CN117542929A - 一种低温实现欧姆接触的工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种低温实现欧姆接触的工艺方法，包括：在GaAs衬底上依次沉积蚀刻停止层、n型GaAs层和空间层；沉积量子阱层、p型InAlP空间层、窗口层、沉积电极层，得到第一晶圆结构；剥离第一晶圆结构并退火，得到第二晶圆结构；将第二晶圆结构粘贴在蓝宝石片上；去除衬底，去除蚀刻停止层，得到第三晶圆结构；湿法腐蚀或干法刻蚀得到第四晶圆结构；沉积底部电极层；电镀铜Cu基底，低温退火操作。该方法通过表面处理改变n型GaAs的表面状态，实现欧姆接触的退火温度下降，这有利于应用通过基底转移技术制造的柔性电子产品；且该工艺方法增强了柔性LED的性能，简化了工艺流程，降低了成本，且能保护应用于特殊环境的材料。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种低温实现欧姆接触的工艺方法。
背景技术
欧姆接触是金属-半导体界面的一种接触形式，欧姆接触直接影响器件的效率、增益和开关速度等性能指标，可以用于一切器件和电路信号的输入、输出以及各元件间的相互连接。制备高性能而可靠的欧姆接触不仅有重要的技术意义，也有很大的经济意义。
目前，欧姆接触的制备方法为在重掺半导体上制作不退火欧姆接触，也可以通过刻蚀减薄欧姆区势垒层，调整欧姆电极金属结构实现新型低温欧姆接触；或是通过氢等离子体处理金属表面，沉积后可直接形成欧姆接触，使其欧姆特性随着合金温度的升高增强，以达到低温退火制备欧姆接触的目的。也可采用两步退火方式实现P型SiC材料低温欧姆合金退火，第一步退火为预退火，形成过面过渡层，第二步退火为高温快速退火，形成低势垒、高载流子密度的硅化物的过渡层；或是GaN器件利用增大金属电极层与外延层的接触面积、源漏电极层的蚀刻，实现低温欧姆接触；或是控制势垒层的刻蚀深度，实现凹槽型低温欧姆接触。
但是上述制备方法中，无论是否采用不退火、高温退火还是低温退火的工艺，制造成本均较高。
发明内容
本申请提供了一种低温实现欧姆接触的工艺方法，以解决欧姆接触制造成本较高的技术问题。
本申请提供一种低温实现欧姆接触的工艺方法，包括：采用金属有机化合物化学气相沉积技术在GaAs衬底上依次沉积InGaP蚀刻停止层、n型GaAs层和n型InAlP空间层；在所述n型InAlP空间层上沉积(AlGa)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P周期结构的量子阱层；在所述量子阱层上依次沉积p型InAlP空间层和GaP窗口层；采用电子束蒸发技术在所述GaP窗口层上沉积Zn/Au电极层，得到第一晶圆结构；采用光刻工艺剥离所述第一晶圆结构，将剥离后的所述第一晶圆结构置于N2环境下400℃下进行退火操作，得到第二晶圆结构；将所述第二晶圆结构中的电极层粘贴在蓝宝石片上；采用氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的混合溶液去除所述第二晶圆结构中的GaAs衬底，采用盐酸HCL和水的混合溶液去除所述InGaP蚀刻停止层，得到第三晶圆结构；采用湿法腐蚀所述第三晶圆结构，或采用干法刻蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构；采用电子束蒸发技术在所述n型GaAs层上沉积Ni/Au/Ge/Ni/Au底部电极层；在所述底部电极层上电镀铜Cu基底，并去除所述蓝宝石片，得到第五晶圆结构；将所述第五晶圆结构置于300°的环境中进行低温退火操作。
在一些可行的实施例中，所述采用湿法腐蚀所述第三晶圆结构，或采用干法刻蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构，包括：采用磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的混合溶液腐蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构。
在一些可行的实施例中，所述磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的混合溶液中，磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的体积比为1:1:10，腐蚀时间为60s，环境温度为0℃。
在一些可行的实施例中，所述采用湿法腐蚀所述第三晶圆结构，或采用干法刻蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构，包括：采用反应离子刻蚀技术刻蚀所述第三晶圆结构，得到所述第四晶圆结构。
在一些可行的实施例中，所述刻蚀条件为通氩气Ar，体积流量为30sccm，刻蚀时间为30s。
在一些可行的实施例中，所述氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的混合溶液中，氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的体积比为1：3：2.5：2.3；
所述盐酸HCL和水的混合溶液中，盐酸HCL和水的体积比为1：5。
本申请提供的低温实现欧姆接触的工艺方法，包括采用金属有机化合物化学气相沉积技术在GaAs衬底上依次沉积InGaP蚀刻停止层、n型GaAs层和n型InAlP空间层；在n型InAlP空间层上沉积(AlGa)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P周期结构的量子阱层；在量子阱层上依次沉积p型InAlP空间层和GaP窗口层；采用电子束蒸发技术在GaP窗口层上沉积Zn/Au电极层，得到第一晶圆结构；采用光刻工艺剥离第一晶圆结构，将剥离后的第一晶圆结构置于N2环境下400℃下进行退火操作，得到第二晶圆结构；将第二晶圆结构中的电极层粘贴在蓝宝石片上；采用氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的混合溶液去除第二晶圆结构中的GaAs衬底，采用盐酸HCL和水的混合溶液去除InGaP蚀刻停止层，得到第三晶圆结构；采用湿法腐蚀第三晶圆结构，或采用干法刻蚀第三晶圆结构，得到第四晶圆结构；采用电子束蒸发技术在n型GaAs层上沉积Ni/Au/Ge/Ni/Au底部电极层；在底部电极层上电镀铜Cu基底，并去除蓝宝石片，得到第五晶圆结构；将所述第五晶圆结构置于300°的环境中进行低温退火操作。本申请提供的工艺方法，通过表面处理改变n型GaAs的表面状态，使实现欧姆接触的退火温度下降，有利于应用通过基底转移技术制造的柔性电子产品。且该工艺方法增强了柔性LED的性能，简化了工艺流程，降低了成本，且能保护应用于特殊环境的材料。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种低温实现欧姆接触的工艺方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的一种第二晶圆结构粘贴在蓝宝石片上的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的一种第五晶圆结构的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的四个样品的性能对比分析图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的其他实施例，都属于本申请的保护范围。
以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
此外，本申请中，“上”、“下”、“内”、“外”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。
为便于对申请的技术方案进行，以下首先在对本申请所涉及到的一些概念进行说明。
金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD，Metal-organicChemicalVaporDePosition)：是一种利用金属有机化合物热分解反应进行气相外延生长的方法，即把含有外延材料组分的金属有机化合物通过载气输运到反应室，在一定温度下进行外延生长。
电子束蒸发是真空蒸镀的一种方式，电子束是一种高速的电子流。
光刻(photolithography)通过将涂有光敏材料的表面以一定图案(也称为图案曝光或按图像曝光)曝光来曝光已曝光和未曝光的区域。
欧姆接触是金属-半导体界面的一种接触形式，欧姆接触直接影响器件的效率、增益和开关速度等性能指标，可以用于一切器件和电路信号的输入、输出以及各元件间的相互连接。制备高性能而可靠的欧姆接触不仅有重要的技术意义，也有很大的经济意义。
半导体与金属接触时，多会形成势垒层，但当半导体掺杂浓度很高时，电子可借隧道效应穿过势垒，从而形成低阻值的欧姆接触。欧姆接触对半导体器件非常重要，形成良好的欧姆接触有利于电流的输入和输出，对不同半导体材料常选择不同配方的合金作为欧姆接触材料。
欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。
目前，欧姆接触的制备方法为在重掺半导体上制作不退火欧姆接触，也可以通过刻蚀减薄欧姆区势垒层，调整欧姆电极金属结构实现新型低温欧姆接触；或是通过氢等离子体处理金属表面，沉积后可直接形成欧姆接触，使其欧姆特性随着合金温度的升高增强，以达到低温退火制备欧姆接触的目的。也可采用两步退火方式实现P型碳化硅SiC材料低温欧姆合金退火，第一步退火为预退火，形成过面过渡层，第二步退火为高温快速退火，形成低势垒、高载流子密度的硅化物的过渡层；或是氮化镓GaN器件利用增大金属电极层与外延层的接触面积、源漏电极层的蚀刻，实现低温欧姆接触；或是控制势垒层的刻蚀深度，实现凹槽型低温欧姆接触。
但是上述制备方法中，无论是不退火方法中的调整电极金属结构，还是低温退火的氢离子处理金属表面，亦或是高温能形成欧姆接触，要么通过精密控制实现，要么通过引入复杂贵金属层实现，制造成本均较高。
为了解决上述技术问题的存在，本申请实施例提供一种低温实现欧姆接触的工艺方法，通过湿法刻蚀与干法刻蚀的方法，向金属引入新的表面，并使其悬挂键增加，从而使得新表面拥有较低的化学势来促使欧姆接触的形成，且经过表面处理后使器件表面粗糙度上升，这也有助于欧姆接触的形成，从而来达到低温形成欧姆接触、降低成本、保护应用特殊环境的材料的目的。
图1是本申请实施例提供的一种低温实现欧姆接触的工艺方法的流程示意图。
参见图1，本申请实施例提供的低温实现欧姆接触的工艺方法由可以以下步骤S100-S200实现。
步骤S100：采用金属有机化合物化学气相沉积技术在GaAs衬底上依次沉积InGaP蚀刻停止层、n型GaAs层和n型InAlP空间层。
在步骤S100中，通过金属有机化合物化学气相沉积技术在晶格匹配的砷化镓GaAs衬底沉积基于磷化铟镓铝AlGaInP的红色发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)晶圆结构，其中晶圆结构可以包括依次沉积在GaAs衬底上的磷化铟镓InGaP蚀刻停止层、n型GaAs层和n型磷化铟铝InAlP空间层。其中，金属有机化合物化学气相沉积技术通过金属有机化合物化学气相沉积系统所实现。
具体地，InGaP蚀刻停止层的厚度可以为500nm，n型GaAs层的厚度可以为500nm，n型InAlP空间层的厚度可以为300nm。
步骤S110：在n型InAlP空间层上沉积(AlGa)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P周期结构的量子阱层。
在步骤S110中，在沉积完成n型InAlP空间层后，继续沉积具有周期结构的量子阱层，其中，周期结构包括(AlGa)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P。
也就是说，在步骤S110中，先沉积(AlGa)0.5In0.5P层，接下来沉积Ga0.5In0.5P，再沉积(AlGa)0.5In0.5P层，又继续沉积Ga0.5In0.5P……，以形成周期结构。其中，周期结构的数量为6，也就是依次沉积6对(AlGa)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P的结构。
其中，6对(AlGa)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P周期结构的总厚度可以为100nm，每对0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P层的厚度大约为16.67nm。在每对0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P周期结构中，0.5In0.5P层的厚度大约为10nm，Ga0.5In0.5P层的厚度大约为6.67nm。
步骤S120：在量子阱层上依次沉积p型InAlP空间层和GaP窗口层。
在步骤S120中，完成周期结构的量子阱层沉积之后，在量子阱层上依次沉积p型InAlP空间层和磷化镓GaP窗口层。
其中，p型InAlP空间层的厚度可以为900nm，GaP窗口层的厚度可以为4μm。
步骤S130：采用电子束蒸发技术在GaP窗口层上沉积Zn/Au电极层，得到第一晶圆结构。
在步骤S130中，在通过金属有机化合物化学气相沉积技术制备得到基于AlGaInP的红色LED晶圆结构之后，继续采用电子束蒸发技术在GaP窗口层上沉积金属电极层，先沉积锌Zn电极再沉积金Au电极，以形成电极层，此时制备得到的晶圆结构定义为第一晶圆结构。
其中，Zn电极的厚度可以为20nm，Au电极的厚度可以为100nm。
步骤S140：采用光刻工艺剥离第一晶圆结构，将剥离后的晶圆结构置于N2环境下400℃进行退火操作，得到第二晶圆结构。
在步骤S140中，对第一晶圆结构继续剥离操作。具体地，可以采用标准光刻工艺剥离第一晶圆结构，并在剥离后将其置于氮气N2环境下400℃的温度中进行快速退火操作，此时制备得到的结构定义为第二晶圆结构。
步骤S150：将第二晶圆结构中的电极层粘贴在蓝宝石片上。
在步骤S150中，可以将Zn/Au电极层通过蜡粘贴在蓝宝石片上，其中，蓝宝石片主要起到支撑作用，便于配合后续工序的执行。当然Zn/Au电极层还可以通过其他具有粘结性的粘结材料粘贴在蓝宝石片上，只要能够保证Zn/Au电极层与蓝宝石片之间能够实现良好的粘结关系即可。
图2是本申请实施例提供的一种第二晶圆结构粘贴在蓝宝石片上的结构示意图。
参见图2，在结束步骤S150之后，将制备得到的第二晶圆结构通过蜡粘贴在蓝宝石上的结构，如图2所示。
步骤S160：采用氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的混合溶液去除第二晶圆结构中的GaAs衬底，采用盐酸HCL和水的混合溶液去除InGaP蚀刻停止层，得到第三晶圆结构。
在步骤S160中，先去除GaAs衬底，再去除InGaP蚀刻停止层。去除GaAs衬底所采用的氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的混合溶液中，氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的体积可以比为：1：3：2.5：2.3。其中，氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH的浓度均可以为分析纯。
去除InGaP蚀刻停止层的盐酸HCL和水的混合溶液中，盐酸HCL和水H2O的体积比可以为1：5。其中，盐酸HCL的浓度可以为分析纯。
步骤S170：采用湿法腐蚀第三晶圆结构，或采用干法刻蚀第三晶圆结构，得到第四晶圆结构。
在步骤S170中，可以采用湿法腐蚀的方式处理第三晶圆结构，或者还可以采用干法刻蚀第三晶圆结构，以得到第四晶圆结构。其中，采用湿法腐蚀的主要目的在于改变第三晶圆表面的光滑度，从而更利于后续与金属材料的接触。
具体的，步骤S170采用湿法腐蚀的方式时可以由以下步骤S171所实现。
步骤S171：采用磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的混合溶液腐蚀第三晶圆结构，得到第四晶圆结构。
其中，磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的混合溶液中，磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的体积比可以为1:1:10，腐蚀时间可以为60s，环境温度可以为0℃。
也就是说，在步骤S171中，可以将第四晶圆放置在磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的混合溶液中，在0℃环境中，放置60s。
具体的，步骤S170采用干法刻蚀的方式时可以由以下由步骤S172所实现。
步骤S172：采用反应离子刻蚀技术刻蚀第三晶圆结构，得到第四晶圆结构。
在步骤S172中，通过反应离子刻蚀技术，在通氩气Ar的条件下进行，其中，氩气Ar的体积流量可以为30sccm，刻蚀时间可以为30s。其中，采用干法刻蚀的主要目的在于改变第三晶圆表面的光滑度，从而更利于后续与金属材质的接触。
这样，步骤S170可以通过步骤S171中的湿法腐蚀所实现，也可以通过步骤S172中的干法刻蚀所实现。也就是说，本申请实施例提供的工艺方法，既可以通过湿法腐蚀处理GaAs材料表面以实现低温欧姆接触，又可以通过干法刻蚀处理GaAs材料表面以实现低温欧姆接触。
步骤S180：采用电子束蒸发技术在n型GaAs层上沉积Ni/Au/Ge/Ni/Au底部电极层。
具体的，在n型GaAs层上依次镍Ni/Au/锗Ge/Ni/Au底部电极层。其中，底部电极层的厚度可以根据实际的使用工况以及产品参数进行调整，在此不做具体限定。
步骤S190：在底部电极层上电镀Cu基底，并去除蓝宝石片，得到第五晶圆结构。
步骤S190中，在沉积完成底部电极层之后，在底部电极层之上电镀铜Cu基底，以Cu基底作为支撑，并去除蓝宝石片，以得到第五晶圆结构。
其中，铜Cu基底的厚度可以根据实际的使用工况以及产品参数进行调整，在此不做具体限定。
图3是本申请实施例提供的一种第五晶圆结构的结构示意图。
参见图3，在去除蓝宝石衬底之后得到的第五晶圆的具体结构如图3所示。
步骤S200：将第五晶圆结构置于300℃的环境中进行低温退火操作。
在制备得到第五晶圆结构之后，将第五晶圆结构置于300°的环境中进行低温退火操作，制备工艺结束。
具体的，本申请实施例提供的低温实现欧姆接触的工艺方法中，通过表面处理改变n型GaAs的表面状态，使实现欧姆接触的退火温度下降，有利于应用通过基底转移技术制造的柔性电子产品。且该工艺方法增强了柔性LED的性能，简化了工艺流程，降低了成本，且能保护应用于特殊环境的材料。
为了证明本申请实施例提供的工艺方法能够实现较好的欧姆接触，可以通过实验的方式进行检验。将本申请实施例提供的工艺方法与其余方法处理得到的晶圆结构进行比较，即可体现本申请实施例提供的工艺方法制备得到的晶圆结构具有的优异性能。
在一个具体的实现中，将步骤S140中制备得到的第二晶圆切割成四等份，并标记为第一样品、第二样品、第三样品和第四样品。对这四个样品进行不同步骤的操作后进行性能的检测。
具体的，第一样品在执行步骤S160之后执行步骤S180和步骤S200。
第二样品和第三样品依次执行本申请实施例提供的全部工艺方法。具体的，第二样品采用步骤S171中的湿法腐蚀，第三样品采用步骤S172中的干法刻蚀。
第四样品在执行步骤S140之后直接执行步骤S180、步骤S200中的退火操作。
对采用不同方法制备得到的四个样品进行性能检测，并分别划出其I-V特性曲线，可以得到第二样品和第三样品的性能优于第一样品和第四样品。
图4是本申请实施例提供的四个样品的性能对比分析图。参见图4，图4中显示了第一样品、第二样品、第三样品和第四样品在经过300℃退火后的性能对比。横坐标是电压值(V)，纵坐标是电流值(mA)。可以看出，第二样品和第三样品的性能明显优于第一样品和第四样品。这样，第二样品和第三样品经过本申请实施例提供的工艺方法制备得到，能够有效改善半导体与金属之间的接触，有利于欧姆接触的形成。
本申请实施例提供的方法能够实现较好的欧姆接触，从而降低为了实现良好欧姆接触而采用的高温手段，因此能够有效降低成本，实现低温欧姆接触的制备，具有工艺简洁，可以保护应用于特殊环境材料的优点。
需要说明的是，本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的申请后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围由权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (6)
1.一种低温实现欧姆接触的工艺方法，其特征在于，包括：
采用金属有机化合物化学气相沉积技术在GaAs衬底上依次沉积InGaP蚀刻停止层、n型GaAs层和n型InAlP空间层；
在所述n型InAlP空间层上沉积(AlGa)0.5In0.5P/Ga0.5In0.5P周期结构的量子阱层；
在所述量子阱层上依次沉积p型InAlP空间层和GaP窗口层；
采用电子束蒸发技术在所述GaP窗口层上沉积Zn/Au电极层，得到第一晶圆结构；
采用光刻工艺剥离所述第一晶圆结构，将剥离后的所述第一晶圆结构置于N2环境下400°C进行退火操作，得到第二晶圆结构；
将所述第二晶圆结构中的电极层粘贴在蓝宝石片上；
采用氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的混合溶液去除所述第二晶圆结构中的GaAs衬底，采用盐酸HCL和水的混合溶液去除所述InGaP蚀刻停止层，得到第三晶圆结构；
采用湿法腐蚀所述第三晶圆结构，或采用干法刻蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构；
采用电子束蒸发技术在所述n型GaAs层上沉积Ni/Au/Ge/Ni/Au底部电极层；
在所述底部电极层上电镀Cu基底，并去除所述蓝宝石片，得到第五晶圆结构；
将所述第五晶圆结构置于300℃的环境中进行低温退火操作。
2.根据权利要求1所述的低温实现欧姆接触的工艺方法，其特征在于，
所述采用湿法腐蚀所述第三晶圆结构，或采用干法刻蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构，包括：
采用磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的混合溶液腐蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构。
3.根据权利要求2所述的低温实现欧姆接触的工艺方法，其特征在于，
所述磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的混合溶液中，磷酸H3PO4、过氧化氢H2O2和水的体积比为1:1:10，腐蚀时间为60s，环境温度为0℃。
4.根据权利要求1所述的低温实现欧姆接触的工艺方法，其特征在于，
所述采用湿法腐蚀所述第三晶圆结构，或采用干法刻蚀所述第三晶圆结构，得到第四晶圆结构，包括：
采用反应离子刻蚀技术刻蚀所述第三晶圆结构，得到所述第四晶圆结构。
5.根据权利要求4所述的低温实现欧姆接触的工艺方法，其特征在于，
所述刻蚀条件为通氩气Ar，体积流量为30sccm，刻蚀时间为30s。
6.根据权利要求1所述的低温实现欧姆接触的工艺方法，其特征在于，
所述氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的混合溶液中，氢氟酸HF、硝酸氢HNO、乙酸CH3COOH和水H2O的体积比为1：3：2.5：2.3；
所述盐酸HCL和水的混合溶液中，盐酸HCL和水的体积比为1：5。
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