JPS6344788A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6344788A JPS6344788A JP18905586A JP18905586A JPS6344788A JP S6344788 A JPS6344788 A JP S6344788A JP 18905586 A JP18905586 A JP 18905586A JP 18905586 A JP18905586 A JP 18905586A JP S6344788 A JPS6344788 A JP S6344788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- thickness
- coating
- case
- laser chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002362 mulch Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置の製造方法に関するものであ
る。
る。
従来の技術
半導体レーザのキャピテイ面は、結晶のへき開によって
形成されているが、このへき開面をそのまま使用すると
酸化等による劣化が起こり、寿命が短かくなるので、信
頼性向上のために従来は、人２２ｏ３． ｓｉ、ｏ２．
５ｉ３Ｎ４． ｓｌなどからなる一層あるいは多層のコ
ーティングが施されていた。
形成されているが、このへき開面をそのまま使用すると
酸化等による劣化が起こり、寿命が短かくなるので、信
頼性向上のために従来は、人２２ｏ３． ｓｉ、ｏ２．
５ｉ３Ｎ４． ｓｌなどからなる一層あるいは多層のコ
ーティングが施されていた。
発明が解決しようとする問題点
しかし、これらのコーティングでは、へキ開時からコー
ティングに至るまでの間のへき開面の酸化を避けること
ができなかった。
ティングに至るまでの間のへき開面の酸化を避けること
ができなかった。
この問題点を解決するために、Ｇａ Ａｓの酸化した表
面にムｌを薄く（５０人程度）コートし、Ｇ４ Ａｓの
酸化した表面から、Ａ４が酸素を吸着することによって
ｋ１２０． に変化することを利用して信頼性の高い保
護膜を作る方法があった。しかし、このような薄いコー
ティングは厚さの制御が困難であり、かつ、少しでも厚
くなるとショートしてしまうという問題があった。
面にムｌを薄く（５０人程度）コートし、Ｇ４ Ａｓの
酸化した表面から、Ａ４が酸素を吸着することによって
ｋ１２０． に変化することを利用して信頼性の高い保
護膜を作る方法があった。しかし、このような薄いコー
ティングは厚さの制御が困難であり、かつ、少しでも厚
くなるとショートしてしまうという問題があった。
本発明は上記欠点を考慮し、信頼性向上のためへき開面
を酸化した酸素の捕捉剤としてＡｌ を用い、かつ厚さ
の制約を緩和できる半導体レーザ装置の製造方法を提供
するものである。
を酸化した酸素の捕捉剤としてＡｌ を用い、かつ厚さ
の制約を緩和できる半導体レーザ装置の製造方法を提供
するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置の製造方法は半導体レーザの端面保護膜を形成するに
際して、Ａｄ をキャビテイ面に１０００Å以下の厚さ
で蒸着し、しかる後、半導体レーザを構成する蒸気圧の
高い元素またはその化合物の粉末とともに熱処理を行い
ＡｅをＡｒ２０３に変化させることから構成されている
。
置の製造方法は半導体レーザの端面保護膜を形成するに
際して、Ａｄ をキャビテイ面に１０００Å以下の厚さ
で蒸着し、しかる後、半導体レーザを構成する蒸気圧の
高い元素またはその化合物の粉末とともに熱処理を行い
ＡｅをＡｒ２０３に変化させることから構成されている
。
作用
この構成によって、Ａ４は粉末状の元素またはその化合
物に吸着した酸素と作用してＡｒ２０３ となり、か
つ前記元素の蒸気圧下であるのでレーザを構成している
半導体層からの結晶の元素の抜けがないので結晶性を悪
くしない。
物に吸着した酸素と作用してＡｒ２０３ となり、か
つ前記元素の蒸気圧下であるのでレーザを構成している
半導体層からの結晶の元素の抜けがないので結晶性を悪
くしない。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図１はダブルへテロ構造の半導体レーザチップの側
面図である。
面図である。
同図中１は負電極、２ばｎ−ＧａＡｓ層、３はｎ−Ｇａ
Ａ１人Ｓクラッド層、４はＧａ、 、１１ｘｈｓ１−
ｙ ｙ 活性層、５はｐ −ｃ ａ （−ｙ ｈ ｅ ｙ Ａ
Ｓクラッド層、６はｎ−ＧａＡｓブロッキング層、アは
Ｐ−Ｇ２ＬＡＳ基板、８は正電翫である。このキャビテ
イ面に第１図すに示すように五で９を厚さ２００人蒸看
する。この後、第２図に示すように、レーザチップ１０
をＩ：ｒａＡＳ扮末１１と共に真空封止し７０Ｑ″Ｃで
１時間加熱処理する。加熱時間は、蒸着したＡｇの厚さ
と第３図に示すような相関がある。
Ａ１人Ｓクラッド層、４はＧａ、 、１１ｘｈｓ１−
ｙ ｙ 活性層、５はｐ −ｃ ａ （−ｙ ｈ ｅ ｙ Ａ
Ｓクラッド層、６はｎ−ＧａＡｓブロッキング層、アは
Ｐ−Ｇ２ＬＡＳ基板、８は正電翫である。このキャビテ
イ面に第１図すに示すように五で９を厚さ２００人蒸看
する。この後、第２図に示すように、レーザチップ１０
をＩ：ｒａＡＳ扮末１１と共に真空封止し７０Ｑ″Ｃで
１時間加熱処理する。加熱時間は、蒸着したＡｇの厚さ
と第３図に示すような相関がある。
加熱処理の後、膜厚をλ／２ （２，５００人）にする
ため、厚さ２．３００人の人１２０３１２をコートする
。このコートは用途に応じて変化させることができる。
ため、厚さ２．３００人の人１２０３１２をコートする
。このコートは用途に応じて変化させることができる。
λ／２ コートを施したものの寿命を調べた結果、従来
のコーティングでは、５０’Ｃ，３０ｍＷで、ＭＴＴＦ
（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ ）は
１０００時間であったのに対し、本発明によるコーティ
ングのものは２０ｏＯ時間にまで延びた。
のコーティングでは、５０’Ｃ，３０ｍＷで、ＭＴＴＦ
（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ ）は
１０００時間であったのに対し、本発明によるコーティ
ングのものは２０ｏＯ時間にまで延びた。
なお本実施例は、ＧａＡｓ系レーザについであったが、
他の材料からなる半導体レーザについても同様である。
他の材料からなる半導体レーザについても同様である。
発明の効果
以上のように、本発明は、Ａｄ膜を半導体レーザの蒸気
圧の高い元素またはその化合物の粉末とともに真空中で
加熱処理することにより、人ｅ膜が厚くても前記粉末に
吸着された酸素に上り、人１２゜に変化させ、かつレー
ザを構成している半導体層からの元素の抜けが生じない
ようにすることができ、その実用的効果は犬なるものが
ある。
圧の高い元素またはその化合物の粉末とともに真空中で
加熱処理することにより、人ｅ膜が厚くても前記粉末に
吸着された酸素に上り、人１２゜に変化させ、かつレー
ザを構成している半導体層からの元素の抜けが生じない
ようにすることができ、その実用的効果は犬なるものが
ある。
第１図ａ −ｃば、本発明の一実施例における半導体レ
ーザ装置の製造方法の工稈図で同図ａはレーザの側面図
、同図すは、レーザにＡＩをコートしたものの側面図、
同図Ｃは１．膜厚をλ／２ （でするために、さらにｋ
１２０．をコートしたものの側面図、第２図は、真空封
管中でチップをＧａ人Ｓ扮末と共に加熱処理する際の模
式図、第３図は、λｌ膜厚と加熱処理に必要な時間の相
関を示す相関図である。 １ ＝−−負ＩＵ１ｉ、２・＝−ｎ−Ｇ４ＡＳ、 ３−
１−、、、 ｎ −Ｇ ａ 、 −ｙ Ａ ｌ ７ Ａ
Ｓクラッド層、４・・・・・・Ｇ！Ｌ１−ｘＡｌ）ｃ
ＡＳ活性層、６・・・・・・ｐ−Ｇａ、、１ｙＡｓクラ
ッド層、６・・・・・・ｎ−ＧａＡｓブロッキング層、
７・・・・・・ｐ−４ａＡｓ基板、８・・・・・・正電
極、９・・・・・・ム７，１０・・・・・・レーザチッ
プ、１１・・・・・・ＧａＡｓ ｍ末、１２・・・・・
・ムｅ２０３゜代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男
ほか１名第１図 ９−１１ＪＬ 第２図 イｏ−一一う−１，７・ イ’−−−ＧＯ，肩、γ分才に 第３図 膜さくｄ）
ーザ装置の製造方法の工稈図で同図ａはレーザの側面図
、同図すは、レーザにＡＩをコートしたものの側面図、
同図Ｃは１．膜厚をλ／２ （でするために、さらにｋ
１２０．をコートしたものの側面図、第２図は、真空封
管中でチップをＧａ人Ｓ扮末と共に加熱処理する際の模
式図、第３図は、λｌ膜厚と加熱処理に必要な時間の相
関を示す相関図である。 １ ＝−−負ＩＵ１ｉ、２・＝−ｎ−Ｇ４ＡＳ、 ３−
１−、、、 ｎ −Ｇ ａ 、 −ｙ Ａ ｌ ７ Ａ
Ｓクラッド層、４・・・・・・Ｇ！Ｌ１−ｘＡｌ）ｃ
ＡＳ活性層、６・・・・・・ｐ−Ｇａ、、１ｙＡｓクラ
ッド層、６・・・・・・ｎ−ＧａＡｓブロッキング層、
７・・・・・・ｐ−４ａＡｓ基板、８・・・・・・正電
極、９・・・・・・ム７，１０・・・・・・レーザチッ
プ、１１・・・・・・ＧａＡｓ ｍ末、１２・・・・・
・ムｅ２０３゜代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男
ほか１名第１図 ９−１１ＪＬ 第２図 イｏ−一一う−１，７・ イ’−−−ＧＯ，肩、γ分才に 第３図 膜さくｄ）
Claims (1)
- 半導体レーザの端面保護膜を形成するに際して、端面に
、１０００Å以下の厚さのＡｌ膜を付着し、次に前記半
導体レーザの結晶層を構成している元素のうち蒸気圧の
高い元素またはその化合物の粉末とともに熱処理を行い
、前記Ａｌ膜をＡｌ＿２Ｏ＿３に変化させることを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18905586A JPS6344788A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18905586A JPS6344788A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344788A true JPS6344788A (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=16234533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18905586A Pending JPS6344788A (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344788A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0381521A2 (en) * | 1989-02-03 | 1990-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for the production of the same |
| JPH04116880A (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-17 | Canon Inc | 半導体素子の保護膜形成方法 |
-
1986
- 1986-08-12 JP JP18905586A patent/JPS6344788A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0381521A2 (en) * | 1989-02-03 | 1990-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device and a method for the production of the same |
| JPH04116880A (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-17 | Canon Inc | 半導体素子の保護膜形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3691544B2 (ja) | 面発光レーザの製造方法 | |
| JPH0529702A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS6344788A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS6333888A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US6795480B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH04133369A (ja) | 誘電体薄膜と薄膜デバイスとそれらの製造方法 | |
| JPH0575101A (ja) | シヨツトキ障壁を有する半導体装置 | |
| JPS59211292A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH01115191A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH045873A (ja) | 超伝導コンタクト作製方法及び超伝導回路 | |
| JPS6220331A (ja) | アルミナ膜の選択成長方法 | |
| JP2621543B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPH0276231A (ja) | 化合物半導体装置とその製造方法 | |
| JPS60187082A (ja) | 半導体レ−ザ素子とその製造方法 | |
| JPS62136018A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04176180A (ja) | 半導体レーザ素子のチップ | |
| JP3241190B2 (ja) | 静電容量式湿度センサ | |
| JPS62285486A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6390879A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2735094B2 (ja) | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 | |
| JPS6235587A (ja) | 発光素子 | |
| JPS61234586A (ja) | 低応力絶縁膜の製造方法 | |
| JPH09307141A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JPH04137620A (ja) | 電極形成方法 | |
| JPH01145856A (ja) | 化合物半導体用電極 |