JPH04137620A - 電極形成方法 - Google Patents
電極形成方法Info
- Publication number
- JPH04137620A JPH04137620A JP2259276A JP25927690A JPH04137620A JP H04137620 A JPH04137620 A JP H04137620A JP 2259276 A JP2259276 A JP 2259276A JP 25927690 A JP25927690 A JP 25927690A JP H04137620 A JPH04137620 A JP H04137620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporator
- electrode
- vacuum
- layer
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、エレクトロンビーム蒸着１！１（ＥＢ薫着ｍ
＞を使用して、ｐｎ接合を有する化合物半導体に電極を
形成する電極形成方法に関するものである。
＞を使用して、ｐｎ接合を有する化合物半導体に電極を
形成する電極形成方法に関するものである。
（従来の技術）
一般的なｐｎ接合を有する化合物半導体装１である発光
タイオード（ＬＥＤ）の構造を第２図に示し、この電極
形成方法を以下に説明する。
タイオード（ＬＥＤ）の構造を第２図に示し、この電極
形成方法を以下に説明する。
このＬＥＤは、ＧａＡＳを材料としたｎ−基板１上に液
晶エピタキシャル成長により、ｎ層２及び２層３が形成
されている。
晶エピタキシャル成長により、ｎ層２及び２層３が形成
されている。
そして、真空蒸着機に移されて、このｎ型基板１の他面
側には、ＡｕＧｅ ７を蒸着し、２層３側には、ＡｕＢ
ｅ４ （またはＡｕＺｎ）を蒸着する。
側には、ＡｕＧｅ ７を蒸着し、２層３側には、ＡｕＢ
ｅ４ （またはＡｕＺｎ）を蒸着する。
その後、スパッタ装置に移して、ワイヤボンディング時
の加重から半導体の結晶を守るための緩衝材となるＴｉ
Ｎ ５をＡｕＢｅ４上にスパッタ形成する。
の加重から半導体の結晶を守るための緩衝材となるＴｉ
Ｎ ５をＡｕＢｅ４上にスパッタ形成する。
そして、再び真空蒸着機に戻した後、このＴｉＮ５上に
ワイヤと同じ材料であるＡｕ６を蒸着する。
ワイヤと同じ材料であるＡｕ６を蒸着する。
さらに、この２層３１１］Ｊに形成した電′＃ｉ！（Ａ
ｕＢｅ４ 。
ｕＢｅ４ 。
ＴｉＮ５．Ａｕ６）をパターン抜きした後、約４５０°
Ｃで１０分間熱処理をして、２層３とＡｕＢｅ４とを合
金化することにより電極を形成していた。
Ｃで１０分間熱処理をして、２層３とＡｕＢｅ４とを合
金化することにより電極を形成していた。
なお、他の化合物半導体装室である半導体レーザ装置や
電界効果トランジスタ等でも同様にして、電極を形成し
ていた。
電界効果トランジスタ等でも同様にして、電極を形成し
ていた。
（発明が解決しようとする課題）
一般に、ＴｉＮを蒸着機により蒸着しようとすると、Ｔ
ｉＮが活生化して蒸着材料（ＴｉＮ）を入れるボートの
材料であるタングステン、モリブデンと反応して、ボー
トを破壊してしまうので、ＴｉＮを付着させるには、ス
パッタ法を用いていた。
ｉＮが活生化して蒸着材料（ＴｉＮ）を入れるボートの
材料であるタングステン、モリブデンと反応して、ボー
トを破壊してしまうので、ＴｉＮを付着させるには、ス
パッタ法を用いていた。
そして、従来の電極形成方法では、ＡｕＢｅ （＊たは
＾ｕ２ｎ）を真空蒸着機内で蒸着した後、スパッタ装置
に移す段階、及び、Ａｕｌ！−蒸着するためにスパッタ
装置から再び真空蒸着機に戻す段階で、ＡｕＢｅやＴｉ
Ｎの表面が空気に触れて酸化するために、ワイヤボンデ
ィング時にＡｕＢｅとＴｉＮとの間やＴｉＮとＡｕとの
間で剥れることか多く、歩留まりが悪かった。
＾ｕ２ｎ）を真空蒸着機内で蒸着した後、スパッタ装置
に移す段階、及び、Ａｕｌ！−蒸着するためにスパッタ
装置から再び真空蒸着機に戻す段階で、ＡｕＢｅやＴｉ
Ｎの表面が空気に触れて酸化するために、ワイヤボンデ
ィング時にＡｕＢｅとＴｉＮとの間やＴｉＮとＡｕとの
間で剥れることか多く、歩留まりが悪かった。
また、真空蒸着機やスパッタ装置を作動させるには、１
０ ’Ｔｏｒｒ程度の真空にする必要があり、材料を何
度も両装置間を移動して作動させると、装置内を真空状
態にするたけでもかなりの時間か掛り、作業効率か非常
に悪かった。
０ ’Ｔｏｒｒ程度の真空にする必要があり、材料を何
度も両装置間を移動して作動させると、装置内を真空状
態にするたけでもかなりの時間か掛り、作業効率か非常
に悪かった。
さらに、スパッタ装置にてＴｉＮをＡｕ５ｅ上にスパッ
タする際に、ＴｉＮの一部が■１とＮとに分解してＡＵ
Ｂｆ３上に付着するので、■１とＮとの組成比か変わっ
て、安定したＴｉＮが得られず、緩衝材としての良好な
特性が得られなくなるので、ワイヤボンディング時に結
晶折開の起こる原因となっていた。
タする際に、ＴｉＮの一部が■１とＮとに分解してＡＵ
Ｂｆ３上に付着するので、■１とＮとの組成比か変わっ
て、安定したＴｉＮが得られず、緩衝材としての良好な
特性が得られなくなるので、ワイヤボンディング時に結
晶折開の起こる原因となっていた。
そこで、本発明は、スパッタ装置を用いずに、真空蒸着
機内たけで、電極を形成する＄極形成方法を提供するこ
とを目的とする。
機内たけで、電極を形成する＄極形成方法を提供するこ
とを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するための手段として、ｐｎ接合を有す
る化合物半導体に電極を形成する＠極形成方法であって
、エレクトロンビーム蒸着機内において、前記化合物半
導体のｎ層側にＡｔＪＧｅを真空蒸着し、ｐ７１１Ｐｌ
にＡｕＢｅまたは＾ｕ２ｎを真空蒸着し、このＡｕＢｅ
またはＡｕ２ｎ上に丁１を及びＡｕを順次真空蒸着して
電極を形成した後、前記化合物半導体をエレクトロンビ
ーム蒸着機から取出して、前記電極をバターニングした
後、Ｎ２雰囲気中で熱処理をして前記ＴｉをＴｉＮ化す
ることを特徴とするｔｆ！形成方法を提供しようとする
ものである。
る化合物半導体に電極を形成する＠極形成方法であって
、エレクトロンビーム蒸着機内において、前記化合物半
導体のｎ層側にＡｔＪＧｅを真空蒸着し、ｐ７１１Ｐｌ
にＡｕＢｅまたは＾ｕ２ｎを真空蒸着し、このＡｕＢｅ
またはＡｕ２ｎ上に丁１を及びＡｕを順次真空蒸着して
電極を形成した後、前記化合物半導体をエレクトロンビ
ーム蒸着機から取出して、前記電極をバターニングした
後、Ｎ２雰囲気中で熱処理をして前記ＴｉをＴｉＮ化す
ることを特徴とするｔｆ！形成方法を提供しようとする
ものである。
（実施例）
本発明の＄極形成方法の一実施例である発光ダイオード
（ＬＥＤ）における電極形成方法を第１図（Ａ）〜（Ｆ
）と共に説明する。
（ＬＥＤ）における電極形成方法を第１図（Ａ）〜（Ｆ
）と共に説明する。
まず、第１図（Ａ）に示すように、ｎ型基板１上に液晶
エピタキシャル成長により、ｎ層２及び２層３を形成し
た化合物半導体であるＬＥＤを、エレクトロンビーム蒸
着機（ＥＢ蒸着１１＞に入れて、ｎ型基板１側には、＾
ｕＧｅ ７を蒸着し、２層３側には、ＡｕＢｅ４ （ま
たはＡｕＺｎ）を蒸着する。
エピタキシャル成長により、ｎ層２及び２層３を形成し
た化合物半導体であるＬＥＤを、エレクトロンビーム蒸
着機（ＥＢ蒸着１１＞に入れて、ｎ型基板１側には、＾
ｕＧｅ ７を蒸着し、２層３側には、ＡｕＢｅ４ （ま
たはＡｕＺｎ）を蒸着する。
そして、同図（Ｂ）に示すように、このＥ−Ｂ蒸着機内
において、ＡｕＢｅ４上にＴｉ８を蒸着し、このＴｉＳ
上にワイヤと同じ材料であるＡｕ６を蒸着する。
において、ＡｕＢｅ４上にＴｉ８を蒸着し、このＴｉＳ
上にワイヤと同じ材料であるＡｕ６を蒸着する。
その後、このＬＥＤをＥＢ蒸着機から取出し、同図（Ｃ
）に示すように、このＡｕ６上にレジスト９を塗布し、
このレジスト９により電極として必要部分だけを残すよ
うにバターニングを行なう。
）に示すように、このＡｕ６上にレジスト９を塗布し、
このレジスト９により電極として必要部分だけを残すよ
うにバターニングを行なう。
そして、同図（Ｄ）に示すように、このレジストリのな
い部分のＡｕＢｅ４ 、 Ｔｉ８ 、Ａｕ６をエツチン
グし、その後、レジストリも有機溶剤により除去する（
同図（Ｅ））。
い部分のＡｕＢｅ４ 、 Ｔｉ８ 、Ａｕ６をエツチン
グし、その後、レジストリも有機溶剤により除去する（
同図（Ｅ））。
最後に、Ｔｉ８が高温で活性化することを利用して、こ
のＬＥＤをＮ２雰囲気中で４００〜５００℃にて１０〜
１５分間熱処理を行なうことにより、Ｔｉ８が窒化して
、ＴｉＮ ５となり、さらに、２層３とＡｕＢｅ４とが
合金化してｔｉが形成されることになる。
のＬＥＤをＮ２雰囲気中で４００〜５００℃にて１０〜
１５分間熱処理を行なうことにより、Ｔｉ８が窒化して
、ＴｉＮ ５となり、さらに、２層３とＡｕＢｅ４とが
合金化してｔｉが形成されることになる。
そして、この方法は、各電極材料の付着をＥＢ蒸着機内
で行ない、各電極材料の付着過程で空気中を移動させる
ことかないので、各電極材料の表面か酸化せず、ワイヤ
ボンディング等のときに各を極材料間で剥れることかな
くなり、歩留まりが向上することになる。
で行ない、各電極材料の付着過程で空気中を移動させる
ことかないので、各電極材料の表面か酸化せず、ワイヤ
ボンディング等のときに各を極材料間で剥れることかな
くなり、歩留まりが向上することになる。
以上、本発明の電極形成方法について、ＬＥＤを基に説
明したが、本発明は、半導体レーザ装置や電界効果トラ
ンジスタにも適用でき、その半導体材料も、ＧａＡｌＡ
ｓ系、ＧａＡｓＰ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＰ系及びＧ
ａＰ系などに幅広く使用することかできる。
明したが、本発明は、半導体レーザ装置や電界効果トラ
ンジスタにも適用でき、その半導体材料も、ＧａＡｌＡ
ｓ系、ＧａＡｓＰ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＰ系及びＧ
ａＰ系などに幅広く使用することかできる。
（発明の効果）
本発明の電極形成方法は、エレクトロンビーム蒸着機内
において、化合物半導体のｎ層側にＡｕＧｅを真空蒸着
し、ｐｍ側にＡｕＢｅまたはＡｕｚｎを真空蒸着し、こ
のＡｕＢｅまたはＡｕ加上に■１を真空蒸着し、この■
１上にＡｕを真空蒸着した後、化合物半導体をエレクト
ロンビーム蒸ｓ機から取出して、パターニングした後、
４００〜５００℃のＮ２雰囲気中で熱処理をしてＴｉを
Ｔ ＋ Ｎ化するようにしたので、各電極材料の付着過
程で空気中を移動させることがなくなり、各４！ｊｈ極
材料の表面か酸化しなくなるので、ワイヤボンディング
等のときに各電極材料間で剥れることがなくなり、歩留
まりが向上する。
において、化合物半導体のｎ層側にＡｕＧｅを真空蒸着
し、ｐｍ側にＡｕＢｅまたはＡｕｚｎを真空蒸着し、こ
のＡｕＢｅまたはＡｕ加上に■１を真空蒸着し、この■
１上にＡｕを真空蒸着した後、化合物半導体をエレクト
ロンビーム蒸ｓ機から取出して、パターニングした後、
４００〜５００℃のＮ２雰囲気中で熱処理をしてＴｉを
Ｔ ＋ Ｎ化するようにしたので、各電極材料の付着過
程で空気中を移動させることがなくなり、各４！ｊｈ極
材料の表面か酸化しなくなるので、ワイヤボンディング
等のときに各電極材料間で剥れることがなくなり、歩留
まりが向上する。
また、エレクトロンビーム蒸着機だけで電極材料を付着
させることかできる結果、この装置を一度真空状態にす
るだけで良く、作業効率が向上する。
させることかできる結果、この装置を一度真空状態にす
るだけで良く、作業効率が向上する。
さらに、ＴＩはＮ２雰囲気中で熱処理をする際に、活性
化して積極的にＮ２と反応するので、Ｎ２の流量を一定
にすることにより、安定したＴｉＮを得ることかでき、
ワイヤボンディング時の結晶軒開を減少させることかで
きるという効果かある。
化して積極的にＮ２と反応するので、Ｎ２の流量を一定
にすることにより、安定したＴｉＮを得ることかでき、
ワイヤボンディング時の結晶軒開を減少させることかで
きるという効果かある。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の電極形成方法の一実施
例を示す工程図、第２図は一般的な発光ダイオードを示
す構造図である。 １・・・ｎ型基板、２・・・ｎ層、３・・・９層、４・
・・ＡｕＢｅ、５＝４ｉＮ 、６−Ａｕ、７−ＡｕＧｅ
、８−Ｔ ｉ、９・・・レジスト。 特 許 出願人 日本ビクター株式会社（Ａ） （Ｄ） （Ｅ） （Ｃ） （Ｆ） 第 図 第 図
例を示す工程図、第２図は一般的な発光ダイオードを示
す構造図である。 １・・・ｎ型基板、２・・・ｎ層、３・・・９層、４・
・・ＡｕＢｅ、５＝４ｉＮ 、６−Ａｕ、７−ＡｕＧｅ
、８−Ｔ ｉ、９・・・レジスト。 特 許 出願人 日本ビクター株式会社（Ａ） （Ｄ） （Ｅ） （Ｃ） （Ｆ） 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｐｎ接合を有する化合物半導体に電極を形成する電極形
成方法であつて、 エレクトロンビーム蒸着機内において、前記化合物半導
体のｎ層側にＡｕＧｅを真空蒸着し、ｐ層側にＡｕＢｅ
またはＡｕＺｎを真空蒸着し、このＡｕＢｅまたはＡｕ
Ｚｎ上にＴｉを及びＡｕを順次真空蒸着して電極を形成
した後、 前記化合物半導体をエレクトロンビーム蒸着機から取出
して、前記電極をパターニングした後、Ｎ＿２雰囲気中
で熱処理をして前記ＴｉをＴｉＮ化することを特徴とす
る電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259276A JPH04137620A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2259276A JPH04137620A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137620A true JPH04137620A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17331846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2259276A Pending JPH04137620A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006024175B3 (de) * | 2006-05-23 | 2007-09-27 | Touchtek Corporation, Chunan | Verfahren zum Herstellen von primären Mehrschichtelektroden |
| JP2007317913A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2259276A patent/JPH04137620A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006024175B3 (de) * | 2006-05-23 | 2007-09-27 | Touchtek Corporation, Chunan | Verfahren zum Herstellen von primären Mehrschichtelektroden |
| JP2007317913A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100548860B1 (ko) | n형질화물반도체의전극및상기전극을갖는반도체소자및그제조방법 | |
| JPH05291621A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料 | |
| JPH10303504A (ja) | ＧａＮ系化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2907452B2 (ja) | 化合物半導体用電極 | |
| WO2024139782A1 (zh) | 一种欧姆接触结构及其制备方法、hemt器件 | |
| JPH04137620A (ja) | 電極形成方法 | |
| JPH08306643A (ja) | ３−５族化合物半導体用電極および発光素子 | |
| JP2570560Y2 (ja) | 電子ビーム蒸発源 | |
| JPH0575101A (ja) | シヨツトキ障壁を有する半導体装置 | |
| JPH04199887A (ja) | ｐｎ接合素子及びその製造方法並びに青色発光ダイオード素子 | |
| JPH04147618A (ja) | オーミック電極形成方法 | |
| JPH04317374A (ja) | ＳｉＣデバイスの電極形成方法 | |
| JPS61187364A (ja) | オ−ム性電極 | |
| KR20010103237A (ko) | 오믹 접촉 형성을 이용한 산화아연 산화물 반도체의 발광다이오드 및 레이저 다이오드용 금속 박막 제조 방법 | |
| JPH03284886A (ja) | 半導体素子およびその形成方法 | |
| JPS57115864A (en) | Compound semiconductor device | |
| JPH04174560A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH01241132A (ja) | 半導体素子の電極およびその製造方法 | |
| JP2023117041A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6333888A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3913947B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5943833B2 (ja) | 化合物半導体シヨツトキ−ダイオ−ドの製造方法 | |
| JPH0823110A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP3175311B2 (ja) | 半導体デバイスのオーミック電極とその形成方法 | |
| JPS6279618A (ja) | 半導体装置の製造方法 |