JPH01145856A - 化合物半導体用電極 - Google Patents
化合物半導体用電極Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の電極構造に関す
る６ 〔従来の技術〕 ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ。
る６ 〔従来の技術〕 ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ。
ＧａＰなど）の電極では、最上層金属にＡｕやＡｇを用
いた電極が多い。一方、素子ｇり作工程中の熱処理によ
り、半導体基板の構成原子（特にＧｏやＩｎ）が電極金
属層中に外方拡散し、電極のボンダビリティ（ワイヤボ
ンディングやダイボンディングの容易性）が著しく損わ
れる。
いた電極が多い。一方、素子ｇり作工程中の熱処理によ
り、半導体基板の構成原子（特にＧｏやＩｎ）が電極金
属層中に外方拡散し、電極のボンダビリティ（ワイヤボ
ンディングやダイボンディングの容易性）が著しく損わ
れる。
このため１通常は、「拡散バリヤ層」と称する拡散防市
層を介してボンディング川のＡ ｕやＡｇの電極層を設
けている。拡散バリヤ層には、Ｍ ｏ 。
層を介してボンディング川のＡ ｕやＡｇの電極層を設
けている。拡散バリヤ層には、Ｍ ｏ 。
Ｔ ｉ 、 ’ｌ″ｉ −Ｍ ｏ 、 ”Ｉ” ｉ −
Ｐ ｔ 、 Ｔ ｉ −Ｐ ｄなどの高融点金属の単層
または複合層が用いられている。この種の拡散バリヤ層
に関しては、上記の文献に記載されている。
Ｐ ｔ 、 Ｔ ｉ −Ｐ ｄなどの高融点金属の単層
または複合層が用いられている。この種の拡散バリヤ層
に関しては、上記の文献に記載されている。
しかし、上記の拡散バリヤ層が半導体」ん板と直接接触
する金属材料すなわち、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（
Ｔｉ）は、非常に酸化しやすいため、電極層の被着条件
を厳密に管理する必要があり、管理が不充分な場合には
、゛電極の密着性が低下するという欠点があった。
する金属材料すなわち、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（
Ｔｉ）は、非常に酸化しやすいため、電極層の被着条件
を厳密に管理する必要があり、管理が不充分な場合には
、゛電極の密着性が低下するという欠点があった。
本発明の目的は、上記の拡散バリヤ層をもつ電極の被着
条件を緩和し、密着性を高めることにある。
条件を緩和し、密着性を高めることにある。
上記目的は、拡散バリヤ層を基板に被着するのに先立ち
、まず、厚さ３００Å以下のクロム（Ｃｒ）の薄層を基
板に被着し、ついで拡散バリヤ層、ＡｕまたはΔｇ層を
被着することにより達成される。
、まず、厚さ３００Å以下のクロム（Ｃｒ）の薄層を基
板に被着し、ついで拡散バリヤ層、ＡｕまたはΔｇ層を
被着することにより達成される。
Ｃｒの化合物半導体への接着力は、ＴｉやＭ。
のそれよりも優れている。また、Ｃｒ被着後に引続いて
’Ｉ”＋やＭｏ被着した場合には、その接着力は」１（
板に直接Ｔ１やＭｏを被着した場合に比べて著しく改善
される。したがって、半導体基板にＣｒを被着したのち
、拡散バリヤ層を被着すれば電極の密着性を改善するこ
とができる。
’Ｉ”＋やＭｏ被着した場合には、その接着力は」１（
板に直接Ｔ１やＭｏを被着した場合に比べて著しく改善
される。したがって、半導体基板にＣｒを被着したのち
、拡散バリヤ層を被着すれば電極の密着性を改善するこ
とができる。
ただし、 Ｃｒの膜１１を種々検討した結果、膜厚が３
００Å以上になると、良好な密着性は確保されるものの
、拡散バリヤ層の機能が低下してしまうことが判明した
。このため、接着力改善に用いるＣｒ層の厚さを３００
Å以下とする必要がある。
００Å以上になると、良好な密着性は確保されるものの
、拡散バリヤ層の機能が低下してしまうことが判明した
。このため、接着力改善に用いるＣｒ層の厚さを３００
Å以下とする必要がある。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は１本発明によるｐ型Ｇ ａ Ａ ８層に対するオー
ミック電極を被着後の断面を示す。
図は１本発明によるｐ型Ｇ ａ Ａ ８層に対するオー
ミック電極を被着後の断面を示す。
ｎ型ＧａΔＳ基板１上にあるｐ型ＧａΔＳ層２にＪ１２
さ約１００人のＣｒ層：３を真空蒸着法により被着する
。ついで、厚さ約１５００人のＭｏ層（拡散バリヤ層）
４と厚さ約５０００人のＡＵ層５とを真空蒸着してｐ型
ｔ１ｉ極を形成する。
さ約１００人のＣｒ層：３を真空蒸着法により被着する
。ついで、厚さ約１５００人のＭｏ層（拡散バリヤ層）
４と厚さ約５０００人のＡＵ層５とを真空蒸着してｐ型
ｔ１ｉ極を形成する。
本実施例によれば、Ｍｏバリヤ層を持つオーミック電極
の密着性が大幅に改善された。Ｃｒ層を持たない従来の
電極では、電極の存在しない裏面にダイヤモンドポイン
トを用いてキズを入れ、この部分から半導体基板を襞間
して分割すると１分割された端部の電極層には、しばし
ば剥離が生ずることがあった。一方、本実施例による電
極では、上記のテストでも電極の剥離は全く生じない。
の密着性が大幅に改善された。Ｃｒ層を持たない従来の
電極では、電極の存在しない裏面にダイヤモンドポイン
トを用いてキズを入れ、この部分から半導体基板を襞間
して分割すると１分割された端部の電極層には、しばし
ば剥離が生ずることがあった。一方、本実施例による電
極では、上記のテストでも電極の剥離は全く生じない。
また、電極形成後、温度３００℃で１時間の熱処理後も
良好なボンダビリティが得られる。
良好なボンダビリティが得られる。
本発明によれば、Ｍｏ、’Ｉ’ｉを含む拡散バリヤ層を
持つ電極の密着性を改善することができる。
持つ電極の密着性を改善することができる。
また、本発明によれば、拡散バリヤ層の蒸着条件を緩和
することができる。−例を挙げれば、従来は、Ｍｏバリ
ヤ層の真空蒸着時には排気圧力が２ Ｘ １０−６Ｔｏ
ｒｒ以下の必要があったが、本発明によれば５ Ｘ １
０−６Ｔｏｒｒ以下であれば充分な接着強度が得られる
。
することができる。−例を挙げれば、従来は、Ｍｏバリ
ヤ層の真空蒸着時には排気圧力が２ Ｘ １０−６Ｔｏ
ｒｒ以下の必要があったが、本発明によれば５ Ｘ １
０−６Ｔｏｒｒ以下であれば充分な接着強度が得られる
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１− ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２− Ｉ）型Ｇａ Ａ
ｓ基板、３・・・Ｃｒ層、４・・・拡散バリヤ（Ｍｏ
）層、５・・・ボンディングメタル（Ａｕ）層。 ′；４ ］ 図
ｓ基板、３・・・Ｃｒ層、４・・・拡散バリヤ（Ｍｏ
）層、５・・・ボンディングメタル（Ａｕ）層。 ′；４ ］ 図
Claims (1)
- １、化合物半導体層と上層電極金属層との相互拡散を防
止するための拡散バリヤ層を有する電極において、下地
半導体層と直接接触する第１層金属層に厚さ３００Å以
下のＣｒを用いることを特徴とする化合物半導体用電極
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30313287A JPH01145856A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 化合物半導体用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30313287A JPH01145856A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 化合物半導体用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145856A true JPH01145856A (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=17917268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30313287A Pending JPH01145856A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 化合物半導体用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01145856A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766391A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Nec Corp | オーミック電極 |
| US6051879A (en) * | 1997-12-16 | 2000-04-18 | Micron Technology, Inc. | Electrical interconnection for attachment to a substrate |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP30313287A patent/JPH01145856A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766391A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Nec Corp | オーミック電極 |
| US6051879A (en) * | 1997-12-16 | 2000-04-18 | Micron Technology, Inc. | Electrical interconnection for attachment to a substrate |
| US6207559B1 (en) | 1997-12-16 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc | Method of making a semiconductor device for attachment to a semiconductor substrate |
| US6380626B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device for attachment to a semiconductor substrate |
| US6566253B2 (en) | 1997-12-16 | 2003-05-20 | Micron Technology, Inc. | Method of making electrical interconnection for attachment to a substrate |
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