JPH04109674A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPH04109674A JPH04109674A JP22888890A JP22888890A JPH04109674A JP H04109674 A JPH04109674 A JP H04109674A JP 22888890 A JP22888890 A JP 22888890A JP 22888890 A JP22888890 A JP 22888890A JP H04109674 A JPH04109674 A JP H04109674A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）などの化合物を用
いた半導体装置にかかるものであり、特に、ワイヤボン
ディングやダイマウントなどのアセンブリに好適な化合
物半導体装置に関するものである。
いた半導体装置にかかるものであり、特に、ワイヤボン
ディングやダイマウントなどのアセンブリに好適な化合
物半導体装置に関するものである。
化合物半導体２例えば、Ｇ ａ Ａ ｓ用のオーミック
電極としては、−船釣にＡｕ（金）合金が用いられてい
る。しかし、電極形成後の熱処理時にＧａＡｓ中のＧａ
などが電極表面まで拡散し、これが原因となってＡｕ線
におけるワイヤボンダビリティが低下する。また、Ｉｎ
（インジウム）などのろう材に対する電極面のぬれ性も
低下する。 そこで、このような性能低下を防止するため、拡散バリ
ヤを有する電極構造が種々検討されている。例えば、昭
和５８年、春、応用物理学会予稿集のｒ７ａ−Ｄ−７Ｊ
には、第３図に示すように、Ｐｄを拡散バリアとしたＧ
ａ Ａ ｓ用オーミック電極が開示されている。同図
において、ＧａＡｓ１Ｏ上には、Ａｕ合金膜１２を介し
てＰｄ（パラジウム）膜１４が拡散バリアとして形成さ
れており、その上にはＡｕ膜１６が形成されている。こ
れによれば、３００℃以下の熱処理に対してはＧａの拡
散がＰｄ膜１４で抑えられ、良好なワイヤボンダビリテ
ィを有することが報告されている。
電極としては、−船釣にＡｕ（金）合金が用いられてい
る。しかし、電極形成後の熱処理時にＧａＡｓ中のＧａ
などが電極表面まで拡散し、これが原因となってＡｕ線
におけるワイヤボンダビリティが低下する。また、Ｉｎ
（インジウム）などのろう材に対する電極面のぬれ性も
低下する。 そこで、このような性能低下を防止するため、拡散バリ
ヤを有する電極構造が種々検討されている。例えば、昭
和５８年、春、応用物理学会予稿集のｒ７ａ−Ｄ−７Ｊ
には、第３図に示すように、Ｐｄを拡散バリアとしたＧ
ａ Ａ ｓ用オーミック電極が開示されている。同図
において、ＧａＡｓ１Ｏ上には、Ａｕ合金膜１２を介し
てＰｄ（パラジウム）膜１４が拡散バリアとして形成さ
れており、その上にはＡｕ膜１６が形成されている。こ
れによれば、３００℃以下の熱処理に対してはＧａの拡
散がＰｄ膜１４で抑えられ、良好なワイヤボンダビリテ
ィを有することが報告されている。
ところが、この従来技術では、３００℃を越える熱処理
を行なうとワイヤボンダビリティは低下するようになる
。このため、かかるワイヤボンダビリティ維持のための
電極形成後に３００℃を越えるような熱工程、例えば表
面保護を目的としたプラズマ気相成長法による無機絶縁
膜の形成や熱硬化法によるポリイミド樹脂膜の形成など
を行なうことができず、後工程の自由度が狭くなるとい
う不都合がある。 本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、耐熱性の
向上を図って後工程に対する制約を緩和することができ
るとともに、ワイヤボンダビリティに優れた信頼性の高
い化合物半導体装置を提供することを、その目的とする
ものである。
を行なうとワイヤボンダビリティは低下するようになる
。このため、かかるワイヤボンダビリティ維持のための
電極形成後に３００℃を越えるような熱工程、例えば表
面保護を目的としたプラズマ気相成長法による無機絶縁
膜の形成や熱硬化法によるポリイミド樹脂膜の形成など
を行なうことができず、後工程の自由度が狭くなるとい
う不都合がある。 本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、耐熱性の
向上を図って後工程に対する制約を緩和することができ
るとともに、ワイヤボンダビリティに優れた信頼性の高
い化合物半導体装置を提供することを、その目的とする
ものである。
本発明は、化合物半導体によるデバイス主要部に、引出
し手段に接続される電極部が形成された化合物半導体装
置において、前記デバイス主要部上に形成されたオーミ
ック接触電極と、このオーミック接触電極上にＴｉＮ膜
、Ｔｉ膜、Ａｕ膜を順に形成した上乗せ電極とを備えた
ことを特徴とするものである。 ［作用１ 本発明によれば、デバイス主要部の化合物などの拡散や
不要な合金化は、上乗せ電極のＴｉＮ膜によって良好に
防止さ九、これによってＡｕ膜とワイヤなどの引出し手
段との付着性やぬれ性が向上するようになる。Ｔｉ膜は
、ＴｉＮ膜とＡｕ膜の付着力を向上させる働きをする。
し手段に接続される電極部が形成された化合物半導体装
置において、前記デバイス主要部上に形成されたオーミ
ック接触電極と、このオーミック接触電極上にＴｉＮ膜
、Ｔｉ膜、Ａｕ膜を順に形成した上乗せ電極とを備えた
ことを特徴とするものである。 ［作用１ 本発明によれば、デバイス主要部の化合物などの拡散や
不要な合金化は、上乗せ電極のＴｉＮ膜によって良好に
防止さ九、これによってＡｕ膜とワイヤなどの引出し手
段との付着性やぬれ性が向上するようになる。Ｔｉ膜は
、ＴｉＮ膜とＡｕ膜の付着力を向上させる働きをする。
【実施例］
以下、本発明にかかる化合物半導体装置の実施例につい
て、添付図面を参照しながら説明する。 く第１実施例〉 最初に、第１図を参照しながら、本発明の第１実施例に
ついて説明する。この実施例は、本発明をＧ ａ Ａ
ｓダイオードに適用した場合の例である。 製造工程は、次の通りである。 まず、同図（Ａ）に示すように、Ｇ ａ Ａ ｓ基板は
Ｐ型ＧａＡｓ膜２０及びｎ型ＧａＡｓ膜２２によるｐｎ
接合を有している。これらのうちのｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ
膜２２上には、鳶初にＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ Ｉｔｊ
２４が蒸着法によって形成される（同図（Ｂ）参照）
。その膜厚は、例えば２００ｎｍである。 次に、このＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ膜２４上にＴｉＮ
（窒化チタン）膜２６が形成される。このときの膜厚は
、例えば１１００ｎである。ＴｉＮ膜２６は、−船釣に
スパッタ法で形成されることが多いが、ここでは蒸着法
で形成することとする。例えば、空容器内で、電子ビー
ム法によって真性のＴｉ （チタン）の蒸着を行なう。 このとき、この真空容器内にＮ２ガスを容器内圧力が１
〜２Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ程度になるように導入すると、
１．０〜１．５Ωｍ／ｓｅｃの蒸着速度でＴｉ、Ｎを含
む膜が形成される。 そして、その後Ｈ２中で４００℃、４分間の熱処理が行
なわれ、ＴｉＮ膜２６が形成される。 なお、ここではＴｉＮ膜２６の膜厚を１１００ｎとした
が、この膜厚が３ＯｎＩｌｌ１未満では所望のバリア効
果が得られない。他方、この膜厚が３００ｎｍを越える
ようになると、ＴｉＮ膜２６の比抵抗がＡｕの２．４Ｘ
１０−６Ω”ｃｍと比較して〜２゜０ＸＩＯ−３Ω・ｃ
Ｉｌｌと高いために熱抵抗が増大して信頼性が劣化する
。このため、ＴｉＮ膜２６の膜厚ｄ１は３０≦ｄ１≦３
００ｎｍの範囲が好ましい。 次に、以上のようにして形成されたＴｉＮ膜２膜上６上
Ｔｉ膜２８が例えば３０ｎｍの膜厚で形成され、更にこ
のＴｉ膜２８上に、Ａｕ膜３０が例えば５００ｎｍの膜
厚で順次蒸着法によって形成される（同図（Ｂ）参照）
。 この場合において、Ｔｉ膜２８の膜厚が２０ｎｍ未満で
は、Ｔｉ膜２８自体の均一な形成が困難なためにＡｕ膜
３０の付着力が低下する。また、膜厚が３００ｎｍを越
えると、熱処理工程でＡ ｕ −Ｔｉの合金化が進み、
Ａｕ膜３０に対するＡｕ線のボンディング性あるいはＩ
ｎ等のろう材のぬれ性が劣化する。このため、Ｔｉ膜２
８の膜厚ｄ２は２０≦ｄ２≦３００ｎｍの範囲が好まし
い。 次に、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜２０側の電極形成について
説明する。このｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜２０側には、最初
にＡ ｕ Ｚ ｎ膜３２が蒸着法によって形成される。 その膜厚は、例えば２００ｎｍである。そして、このＡ
ｕ Ｚ ｎ膜３２上に、ＴｉＮ膜３４．Ｔｉ膜３６、
Ａｕ膜３８が、上述したｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜２２側と
同様にして各々形成される。なお、形成手段や膜厚など
も同様である（同図（Ｃ）参照）。 次に、以上のようにしてＰｙｎいずれの面にも電極が形
成された基板を例えば３００μｍ角程度にチンプ化する
。そして、Ａｕをコートした金属板４０上に、Ｉｎある
いはＩｎ合金によるろう材４２によって、チップの２面
側のＡｕ膜３８のろう付けが行なわれる（同図（Ｄ）参
照）。また、かかるチップのｎ面側には、Ａｕ膜３ｏに
Ａｕ線４４のボンディングが行なわれる（同図（Ｅ）参
照）。 次に、以上のように構成されたＧａＡｓダイオードの電
極の作用について説明する。まず、ｎｐ各面にＡ ｕ
Ｇ ｅ Ｎ ｉ膜２４ 、 Ａ ｕ Ｚ ｎ膜３２が各
４校けられており、これらによって電極はオーミック性
を有することになる。 また、ＴｉＮ膜２６，３４は、拡散バリアとして作用す
る。これらのＴｉＮ膜２６，３４によって、Ｇ ａ Ａ
ｓ中のＧａの一電極表面への拡散が低減される。また
、ＴｉＮ膜３４によってＡｕ−Ｉｎの合金化が効果的に
抑制される。このため、合金化による硬化が生じたとき
に発生するストレスが直接半導体部分（Ｇ ａ Ａ ｓ
膜２０，２２）に加わらないようになる。 また、これらＴｉＮ膜２６，３４とＡｕ膜３０゜３８と
の導電性や付着力を高めるために形成されたＴｉ膜２８
．３６によって、Ａｕ膜３０．３８のぬれ性やＡｕ線４
４に対する付着性が改善される。 以上のように、本実施例によれば、次のような効果があ
る。 （１）４００℃の熱処理を行なってもＡｕ線４４のボン
ディング性が劣化しないため、電極の耐熱性が向上し、
後工程の自由度が広がる。また、ボンディングの付着性
が向上して不良発生が低減されるため、歩留まり、信頼
性が向上する。 （２）ＩｎあるいはＩｎ合金をろう材としたろう付は面
において、Ａｕ−Ｉｎの合金化がＴｉＮ膜３４によって
抑えられるため、合金化に基づいて発生するストレスが
直接半導体面に加わらないようになる。また、ろう付は
面のぬれ性が良好となって、歩留まり、信頼性が向上す
る。 （３）ＴｉＮ膜２６，３４が蒸着法によって形成される
ので、オーミック接触電極（Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｘ膜
２４．ＡｕＺｎ膜３２）及び上乗せ電極（Ｔｉ膜２８，
３６．Ａｕ膜３０，３８）を連続して蒸着法で形成する
ことが可能であり、全体としてみると工程を簡略化する
ことができる。 く第２実施例〉 次に、第２図を参照しながら、本発明の第２実施例につ
いて説明する。なお、上述した第１実施例と同様又は相
当する構成部分には、同一の符号を用いることとする。 上述した第１実施例では、Ａｕｎ４４のボンディング面
及びろう付は面の両面に対して本発明を適用したもので
あるが、この第２実施例では、−方にのみ本発明が適用
されている。まず、同図（Ａ）の実施例では、ボンディ
ング面側にのみ上乗せ電極のＴｉＮ腹２６．Ｔｉ膜２８
．Ａｕ膜３０が各々形成されている。 これに対し、同図（Ｂ）の実施例では、ろう付は面側に
のみ上乗せ電極のＴｉＮ膜３４．Ｔｉ膜３６、Ａｕ膜３
８が各々形成されている。 なお、オーミック接触電極であるＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ
ｉ膜２４．ＡｕＺｎ膜３２は、いずれにおいても各々形
成されでいる。このように、ボンディング面あるいはろ
う付は面のいずれか一方の面にのみ本発明を適用しても
、各面において同様の効果が得られる。 く他の実施例〉 なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば、デバイス主要部分の導電型がｐｎ逆にな
ってもよい。しかし、ｐｎ各面におけるオーミック接触
電極は、２面側がＡ ｕ Ｚ ｎ 。 ｎ面側がＡｕＧｅＮｉになる。また、これらのオーミン
ク接触電極として、ｐ側にＡ ｕ Ｂ ｅなどを、ｎ側
にＡ ｕ Ｓ ｎやＡ ｕ Ｓ ｉなどを用いるように
してもよい。電極に対する引出し手段としても、ＡＵを
コートした金属板４０以外のものを用いてよい。 また、基板として、前記Ｇ ａ Ａ ｓ以外にＡｌＧａ
ＡｓやＩｎＰなどの化合物半導体を用いるようにしても
よい。こ九らの基板のデバイス構造としては、前記ｐｎ
ダイオードの他、半導体レーザやＦＥＴなと、種々のデ
バイスに対して本発明は適用可能である。その他、各部
の製造方法や条件などについても同様である。 【発明の効果】 以上説明したように、本発明にかかる化合物半導体装置
によれば、オーミック接触電極上に、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜
、Ａｕ膜による上乗せ電極を形成することとしたので、
耐熱性が向上して後工程に対する制約が緩和されるとと
もに、ワイヤボンダビリティに優れ、歩留まりや信頼性
も高いという効果がある。
て、添付図面を参照しながら説明する。 く第１実施例〉 最初に、第１図を参照しながら、本発明の第１実施例に
ついて説明する。この実施例は、本発明をＧ ａ Ａ
ｓダイオードに適用した場合の例である。 製造工程は、次の通りである。 まず、同図（Ａ）に示すように、Ｇ ａ Ａ ｓ基板は
Ｐ型ＧａＡｓ膜２０及びｎ型ＧａＡｓ膜２２によるｐｎ
接合を有している。これらのうちのｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ
膜２２上には、鳶初にＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ Ｉｔｊ
２４が蒸着法によって形成される（同図（Ｂ）参照）
。その膜厚は、例えば２００ｎｍである。 次に、このＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ膜２４上にＴｉＮ
（窒化チタン）膜２６が形成される。このときの膜厚は
、例えば１１００ｎである。ＴｉＮ膜２６は、−船釣に
スパッタ法で形成されることが多いが、ここでは蒸着法
で形成することとする。例えば、空容器内で、電子ビー
ム法によって真性のＴｉ （チタン）の蒸着を行なう。 このとき、この真空容器内にＮ２ガスを容器内圧力が１
〜２Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ程度になるように導入すると、
１．０〜１．５Ωｍ／ｓｅｃの蒸着速度でＴｉ、Ｎを含
む膜が形成される。 そして、その後Ｈ２中で４００℃、４分間の熱処理が行
なわれ、ＴｉＮ膜２６が形成される。 なお、ここではＴｉＮ膜２６の膜厚を１１００ｎとした
が、この膜厚が３ＯｎＩｌｌ１未満では所望のバリア効
果が得られない。他方、この膜厚が３００ｎｍを越える
ようになると、ＴｉＮ膜２６の比抵抗がＡｕの２．４Ｘ
１０−６Ω”ｃｍと比較して〜２゜０ＸＩＯ−３Ω・ｃ
Ｉｌｌと高いために熱抵抗が増大して信頼性が劣化する
。このため、ＴｉＮ膜２６の膜厚ｄ１は３０≦ｄ１≦３
００ｎｍの範囲が好ましい。 次に、以上のようにして形成されたＴｉＮ膜２膜上６上
Ｔｉ膜２８が例えば３０ｎｍの膜厚で形成され、更にこ
のＴｉ膜２８上に、Ａｕ膜３０が例えば５００ｎｍの膜
厚で順次蒸着法によって形成される（同図（Ｂ）参照）
。 この場合において、Ｔｉ膜２８の膜厚が２０ｎｍ未満で
は、Ｔｉ膜２８自体の均一な形成が困難なためにＡｕ膜
３０の付着力が低下する。また、膜厚が３００ｎｍを越
えると、熱処理工程でＡ ｕ −Ｔｉの合金化が進み、
Ａｕ膜３０に対するＡｕ線のボンディング性あるいはＩ
ｎ等のろう材のぬれ性が劣化する。このため、Ｔｉ膜２
８の膜厚ｄ２は２０≦ｄ２≦３００ｎｍの範囲が好まし
い。 次に、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜２０側の電極形成について
説明する。このｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜２０側には、最初
にＡ ｕ Ｚ ｎ膜３２が蒸着法によって形成される。 その膜厚は、例えば２００ｎｍである。そして、このＡ
ｕ Ｚ ｎ膜３２上に、ＴｉＮ膜３４．Ｔｉ膜３６、
Ａｕ膜３８が、上述したｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜２２側と
同様にして各々形成される。なお、形成手段や膜厚など
も同様である（同図（Ｃ）参照）。 次に、以上のようにしてＰｙｎいずれの面にも電極が形
成された基板を例えば３００μｍ角程度にチンプ化する
。そして、Ａｕをコートした金属板４０上に、Ｉｎある
いはＩｎ合金によるろう材４２によって、チップの２面
側のＡｕ膜３８のろう付けが行なわれる（同図（Ｄ）参
照）。また、かかるチップのｎ面側には、Ａｕ膜３ｏに
Ａｕ線４４のボンディングが行なわれる（同図（Ｅ）参
照）。 次に、以上のように構成されたＧａＡｓダイオードの電
極の作用について説明する。まず、ｎｐ各面にＡ ｕ
Ｇ ｅ Ｎ ｉ膜２４ 、 Ａ ｕ Ｚ ｎ膜３２が各
４校けられており、これらによって電極はオーミック性
を有することになる。 また、ＴｉＮ膜２６，３４は、拡散バリアとして作用す
る。これらのＴｉＮ膜２６，３４によって、Ｇ ａ Ａ
ｓ中のＧａの一電極表面への拡散が低減される。また
、ＴｉＮ膜３４によってＡｕ−Ｉｎの合金化が効果的に
抑制される。このため、合金化による硬化が生じたとき
に発生するストレスが直接半導体部分（Ｇ ａ Ａ ｓ
膜２０，２２）に加わらないようになる。 また、これらＴｉＮ膜２６，３４とＡｕ膜３０゜３８と
の導電性や付着力を高めるために形成されたＴｉ膜２８
．３６によって、Ａｕ膜３０．３８のぬれ性やＡｕ線４
４に対する付着性が改善される。 以上のように、本実施例によれば、次のような効果があ
る。 （１）４００℃の熱処理を行なってもＡｕ線４４のボン
ディング性が劣化しないため、電極の耐熱性が向上し、
後工程の自由度が広がる。また、ボンディングの付着性
が向上して不良発生が低減されるため、歩留まり、信頼
性が向上する。 （２）ＩｎあるいはＩｎ合金をろう材としたろう付は面
において、Ａｕ−Ｉｎの合金化がＴｉＮ膜３４によって
抑えられるため、合金化に基づいて発生するストレスが
直接半導体面に加わらないようになる。また、ろう付は
面のぬれ性が良好となって、歩留まり、信頼性が向上す
る。 （３）ＴｉＮ膜２６，３４が蒸着法によって形成される
ので、オーミック接触電極（Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｘ膜
２４．ＡｕＺｎ膜３２）及び上乗せ電極（Ｔｉ膜２８，
３６．Ａｕ膜３０，３８）を連続して蒸着法で形成する
ことが可能であり、全体としてみると工程を簡略化する
ことができる。 く第２実施例〉 次に、第２図を参照しながら、本発明の第２実施例につ
いて説明する。なお、上述した第１実施例と同様又は相
当する構成部分には、同一の符号を用いることとする。 上述した第１実施例では、Ａｕｎ４４のボンディング面
及びろう付は面の両面に対して本発明を適用したもので
あるが、この第２実施例では、−方にのみ本発明が適用
されている。まず、同図（Ａ）の実施例では、ボンディ
ング面側にのみ上乗せ電極のＴｉＮ腹２６．Ｔｉ膜２８
．Ａｕ膜３０が各々形成されている。 これに対し、同図（Ｂ）の実施例では、ろう付は面側に
のみ上乗せ電極のＴｉＮ膜３４．Ｔｉ膜３６、Ａｕ膜３
８が各々形成されている。 なお、オーミック接触電極であるＡ ｕ Ｇ ｅ Ｎ
ｉ膜２４．ＡｕＺｎ膜３２は、いずれにおいても各々形
成されでいる。このように、ボンディング面あるいはろ
う付は面のいずれか一方の面にのみ本発明を適用しても
、各面において同様の効果が得られる。 く他の実施例〉 なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば、デバイス主要部分の導電型がｐｎ逆にな
ってもよい。しかし、ｐｎ各面におけるオーミック接触
電極は、２面側がＡ ｕ Ｚ ｎ 。 ｎ面側がＡｕＧｅＮｉになる。また、これらのオーミン
ク接触電極として、ｐ側にＡ ｕ Ｂ ｅなどを、ｎ側
にＡ ｕ Ｓ ｎやＡ ｕ Ｓ ｉなどを用いるように
してもよい。電極に対する引出し手段としても、ＡＵを
コートした金属板４０以外のものを用いてよい。 また、基板として、前記Ｇ ａ Ａ ｓ以外にＡｌＧａ
ＡｓやＩｎＰなどの化合物半導体を用いるようにしても
よい。こ九らの基板のデバイス構造としては、前記ｐｎ
ダイオードの他、半導体レーザやＦＥＴなと、種々のデ
バイスに対して本発明は適用可能である。その他、各部
の製造方法や条件などについても同様である。 【発明の効果】 以上説明したように、本発明にかかる化合物半導体装置
によれば、オーミック接触電極上に、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜
、Ａｕ膜による上乗せ電極を形成することとしたので、
耐熱性が向上して後工程に対する制約が緩和されるとと
もに、ワイヤボンダビリティに優れ、歩留まりや信頼性
も高いという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかる化合物半導体装置の第１実施例
を示す説明図、第２図は本発明の第２実施例を示す説明
図、第３図は従来例を示す説明図である。 ２０・・・Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜（デバイス主要部）、
２２・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜（デバイス主要部）、
２４・・・Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ膜（オーミック接触
電極）、２６゜３４・・・ＴｉＮ膜（上乗せ電極）、２
８，３６・・・Ｔｉ膜（上乗せ電極）、３０．３８ （
上乗せ電極）・・・Ａｕ膜、３２・・・Ａ ｕ Ｚ ｎ
膜（オーミック接触電極）、４０・・・金属板（引出し
手段）、４２・・・ろう材（引出し手段）、４４・・・
Ａｕ線（引出し手段）。 特許出願人 日本ビクター株式会社
を示す説明図、第２図は本発明の第２実施例を示す説明
図、第３図は従来例を示す説明図である。 ２０・・・Ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜（デバイス主要部）、
２２・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ膜（デバイス主要部）、
２４・・・Ａ ｕ Ｇ ｅ Ｎ ｉ膜（オーミック接触
電極）、２６゜３４・・・ＴｉＮ膜（上乗せ電極）、２
８，３６・・・Ｔｉ膜（上乗せ電極）、３０．３８ （
上乗せ電極）・・・Ａｕ膜、３２・・・Ａ ｕ Ｚ ｎ
膜（オーミック接触電極）、４０・・・金属板（引出し
手段）、４２・・・ろう材（引出し手段）、４４・・・
Ａｕ線（引出し手段）。 特許出願人 日本ビクター株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体によるデバイス主要部に、引出し手段に接
続される電極部が形成された化合物半導体装置において
、 前記デバイス主要部上に形成されたオーミック接触電極
と、このオーミック接触電極上にＴｉＮ膜、Ｔｉ膜、Ａ
ｕ膜を順に形成した上乗せ電極とを備えたことを特徴と
する化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22888890A JPH04109674A (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22888890A JPH04109674A (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04109674A true JPH04109674A (ja) | 1992-04-10 |
Family
ID=16883430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22888890A Pending JPH04109674A (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04109674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014232859A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-12-11 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015008264A (ja) * | 2013-05-29 | 2015-01-15 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2021145079A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57117284A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Sharp Corp | 3-5 group compound semiconductor device |
| JPS5848458A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6211793A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-20 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | コ−クス炉発生ガスからの熱回収方法 |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP22888890A patent/JPH04109674A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57117284A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Sharp Corp | 3-5 group compound semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9437525B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-09-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2015008264A (ja) * | 2013-05-29 | 2015-01-15 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US9620608B2 (en) | 2013-05-29 | 2017-04-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2021145079A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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