着が終了すると、フオトリ
ソグラフイ技術を用い感光膜（図示せず）をパターン形
成し、よう素よう化カリ混合液（I2−KIエツチヤント）
でAu−Ge層をエツチングする。Au−Geの第２電極層（2
2）、第３電極層（23）は、あわせて約20000Åであり、
45℃エツチヤント２〜３分でエツチングは終了する。そ
して化合物半導体（10）の表面はCrの保護膜（21）で覆
われているので侵されない。その後硝酸第２セリウムア
ンモニウム、過塩素酸、及び水の混合液でCrのエツチン
グをする。この場合エツチング条件をあやまると化合物
半導体をエツチングするが、最もエツチングしやすいの
はエツチング液中のよう素（I2）である事が判ったた
め、Crのエツチングにおいては３液の混合比と温度管理
によって化合物半導体（10）の表面がエツチングされな
いうちにエツチング終了することができた。
上述の例で、オーミツク接触をとるためにはCrからな
る保護膜は薄い方がよい。それはオーミツク用アニール
の条件によって厚さが100Å未満であれば実用上さしつ
かえない。しかし100Å未満のCr薄膜は、化合物半導体
との密着性やピンホールの発生等によって金属薄膜が不
安定であり、そのままでは保護膜となり得ない。そこで
約300℃という高温処理をするとピンホールがつぶれ、
密着性（親和力）も向上し、安定な保護膜となることが
判った。
る保護膜は薄い方がよい。それはオーミツク用アニール
の条件によって厚さが100Å未満であれば実用上さしつ
かえない。しかし100Å未満のCr薄膜は、化合物半導体
との密着性やピンホールの発生等によって金属薄膜が不
安定であり、そのままでは保護膜となり得ない。そこで
約300℃という高温処理をするとピンホールがつぶれ、
密着性（親和力）も向上し、安定な保護膜となることが
判った。
ト）発明の効果 以上の如くによりクロム（Cr）膜は薄膜でありながら
充分にアルミニウムを含む化合物半導体のエツチングの
保護膜の役目をはたし、かつクロム（Cr）そのものは安
定で上層の電極層への析出をしないから金属細線のボン
ダビリテイは99.9以上を確保でき、かつ目視でワイヤボ
ンドが確実なものに対して通電中のワイヤボンド不良は
発生しなかった。
充分にアルミニウムを含む化合物半導体のエツチングの
保護膜の役目をはたし、かつクロム（Cr）そのものは安
定で上層の電極層への析出をしないから金属細線のボン
ダビリテイは99.9以上を確保でき、かつ目視でワイヤボ
ンドが確実なものに対して通電中のワイヤボンド不良は
発生しなかった。
図は本発明実施例の発光素子の側面模式図である。 （10）…化合物半導体、（20）…（主面の）電極、（3
0）…裏面電極、（21）…保護膜、（22）…第２電極
層、（23）…第３電極層
0）…裏面電極、（21）…保護膜、（22）…第２電極
層、（23）…第３電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−89488（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−98880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−76486（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−50981（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−104260（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】アルミニウムを含む化合物半導体と、その
化合物半導体の主面に設けられ高温処理された厚さ100
Å未満のクロム（Cr）からなる保護膜と、保護膜上に積
層された電極層とを具備した事を特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17468085A JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17468085A JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235587A JPS6235587A (ja) | 1987-02-16 |
| JP2594032B2 true JP2594032B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=15982814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17468085A Expired - Lifetime JP2594032B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594032B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19954319C1 (de) | 1999-11-11 | 2001-05-03 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Kontaktelektroden für Verbindungshalbeiter und Anordnung |
| JP5644669B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2014-12-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2013191810A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5289488A (en) * | 1976-01-21 | 1977-07-27 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5598880A (en) * | 1979-01-20 | 1980-07-28 | Nec Corp | Light transmitting/receiving semiconductor device |
| JPS5976486A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
| JPS6050981A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17468085A patent/JP2594032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235587A (ja) | 1987-02-16 |
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