JP2003257663A - 有機el表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機el表示パネルおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003257663A JP2003257663A JP2002057488A JP2002057488A JP2003257663A JP 2003257663 A JP2003257663 A JP 2003257663A JP 2002057488 A JP2002057488 A JP 2002057488A JP 2002057488 A JP2002057488 A JP 2002057488A JP 2003257663 A JP2003257663 A JP 2003257663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- anodes
- display panel
- insulating layer
- auxiliary electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
示パネルの他の部分の形成に支障を生じないようにす
る。 【解決手段】基板1上に形成された金属製の補助電極3
と、補助電極3よりも上層位置において補助電極3と交
差する方向に延びた絶縁層7と、を有する有機EL表示
パネルAであって、補助電極3は、絶縁層7の縁部の直
下を避けるように複数に分断されている。
Description
ィスプレイとして利用される有機EL表示パネル、およ
びその製造方法に関する。
ITO膜からなる透明電極とされているのが通例である
が、ITO膜は、電極に用いられる一般の金属と比較す
ると、その電気抵抗は大きい。一方、有機EL表示パネ
ルは、電圧駆動の液晶表示パネルとは異なり、電流駆動
であるため、配線抵抗が大きいと、信号電圧低下や、信
号波形の鈍りを生じ易い。これら信号電圧低下や信号波
形の鈍りは、表示画面における輝度むらやフルカラーで
のカラーバランスのばらつきの原因となるため、防止す
る必要がある。とくに、上記した現象は、瞬間的に大き
な電流を流す単純マトリクス方式のものにおいて生じ易
く、またパネルが大型化するほど生じ易い。そこで、従
来においては、図12に示すように、ITO膜からなる
陽極91上に、クロムなどの金属製の補助電極92を積
層して形成する場合があった。
と、図示された有機EL表示パネルは、単純マトリクス
方式のものであり、透明な基板90上には、図面の左右
方向に延び、かつ紙面と直交する方向に並ぶ複数ずつの
陽極91および補助電極92が形成されている。また、
それらの上には、紙面と直交する方向に延び、かつ図面
の左右方向に並ぶ複数ずつの有機EL層93、陰極9
4、および陰極セパレータ95が積層して形成されてい
る。陰極セパレータ95は、互いに隣り合う陰極94ど
うしの電気的な絶縁を図るためのものである。有機EL
層93から発せられた光は、陽極91および基板90を
透過して下向きに進行するようになっている。このた
め、補助電極92は、陽極91の全体を覆わないよう
に、たとえば陽極91の幅方向一側縁寄りに偏るように
して陽極91上に形成されている。
電極92が組み合わされていることにより、それら全体
の電気抵抗を下げることができるために、上記した不具
合の解消または抑制が図られる。
来の構造においては、補助電極92が陽極91の長手方
向の略全長域にわたって一連に延びた形状とされてお
り、このことによって次のような不具合を生じていた。
(a)に示すように、陽極91および補助電極92上に
レジスト膜95Aを形成した後に、フォトリソグラフィ
の手法を用いて、このレジスト膜95Aに露光・現像処
理を施すことにより形成される。レジスト膜95Aはネ
ガ形である。従来において、マスク99を利用し、レジ
スト膜95Aの陰極セパレータ95に対応する部分9
5’に露光を行なうと、この部分95’を透過した光
は、補助電極92によって上方に向けて散乱反射されて
いた。補助電極92は、たとえばクロムであるため、そ
の表面の光反射率は高い。このため、レジスト膜95A
の下面近傍部分が上記反射光によっても感光する現象を
生じていた。このため、その後現像処理を行なったとき
には、同図(b)に示すように、陰極セパレータ95
が、下広がりの断面形状となる場合があった。
であると、図14に示すように、その後有機EL層93
や陰極94をたとえば蒸着により形成する場合に、陰極
セパレータ95の上面95aのみならず、その両側面9
5b,95cにも成膜がなされてしまう。これでは、陰
極セパレータ95を挟んで隣り合う陰極94どうしが電
気的に導通した状態となり、適切でない。従来において
は、陰極セパレータ95の上部の一部をその後エッチン
グ処理によって除去すれば、互いに隣り合う陰極94ど
うしを電気的に絶縁することは可能であるものの、この
ような処理を施しても、陰極セパレータ95の両側面9
5b,95cには、有機EL層93や陰極94が成膜さ
れているために、陰極セパレータ95を挟んで隣り合う
陰極94どうしの電気的な絶縁を確実に図る観点からす
れば、好ましいものではなかった。
出されたものであって、金属製の補助電極の存在に起因
して有機EL表示パネルの他の部分の形成に支障を生じ
ないようにすることをその課題としている。
は、次の技術的手段を講じている。
有機EL表示パネルは、基板上に形成された金属製の補
助電極と、この補助電極よりも上層位置において上記補
助電極と交差する方向に延びる絶縁層と、を有する有機
EL表示パネルであって、上記補助電極は、上記絶縁層
の縁部の直下を避けるように複数に分断されていること
を特徴としている。
有機EL表示パネルの製造方法は、基板上に金属製の補
助電極を形成する工程と、上記補助電極よりも上層位置
に上記補助電極と交差する方向に延びる絶縁層を、レジ
ストの露光・現像処理により形成する工程と、を有する
有機EL表示パネルの製造方法であって、上記補助電極
を形成するときには、上記絶縁層の縁部が形成される箇
所の直下を避けるように、上記補助電極を複数に分断し
た形状とすることを特徴としている。
フィの手法を用いて上記絶縁層を形成するときに、露光
に用いられた光が上記絶縁層の縁部となる部分の直下に
進行しても、この光が上記補助電極によって散乱反射さ
れないようにすることができる。したがって、上記絶縁
層の縁部を所望の適正な形状に仕上げることが可能とな
る。
は、上記基板上に形成された透光性を有する複数の陽極
と、これら複数の陽極上に形成された複数ずつの有機E
L層および陰極と、を具備しており、かつ上記補助電極
は、上記各陽極に導通接触している。
気抵抗が比較的大きいITO膜によって構成した場合で
あっても、上記各陽極と上記補助電極とのトータルした
電気抵抗を小さくすることが可能となり、配線抵抗に起
因する発光輝度のばらつきなどを抑制するのに好適とな
る。
ては、上記絶縁層は、上記複数の陰極どうしの間に形成
された陰極セパレータであり、上記補助電極は、上記陰
極セパレータの直下において分断された形状とされてい
る。また、上記陰極セパレータは、ネガ形レジストから
なる。
ータをフォトリソグラフィの手法で作製する場合に、上
記従来技術とは反対に、上記陰極セパレータを上広がり
の断面形状に形成することが可能となる。このため、た
とえばこの陰極セパレータを介して互いに隣り合う陰極
どうしが電気的に短絡しないようにするのに好適とな
る。
有機EL表示パネルは、基板上に形成された複数の陽極
と、これら複数の陽極に導通接触している金属製の複数
の補助電極と、上記各補助電極および上記各陽極の一部
を覆い、かつ上記各陽極上において開口部を形成してい
る絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、かつ上記複数の
陽極に接触するように上記開口部内に一部が進入してい
る複数の有機EL層と、これら複数の有機EL層上に積
層された複数の陰極と、を有する有機EL表示パネルで
あって、上記各補助電極は、上記開口部の縁部の直下を
避けて形成されていることを特徴としている。好ましく
は、上記絶縁層は、ポジ形レジストからなる。
有機EL表示パネルの製造方法は、基板上に複数の陽極
およびこれら複数の陽極に導通接触する金属製の複数の
補助電極を形成する工程と、上記各補助電極および上記
各陽極の一部を覆い、かつ上記各陽極上において開口部
を形成する絶縁層を、レジストの露光・現像処理により
形成する工程と、上記絶縁層上に複数の有機EL層およ
び複数の陰極を形成する工程と、を有する有機EL表示
パネルの製造方法であって、上記各補助電極の形成は、
上記開口部の縁部の直下を避けるように行なうことを特
徴としている。
フィの手法を用いて上記絶縁層を形成するときに、露光
に用いられた光が上記絶縁層の開口部の縁部となる箇所
の直下に進行しても、この光が上記補助電極によって上
方に向けて散乱反射されないようにすることができる。
したがって、上記絶縁層の開口部の縁部を所望の適正な
形状に仕上げることが可能となる。上記開口部の縁部
が、たとえば上記各陽極の表面に対して略垂直に起立し
ていたのでは、上記各陽極上の上記縁部の近傍に、有機
EL層を適切に形成することが困難となるが、上記構成
によれば、そのような虞れを無くすことが可能となる。
有機EL表示パネルは、基板上に形成され、かつ一定方
向に延びる複数の陽極と、これら複数の陽極に導通接触
する金属製の複数の補助電極と、上記各補助電極および
上記陽極の一部を覆い、かつ上記各陽極上において開口
部を形成している絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、
かつ上記複数の陽極に接触するように上記開口部内に一
部が進入している複数の有機EL層と、これら複数の有
機EL層上に積層された複数の陰極どうしの間を仕切る
ように設けられ、かつ上記各陽極とは交差する方向に延
びている複数の陰極セパレータと、を有する、有機EL
表示パネルであって、上記各補助電極は、上記各陰極セ
パレータの直下および上記開口部の縁部の直下を避けて
形成されていることを特徴としている。
ないし第4の側面のそれぞれによって得られるのと同様
な効果が得られることとなり、上記各陰極セパレータお
よび上記絶縁層の開口部の縁部を適切な形状にすること
ができる。
は、上記各補助電極は、上記各陽極の幅方向一側縁また
は両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極と同方向に延
びる帯状である。また、本願発明においては、そのよう
な構成に代えて、上記各補助電極は、上記各陽極の幅方
向両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極と同方向に延
びる一対の第1の帯状部と、これらの長手方向両端どう
しを繋ぐ一対の第2の帯状部とを有する中空形状とされ
ている構成とすることもできる。
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
している。図1によく表われているように、本実施形態
の有機EL表示パネルAは、単純マトリクス方式であ
り、透明ガラスからなる基板1の上面上に、複数の陽極
2、複数の補助電極3、絶縁層4、複数の有機EL層
5、複数の陰極6、および複数の陰極セパレータ7が形
成された構成を有している。絶縁層4および陰極セパレ
ータ7は、いずれも本願発明でいう絶縁層の具体例に相
当する。
極であり、一定方向に延びる帯状を有し、かつそれらの
幅方向に一定間隔で並んでいる。各補助電極3は、配線
抵抗を下げるために設けられたものであり、陽極2の全
体を覆ってしまわないように各陽極2の幅方向一側縁部
上に積層されている。各補助電極3は、基本的には、各
陽極2の長手方向に延びた形状を有しているが、図3に
示すように、各陰極セパレータ7の直下においては分断
部39が形成され、各陰極セパレータ7の直下には各補
助電極3が存在しない構造となっている。各補助電極3
の材質は、たとえばクロムである。クロムは、ITO膜
に対する密着性がよく、また耐食性にも優れる。ただ
し、これに代えて、アルミニウムなどの他の金属製とし
てもかまわない。
に、互いに隣り合う陽極2どうしの間を仕切るととも
に、各補助電極3の全体と各陽極2の一部分とを覆って
いる。この絶縁層4は、後述するように、ポジ形のレジ
ストにより形成されており、各陽極2上に複数の開口部
40を形成している。各開口部40は、図4によく表わ
れているように、たとえば平面視矩形状である(同図に
おいては、有機EL層5および陰極6を省略しており、
網点模様が付された部分が絶縁層4である)。各補助電
極3は、各開口部40の直下および各開口部40の縁部
40aの直下を避けるように形成されている。より具体
的には、各補助電極3は、その上方近傍に位置する開口
部40の縁部40aに対しては、各補助電極3の一側縁
が適当な寸法s1だけ開口部40とは反対寄りに位置す
るように設けられている。
利用した通電がなされることにより発光を行なう発光層
(図示略)を備えたものであり、絶縁層4上に積層さ
れ、かつ陽極2と直交する方向に延びている。各有機E
L層5の一部は、絶縁層4の開口部40に進入している
ことにより、陽極2と陰極6とによって直接挟まれた構
造となっており、この領域が発光領域となる。この領域
から発せられた光は、陽極2および基板1を透過して下
向きに進行することとなる。各陰極6は、たとえばアル
ミニウムからなり、各有機EL層5上に積層されて各有
機EL層5と同方向に延びている。
極6どうしの間を仕切り、それらの電気的な絶縁を図る
ためのものである。図1および図3によく表われている
ように、各陰極セパレータ7は、絶縁層4上に形成さ
れ、かつ陰極6および有機EL層5と同方向に延びてい
る。後述するように、この陰極セパレータ7は、ネガ形
のフォトレジストにより形成されたものである。
Aの製造方法の一例およびその作用について説明する。
板1上に複数の陽極2および複数の補助電極3を形成し
た後に、絶縁層4を形成する。この絶縁層4の形成は、
ポジ形のフォトレジストを用いて、フォトリソグラフィ
の手法により行なう。より具体的には、図5(a)に示
すように、まず基板1上に複数の陽極2および複数の補
助電極3を覆うレジスト膜4Aを形成してから、露光処
理を行なう。露光用のマスク81は、絶縁層4として形
成すべき部分4’には光を照射させず、それ以外の部分
49(網点模様を付した部分)に光を照射可能とするも
のである。
は、絶縁層4の開口部40の縁部40aに相当する部分
であり、補助電極3はその部分の直下を避けるように設
けられているために、補助電極3が上記境界部分に向け
て多くの光を反射しないようにすることができる。その
一方、レジスト膜4A内を光が進行するときにはその進
行に伴ってその光の強度は弱まる。このため、露光対象
となる部分49の露光量は、レジスト膜4Aの上面部分
が最大となって、下面に近づくほど少なくなり、レジス
ト膜4Aのうちの非露光部分は、レジスト4Aの裏面に
なるほど幅広となる。したがって、その後現像処理を行
ない、非露光部分を残存させることによってこの部分を
絶縁層4とすると、同図(b)に示すように、開口部4
0の縁部40aは、開口部40の開口幅が上側になるほ
ど大きくするようになだらかに傾斜した形状となる。
に述べるように、この絶縁層4上に有機EL層5や陰極
6を形成するのに具合が良い。図7は、本願発明との対
比例を示している。同図において、本実施形態の要素に
対応する要素には、本実施形態と同一符号を付してい
る。この対比例においては、絶縁層4の縁部40aが、
陽極2の表面から垂直に近い角度で立ち上がっている。
このような構成においては、その後陽極2および絶縁層
4上に有機EL層5を形成する場合、陽極2の表面上の
縁部40a付近の隅部n1に有機EL層5を適切に形成
することが困難となり、その隅部n1において、有機E
L層5の厚みが極端に薄くなるといった現象を生じ易
い。この有機EL層5上に陰極6を形成する場合につい
ても同様である。これでは、これら有機EL層5や陰極
6の耐圧性が劣ったものとなる。これに対し、本実施形
態においては、図6に示すように、絶縁層4の縁部40
aの傾斜がなだらかであるために、隅部n1が広く開口
した形状となり、この部分にも有機EL層5や陰極6を
適切に形成することが可能である。
を形成する。この陰極セパレータ7の形成は、既述した
従来技術と同様に、ネガ形のフォトレジストを用いてフ
ォトリソグラフィの手法により行なう。具体的には、図
8に示すように、絶縁層4上にレジスト膜7Aを形成し
た後に露光を行なう。露光用マスク82は、陰極セパレ
ータ7として形成する部分7’(同図の網点模様を付し
た部分)のみへの露光を可能とするものである。この露
光処理時には、上記の部分7’の下方まで光が進行する
虞れがあるものの、上記の部分7’の直下は補助電極3
の分断部39である。このため、上記光が補助電極3に
よって強く上方に向けて散乱反射されることはない。し
たがって、レジスト膜7Aの露光対象部分の露光量は、
レジスト膜7Aの上面部が最大となって、下面に近づく
ほど少なくなる。したがって、その後現像処理を行なう
と、陰極セパレータ7は、既述した従来技術の場合とは
反対に、上部よりも下部の方が幅狭となる断面形状に形
成されることとなる。
れると、図9に示すように、その後有機EL層5や陰極
6をたとえば蒸着により形成するときには、陰極セパレ
ータ7の両側面70b,70cにそれらの成膜がなされ
ないこととなる。したがって、陰極セパレータ7を挟ん
で隣り合う陰極6間に電気的な短絡を生じ難くすること
が可能となる。
施形態を示している。これらの図においては、上述の実
施形態と同一または類似の要素には、上述の実施形態と
同一の符号を付している。
電極3(同図(b)のクロスハッチングが入れられた部
分であり、この点は図11についても同様である)が、
各陽極2の幅方向両側縁部のそれぞれの上に積層して設
けられている。むろん、各補助電極3は、陰極セパレー
タ7の直下や絶縁層の開口部40の縁部40aの直下を
避けるように設けられている。このような構成によれ
ば、各陽極2の幅方向の一側縁部上のみに補助電極を設
ける場合と比較すると、複数の補助電極3全体のボリュ
ームを大きくし、配線抵抗を小さくするのに好ましい。
3は略中空矩形状とされており、各陽極2の長手方向に
延びる一対の帯状部30aと、これら一対の帯状部30
aの長手方向両端どうしを繋ぐようにして各陽極2の幅
方向に延びる一対の帯状部30bとを有している。この
ような構成によれば、補助電極3のボリュームを一層大
きくすることができるために、配線抵抗を図10に示し
た構成よりもさらに小さくすることが可能となる。
定されない。本願発明に係る有機EL表示パネルの各部
の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。同様
に、本願発明に係る有機EL表示パネルの製造方法の各
工程の具体的な構成も変更自在である。
のものに限定されず、アクティブ・マトリクス方式のも
のにも適用することが可能である。アクティブ・マトリ
クス方式のものでは、マトリクス状に配列された複数の
電極が形成された基板上に複数本の信号線が形成される
が、この信号線は細幅であることにより、その電気抵抗
が比較的大きい。このため、金属製の補助電極を上記信
号線に導通接触させて設けることにより、それらをトー
タルした部分の電気抵抗を小さくすることが可能であ
り、このような構造を採用した有機EL表示パネルにお
いても、本願発明を適用することが可能である。
態の陰極セパレータ7や絶縁層4に相当する部分に限定
されない。上述の陰極セパレータ7は細幅であるため、
陰極セパレータ7の直下の全領域を避けるように補助電
極3を分断させているが、これとは異なり、たとえば絶
縁層が幅広状の場合には、この絶縁層の縁部の下方のみ
を避けるように補助電極を複数に分断させた構成として
もかまわない。
態を示す要部断面斜視図である。
ネルの絶縁層の形成工程の一例を示す要部断面図であ
る。
図である。
る。
タの形成工程の一例を示す要部断面図である。
面図である。
部断面図であり、(b)は、その透視平面図である。
図である。
パレータの形成工程を示す断面図である。
断面図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 基板上に形成された金属製の補助電極
と、この補助電極よりも上層位置において上記補助電極
と交差する方向に延びる絶縁層と、を有する、有機EL
表示パネルであって、 上記補助電極は、上記絶縁層の縁部の直下を避けるよう
に複数に分断されていることを特徴とする、有機EL表
示パネル。 - 【請求項2】 上記基板上に形成された透光性を有する
複数の陽極と、これら複数の陽極上に形成された複数ず
つの有機EL層および陰極と、を具備しており、かつ上
記補助電極は、上記各陽極に導通接触している、請求項
1に記載の有機EL表示パネル。 - 【請求項3】 上記絶縁層は、上記複数の陰極どうしの
間に形成された陰極セパレータであり、上記補助電極
は、上記陰極セパレータの直下において分断された形状
とされている、請求項2に記載の有機EL表示パネル。 - 【請求項4】 上記陰極セパレータは、ネガ形レジスト
からなる、請求項3に記載の有機EL表示パネル。 - 【請求項5】 基板上に金属製の補助電極を形成する工
程と、 上記補助電極よりも上層位置に上記補助電極と交差する
方向に延びる絶縁層を、レジストの露光・現像処理によ
り形成する工程と、 を有する、有機EL表示パネルの製造方法であって、 上記補助電極を形成するときには、上記絶縁層の縁部が
形成される箇所の直下を避けるように、上記補助電極を
複数に分断した形状とすることを特徴とする、有機EL
表示パネルの製造方法。 - 【請求項6】 基板上に形成された複数の陽極と、 これら複数の陽極に導通接触している金属製の複数の補
助電極と、 上記各補助電極および上記各陽極の一部を覆い、かつ上
記各陽極上において開口部を形成している絶縁層と、 上記絶縁層上に形成され、かつ上記複数の陽極に接触す
るように上記開口部内に一部が進入している複数の有機
EL層と、 これら複数の有機EL層上に積層された複数の陰極と、 を有する、有機EL表示パネルであって、 上記各補助電極は、上記開口部の縁部の直下を避けて形
成されていることを特徴とする、有機EL表示パネル。 - 【請求項7】 上記絶縁層は、ポジ形レジストからな
る、請求項6に記載の有機EL表示パネル。 - 【請求項8】 基板上に複数の陽極およびこれら複数の
陽極に導通接触する金属製の複数の補助電極を形成する
工程と、 上記各補助電極および上記各陽極の一部を覆い、かつ上
記各陽極上において開口部を形成する絶縁層を、レジス
トの露光・現像処理により形成する工程と、 上記絶縁層上に複数の有機EL層および複数の陰極を形
成する工程と、 を有する、有機EL表示パネルの製造方法であって、 上記各補助電極の形成は、上記開口部の縁部の直下を避
けるように行なうことを特徴とする、有機EL表示パネ
ルの製造方法。 - 【請求項9】 基板上に形成され、かつ一定方向に延び
る複数の陽極と、 これら複数の陽極に導通接触する金属製の複数の補助電
極と、 上記各補助電極および上記陽極の一部を覆い、かつ上記
各陽極上において開口部を形成している絶縁層と、 上記絶縁層上に形成され、かつ上記複数の陽極に接触す
るように上記開口部内に一部が進入している複数の有機
EL層と、 これら複数の有機EL層上に積層された複数の陰極どう
しの間を仕切るように設けられ、かつ上記各陽極とは交
差する方向に延びている複数の陰極セパレータと、 を有する、有機EL表示パネルであって、 上記各補助電極は、上記各陰極セパレータの直下および
上記開口部の縁部の直下を避けて形成されていることを
特徴とする、有機EL表示パネル。 - 【請求項10】 上記各補助電極は、上記各陽極の幅方
向一側縁または両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極
と同方向に延びる帯状である、請求項1〜4,6,7,
9のいずれかに記載の有機EL表示パネル。 - 【請求項11】 上記各補助電極は、上記各陽極の幅方
向両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極と同方向に延
びる一対の第1の帯状部と、これらの長手方向両端どう
しを繋ぐ一対の第2の帯状部とを有する中空形状とされ
ている、請求項1〜4,6,7,9のいずれかに記載の
有機EL表示パネル。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002057488A JP3910864B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 有機el表示パネルおよびその製造方法 |
CNA038053721A CN1640204A (zh) | 2002-03-04 | 2003-02-28 | 具有电极隔板的有机el显示板及其制造方法 |
KR1020047013840A KR100663313B1 (ko) | 2002-03-04 | 2003-02-28 | 전극 세퍼레이터를 구비한 유기 el 표시 패널 및 그제조 방법 |
US10/506,133 US7196467B2 (en) | 2002-03-04 | 2003-02-28 | Organic EL display panel comprising electrode separator and its manufacturing method |
PCT/JP2003/002303 WO2003075616A1 (fr) | 2002-03-04 | 2003-02-28 | Ecran electroluminescent organique comprenant un separateur d'electrodes, et procede de fabrication |
TW092104363A TWI222334B (en) | 2002-03-04 | 2003-03-03 | Organic EL display panel with electrode spacer and method for preparing the same |
US11/708,904 US7435151B2 (en) | 2002-03-04 | 2007-02-21 | Manufacturing method for an organic EL display panel having electrode separators |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002057488A JP3910864B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 有機el表示パネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003257663A true JP2003257663A (ja) | 2003-09-12 |
JP3910864B2 JP3910864B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=27784661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002057488A Expired - Fee Related JP3910864B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 有機el表示パネルおよびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7196467B2 (ja) |
JP (1) | JP3910864B2 (ja) |
KR (1) | KR100663313B1 (ja) |
CN (1) | CN1640204A (ja) |
TW (1) | TWI222334B (ja) |
WO (1) | WO2003075616A1 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005106573A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2005346982A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2006107996A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光表示パネル |
JP2006147190A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光表示パネル及びその製造方法 |
KR100719550B1 (ko) | 2005-06-04 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법 |
JP2008135318A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
CN100456520C (zh) * | 2004-06-14 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示设备及其制造方法 |
JP2009099485A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
JP2009124108A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置 |
JP2010080310A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2011249075A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Nec Lighting Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法 |
WO2012004824A1 (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法、並びに発光素子を用いた有機表示パネル、有機発光装置、及び有機表示装置 |
JP2012022878A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Nec Lighting Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
JP2012504844A (ja) * | 2008-10-02 | 2012-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 被覆された分流線を備えるoled装置 |
WO2012102268A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置 |
JP2012526348A (ja) * | 2009-05-08 | 2012-10-25 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネッセントデバイス |
JP2013016816A (ja) * | 2004-06-03 | 2013-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
JP2015135821A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-07-27 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100620849B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2006-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100692865B1 (ko) * | 2004-10-29 | 2007-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
KR100682836B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
JP5136734B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2013-02-06 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
KR100811473B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2008-03-07 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광패널 및 그를 포함하는 광원장치 |
KR101380334B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전자발광 디스플레이 및 그 제조방법 |
KR101325063B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전자발광 디스플레이 및 그 제조방법 |
CN100448018C (zh) * | 2006-11-30 | 2008-12-31 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种显示装置的显示面板 |
WO2009001241A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic functional device and method of manufacturing same |
EP2202819A1 (en) * | 2008-12-29 | 2010-06-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
WO2011152496A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 照明装置 |
US8388852B2 (en) * | 2010-07-30 | 2013-03-05 | Apple Inc. | Method for fabricating touch sensor panels |
WO2012025847A1 (en) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Self-aligned coverage of opaque conductive areas |
TR201909190T4 (tr) | 2010-09-22 | 2019-07-22 | Koninklijke Philips Nv | Çoklu görünüm görüntü cihazı. |
US8963144B2 (en) * | 2011-03-29 | 2015-02-24 | Nec Lighting, Ltd. | Organic EL light emitting device, manufacturing method therefor, and organic EL illumination device |
KR20120119091A (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법 |
JP6059647B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-01-11 | 双葉電子工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 |
DE102014100770A1 (de) * | 2014-01-23 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements |
US10886548B2 (en) | 2014-05-07 | 2021-01-05 | L3 Open Water Power, Inc. | Hydrogen management in electrochemical systems |
KR101946999B1 (ko) * | 2014-05-12 | 2019-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
KR102515628B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-03-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 |
KR101854701B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2018-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그의 제조 방법 |
CN106505091B (zh) * | 2017-01-04 | 2018-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板、制作方法、驱动方法及显示装置 |
KR20210082908A (ko) * | 2019-12-26 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2911552B2 (ja) * | 1990-06-18 | 1999-06-23 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP4142117B2 (ja) * | 1995-10-06 | 2008-08-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
TW364275B (en) | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
JPH1131590A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP3078257B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2000-08-21 | ティーディーケイ株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JPH11339970A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tdk Corp | 有機el表示装置 |
EP1182910A4 (en) * | 1999-04-02 | 2006-10-18 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
JP4482966B2 (ja) | 1999-08-20 | 2010-06-16 | Tdk株式会社 | El表示装置 |
US6762552B1 (en) | 1999-11-29 | 2004-07-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof |
JP2001223087A (ja) | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Sharp Corp | 電界発光素子の製造方法 |
US7301276B2 (en) | 2000-03-27 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
JP4693262B2 (ja) | 2000-03-27 | 2011-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パッシブマトリクス型の発光装置 |
JP4472120B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2010-06-02 | 東北パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
US6617186B2 (en) * | 2000-09-25 | 2003-09-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing electroluminescent element |
US6656611B2 (en) * | 2001-07-20 | 2003-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structure-defining material for OLEDs |
-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057488A patent/JP3910864B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-28 CN CNA038053721A patent/CN1640204A/zh active Pending
- 2003-02-28 US US10/506,133 patent/US7196467B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-28 KR KR1020047013840A patent/KR100663313B1/ko active IP Right Grant
- 2003-02-28 WO PCT/JP2003/002303 patent/WO2003075616A1/ja active Application Filing
- 2003-03-03 TW TW092104363A patent/TWI222334B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-02-21 US US11/708,904 patent/US7435151B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005106573A1 (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2005346982A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP4673579B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2011-04-20 | オプトレックス株式会社 | 表示装置 |
JP2015233011A (ja) * | 2004-06-03 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
JP2014123569A (ja) * | 2004-06-03 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
US8847479B2 (en) | 2004-06-03 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent lighting system including wiring including a plurality of openings |
US9099668B2 (en) | 2004-06-03 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
JP2013016816A (ja) * | 2004-06-03 | 2013-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
CN100456520C (zh) * | 2004-06-14 | 2009-01-28 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示设备及其制造方法 |
JP2006107996A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光表示パネル |
JP2006147190A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光表示パネル及びその製造方法 |
KR100719550B1 (ko) | 2005-06-04 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법 |
JP2008135318A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2009099485A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
JP2009124108A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光ディスプレイ装置 |
JP2010080310A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2012504844A (ja) * | 2008-10-02 | 2012-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 被覆された分流線を備えるoled装置 |
US10217966B2 (en) | 2009-05-08 | 2019-02-26 | Koninklijke Philips N.V. | Method and an apparatus for an electroluminescent device with improved outcoupling |
JP2012526348A (ja) * | 2009-05-08 | 2012-10-25 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エレクトロルミネッセントデバイス |
US9647239B2 (en) | 2009-05-08 | 2017-05-09 | Koninklijke Philips N.V. | Electroluminescent device |
JP2011249075A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Nec Lighting Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法 |
JP5330545B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2013-10-30 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法 |
US8642360B2 (en) | 2010-07-05 | 2014-02-04 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing light-emitter, organic display panel using light-emitter, organic light-emitting device and organic display device |
WO2012004824A1 (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法、並びに発光素子を用いた有機表示パネル、有機発光装置、及び有機表示装置 |
JP2012022878A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Nec Lighting Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
US9099672B2 (en) | 2011-01-25 | 2015-08-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and illumination device |
WO2012102268A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置 |
JP2015135821A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-07-27 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3910864B2 (ja) | 2007-04-25 |
CN1640204A (zh) | 2005-07-13 |
TW200306756A (en) | 2003-11-16 |
US20050116629A1 (en) | 2005-06-02 |
US7435151B2 (en) | 2008-10-14 |
WO2003075616A1 (fr) | 2003-09-12 |
US7196467B2 (en) | 2007-03-27 |
TWI222334B (en) | 2004-10-11 |
US20070160938A1 (en) | 2007-07-12 |
KR20050004793A (ko) | 2005-01-12 |
KR100663313B1 (ko) | 2007-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3910864B2 (ja) | 有機el表示パネルおよびその製造方法 | |
JP4931783B2 (ja) | 有機el表示パネル | |
EP2940752A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP4538649B2 (ja) | 輝度ムラを解消した有機elディスプレイとその製造方法 | |
JP4444383B2 (ja) | 有機系エレクトロルミネセント画像表示パネル | |
JP2000091069A (ja) | 有機elフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
KR20150127368A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
JP2003077684A (ja) | 有機el素子 | |
CN111081738B (zh) | Oled显示面板 | |
JP2006128110A (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
JP2002008871A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル | |
CN108598131B (zh) | 发光基板及其制作方法、发光装置及其制作方法 | |
JP3782380B2 (ja) | 有機elディスプレイ | |
JP2001237071A (ja) | メタルマスク及びその製造方法 | |
JP2003229267A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP4392113B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 | |
JP3858707B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP2003331736A (ja) | プラズマディスプレイ装置とその製造方法 | |
JP2003100464A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2006228639A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
KR20070050792A (ko) | 오엘이디 디스플레이 소자 | |
JP2008124018A (ja) | 有機電界発光ディスプレイ及びその製造方法 | |
JP2001305994A (ja) | 画像表示装置 | |
CN115244703A (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
JP2001307876A (ja) | 有機el表示装置、その製造方法および有機el表示装置の絶縁リブの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120202 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |