JPH0955366A - 三族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
三族窒化物半導体の製造方法Info
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- JPH0955366A JPH0955366A JP20862095A JP20862095A JPH0955366A JP H0955366 A JPH0955366 A JP H0955366A JP 20862095 A JP20862095 A JP 20862095A JP 20862095 A JP20862095 A JP 20862095A JP H0955366 A JPH0955366 A JP H0955366A
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- Japan
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- film
- group iii
- nitride semiconductor
- iii nitride
- gan layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等の三族窒化物半導体
の選択エッチングを行う。 【解決手段】Ａｕ、Ｐｔ等化学的に安定な金属膜のパタ
ーンを形成し、その膜をマスクとして、湿式エッチング
を行う。特にＡｕ、Ｐｔ等は、ｎ型のＡｌＮ、ＧａＮ、
ＩｎＮに対してオーミック接触が得られるので、マスク
として使った金属膜を電極としても利用する。
の選択エッチングを行う。 【解決手段】Ａｕ、Ｐｔ等化学的に安定な金属膜のパタ
ーンを形成し、その膜をマスクとして、湿式エッチング
を行う。特にＡｕ、Ｐｔ等は、ｎ型のＡｌＮ、ＧａＮ、
ＩｎＮに対してオーミック接触が得られるので、マスク
として使った金属膜を電極としても利用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化アルミニウ
ム、窒化ガリウム、窒化インジウム（以下それぞれＡｌ
Ｎ、ＧａＮ、ＩｎＮと記す）等の三族窒化物半導体の製
造方法、特にその選択エッチング方法に関する。
ム、窒化ガリウム、窒化インジウム（以下それぞれＡｌ
Ｎ、ＧａＮ、ＩｎＮと記す）等の三族窒化物半導体の製
造方法、特にその選択エッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等のいわゆる三
族窒化物は、化学的、熱的に非常に安定であり、しか
も、電子移動度が高く、光学ギャップも広いことから、
５００〜２８０ｎｍ程度の波長域の発光素子や、高温で
動作可能なトランジスタ等の半導体応用が研究されてい
る。特に、トランジスタ等の能動素子を作成する場合に
は、材料の微細加工が必要になる。
族窒化物は、化学的、熱的に非常に安定であり、しか
も、電子移動度が高く、光学ギャップも広いことから、
５００〜２８０ｎｍ程度の波長域の発光素子や、高温で
動作可能なトランジスタ等の半導体応用が研究されてい
る。特に、トランジスタ等の能動素子を作成する場合に
は、材料の微細加工が必要になる。
【０００３】これらの材料に対するエッチング方法とし
ては、化学的な気相エッチングでは、ジクロロジフロロ
メタン（ＣＣｌ2 Ｆ2 ）とアルゴン（Ａｒ）の混合ガ
ス、三塩化ほう素（ＢＣｌ3 ）とＡｒの混合ガス、或い
はメタン（ＣＨ4 ）と水素（Ｈ 2 ）とＡｒの混合ガスが
最近報告されている（エス、ジェー、ピアトン他：ジャ
ーナルオブバキュウムサイエンスエンドテクノロジィ
Ａ１１巻４号１７７２頁１９９３年による）。また、物
理的な気相エッチングでは、Ａｒを使ったイオンミリン
グが行われている。
ては、化学的な気相エッチングでは、ジクロロジフロロ
メタン（ＣＣｌ2 Ｆ2 ）とアルゴン（Ａｒ）の混合ガ
ス、三塩化ほう素（ＢＣｌ3 ）とＡｒの混合ガス、或い
はメタン（ＣＨ4 ）と水素（Ｈ 2 ）とＡｒの混合ガスが
最近報告されている（エス、ジェー、ピアトン他：ジャ
ーナルオブバキュウムサイエンスエンドテクノロジィ
Ａ１１巻４号１７７２頁１９９３年による）。また、物
理的な気相エッチングでは、Ａｒを使ったイオンミリン
グが行われている。
【０００４】一方、湿式エッチングでは、５０〜２００
℃に過熱された燐酸（しんたに他：ジャーナルオブエレ
クトロケミカルソサイエティ １２３巻５号７０５頁１
９７６年による）や５０％水酸化ナトリウム水溶液が報
告されている。
℃に過熱された燐酸（しんたに他：ジャーナルオブエレ
クトロケミカルソサイエティ １２３巻５号７０５頁１
９７６年による）や５０％水酸化ナトリウム水溶液が報
告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】例えばＧａＮの気相エ
ッチングのエッチング速度は、前記文献によれば最大で
も約３０ｎｍ・ｍｉｎ-1である。しかも塩素系のガスや
可燃性のガスを使うため、特殊な真空装置や排気設備が
必要になる。物理的な気相エッチングは一般的に、化学
的な気相エッチングよりエッチング速度が遅い。
ッチングのエッチング速度は、前記文献によれば最大で
も約３０ｎｍ・ｍｉｎ-1である。しかも塩素系のガスや
可燃性のガスを使うため、特殊な真空装置や排気設備が
必要になる。物理的な気相エッチングは一般的に、化学
的な気相エッチングよりエッチング速度が遅い。
【０００６】これに対し、加熱した燐酸では、１μｍ・
ｍｉｎ-1程度のエッチング速度が得られ、しかも真空装
置は必要でない。従ってＧａＮのエッチングを、容易に
しかも短時間に行おうとした場合には、気相エッチング
よりも湿式エッチングのほうが有利である。ところで、
三族窒化物半導体の製造工程において、選択的なエッチ
ングが必要になることがある。加熱した燐酸で充分なエ
ッチング速度を得るには、１００℃以上の温度に加熱し
なければならない。
ｍｉｎ-1程度のエッチング速度が得られ、しかも真空装
置は必要でない。従ってＧａＮのエッチングを、容易に
しかも短時間に行おうとした場合には、気相エッチング
よりも湿式エッチングのほうが有利である。ところで、
三族窒化物半導体の製造工程において、選択的なエッチ
ングが必要になることがある。加熱した燐酸で充分なエ
ッチング速度を得るには、１００℃以上の温度に加熱し
なければならない。
【０００７】このように１００℃以上に加熱された燐酸
や、５０％水酸化ナトリウム水溶液のような強酸、強ア
ルカリ溶液では、通常のレジストを用いたエッチングで
は、レジストが剥離してしまい設計通りの微細構造が得
られないという問題がある。以上の問題に鑑みて、本発
明の目的は、容易に短時間で選択エッチングが可能で微
細加工のできる三族窒化物半導体の製造方法を提供する
ことにある。
や、５０％水酸化ナトリウム水溶液のような強酸、強ア
ルカリ溶液では、通常のレジストを用いたエッチングで
は、レジストが剥離してしまい設計通りの微細構造が得
られないという問題がある。以上の問題に鑑みて、本発
明の目的は、容易に短時間で選択エッチングが可能で微
細加工のできる三族窒化物半導体の製造方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決のため本
発明の三族化合物半導体の製造方法は、三族窒化物半導
体上に、これらの半導体のエッチング液に対して安定な
金属膜のパターンを形成し、それをマスクとして選択エ
ッチングするものである。そのようにすれば、マスク材
の剥離等がない。
発明の三族化合物半導体の製造方法は、三族窒化物半導
体上に、これらの半導体のエッチング液に対して安定な
金属膜のパターンを形成し、それをマスクとして選択エ
ッチングするものである。そのようにすれば、マスク材
の剥離等がない。
【０００９】特に、選択エッチングのマスクとして使用
した金属膜の少なくとも一部をオーミック電極として使
用するとよい。そのようにすれば、金属膜が電極として
も使用できる。三族窒化物半導体としては例えば、ｎ型
のＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮまたは、これらの混晶のいず
れかが、また、エッチング液としては、加熱した燐酸
が、また、マスクとする金属膜としては、金、白金、パ
ラジウム（以下それぞれＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ）またはこれ
らの金属を主成分として含む合金のいずれかとすれば、
確実にマスク作用があり選択エッチングができる。
した金属膜の少なくとも一部をオーミック電極として使
用するとよい。そのようにすれば、金属膜が電極として
も使用できる。三族窒化物半導体としては例えば、ｎ型
のＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮまたは、これらの混晶のいず
れかが、また、エッチング液としては、加熱した燐酸
が、また、マスクとする金属膜としては、金、白金、パ
ラジウム（以下それぞれＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ）またはこれ
らの金属を主成分として含む合金のいずれかとすれば、
確実にマスク作用があり選択エッチングができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】上記課題解決のため、本発明の製
造方法は、高温の酸に耐える金属膜をマスクとして、選
択エッチングするものである。特に三族窒化物半導体と
オーミックな接触をする金属膜とすれば、電極材として
も使えるので、工程上便利である。耐エッチング性と、
接触性を備えた金属膜としては、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ｐ
ｄおよびそれらを主成分として含む合金が相当する。
造方法は、高温の酸に耐える金属膜をマスクとして、選
択エッチングするものである。特に三族窒化物半導体と
オーミックな接触をする金属膜とすれば、電極材として
も使えるので、工程上便利である。耐エッチング性と、
接触性を備えた金属膜としては、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ｐ
ｄおよびそれらを主成分として含む合金が相当する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の三族窒化
物半導体の製造方法を説明する。実施例としては、ｎ型
三族窒化物半導体にＧａＮを、マスク用の金属にはＡｕ
を用いた例を取り上げる。ＧａＮは、窒素ラジカル銃と
金属Ｇａ源を使ったＭＢＥ（分子線エピタキシー）シス
テムによりサファイア基板上に成膜した。
物半導体の製造方法を説明する。実施例としては、ｎ型
三族窒化物半導体にＧａＮを、マスク用の金属にはＡｕ
を用いた例を取り上げる。ＧａＮは、窒素ラジカル銃と
金属Ｇａ源を使ったＭＢＥ（分子線エピタキシー）シス
テムによりサファイア基板上に成膜した。
【００１２】〔実施例１〕図１は、本発明のＧａＮ層の
製造方法を説明するための工程順に並べた主な工程ごと
の断面図である。先ず、サファイア基板１上にＭＢＥ法
により低温ＧａＮ層２を２００ｎｍの膜厚に堆積した
〔図１（ａ）〕。基板温度は６００℃とした。基板温度
を６００℃と低温に設定することによって、膜中にドナ
ーとなる欠陥が導入され、抵抗の低いｎ型のＧａＮが得
られる。なお、ＧａＮの膜厚は２００ｎｍとした。次
に、基板温度を室温まで下げ、低温ＧａＮ層２上に、ス
パッタリング法によりＡｕ膜３を１００ｎｍ堆積した
〔同図（ｂ）〕。次に、Ａｕ膜３の上にフォトレジスト
４を塗布し、通常のフォトリソグラフィー技術を使っ
て、所定の形状にフォトレジスト４を加工した。フォト
レジスト４としては、東京応化（株）製のポジ型のＯＦ
ＰＲ８００を使用した。その後、この試料を沃化カリウ
ム＋沃素（ＫＩ＋Ｉ2 ）水溶液中に浸し、露出している
部分のＡｕ膜３を除去した。このとき、ＫＩ＋Ｉ2 水溶
液中に対し、低温ＧａＮ層２は溶けないため、Ａｕ膜３
が除去された部分には低温ＧａＮ層２が露出する〔同図
（ｃ）〕。
製造方法を説明するための工程順に並べた主な工程ごと
の断面図である。先ず、サファイア基板１上にＭＢＥ法
により低温ＧａＮ層２を２００ｎｍの膜厚に堆積した
〔図１（ａ）〕。基板温度は６００℃とした。基板温度
を６００℃と低温に設定することによって、膜中にドナ
ーとなる欠陥が導入され、抵抗の低いｎ型のＧａＮが得
られる。なお、ＧａＮの膜厚は２００ｎｍとした。次
に、基板温度を室温まで下げ、低温ＧａＮ層２上に、ス
パッタリング法によりＡｕ膜３を１００ｎｍ堆積した
〔同図（ｂ）〕。次に、Ａｕ膜３の上にフォトレジスト
４を塗布し、通常のフォトリソグラフィー技術を使っ
て、所定の形状にフォトレジスト４を加工した。フォト
レジスト４としては、東京応化（株）製のポジ型のＯＦ
ＰＲ８００を使用した。その後、この試料を沃化カリウ
ム＋沃素（ＫＩ＋Ｉ2 ）水溶液中に浸し、露出している
部分のＡｕ膜３を除去した。このとき、ＫＩ＋Ｉ2 水溶
液中に対し、低温ＧａＮ層２は溶けないため、Ａｕ膜３
が除去された部分には低温ＧａＮ層２が露出する〔同図
（ｃ）〕。
【００１３】次に、アセトン中での超音波洗浄によりフ
ォトレジスト４の剥離を行った〔同図（ｄ）〕。また、
酸素プラズマやＯＦＰＲ用剥離液を使ってもレジスト剥
離は可能である。フォトレジスト４の剥離後、試料を約
１５０℃に加熱した燐酸中に浸し、低温ＧａＮ層２のエ
ッチングを行った〔同図（ｅ）〕。Ａｕ膜３は、１５０
℃に加熱した燐酸に対して安定であり、燐酸中でも従来
のフォトレジストのように剥離することがなかった。従
って、低温ＧａＮ層２上にＡｕ膜３が存在する領域は、
燐酸が直接低温ＧａＮ層２に触れないため、エッチング
されず、低温ＧａＮ層２が露出した部分のみエッチング
され、選択エッチングができた。最後に、試料を再びＫ
Ｉ＋Ｉ2 水溶液中に浸し、金属マスクとして使用したＡ
ｕ膜３を除去しエッチングが終了した〔同図（ｆ）〕。
ォトレジスト４の剥離を行った〔同図（ｄ）〕。また、
酸素プラズマやＯＦＰＲ用剥離液を使ってもレジスト剥
離は可能である。フォトレジスト４の剥離後、試料を約
１５０℃に加熱した燐酸中に浸し、低温ＧａＮ層２のエ
ッチングを行った〔同図（ｅ）〕。Ａｕ膜３は、１５０
℃に加熱した燐酸に対して安定であり、燐酸中でも従来
のフォトレジストのように剥離することがなかった。従
って、低温ＧａＮ層２上にＡｕ膜３が存在する領域は、
燐酸が直接低温ＧａＮ層２に触れないため、エッチング
されず、低温ＧａＮ層２が露出した部分のみエッチング
され、選択エッチングができた。最後に、試料を再びＫ
Ｉ＋Ｉ2 水溶液中に浸し、金属マスクとして使用したＡ
ｕ膜３を除去しエッチングが終了した〔同図（ｆ）〕。
【００１４】〔実施例２〕この例では、ＧａＮ薄膜を使
った電界効果トランジスタの製造方法について述べる。
図２は、本発明の電界効果トランジスタの製造方法を説
明するための工程順に並べた主な工程ごとの断面図また
は斜視図である。基板をゲート電極として使用するた
め、ｎ型の（１１１）面方位の単結晶のシリコン基板１
１上に、前記ＭＢＥ装置により、基板温度８００℃で、
格子歪みの緩和のためのバツファー層となるＡｌＮ層１
２とゲート絶縁膜となる高温ＧａＮ層１３を積層した。
基板温度８００℃で堆積した高温ＧａＮ層１３は、単結
晶に近い構造となり、電気的には絶縁体である。その
後、その上に実施例１と同様に、基板温度６００℃で低
温ＧａＮ層２を形成し、室温でＡｕ膜３を堆積した〔図
２（ａ）〕。
った電界効果トランジスタの製造方法について述べる。
図２は、本発明の電界効果トランジスタの製造方法を説
明するための工程順に並べた主な工程ごとの断面図また
は斜視図である。基板をゲート電極として使用するた
め、ｎ型の（１１１）面方位の単結晶のシリコン基板１
１上に、前記ＭＢＥ装置により、基板温度８００℃で、
格子歪みの緩和のためのバツファー層となるＡｌＮ層１
２とゲート絶縁膜となる高温ＧａＮ層１３を積層した。
基板温度８００℃で堆積した高温ＧａＮ層１３は、単結
晶に近い構造となり、電気的には絶縁体である。その
後、その上に実施例１と同様に、基板温度６００℃で低
温ＧａＮ層２を形成し、室温でＡｕ膜３を堆積した〔図
２（ａ）〕。
【００１５】次に、実施例１と同様の手法で、フォトリ
ソグラフィ技術を使って、Ａｕ膜３をパターン形成し、
そのＡｕ膜３をマスクとした湿式エッチングにより、低
温ＧａＮ層２、高温ＧａＮ層１３、ＡｌＮ層１２をエッ
チングする〔同図（ｂ）〕。続いて、金属マスクとして
使っていたＡｕ膜３のパターニングのため、再びフォト
レジスト４を塗布し、フォトリソグラフィーによるフォ
トレジスト４のパターン形成をおこなう〔同図
（ｃ）〕。その後、ＫＩ＋Ｉ2 水溶液中に浸しＡｕ膜３
のエッチングをおこない、ソース電極１４、ドレイン電
極１５とする〔同図（ｄ）〕。最後に、フォトレジスト
４を剥離し、シリコン基板１１の裏面に金属膜を蒸着
し、ゲート電極として電界効果トランジスタが完成する
〔同図（ｅ）〕。
ソグラフィ技術を使って、Ａｕ膜３をパターン形成し、
そのＡｕ膜３をマスクとした湿式エッチングにより、低
温ＧａＮ層２、高温ＧａＮ層１３、ＡｌＮ層１２をエッ
チングする〔同図（ｂ）〕。続いて、金属マスクとして
使っていたＡｕ膜３のパターニングのため、再びフォト
レジスト４を塗布し、フォトリソグラフィーによるフォ
トレジスト４のパターン形成をおこなう〔同図
（ｃ）〕。その後、ＫＩ＋Ｉ2 水溶液中に浸しＡｕ膜３
のエッチングをおこない、ソース電極１４、ドレイン電
極１５とする〔同図（ｄ）〕。最後に、フォトレジスト
４を剥離し、シリコン基板１１の裏面に金属膜を蒸着
し、ゲート電極として電界効果トランジスタが完成する
〔同図（ｅ）〕。
【００１６】なお、実施例１では、低温ＧａＮ層２のエ
ッチング後にＡｕ膜３を除去したが、実施例２のように
Ａｕ膜３を除去せずに電極として使用することもでき
る。このようにすれば、三族窒化物半導体の微細加工が
容易に、短時間でできるだけでなく、電極形成のための
金属膜を改めて形成する工程は省略できる。上記実施例
は、ＧａＮとＡｕ膜の組合せを取り上げたが、ＩｎＮ、
ＡｌＮやＰｔ、Ｐｄ膜との組合せでも同様に選択エッチ
ングができた。
ッチング後にＡｕ膜３を除去したが、実施例２のように
Ａｕ膜３を除去せずに電極として使用することもでき
る。このようにすれば、三族窒化物半導体の微細加工が
容易に、短時間でできるだけでなく、電極形成のための
金属膜を改めて形成する工程は省略できる。上記実施例
は、ＧａＮとＡｕ膜の組合せを取り上げたが、ＩｎＮ、
ＡｌＮやＰｔ、Ｐｄ膜との組合せでも同様に選択エッチ
ングができた。
【００１７】ＡｕやＰｔ等の金属は化学的に安定な材料
であり、２００℃に加熱された燐酸中でも腐食しない。
なお、ＡｕやＰｔは貴金属ではあるが、使用する膜厚は
１００ｎｍ程度、すなわち１ｃｍ2 当たり１０-4ｇ程度
であり、コスト的に問題になるような量ではない。ま
た、これらの材料は、上記実施例のＫＩ＋Ｉ2 溶液の他
に、物理的な気相エッチング方法であるＡｒイオンによ
るエッチングに対するマスク材としても可能である。
であり、２００℃に加熱された燐酸中でも腐食しない。
なお、ＡｕやＰｔは貴金属ではあるが、使用する膜厚は
１００ｎｍ程度、すなわち１ｃｍ2 当たり１０-4ｇ程度
であり、コスト的に問題になるような量ではない。ま
た、これらの材料は、上記実施例のＫＩ＋Ｉ2 溶液の他
に、物理的な気相エッチング方法であるＡｒイオンによ
るエッチングに対するマスク材としても可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の製造方法
は、化学的に安定な材料であるＡｕやＰｔ等の金属をエ
ッチング時のマスクとして使うことにより、エッチング
中のマスクの剥離といった問題はなく、微細加工ができ
る。しかも、オーミック接触が取れる材料であれば、そ
の金属膜を利用して電極形成が可能となる。よつて、三
族窒化物半導体の性能向上および工程短縮が実現でき
る。
は、化学的に安定な材料であるＡｕやＰｔ等の金属をエ
ッチング時のマスクとして使うことにより、エッチング
中のマスクの剥離といった問題はなく、微細加工ができ
る。しかも、オーミック接触が取れる材料であれば、そ
の金属膜を利用して電極形成が可能となる。よつて、三
族窒化物半導体の性能向上および工程短縮が実現でき
る。
【図１】本発明の製造方法にかかるＧａＮ半導体の工程
順に並べた主な工程ごとの断面図
順に並べた主な工程ごとの断面図
【図２】本発明の製造方法にかかるＧａＮ電界効果トラ
ンジスタの工程順に並べた主な工程ごとの断面図または
斜視図
ンジスタの工程順に並べた主な工程ごとの断面図または
斜視図
【符号の説明】 １ サファイア基板 ２ 低温ＧａＮ層 ３ Ａｕ膜 ４ フォトレジスト １１ シリコン基板 １２ ＡｌＮバッファー層 １３ 高温ＧａＮ層 １４ ソース電極 １５ ドレイン電極
Claims (5)
- 【請求項１】三族窒化物半導体上に、これらの半導体の
エッチング液に対して安定な金属膜のパターンを形成
し、それをマスクとして選択エッチングすることを特徴
とする三族窒化物半導体の製造方法。 - 【請求項２】選択エッチングのマスクとして使用した金
属膜の少なくとも一部をオーミック電極として使用する
ことを特徴とする請求項１に記載の三族窒化物半導体の
製造方法。 - 【請求項３】三族窒化物半導体が、ｎ型のＡｌＮ、Ｇａ
Ｎ、ＩｎＮまたは、これらの混晶のいずれかであること
を特徴とする請求項１または２にに記載の三族窒化物半
導体の製造方法。 - 【請求項４】加熱した燐酸でエッチングすることを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載の三族窒化物
半導体の製造方法。 - 【請求項５】Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、またはこれらの金属を
主成分として含む合金のいずれかをマスクとすることを
特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の三族窒
化物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20862095A JPH0955366A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 三族窒化物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20862095A JPH0955366A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 三族窒化物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955366A true JPH0955366A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16559246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20862095A Pending JPH0955366A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 三族窒化物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605548B1 (en) * | 1999-06-01 | 2003-08-12 | National Research Council Of Canada | Process for etching gallium nitride compound based semiconductors |
| JP2011082216A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-16 JP JP20862095A patent/JPH0955366A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605548B1 (en) * | 1999-06-01 | 2003-08-12 | National Research Council Of Canada | Process for etching gallium nitride compound based semiconductors |
| JP2011082216A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US9331190B2 (en) | 2009-10-02 | 2016-05-03 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device and method of manufacturing the same |
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