JP5393751B2 - 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置 - Google Patents
発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5393751B2 JP5393751B2 JP2011212825A JP2011212825A JP5393751B2 JP 5393751 B2 JP5393751 B2 JP 5393751B2 JP 2011212825 A JP2011212825 A JP 2011212825A JP 2011212825 A JP2011212825 A JP 2011212825A JP 5393751 B2 JP5393751 B2 JP 5393751B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- wiring
- augeni
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 159
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 111
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/10—Intensity circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/06—Passive matrix structure, i.e. with direct application of both column and row voltages to the light emitting or modulating elements, other than LCD or OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
AuGeNi層を含む配線と、
前記AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、前記配線と電気的に接続された半導体発光素子と、
を有し、
前記配線は、AuGeNi層と、AuGeNi層よりも導電性が高い金属層とが積層された構造を有し、前記半導体発光素子と対向する側の表面層としてAuGeNi層を有することを特徴とする。
それぞれAuGeNi層を含む1本以上の配線と、
前記1本以上の配線上に1次元または2次元アレイ状に配列され、それぞれ対応する配線の前記AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、それぞれ前記対応する配線と電気的に接続された複数の半導体発光素子と、
を有し、
前記各配線は、AuGeNi層と、AuGeNi層よりも導電性が高い金属層とが積層された構造を有し、前記半導体発光素子と対向する側の表面層としてAuGeNi層を有することを特徴とする。
第1の方向に延び、前記第1の方向と交差する第2の方向に並べられ、それぞれAuG
eNi層を含む複数本の配線と、
前記複数本の配線上に前記第1および第2の方向に2次元アレイ状に配列され、それぞ
れ対応する配線の前記AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、それぞれ前記
対応する配線と電気的に接続された複数の半導体発光素子と、
前記複数本の配線を介して前記複数の半導体発光素子と電気的に接続され、画像情報に
基づいて前記複数の半導体発光素子を駆動する駆動部と、
を有し、
前記各配線は、AuGeNi層と、AuGeNi層よりも導電性が高い金属層とが積層された構造を有し、前記半導体発光素子と対向する側の表面層としてAuGeNi層を有することを特徴とする。
実施の形態1.
[画像表示装置の構成]
図1は、実施の形態1における画像表示装置1の構成を示す外観斜視図である。
図1において、画像表示装置1は、半導体チップ用の実装基板(例えば、チップオンボード用基板であり、以下「COB」という)2を有する。COB2は、例えば、Si,GaAs,GaP,InP,GaN,ZnO等の半導体基板、AlN,Al2O3等のセラミック基板、Cu,Al等の金属基板、プラスチック基板で構成されている。COB2上には、複数の発光素子等により構成された発光素子アレイ(発光素子パネルともいう)3と、この発光素子アレイ3を駆動する駆動回路である、アノードドライバ集積回路(以下「アノードドライバIC4」という)およびカソードドライバ集積回路(以下「カソードドライバIC5」という)とが固定されている。発光素子アレイ3と、アノードドライバIC4およびカソードドライバIC5とは、ワイヤボンディング等で相互に電気的に接続されている。アノードドライバIC4およびカソードドライバIC5は、銀ペーストや樹脂等を用いてCOB2上に接着される。また、アノードドライバIC4およびカソードドライバIC5は、フレキシブルケーブル60を介して、図示しない制御装置に接続されている。
図4は、図1の発光素子アレイ3の構成を示す概略平面図である。
図5は、図4における発光装置11の平面図である。図6(a)および図6(b)は、それぞれ図5の発光装置11の線分X1−X1’および線分Y1−Y1’における断面図である。
以下、カソード配線9について説明する。
カソード配線9と半導体発光素子10との分子間力による接合について、十分な接合力を得る観点より、カソード配線9の表面の平坦性は高いことが望ましく、カソード配線9の表面のラフネスは5nm以下であることが望ましい。ここで、ラフネスとは、具体的には、配線表面の微小領域(例えば5μm角の領域)における山(ピーク)と谷(バレー)との典型的な高低差を意味する。また、ラフネスは、具体的には、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)を用いて測定される。
以下、図5および図6を参照して、発光素子アレイ30および発光装置11の製造方法の一例を説明する。
以下、画像表示装置1の動作の一例を説明する。図1の画像表示装置1において、発光素子アレイ3のドットマトリクスの駆動はパッシブ型で行われる。具体的には、図2において、カソードドライバIC5は、カソードチャネルCch1〜Cchmを図中下から上方向へ走査する。すなわち、カソードドライバIC5は、カソードチャネルを1つずつ順番に選択する。一方、アノードドライバIC4は、画像情報に応じた電流を各アノードチャネルのアノード配線8に出力する。このアノードドライバIC4からの電流は、カソードドライバIC5により選択されたカソードチャネルに対応する半導体発光素子10およびカソード配線9を経てカソードドライバIC5へ引き込まれる。したがって、ある時刻においては、カソードドライバIC5により選択されたカソードチャネルのカソード配線9上の複数の半導体発光素子10のみが、画像情報に応じた輝度で発光する。
以下、カソード配線の表面のAFMによる観察結果を示す。ここでは、AFMとして、Siiナノテクノロジーズ社製のL−トレースIIを用い、DFM(Dynamic Force Microscope)モード(タッピングモードともいう)で観察を行った。
以上のとおり、本実施の形態1では、発光装置は、AuGeNi層を含む配線と、当該AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、配線と電気的に接続された半導体発光素子とを有する。本実施の形態1によれば、半導体発光素子からの放熱性が高い発光装置が得られる。具体的には、配線にAuGeNiを使用することにより、高熱処理時のヒロックやボイドの出現を抑制し、配線表面のラフネスを5nm以下に抑えることが可能となる。これにより、半導体発光素子と配線とを分子間力により直接接合することが可能となり、特許文献1のように平坦化絶縁膜を介して接合する構成と比較して、放熱性が向上し、半導体発光素子の自己発熱による当該素子の特性や寿命の悪化を低減することが可能となる。特に、基板上に半導体発光素子を集積化したデバイスにおいては、近年の高集積化に伴い、半導体発光素子の自己発熱が当該素子の特性および寿命等に与える影響が大きくなっていることから、放熱性の向上により得られる効果が大きい。
図10は、実施の形態2における発光装置のカソード配線の層構造を示す断面図である。本実施の形態2における発光装置は、実施の形態1における発光装置に対し、カソード配線の構造が異なっており、その他の部分については略同様である。以下の説明では、実施の形態1と同様の部分については説明を省略または簡略化し、実施の形態1と同一または対応する要素については同一の符号を付す。
図11は、実施の形態3における発光装置のカソード配線の層構造を示す断面図である。本実施の形態3における発光装置は、実施の形態1における発光装置に対し、カソード配線の構造が異なっており、その他の部分については略同様である。以下の説明では、実施の形態1と同様の部分については説明を省略または簡略化し、実施の形態1と同一または対応する要素については同一の符号を付す。
図12は、実施の形態4における発光装置の平面図である。図13(a)および図13(b)は、それぞれ図12の発光装置の線分X2−X2’および線分Y2−Y2’における断面図である。この発光装置は、実施の形態1における発光装置に対し、カソード配線9上に平坦化層51が設けられている点が異なっており、その他の部分については略同様である。以下の説明では、実施の形態1と同様の部分については説明を省略または簡略化し、実施の形態1と同一または対応する要素については同一の符号を付す。
Claims (10)
- AuGeNi層を含む配線と、
前記AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、前記配線と電気的に接続された半導体発光素子と、
を有し、
前記配線は、AuGeNi層と、AuGeNi層よりも導電性が高い金属層とが積層された構造を有し、前記半導体発光素子と対向する側の表面層としてAuGeNi層を有することを特徴とする発光装置。 - 前記AuGeNi層におけるAuとGeとNiとの混合比は、86〜94wt%:3〜7wt%:3〜7wt%であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記配線の膜厚は、300nm〜1000nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記配線は、前記AuGeNi層と前記金属層とが交互に形成された層構造を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記AuGeNi層と前記金属層とは互いに同じ膜厚を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子は、前記AuGeNi層の表面に直接接合されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記AuGeNi層上に形成され、当該AuGeNi層の表面を平坦化する平坦化層をさらに有し、
前記半導体発光素子は、前記平坦化層の表面に分子間力により接合されている、
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記平坦化層の膜厚は、100nm以下であることを特徴とする請求項7に記載の発光装置。
- それぞれAuGeNi層を含む1本以上の配線と、
前記1本以上の配線上に1次元または2次元アレイ状に配列され、それぞれ対応する配線の前記AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、それぞれ前記対応する配線と電気的に接続された複数の半導体発光素子と、
を有し、
前記各配線は、AuGeNi層と、AuGeNi層よりも導電性が高い金属層とが積層された構造を有し、前記半導体発光素子と対向する側の表面層としてAuGeNi層を有することを特徴とする発光素子アレイ。 - 第1の方向に延び、前記第1の方向と交差する第2の方向に並べられ、それぞれAuGeNi層を含む複数本の配線と、
前記複数本の配線上に前記第1および第2の方向に2次元アレイ状に配列され、それぞれ対応する配線の前記AuGeNi層の表面上に分子間力により接合され、それぞれ前記対応する配線と電気的に接続された複数の半導体発光素子と、
前記複数本の配線を介して前記複数の半導体発光素子と電気的に接続され、画像情報に基づいて前記複数の半導体発光素子を駆動する駆動部と、
を有し、
前記各配線は、AuGeNi層と、AuGeNi層よりも導電性が高い金属層とが積層された構造を有し、前記半導体発光素子と対向する側の表面層としてAuGeNi層を有することを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011212825A JP5393751B2 (ja) | 2011-09-28 | 2011-09-28 | 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置 |
US13/628,272 US8957923B2 (en) | 2011-09-28 | 2012-09-27 | Light emitting device, light emitting element array, and image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011212825A JP5393751B2 (ja) | 2011-09-28 | 2011-09-28 | 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013074171A JP2013074171A (ja) | 2013-04-22 |
JP5393751B2 true JP5393751B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=47910821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011212825A Active JP5393751B2 (ja) | 2011-09-28 | 2011-09-28 | 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8957923B2 (ja) |
JP (1) | JP5393751B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9347642B2 (en) | 2011-09-07 | 2016-05-24 | Terralux, Inc. | Faceted optics for illumination devices |
US9470406B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-10-18 | Terralux, Inc. | Variable-beam light source and related methods |
JP2014216588A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 株式会社沖データ | 発光装置、その製造方法、画像表示装置、及び画像形成装置 |
WO2015006478A1 (en) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Terralux, Inc. | Variable-beam light source and related methods |
JP6097682B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-03-15 | 株式会社沖データ | 半導体発光素子、画像形成装置、画像表示装置、及び半導体発光素子の製造方法 |
US10072819B2 (en) | 2014-10-02 | 2018-09-11 | Ledvance Llc | Light source for uniform illumination of a surface |
US10036535B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-07-31 | Ledvance Llc | Illumination device with adjustable curved reflector portions |
US10405388B2 (en) | 2014-12-11 | 2019-09-03 | Ledvance Llc | Variable-beam light source with mixing chamber |
JP7393617B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、及びその製造方法 |
WO2023286434A1 (ja) * | 2021-07-12 | 2023-01-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03135017A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体のオーミック電極形成方法 |
DE4405716C2 (de) * | 1994-02-23 | 1996-10-31 | Telefunken Microelectron | Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten für Verbindungshalbleiter |
JP2940455B2 (ja) * | 1995-12-15 | 1999-08-25 | サンケン電気株式会社 | 化合物半導体素子 |
DE60038524D1 (de) * | 1999-02-18 | 2008-05-21 | Furukawa Electric Co Ltd | Elektrode für halbleiteranordnung und verfahren zum herstellen |
JP3585809B2 (ja) * | 2000-05-09 | 2004-11-04 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
JP4097510B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2008-06-11 | 株式会社沖データ | 半導体装置の製造方法 |
JP4718504B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2011-07-06 | 株式会社沖データ | 表示装置 |
JP5128518B2 (ja) | 2009-02-24 | 2013-01-23 | 株式会社沖データ | 表示装置 |
JP5330953B2 (ja) * | 2009-10-01 | 2013-10-30 | 株式会社沖データ | 発光装置 |
-
2011
- 2011-09-28 JP JP2011212825A patent/JP5393751B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-27 US US13/628,272 patent/US8957923B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130076804A1 (en) | 2013-03-28 |
US8957923B2 (en) | 2015-02-17 |
JP2013074171A (ja) | 2013-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5393751B2 (ja) | 発光装置、発光素子アレイ、および画像表示装置 | |
JP6898977B2 (ja) | マイクロドライバ及びマイクロledのためのバックプレーン構造及びプロセス | |
US20220231000A1 (en) | Display device using semiconductor light emitting element | |
US10083944B2 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
US10424500B2 (en) | Semiconductor light emitting device, transfer head of semiconductor light emitting device, and method of transferring semiconductor light emitting device | |
US11239122B2 (en) | Display module with improved electrical test and manufacturing method of the display module | |
JP4481293B2 (ja) | 発光表示装置 | |
US9406656B2 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
US10720086B2 (en) | Display device using semiconductor light-emitting diode | |
EP3076442A1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device | |
US9627363B2 (en) | Display device using semiconductor light emitting devices | |
JP2008263126A (ja) | 半導体装置、該半導体装置の製造方法、ledヘッド、及び画像形成装置 | |
JP5128518B2 (ja) | 表示装置 | |
US10658423B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
US11387396B2 (en) | Display apparatus using semiconductor light emitting device | |
JP5125433B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
US20240243109A1 (en) | Light-emitting device and image display apparatus | |
US20180247973A1 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
KR102115189B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
CN213519057U (zh) | 显示装置 | |
EP3387881B1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device | |
CN108574032B (zh) | 发光元件与显示设备 | |
WO2022118634A1 (ja) | 発光デバイスおよび画像表示装置 | |
JP5602207B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2022019456A (ja) | 発光装置および表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5393751 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |