DE19954319C1 - Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Kontaktelektroden für Verbindungshalbeiter und Anordnung - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Kontaktelektroden für Verbindungshalbeiter und AnordnungInfo
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Abstract
Eine mehrschichtige Kontaktelektrode für die p-leitende Halbleiterschicht eines Halbleiterkörpers aus einem III/V-Verbindungshalbleiter ist üblicherweise aus verschiedenen Metallen und mehreren Schichten aufgebaut, wobei eine Schicht als Diffusionsbarriere dient und eine Kontaminierung durch eindiffundierende Fremdatome verhindern soll. Die Herstellung und Strukturierung eines solchen Kontakts ist insbesondere wegen der Diffusionsbarriere aufwendig, zeitintensiv und vergleichsweise teuer. Daher soll ein Verfahren zur Herstellung eines einfach aufgebauten Kontakts angegeben werden. DOLLAR A Die Lösung besteht aus einem Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Kontaktelektroden für die p-leitende Halbleiterschicht eines Halbleiterkörpers aus einem III/V-Verbindungshalbleiter, bei dem zuerst auf die p-leitende Halbleiterschicht eine erste Metallisierungsschicht aufgebracht, anschließend die erste Metallisierungsschicht getempert und danach auf die erste Metallisierungsschicht eine zweite Metallisierungsschicht aufgebracht wird. DOLLAR A Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Herstellung von Infrarotstrahlung emittierenden Dioden, wie sie zur drahtlosen Datenübertragung oder in verschiedenen Sensoren verwendet werden.
Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zum Herstellen von mehrschichti
gen Kontaktelektroden für Verbindungshalbleiter nach dem Oberbegriff des Pa
tentanspruchs 1 und einer mehrschichtigen Kontaktelektrode für Verbindungs
halbleiter nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 9.
Aus der Druckschrift Patent Abstracts of Japan: JP 11-54 843 A, JPO, 1999, ist
ein Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Kontaktelektroden für die p-
leitende Halbleiterschicht eines Halbleiterkörpers aus einem III/V-Verbindungs
halbleiter bekannt, bei dem zuerst eine Metallisierungsschicht auf die p-leitende
Halbleiterschicht aufgebracht und diese anschließend einer Wärmebehandlung
(Tempern) bei 400°C unterzogen wird. Danach werden auf die erste Metallisie
rungsschicht weitere, aus verschiedenen Metallen bestehende Schichten aufge
bracht.
Auch die Druckschrift Patent Abstracts of Japan: JP 62-35587 A, E-522, 1987,
Vol. 11/No. 212, beschreibt eine mehrschichtige Kontaktelektrode für ein licht
aussendendes Halbleiterbauelement, bei dem auf eine erste getemperte Metalli
sierungsschicht aus Cr zwei weitere Schichten aus Ge und Au aufgebracht und
anschließend geätzt werden.
Die Druckschrift DE 198 20 777 A1 beschreibt eine Drahtbondingelektrode für die
Oberfläche eines p-leitenden Verbundhalbleiters auf GaN-Basis, die einen mehr
schichtigen Aufbau aufweisen kann und deren oberste Schicht aus Al oder Au
gebildet ist.
In der europäischen Offenlegungsschrift EP 0 952 617 A1 sind verschiedene
Kontaktelektroden für die p-leitenden Schichten eines III/V-Verbindungshalb
leiters auf der Basis von InAlGaN beschrieben.
Schließlich wird noch in der Druckschrift Engl. Abstract von JP 63-84 125 A,
JPO & Japio, 1988, ein Verfahren zum Herstellen einer Elektrode mit einer Alu
miniumschicht für einen Verbindungshalbleiter beschrieben.
Bei einem Verfahren und einer mehrschichtigen Kontaktelektrode nach dem
Stand der Technik, wie in Fig. 5 dargestellt, werden auf einem Halbleiterkörper
11 aus einem Verbindungshalbleiter eine einschichtige Kontaktelektrode 13
(Rückseitenkontakt) für das n-leitende Substrat 12 und eine Kontaktelektrode 16
(Vorderseitenkontakt) auf die p-leitende Halbleiterschicht 14 aufgebracht. Als
Kontaktmetalle werden für die Kontaktelektrode 16 entweder eine Goldlegierung
oder reines Aluminium verwendet.
Goldlegierungen für Kontaktelektroden, wie sie beispielsweise aus den europäi
schen Patentanmeldungen EP 0 386 775 A1 oder EP 0 584 599 A1 bekannt
sind, weisen den Nachteil auf, dass beim Tempern der Kontaktelektrode 16 Ver
unreinigungen in das Metall eindiffundieren. Insbesondere trifft dies auf Gallium
zu, das aus der Halbleiterschicht 14 zur Kontaktmetalloberfläche diffundiert und
dort oxidiert. Beim Drahtbonden ergeben sich daraus große Schwierigkeiten, da
Drahtbonds auf der entstandenen Oxidschicht nur schlecht haften und somit viele
Drahtverbindungen fehlerhaft sind. Um die Diffusion und Oxidation hauptsächlich
von Gallium zu unterbinden, muss zur Kontaktierung der Halbleiterschicht 14
eine mehrschichtige Kontaktelektrode 16 mit einer Diffusionsbarriere 16b herge
stellt werden, wie in der Beschreibung zur Fig. 5 ausführlich erläutert wird.
Weitere Nachteile von Goldlegierungen sind, dass zur Strukturierung der mehr
schichtigen Kontaktelektrode 16 mehrere Arbeitsgänge mit verschiedenen Ätzlö
sungen notwendig sind. Dabei kommt es verfahrensbedingt zu einer uner
wünschten und nur schwer kontrollierbaren Unterätzung untenliegender Schich
ten.
Kontaktelektroden 16 aus reinem Aluminium sind zwar einfacher und kostengün
stig herzustellen, müssen aber bei vergleichsweise hohen Temperaturen einer
Wärmebehandlung unterzogen werden, um einen ohmschen Kontakt mit dem
Verbindungshalbleiter bilden zu können. Dadurch versprödet das Aluminium und
auf der Oberfläche des Kontakts bildet sich ein Film, der Gallium- und Aluminiu
moxide und Hydroxide enthält und nur unzureichend das Befestigen eines Bond
drahtes zulässt.
Eine Kombination aus einer Goldlegierung und reinem Aluminium, wie sie bei
spielsweise aus der deutschen Patentschrift DE 32 00 788 C2 oder dem bereits
genannten Dokument EP 0 584 599 A1 bekannt sind, für die mehrschichtige
Kontaktelektrode 16 ist zwar möglich, es bilden sich allerdings intermetallische
Phasen, die zu Zuverlässigkeitsproblemen beim Betrieb der damit hergestellten
Halbleiterbauelemente führen können. Daher trennt man üblicherweise Gold und
Aluminium wiederum mittels einer Diffusionsbarriere 16b aus Titannitrid oder
Titan-Wolfram.
Die Herstellung und spätere Strukturierung einer aus mehreren Metallen beste
henden mehrschichtigen Kontaktelektrode 16 ist insbesondere wegen der Diffu
sionsbarriere 16b aufwendig, zeitintensiv und somit vergleichsweise teuer.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 1 so zu gestalten, dass für die p-leitende Halbleiterschicht eines
III/V-Verbindungshalbleiters eine einfach aufgebaute Kontaktierung hergestellt
werden kann. Es ist weiterhin Aufgabe der Erfindung, eine einfache Kontaktelek
trode für die p-leitende Halbleiterschicht eines III/V-Verbindungshalbleiters anzu
geben.
Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren zum Herstellen von mehrschichti
gen Kontaktelektroden für Verbindungshalbleiter mit den im Anspruch 1 angege
benen Merkmalen und eine mehrschichtige Kontaktelektrode für Verbindungs
halbleiter mit den im Anspruch 9 angegebenen Merkmalen.
Der nach dem Verfahren des Anspruchs 1 hergestellte Gegenstand weist die
Vorteile auf, dass er einfach herstellbar ist, da er nur aus einem Metall besteht
und keine Diffusionssperre aufweist.
Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Herstellung von Infrarotstrahlung
emittierenden Dioden, wie sie zur drahtlosen Datenübertragung oder in verschie
denen Sensoren verwendet werden.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens nach Anspruch 1 und der Anord
nung nach Anspruch 9 sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispiels unter Zuhilfenahme
der Zeichnung erläutert. Es zeigen
Fig. 1: Schichtenfolge eines Verbindungshalbleiters für eine Infrarotdiode mit
Vorderseitenkontakt,
Fig. 2: der Verbindungshalbleiter nach Fig. 1 zusätzlich mit Rückseitenkon
takt,
Fig. 3: der Verbindungshalbleiter nach Fig. 2 zusätzlich mit Bondpad,
Fig. 4: der Verbindungshalbleiter nach Fig. 3 mit strukturiertem Vordersei
tenkontakt und
Fig. 5: Schichtenfolge eines Verbindungshalbleiters nach dem Stand der
Technik.
Die Fig. 1 zeigt die Schichtenfolge eines Halbleiterkörpers oder Chips 1 für
eine Infrarotdiode aus einem III/V-Mischkristall- oder Verbindungshalbleiter
wie Galliumarsenid (GaAs) oder Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs), beste
hend aus einer n-leitenden Halbleiterschicht 2 und einer p-leitenden Halblei
terschicht 3, die die strahlungsemittierende Oberfläche des Halbleiterkörpers
1 darstellt. N-leitende Halbleiterschicht 2 und p-leitende Halbleiterschicht 3
bilden zusammen einen pn-Übergang 4. Beide Halbleiterschichten 2 und 3
können jeweils aus mehreren, verschiedenen Schichten aufgebaut sein; bei
spielsweise kann die n-leitende
Halbleiterschicht 2 aus einem n-leitenden GaAs-Substrat und einer n-leitenden
Epitaxie-Halbleiterschicht bestehen.
Zuerst wird auf die Oberseite der Halbleiterschicht 3 bei einer Temperatur von
mehr als 350°C eine erste Metallisierungsschicht 5 aus Aluminium mit einer Dic
ke zwischen 0,01 µm und 0,5 µm durch Aufdampfen oder Kathodenzerstäuben
aufgebracht. Diese erste Aluminiumschicht 5 wird unmittelbar nach ihrer Herstel
lung bei etwa 500°C in einer inerten Atmosphäre für ca. 30 min getempert, d. h.
einer Wärmebehandlung unterzogen.
Damit zwischen der Aluminiumschicht 5 und der p-leitenden Halbleiterschicht 3
ein ohmscher Kontakt mit dem erforderlichen niedrigen Kontaktwiderstand her
gestellt werden kann, muss die Ladungsträgerkonzentration in der Oberfläche
der Halbleiterschicht 3 größer sein als etwa 1 . 1019 cm-3. Diese Ladungsträger
konzentration wird beispielsweise dadurch erreicht, dass vor dem Aufbringen der
Aluminiumschicht 5 in einem Diffusionsprozess Zink in hoher Konzentration in die
Halbleiterschicht 3 eindiffundiert wird. Statt dessen kann auch während der Her
stellung der Halbleiterschicht 3 Silizium oder ein anderes geeignetes Element in
hoher Konzentration als Dotierstoff eingebaut werden.
Nach dem Tempern der ersten Aluminiumschicht 5 wird eine einschichtige Kon
taktelektrode 6 (Rückseitenkontakt) auf das n-leitende Substrat 2 des Chips 1
aufgebracht, wie dies in Fig. 2 dargestellt ist. Der Rückseitenkontakt 6 besteht,
wie dies für Infrarotdioden üblich ist, aus einem Metallfilm aus einer Gold-
Germanium-Legierung. Der Rückseitenkontakt 6 wird mit einem bekannten Ver
fahren aufgebracht und bei einer Temperatur zwischen 360°C und 450°C ge
tempert. Er bildet beim Tempern bereits in diesem Temperaturbereich einen
ohmschen Kontakt mit dem Substrat 2, d. h. er wird ohmsch. Er darf keinen höhe
ren Temperaturen ausgesetzt werden, da ansonsten der Metallfilm aufschmilzt
und mit dem Halbleiterkristall des Substrats 2 legiert. Aus diesem Grund muss
der Rückseitenkontakt 6 nach der ersten Aluminiumschicht 5 aufgebracht und
getempert werden.
Nach dem Herstellen des Rückseitenkontakts 6 wird die erste Aluminiumschicht
5 kurz mit einer verdünnten mineralischen Säure (verdünnte Flusssäure [HF]
oder gepufferte HF) überätzt, um Beläge und Verunreinigungen von der Oberflä
che der Aluminiumschicht 5 zu entfernen. Danach wird, wie in Fig. 3 dargestellt,
bei einer
Temperatur von typisch 150°C eine zweite Metallisierungsschicht 7 aus Alumini
um als Bondpad mit einer Dicke von 1,5 µm bis 4 µm und typisch 2 µm auf die
überätzte erste Aluminiumschicht 5 aufgedampft oder gesputtert. Im Gegensatz
zur ersten Aluminiumschicht 5 wird diese zweite Aluminiumschicht 7 nicht ge
tempert. Es ist darauf zu achten, dass die Temperatur beim Aufbringen der
zweiten Aluminiumschicht 7 möglichst niedrig bleibt, um ein Eindiffundieren von
Verunreinigungen der ersten Aluminiumschicht 5 und ein Verspröden des Alumi
niums zu vermeiden.
Eine dermaßen aus den beiden Aluminiumschichten 5 und 7 hergestellte zwei-
oder doppelschichtige Kontaktelektrode 8 (Vorderseitenkontakt) für die p-leitende
Halbleiterschicht 3 zeichnet sich durch eine einfache Herstellung und durch eine
einwandfreie Drahtbondbarkeit aus. Die zweischichtige Kontaktelektrode 8 ist
weicher als ein einschichtiger Kontakt, da die dicke zweite Aluminiumschicht 7
kaum Verunreinigungen enthält (dies läßt sich durch eine Bestimmung der Härte
nach Vickers nachweisen). Untersuchungen haben ergeben, dass demzufolge
das Prozessfenster für die Drahtbondung der zweischichtigen Kontaktelektrode 8
aus Aluminium wesentlich größer ist als für einen einschichtigen Kontakt und
dass bei der Drahtbondung der zweischichtigen Kontaktelektrode 8 Ausbrüche
und Risse im Halbleiterkristall und schlecht haftende Drahtbonds zuverlässig
vermieden werden.
Nach dem Aufbringen der zweiten Aluminiumschicht 7 wird die mehrschichtige
Kontaktelektrode 8, um zur Erzielung maximaler Strahlungsleistung die strah
lungsemittierende Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 so weit wie möglich freizu
legen, strukturiert. Das heißt, nicht notwendige Teile der mehrschichtigen Kon
taktelektrode 8 werden entfernt. Hierzu werden mehrere Wafer gleichzeitig, wo
bei auf jedem Wafer eine Vielzahl von Chips 1 angeordnet sind, in einem fotoli
thografischen Prozess mit einer Lackmaske versehen und anschließend der nicht
notwendige Teil jeder mehrschichtigen Kontaktelektrode 8 mittels warmer Phos
phorsäure oder mittels eines Plasmaätzverfahrens entfernt. Fig. 4 zeigt in einer
Draufsicht den Halbleiterkörper 1 mit freigelegter Halbleiterschicht 3 und struktu
rierter Kontaktelektrode 8.
Üblicherweise werden nach der Strukturierung die Wafer mit einem Lack- oder
Oxidschutz versehen und am Ende zersägt oder mit einer anderen Methode ver
einzelt, um aus den Wafern verwendbare Halbleiterbauelemente fertigen zu kön
nen.
Fig. 5 zeigt die Schichtenfolge eines Halbleiterkörpers oder Chips 11 nach dem
Stand der Technik für eine Infrarotdiode, die vertikal vom Strom durchflossen
wird. Auf die Unterseite einer n-leitenden Halbleiterschicht 12, bestehend aus
einem III/V-Mischkristall- oder Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid (GaAs)
oder Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs), ist als ohmscher Kontakt eine Kontak
tierung 13 (Rückseitenkontakt) aufgebracht, im allgemeinen durch Aufdampfen
einer Metallschicht (Metallisierung) aus einer Gold-Germanium-Legierung. An die
Oberseite der Halbleiterschicht 12 schließt sich eine p-leitende Halbleiterschicht
14 an und bildet mit der n-leitenden Halbleiterschicht 12 einen pn-Übergang 15.
Auf die Oberseite der p-leitenden Halbleiterschicht 14 ist als weiterer ohmscher
Kontakt eine mehrschichtige Kontaktelektrode 16 (Vorderseitenkontakt) aus einer
Goldlegierung (Gold und Zink oder Gold und Beryllium) oder aus reinem Alumini
um aufgebracht.
Die (noch nicht strukturierte) mehrschichtige Kontaktelektrode 16 weist eine ver
hältnismäßig große Dicke von 2 µm bis 3 µm auf, um die sehr spröden und
bruchanfälligen Halbleitermaterialien GaAs und GaAlAs vor Beschädigungen
beim (Hochgeschwindigkeits-) Drahtbonden zu schützen. Um den ohmschen
Kontakt mit der p-leitenden Halbleiterschicht 14 herzustellen, muss die mehr
schichtige Kontaktelektrode 16 einer Temperaturbehandlung für die Dauer von
10 bis 30 min bei einer Temperatur von 400°C bis 500°C in einer Stickstoff-
oder Formiergasatmosphäre (85% Stickstoff, 15% Wasserstoff) unterzogen
werden.
Bei dieser Temperaturbehandlung (Temperung) diffundieren nicht nur die Be
standteile der Metallisierung in die Halbleiterschicht 14, sondern auch die
Komponenten der Halbleiterschicht 14 in die mehrschichtige Kontaktelektrode 16
ein. Besonders problematisch in diesem Zusammenhang ist, dass das im Ver
bindungshalbleiter enthaltene Gallium während der Temperung zur Oberfläche
der mehrschichtigen Kontaktelektrode 16 diffundiert und dort oxidiert, was eine
gut leitende Kontaktierung mittels eines Bonddrahtes erheblich erschwert.
Die Kontaktelektrode 16 wird daher aus mehreren Schichten aufgebaut, und zwar
aus der eigentlichen Metallisierungschicht 16a aus einer Goldlegierung, einer
Diffusionsbarriere 16b beispielsweise aus Chrom, Titan, Titannitrid oder Titan-
Wolfram und einem Bondpad 16c als Befestigungsgrundlage für einen Bonddraht.
Die Diffusionsbarriere 16b gewährleistet, dass das Bondpad 16c nicht mit Be
standteilen aus der Halbleiterschicht 14 kontaminiert wird und gut drahtbondbar
bleibt. Erst die Trennung des Bondpads 16c von der Metallisierungsschicht 16a
durch die Diffusionsbarriere 16b ermöglicht die Temperung der Kontaktelektrode
16 nach der Fertigstellung der Schichtenfolge, ohne dass eine Versprödung des
Metalls der Schicht 16a eintritt.
Claims (17)
1. Verfahren zum Herstellen von mehrschichtigen Kontaktelektroden (8) für die p-
leitende Halbleiterschicht (3) eines Halbleiterkörpers (1) aus einem III/V-Verbind
ungshalbleiter, bei dem zuerst eine erste Metallisierungsschicht (5) aufgebracht
wird, diese erste Metallisierungsschicht (5) anschließend einer Wärmebehand
lung unterzogen (getempert) wird und danach auf die erste Metallisierungsschicht
(5) eine zweite Metallisierungsschicht (7) aufgebracht wird, dadurch gekenn
zeichnet, dass die zweite Metallisierungsschicht (7) nicht getempert wird und
beide Metallisierungsschichten (5, 7) aus dem gleichen Material bestehen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbrin
gen der ersten Metallisierungsschicht (5) die Ladungsträgerkonzentration in der
Oberfläche der p-leitenden Halbleiterschicht (3) durch Dotieren mit Zink oder Sili
zium auf etwa 1 . 1019 cm-3 erhöht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste
Metallisierungsschicht (5) bei einer Temperatur von mehr als 350°C und mit ei
ner Dicke zwischen 0,01 µm und 0,5 µm durch Aufdampfen oder Kathodenzer
stäuben auf die p-leitende Halbleiterschicht (3) aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass als erste
Metallisierungsschicht (5) eine Aluminiumschicht auf die p-leitende Halbleiter
schicht (3) aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass
die erste Metallisierungsschicht (5) unmittelbar nach ihrer Herstellung bei etwa
500°C für ca. 30 min getempert wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass
die erste Metallisierungsschicht (5) vor dem Aufbringen der zweiten Metallisie
rungsschicht (7) mit einer verdünnten mineralischen Säure überätzt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass
die zweite Metallisierungsschicht (7) bei einer Temperatur von typisch 150°C
und mit einer Dicke von 1,5 µm bis 4 µm und typisch 2 µm durch Aufdampfen
oder Sputtern auf die erste Metallisierungsschicht (5) aufgebracht wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
dass die aus der ersten Metallisierungsschicht (5) und der zweiten Metallisie
rungsschicht (7) bestehende mehrschichtige Kontaktelektrode (8) zur Erzie
lung maximaler Strahlungsleistung strukturiert wird.
9. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) für die p-leitende Halbleiterschicht (3)
eines Halbleiterkörpers (1) aus einem III/V-Verbindungshalbleiter, dadurch
gekennzeichnet, dass die mehrschichtige Kontaktelektrode (8) aus einer
ersten, getemperten Metallisierungsschicht (5) und einer zweiten, ungetem
perten Metallisierungsschicht (7) aufgebaut ist und beide Metallisierungs
schichten (5, 7) aus dem gleichen Material bestehen.
10. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, dass der Halbleiterkörper (1) aus Galliumarsenid (GaAs) oder Galli
umaluminiumarsenid (GaAlAs) besteht.
11. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach Anspruch 9 oder 10, dadurch
gekennzeichnet, dass beide Metallisierungsschichten (5, 7) aus Aluminium
bestehen.
12. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach einem der Ansprüche 9 bis 11,
dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallisierungsschicht (5) eine Dicke
zwischen 0,01 µm und 0,5 µm aufweist.
13. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach einem der Ansprüche 9 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Metallisierungsschicht (7) eine Dic
ke von 1,5 µm bis 4 µm und typisch 2 µm aufweist.
14. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach einem der Ansprüche 9 bis 13,
dadurch gekennzeichnet, dass die Ladungsträgerkonzentration in der Ober
fläche der p-leitenden Halbleiterschicht (3) größer ist als 1 . 1019 cm-3.
15. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach einem der Ansprüche 9 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, dass in die Oberfläche der p-leitenden Halbleiter
schicht (3) Zink in hoher Konzentration als Dotierstoff eingebaut ist.
16. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach einem der Ansprüche 9 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, dass in die Oberfläche der p-leitenden Halbleiter
schicht (3) Silizium in hoher Konzentration als Dotierstoff eingebaut ist.
17. Mehrschichtige Kontaktelektrode (8) nach einem der Ansprüche 11 bis
16, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Aluminiumschicht (7) als Bond
pad dient.
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