JP3418849B2 - 化合物半導体用オーム接触の製造方法 - Google Patents
化合物半導体用オーム接触の製造方法Info
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体のｎ形半導体層、特にＧａｌ−ｘＡｌｘＡｓからな
るｎ形半導体層上にオーム接触を製造する方法であつ
て、アルミニウムの混合比（ｘ）が０≦×≦１の範囲内
であるものに関する。
導体のｎ形半導体層、特にＧａｌ−ｘＡｌｘＡｓからな
るｎ形半導体層上にオーム接触を製造する方法であつ
て、アルミニウムの混合比（ｘ）が０≦×≦１の範囲内
であるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】工業用半導体技術においては、ｎ形ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体結晶ＧａＡｓ及びＧａＡｌＡｓ用
のオーム接触としてＡｕＧｅ及びＡｕＧｅＮｉ共融合金
が主に使用される。接触層のゲルマニウム濃度が低く、
かつオーム接触の形成が合金化工程ではなく、熱処理に
よつて行われるとき、金ゲルマニウム接触層を用いて２
元ｎ形化合物半導体ガリウムヒ素上に再現可能に均一な
接触を製造することができる。このような方法がドイツ
連邦共和国特許第４１１３９６９号明細書に記載されて
いる。熱処理された接触の比接触抵抗は、代表的には約
１×１０−５Ωｃｍ２である。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体結晶ＧａＡｓ及びＧａＡｌＡｓ用
のオーム接触としてＡｕＧｅ及びＡｕＧｅＮｉ共融合金
が主に使用される。接触層のゲルマニウム濃度が低く、
かつオーム接触の形成が合金化工程ではなく、熱処理に
よつて行われるとき、金ゲルマニウム接触層を用いて２
元ｎ形化合物半導体ガリウムヒ素上に再現可能に均一な
接触を製造することができる。このような方法がドイツ
連邦共和国特許第４１１３９６９号明細書に記載されて
いる。熱処理された接触の比接触抵抗は、代表的には約
１×１０−５Ωｃｍ２である。
【０００３】３元ｎ形化合物半導体Ｇａｌ−ｘＡｌｘＡ
ｓ用オーム接触としての金ゲルマニウム層に適した用途
は限られている。アルミニウム分の増加に伴い、蒸着Ａ
ｕＧｅ層の密着性が劣化し、かつその接触抵抗が上昇す
る。ＧａＡｌＡｓの表面に自然酸化皮膜が生成するの
で、アルミニウム混合比（ｘ）が０≦×≦０．４の範囲
内にあるＧａｌ−ｘＡｌｘＡｓについてのみ、金ゲルマ
ニウム接触の使用が可能となる。任意のアルミニウム混
合比を有するｎ形Ｇａｌ−ｘＡｌｘＡｓ用の接触として
は金、ゲルマニウム及びニッケルからなる多層接触が好
適であることが知られている。ニツケルは合金化工程の
間に固体反応によつてＧａＡｌＡｓ表面上の自然酸化皮
膜を溶解して、ＮｉＡｓ、β−ＡｕＧａ等の化合物を生
成する。文献に記録されたＡｕＧｅＮｉ接触では、金ゲ
ルマニウムは共融合金ＡｕＧｅ（８８／１２）として形
成されるか、又は金とゲルマニウムとからなる離散層と
して形成される。第１の方法は、例えばＡｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ５４（８）、１９８９
年２月、７２１〜７２３頁と欧州公開特許第３２３５５
４号明細書に記載されており、第２の方法は欧州公開特
許第４１９０６２号明細書に記載されている。引き続き
金／ゲルマニウム層上にニッケル層が形成される。ニツ
ケル層は、一般にＡｕＧｅ（８８／１２）１００ｎｍ当
たり約２８ｎｍに相当する厚さを有する。
ｓ用オーム接触としての金ゲルマニウム層に適した用途
は限られている。アルミニウム分の増加に伴い、蒸着Ａ
ｕＧｅ層の密着性が劣化し、かつその接触抵抗が上昇す
る。ＧａＡｌＡｓの表面に自然酸化皮膜が生成するの
で、アルミニウム混合比（ｘ）が０≦×≦０．４の範囲
内にあるＧａｌ−ｘＡｌｘＡｓについてのみ、金ゲルマ
ニウム接触の使用が可能となる。任意のアルミニウム混
合比を有するｎ形Ｇａｌ−ｘＡｌｘＡｓ用の接触として
は金、ゲルマニウム及びニッケルからなる多層接触が好
適であることが知られている。ニツケルは合金化工程の
間に固体反応によつてＧａＡｌＡｓ表面上の自然酸化皮
膜を溶解して、ＮｉＡｓ、β−ＡｕＧａ等の化合物を生
成する。文献に記録されたＡｕＧｅＮｉ接触では、金ゲ
ルマニウムは共融合金ＡｕＧｅ（８８／１２）として形
成されるか、又は金とゲルマニウムとからなる離散層と
して形成される。第１の方法は、例えばＡｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ５４（８）、１９８９
年２月、７２１〜７２３頁と欧州公開特許第３２３５５
４号明細書に記載されており、第２の方法は欧州公開特
許第４１９０６２号明細書に記載されている。引き続き
金／ゲルマニウム層上にニッケル層が形成される。ニツ
ケル層は、一般にＡｕＧｅ（８８／１２）１００ｎｍ当
たり約２８ｎｍに相当する厚さを有する。
【０００４】ＡｕＧｅＮｉ接触の総厚は決定的要素では
なく、多くの場合１００〜２５０ｎｍの範囲にある。し
かし総厚が１００ｎｍ以下に減少すると接触抵抗が上昇
する恐れがある。化合物半導体上に各層が形成される順
序は、層配列が後続の熱処理工程において溶解され、合
金化されるので、特別重要ではない。それ故に文献に
は、まずニツケル、次に金ゲルマニウムを化合物半導体
結晶上に形成して製造されるＡｕＧｅＮｉ接触も記録さ
れている。合金化ＡｕＧｅＮｉ接触の層抵抗が高く、代
表的には約２Ω／スクエアであるので、通常は付加的な
金補強材が形成される。オーム接触を形成するためには
ＡｕＧｅＮｉ膜に熱処理を施す必要がある。その際の温
度は好ましくは３６０〜５００℃である。ＡｕＧｅ（８
８／１２）共融混合物の溶融温度が約３６０℃と低いの
で、この工程は合金化工程である。接触金属は加熱され
ると液化し、冷却されると再結晶化する。
なく、多くの場合１００〜２５０ｎｍの範囲にある。し
かし総厚が１００ｎｍ以下に減少すると接触抵抗が上昇
する恐れがある。化合物半導体上に各層が形成される順
序は、層配列が後続の熱処理工程において溶解され、合
金化されるので、特別重要ではない。それ故に文献に
は、まずニツケル、次に金ゲルマニウムを化合物半導体
結晶上に形成して製造されるＡｕＧｅＮｉ接触も記録さ
れている。合金化ＡｕＧｅＮｉ接触の層抵抗が高く、代
表的には約２Ω／スクエアであるので、通常は付加的な
金補強材が形成される。オーム接触を形成するためには
ＡｕＧｅＮｉ膜に熱処理を施す必要がある。その際の温
度は好ましくは３６０〜５００℃である。ＡｕＧｅ（８
８／１２）共融混合物の溶融温度が約３６０℃と低いの
で、この工程は合金化工程である。接触金属は加熱され
ると液化し、冷却されると再結晶化する。
【０００５】公知のＡｕＧｅＮｉ接触は以下の欠点を有
する。合金化の制御は技術的に困難であり、劣化した形
態構造と不規則な周縁部とを有する接触を生じる。この
接触は離散ニツケル層を有するので、エツチング法によ
る構造化は不可能であるか、又は多大の経費をかけては
じめて可能となる。寸法安定性の維持の可能性はきわめ
て限られている。それ故公知のＡｕＧｅＮｉ接触に対す
る構造化法としては、接触金属の不要部分をその下部に
あるフオトレジスト構造を利用して除去する技術（リフ
トオーフ法）が利用される。しかしこの方法は、一層簡
単かつ一層確実な方法が適用できない場合にのみ、大量
生産において利用される。
する。合金化の制御は技術的に困難であり、劣化した形
態構造と不規則な周縁部とを有する接触を生じる。この
接触は離散ニツケル層を有するので、エツチング法によ
る構造化は不可能であるか、又は多大の経費をかけては
じめて可能となる。寸法安定性の維持の可能性はきわめ
て限られている。それ故公知のＡｕＧｅＮｉ接触に対す
る構造化法としては、接触金属の不要部分をその下部に
あるフオトレジスト構造を利用して除去する技術（リフ
トオーフ法）が利用される。しかしこの方法は、一層簡
単かつ一層確実な方法が適用できない場合にのみ、大量
生産において利用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】それ故に本発明の課題
は、任意の混合比（ｘ）を有する化合物半導体Ｇａｌ−
ｘＡｌｘＡｓのｎ形半導体層上にオーム接触を製造する
方法を示すことであり、その際オーム接触は簡単なエツ
チング法によつて構造化可能でなければならない。上記
接触は更に接触抵抗が低く、不均一性が除去されていな
ければならない。
は、任意の混合比（ｘ）を有する化合物半導体Ｇａｌ−
ｘＡｌｘＡｓのｎ形半導体層上にオーム接触を製造する
方法を示すことであり、その際オーム接触は簡単なエツ
チング法によつて構造化可能でなければならない。上記
接触は更に接触抵抗が低く、不均一性が除去されていな
ければならない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明によれば、金属接触層がＡｕＧｅＮｉからなり、
そのゲルマニウム分とニツケル分がそれぞれ１重量％を
超えないことによつて解決される。本方法の更なる展開
は従属請求項の特徴にしたがつて行われる。
本発明によれば、金属接触層がＡｕＧｅＮｉからなり、
そのゲルマニウム分とニツケル分がそれぞれ１重量％を
超えないことによつて解決される。本方法の更なる展開
は従属請求項の特徴にしたがつて行われる。
【０００８】半導体結晶のｎ形半導体層上にまずＡｕＧ
ｅＮｉ皮膜を蒸着させるか、陰極スパツタリングによつ
てスパツタする。ＡｕＧｅＮｉ皮膜は１重量％未満のゲ
ルマニウムと１重量％未満のニツケルを含有している。
引き続きＡｕＧｅＮｉ皮膜上に金補強材を形成する。好
ましくはこの工程は酸化膜の生成を防止するために、下
層を形成したのと同じ工程によつて行われる。従来の合
金化工程の代わりに、本方法は短時間熱処理による熱処
理を含み、急速熱処理（ＲＴＰ）又は炉内の従来の熱処
理工程による熱処理も含んでいる。熱処理の間に、Ａｕ
ＧｅＮｉ皮膜は合金化工程におけるような液化とそれに
続く再結晶とを生じない。オーム接触は固体反応によつ
てゲルマニウム原子がＡｕＧｅＮｉ層からＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体のｎ形層の表面に拡散することによつて生
じる。この接触は簡単に製造され、ゲルマニウム及びニ
ツケルの濃度が低いので、半導体技術において一般的な
金エツチング法によつて難なく残さいなしに構造化する
ことができる。
ｅＮｉ皮膜を蒸着させるか、陰極スパツタリングによつ
てスパツタする。ＡｕＧｅＮｉ皮膜は１重量％未満のゲ
ルマニウムと１重量％未満のニツケルを含有している。
引き続きＡｕＧｅＮｉ皮膜上に金補強材を形成する。好
ましくはこの工程は酸化膜の生成を防止するために、下
層を形成したのと同じ工程によつて行われる。従来の合
金化工程の代わりに、本方法は短時間熱処理による熱処
理を含み、急速熱処理（ＲＴＰ）又は炉内の従来の熱処
理工程による熱処理も含んでいる。熱処理の間に、Ａｕ
ＧｅＮｉ皮膜は合金化工程におけるような液化とそれに
続く再結晶とを生じない。オーム接触は固体反応によつ
てゲルマニウム原子がＡｕＧｅＮｉ層からＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体のｎ形層の表面に拡散することによつて生
じる。この接触は簡単に製造され、ゲルマニウム及びニ
ツケルの濃度が低いので、半導体技術において一般的な
金エツチング法によつて難なく残さいなしに構造化する
ことができる。
【０００９】
【実施例】以下図を参考に、１実施例に基づいて本発明
を詳しく説明する。
を詳しく説明する。
【００１０】図１はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えば
アルミニウム混合比ｘ（０≦ｘ≦１）のＧａＡｌＡｓの
ｎ形半導体層上にオーム接触を製造する方法の流れ図を
示す。この方法は、半導体結晶の前面上に第１及び第２
金属層を形成するための各１つの工程と、オーム接触を
生成するための熱処理工程とを含んでいる。本方法の第
１工程において、ＡｕＧｅＮｉ層２は電子線によつて加
熱されるＡｕＧｅＮｉ源からの熱蒸発によるか、又はＡ
ｕＧｅＮｉターゲツトの陰極スパツタリングによつて、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１上に形成される。本方
法の第２工程において、Ａｕ層３は同じ方法に基づいて
ＡｕＧｅＮｉ層２上に形成される。蒸着又は陰極スパツ
タリングは約２×１０−７ｍｂａｒのベース圧力におい
て行われる。
アルミニウム混合比ｘ（０≦ｘ≦１）のＧａＡｌＡｓの
ｎ形半導体層上にオーム接触を製造する方法の流れ図を
示す。この方法は、半導体結晶の前面上に第１及び第２
金属層を形成するための各１つの工程と、オーム接触を
生成するための熱処理工程とを含んでいる。本方法の第
１工程において、ＡｕＧｅＮｉ層２は電子線によつて加
熱されるＡｕＧｅＮｉ源からの熱蒸発によるか、又はＡ
ｕＧｅＮｉターゲツトの陰極スパツタリングによつて、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１上に形成される。本方
法の第２工程において、Ａｕ層３は同じ方法に基づいて
ＡｕＧｅＮｉ層２上に形成される。蒸着又は陰極スパツ
タリングは約２×１０−７ｍｂａｒのベース圧力におい
て行われる。
【００１１】図２は熱処理前のオーム接触の層配列を示
す。金属半導体接触は２つの層、即ちＡｕＧｅＮｉ層２
とＡｕ層３とからなる。ＡｕＧｅＮｉ層２はｎ形ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体１の直上にあり、厚さが５０〜２０
０ｎｍである。ＡｕＧｅＮｉ層中のゲルマニウム濃度は
約０．４重量％であり、１重量％を超えてはならない。
ニツケル濃度は約０．５重量％であり、やはり１重量％
を超えてはならない。ＡｕＧｅＮｉ層上には厚さ２５０
〜１０００ｎｍのＡｕ層３がある。
す。金属半導体接触は２つの層、即ちＡｕＧｅＮｉ層２
とＡｕ層３とからなる。ＡｕＧｅＮｉ層２はｎ形ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体１の直上にあり、厚さが５０〜２０
０ｎｍである。ＡｕＧｅＮｉ層中のゲルマニウム濃度は
約０．４重量％であり、１重量％を超えてはならない。
ニツケル濃度は約０．５重量％であり、やはり１重量％
を超えてはならない。ＡｕＧｅＮｉ層上には厚さ２５０
〜１０００ｎｍのＡｕ層３がある。
【００１２】熱処理工程において多層接触配列は、オー
ム接触層を生成するために、４３０〜４８０℃の温度で
５〜２０秒間、いわゆる急速熱処理によつて熱処理され
る。熱処理工程は、例えばＮ２又はＡｒ等の不活性ガス
の不活性雰囲気中で行われる。オーム接触はゲルマニウ
ム原子がＡｕＧｅＮｉ層２からｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体１の表面に拡散することによつて生じる。この方
法において特に重要なことは、接触層が溶融して合金化
接触の方から公知の不均一性が生じることのないよう
に、熱処理工程の時間及び温度を選択することである。
ム接触層を生成するために、４３０〜４８０℃の温度で
５〜２０秒間、いわゆる急速熱処理によつて熱処理され
る。熱処理工程は、例えばＮ２又はＡｒ等の不活性ガス
の不活性雰囲気中で行われる。オーム接触はゲルマニウ
ム原子がＡｕＧｅＮｉ層２からｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体１の表面に拡散することによつて生じる。この方
法において特に重要なことは、接触層が溶融して合金化
接触の方から公知の不均一性が生じることのないよう
に、熱処理工程の時間及び温度を選択することである。
【００１３】急速熱処理の代わりに従来の熱処理工程も
実施することができる。この場合、プロセス温度は３６
０〜３９０℃である。熱処理工程の持続時間は４０分〜
３時間である。この場合にも、温度と時間は接触層が溶
融しないように選択されている。従来の工程による熱処
理は、好ましくは例えばＮ２ガス又はＡｒガスの不活性
雰囲気中で実施される。しかし熱処理工程は還元性雰囲
気中でも実施することができる。
実施することができる。この場合、プロセス温度は３６
０〜３９０℃である。熱処理工程の持続時間は４０分〜
３時間である。この場合にも、温度と時間は接触層が溶
融しないように選択されている。従来の工程による熱処
理は、好ましくは例えばＮ２ガス又はＡｒガスの不活性
雰囲気中で実施される。しかし熱処理工程は還元性雰囲
気中でも実施することができる。
【００１４】本発明による方法によつてその上にオーム
接触が製造されるｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の例に
は、ＧａＡｓ、Ｇａｌ−ｘＡｌｘＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ
及び 合である。
接触が製造されるｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の例に
は、ＧａＡｓ、Ｇａｌ−ｘＡｌｘＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ
及び 合である。
【００１５】金又はアルミニウムからなる１つ又はそれ
以上のボンデイングワイヤによつて接触層をボンデイン
グする場合、ボンデイング中の接触又は半導体結晶の破
損を防止するために、１つ又はそれ以上の金属層によつ
て接触を補強する必要がある。補強層（ボンデイングパ
ツド）として、好ましくは金又はアルミニウムが使用さ
れる。厚い金層はＡｕＧｅＮｉ接触層上に直接形成する
ことができるのに対して、アルミニウムからなるボンデ
イングパツドは拡散障壁として作用する中間層上に形成
せねばならない。チタンタングステン窒化物（ＴｉＷ
Ｎ）からなる層はアルミニウムがボンデイングパツドか
ら接触層中に拡散するのを防止する。副次的効果とし
て、熱処理工程におけるオーム接触とアルミニウム補強
材との合金化が阻止される。
以上のボンデイングワイヤによつて接触層をボンデイン
グする場合、ボンデイング中の接触又は半導体結晶の破
損を防止するために、１つ又はそれ以上の金属層によつ
て接触を補強する必要がある。補強層（ボンデイングパ
ツド）として、好ましくは金又はアルミニウムが使用さ
れる。厚い金層はＡｕＧｅＮｉ接触層上に直接形成する
ことができるのに対して、アルミニウムからなるボンデ
イングパツドは拡散障壁として作用する中間層上に形成
せねばならない。チタンタングステン窒化物（ＴｉＷ
Ｎ）からなる層はアルミニウムがボンデイングパツドか
ら接触層中に拡散するのを防止する。副次的効果とし
て、熱処理工程におけるオーム接触とアルミニウム補強
材との合金化が阻止される。
【００１６】好ましい１実施態様では、ｐ形Ｇａ
０．６５Ａｌ０．３５Ａｓ及びｎ形Ｇａ０．３２Ａｌ
０．６８Ａｓからなる単一ヘテロ構造を有する半導体結
晶が液相エピタキシヤル成長によつてｐ形ＧａＡｓ基板
上に製造され、ｎ形エピタキシヤル層中の電荷キヤリヤ
濃度が１×１０１８ｃｍ−３であり、この結晶の表面上
に厚さ１００ｎｍのＡｕＧｅＮｉ層と厚さ５００ｎｍの
Ａｕ層が形成される。ＡｕＧｅＮｉ層は０．４重量％の
ゲルマニウム分と０．５重量％のニツケル分とを含有す
る。別の方法工程においてＡｕ層上にまず、厚さ０．２
５μのＴｉＷＮ拡散障壁と厚さ２μの別のＡｌ補強材を
析出させる。ＴｉＷＮ層はスパツタされる。引き続き接
触はフオトレジストマスクを利用して湿化学的に構造化
される。例えばアルミニウム層の不要部分はリン酸で除
去され、ＴｉＷＮ層の不要部分は過酸化水素で除去さ
れ、ＡｕＧｅＮｉ−Ａｕ層の不要部分は金エツチングで
除去される。フオトレジストマスクの除去後に多層接触
配列は４８０℃で１５秒間急速熱処理工程によつて熱処
理される。こうして製造されたオーム接触は表面が平滑
であり、問題なくワイヤボンデイングすることができ
る。接触抵抗は約５×１０−５Ωｃｍ２である。
０．６５Ａｌ０．３５Ａｓ及びｎ形Ｇａ０．３２Ａｌ
０．６８Ａｓからなる単一ヘテロ構造を有する半導体結
晶が液相エピタキシヤル成長によつてｐ形ＧａＡｓ基板
上に製造され、ｎ形エピタキシヤル層中の電荷キヤリヤ
濃度が１×１０１８ｃｍ−３であり、この結晶の表面上
に厚さ１００ｎｍのＡｕＧｅＮｉ層と厚さ５００ｎｍの
Ａｕ層が形成される。ＡｕＧｅＮｉ層は０．４重量％の
ゲルマニウム分と０．５重量％のニツケル分とを含有す
る。別の方法工程においてＡｕ層上にまず、厚さ０．２
５μのＴｉＷＮ拡散障壁と厚さ２μの別のＡｌ補強材を
析出させる。ＴｉＷＮ層はスパツタされる。引き続き接
触はフオトレジストマスクを利用して湿化学的に構造化
される。例えばアルミニウム層の不要部分はリン酸で除
去され、ＴｉＷＮ層の不要部分は過酸化水素で除去さ
れ、ＡｕＧｅＮｉ−Ａｕ層の不要部分は金エツチングで
除去される。フオトレジストマスクの除去後に多層接触
配列は４８０℃で１５秒間急速熱処理工程によつて熱処
理される。こうして製造されたオーム接触は表面が平滑
であり、問題なくワイヤボンデイングすることができ
る。接触抵抗は約５×１０−５Ωｃｍ２である。
【図１】本発明による方法の流れ図である。
【図２】温度処理前の接触の層配列の横断面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−244122（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−173183（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−135017（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/28 301
Claims (9)
- 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のｎ形半導体
層上にオーム接触を製造する方法であって、まずｎ形半
導体層上に金属接触層を形成し、該金属接触層上に金層
を形成し、次いで得られた配列を熱処理工程で熱処理す
るものにおいて、前記金属接触層がＡｕＧｅＮｉからな
り、そのゲルマニウム分とニツケル分がそれぞれ１重量
％を超えないことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記層配列を３６０〜３９０℃で４０〜
１８０分間熱処理することを特徴とする、請求項１に記
載の方法。 - 【請求項３】 前記層配列を４３０〜４８０℃で５〜２
０秒間熱処理することを特徴とする、請求項１に記載の
方法。 - 【請求項４】 前記ＡｕＧｅＮｉ層中のニツケル分が
０．５重量％であることを特徴とする、請求項１ないし
３の１つに記載の方法。 - 【請求項５】 前記ＡｕＧｅＮｉ層中のゲルマニウム分
が０．４重量％であることを特徴とする、請求項１ない
し４の１つに記載の方法。 - 【請求項６】 前記ＡｕＧｅＮｉ層の厚さが５０〜２０
０ｎｍの範囲であるあることを特徴と、請求項１ないし
５の１つに記載の方法。 - 【請求項７】 前記金層の厚さが２５０〜１０００ｎｍ
の範囲であることを特徴とする、請求項１ないし６の１
つに記載の方法。 - 【請求項８】 前記熱処理工程の前に、前記ＡｕＧｅＮ
ｉ層を覆う前記金層上にまずＴｉＷＮ層、次いでアルミ
ニウム層を析出させることを特徴とする、請求項１ない
し７の１つに記載の方法。 - 【請求項９】 前記熱処理工程の前に接触配列が構造化
されることを特徴とする、請求項１ないし８の１つに記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4405716A DE4405716C2 (de) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten für Verbindungshalbleiter |
| DE4405716.4 | 1994-02-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263375A JPH07263375A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3418849B2 true JP3418849B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=6510925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06145995A Expired - Lifetime JP3418849B2 (ja) | 1994-02-23 | 1995-02-14 | 化合物半導体用オーム接触の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5731224A (ja) |
| JP (1) | JP3418849B2 (ja) |
| KR (1) | KR100351195B1 (ja) |
| DE (1) | DE4405716C2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE60038524D1 (de) * | 1999-02-18 | 2008-05-21 | Furukawa Electric Co Ltd | Elektrode für halbleiteranordnung und verfahren zum herstellen |
| US7881359B2 (en) * | 1999-04-23 | 2011-02-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Surface-emission semiconductor laser device |
| US7368316B2 (en) * | 1999-04-23 | 2008-05-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface-emission semiconductor laser device |
| JP2000307190A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光型半導体レーザの作製方法 |
| DE10039945B4 (de) * | 2000-08-16 | 2006-07-13 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleiteranordnung aus GaAIAs mit Doppelheterostruktur und entsprechende Halbleiteranordnung |
| US7084423B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-08-01 | Acorn Technologies, Inc. | Method for depinning the Fermi level of a semiconductor at an electrical junction and devices incorporating such junctions |
| US6833556B2 (en) | 2002-08-12 | 2004-12-21 | Acorn Technologies, Inc. | Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel |
| DE10261364B4 (de) * | 2002-12-30 | 2004-12-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer temperbarer Mehrschichtkontaktbeschichtung, insbesondere einer temperbaren Mehrschichtkontaktmetallisierung |
| DE102004004780B9 (de) | 2003-01-31 | 2019-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem elektrischen Kontaktbereich und Bauelement mit einem elektrischen Kontaktbereich |
| JP2004235649A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電気コンタクト領域を備えたモジュールの製造方法および半導体層列および活性ゾーンを有するモジュール |
| DE10329364B4 (de) * | 2003-06-30 | 2007-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
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| JP5393751B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2014-01-22 | 株式会社沖データ | 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置 |
| DE112012004882B4 (de) | 2011-11-23 | 2022-12-29 | Acorn Technologies, Inc. | Verbesserung von Metallkontakten zu Gruppe-IV-Halbleitern durch Einfügung grenzflächiger atomischer Monoschichten |
| US9620611B1 (en) | 2016-06-17 | 2017-04-11 | Acorn Technology, Inc. | MIS contact structure with metal oxide conductor |
| DE112017005855T5 (de) | 2016-11-18 | 2019-08-01 | Acorn Technologies, Inc. | Nanodrahttransistor mit Source und Drain induziert durch elektrische Kontakte mit negativer Schottky-Barrierenhöhe |
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|---|---|---|---|---|
| US4679311A (en) * | 1985-12-12 | 1987-07-14 | Allied Corporation | Method of fabricating self-aligned field-effect transistor having t-shaped gate electrode, sub-micron gate length and variable drain to gate spacing |
| US4662060A (en) * | 1985-12-13 | 1987-05-05 | Allied Corporation | Method of fabricating semiconductor device having low resistance non-alloyed contact layer |
| US5322814A (en) * | 1987-08-05 | 1994-06-21 | Hughes Aircraft Company | Multiple-quantum-well semiconductor structures with selective electrical contacts and method of fabrication |
| US4853346A (en) * | 1987-12-31 | 1989-08-01 | International Business Machines Corporation | Ohmic contacts for semiconductor devices and method for forming ohmic contacts |
| US5064772A (en) * | 1988-08-31 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Bipolar transistor integrated circuit technology |
| US5067809A (en) * | 1989-06-09 | 1991-11-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Opto-semiconductor device and method of fabrication of the same |
| JP2907452B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1999-06-21 | 三菱化学株式会社 | 化合物半導体用電極 |
| DE4113969A1 (de) * | 1991-04-29 | 1992-11-05 | Telefunken Electronic Gmbh | Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter |
| JP3196390B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2001-08-06 | 富士電機株式会社 | パラメータ同定器 |
-
1994
- 1994-02-23 DE DE4405716A patent/DE4405716C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-28 US US08/365,243 patent/US5731224A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-14 JP JP06145995A patent/JP3418849B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-21 KR KR1019950003321A patent/KR100351195B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR100351195B1 (ko) | 2002-12-11 |
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| US5731224A (en) | 1998-03-24 |
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| KR950034536A (ko) | 1995-12-28 |
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