JP2003077684A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬを用いてフラットパネルディスプレ
イを製作する時、駆動チップが既存の方式より少なく使
われ、開口率を増加させると共に、スキャンラインの数
を減らしてデータラインのチップ数を減らせるようにし
た有機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】 基板上に形成された多数のデータ電極ラ
インと、そのデータ電極ラインに直交する多数のスキャ
ン電極ラインと、電極の間に形成された有機発光層とか
らなる有機ＥＬ素子において、各データ電極ラインが幅
方向に３つの電極ラインに分離してパターニングされ、
３つの画素からなる画素グループを同時にスキャンする
ようにしたことを特徴とする。
イを製作する時、駆動チップが既存の方式より少なく使
われ、開口率を増加させると共に、スキャンラインの数
を減らしてデータラインのチップ数を減らせるようにし
た有機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】 基板上に形成された多数のデータ電極ラ
インと、そのデータ電極ラインに直交する多数のスキャ
ン電極ラインと、電極の間に形成された有機発光層とか
らなる有機ＥＬ素子において、各データ電極ラインが幅
方向に３つの電極ラインに分離してパターニングされ、
３つの画素からなる画素グループを同時にスキャンする
ようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子に関
し、特にフラットパネルディスプレイの駆動チップが既
存の方式より少なく、開口率の高い有機ＥＬ素子に関す
る。
し、特にフラットパネルディスプレイの駆動チップが既
存の方式より少なく、開口率の高い有機ＥＬ素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、パッシブマトリックス有機ＥＬ
ディスプレイパネルは、高解像度の高いパネルであれば
あるほどピクセルの数が多く、これによってスキャンラ
イン及びデータラインの数が増加する。スキャンライン
の数が増加すると、１ピクセルの発光時間はそれだけ短
縮され、これによって単位時間当たり発光時間もが短く
なるので、瞬間輝度もその分高くならなければならな
い。
ディスプレイパネルは、高解像度の高いパネルであれば
あるほどピクセルの数が多く、これによってスキャンラ
イン及びデータラインの数が増加する。スキャンライン
の数が増加すると、１ピクセルの発光時間はそれだけ短
縮され、これによって単位時間当たり発光時間もが短く
なるので、瞬間輝度もその分高くならなければならな
い。
【０００３】図１及び図２は従来の技術による有機ＥＬ
素子のスキャン駆動概念図である。図１のように、陽極
ストリップ、すなわちデータ電極ラインを半分に分割し
てそれぞれ独自にスキャンを行うことでスキャンライン
の数を半分に減らし、発光効率及び寿命を向上させる。
図２のように、陽極ストリップを分離してパターニング
して、隣接する二つをそれぞれ別々の補助電極に連結
し、それらの補助電極を左右別々に引き出すようにする
と共に、スキャンラインをそれらの二つの分離された電
極に共通に配置されるように２倍の広さに形成して、ス
キャンラインの数を半分に減らしたような方式もある。
素子のスキャン駆動概念図である。図１のように、陽極
ストリップ、すなわちデータ電極ラインを半分に分割し
てそれぞれ独自にスキャンを行うことでスキャンライン
の数を半分に減らし、発光効率及び寿命を向上させる。
図２のように、陽極ストリップを分離してパターニング
して、隣接する二つをそれぞれ別々の補助電極に連結
し、それらの補助電極を左右別々に引き出すようにする
と共に、スキャンラインをそれらの二つの分離された電
極に共通に配置されるように２倍の広さに形成して、ス
キャンラインの数を半分に減らしたような方式もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１及
び図２のような方式はデータが両側に分けられることに
よってデータ用チップを両側に設けて使用することにな
り、原価上昇の問題が発生する。
び図２のような方式はデータが両側に分けられることに
よってデータ用チップを両側に設けて使用することにな
り、原価上昇の問題が発生する。
【０００５】そこで、本発明は上記のような問題点を解
決するために成されたものであって、有機ＥＬを用いて
フラットパネルディスプレイを製作する時、駆動チップ
が既存の方式より少なくてすみ、開口率を増加させるこ
とができる有機ＥＬ素子を提供することである。
決するために成されたものであって、有機ＥＬを用いて
フラットパネルディスプレイを製作する時、駆動チップ
が既存の方式より少なくてすみ、開口率を増加させるこ
とができる有機ＥＬ素子を提供することである。
【０００６】また、データラインと連結される補助電極
をデータラインの幅方向において三つに分け、スキャン
ラインの数を減らして１本のスキャンラインに少なくと
も３本のデータラインを同時に駆動して素子効率が向上
し、且つデータラインの配線を一方側に抜き出すことに
より、データラインのチップ数を減らせるようにした有
機ＥＬ素子を提供することにある。
をデータラインの幅方向において三つに分け、スキャン
ラインの数を減らして１本のスキャンラインに少なくと
も３本のデータラインを同時に駆動して素子効率が向上
し、且つデータラインの配線を一方側に抜き出すことに
より、データラインのチップ数を減らせるようにした有
機ＥＬ素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明による有機ＥＬ素子は、基板上に形成さ
れた多数のデータ電極ラインと、そのデータ電極ライン
に直交する多数のスキャン電極ラインと、それらの電極
の間に形成された有機発光層とからなる有機ＥＬ素子で
あって、各データ電極ラインが三つを一つのグループと
するように分離してパターニングし、三つの画素を同時
にスキャンするようにしたことを特徴とする。
るための本発明による有機ＥＬ素子は、基板上に形成さ
れた多数のデータ電極ラインと、そのデータ電極ライン
に直交する多数のスキャン電極ラインと、それらの電極
の間に形成された有機発光層とからなる有機ＥＬ素子で
あって、各データ電極ラインが三つを一つのグループと
するように分離してパターニングし、三つの画素を同時
にスキャンするようにしたことを特徴とする。
【０００８】好ましくは、各データ電極ラインはスキャ
ン電極方向と直交する方向にそれぞれ形成される３本の
補助電極ラインと、補助電極にそれぞれ連結され、それ
ぞれの画素を駆動するように形成される主電極ラインと
からなることを特徴とする。
ン電極方向と直交する方向にそれぞれ形成される３本の
補助電極ラインと、補助電極にそれぞれ連結され、それ
ぞれの画素を駆動するように形成される主電極ラインと
からなることを特徴とする。
【０００９】好ましくは、補助電極ラインは、Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ａｌ，Ｃｕなどの電導性材料であるか、この中２つ
以上の化合物であることを特徴とする。
ｏ，Ａｌ，Ｃｕなどの電導性材料であるか、この中２つ
以上の化合物であることを特徴とする。
【００１０】好ましくは、電極パターンはＩＴＯより形
成された透明電極であることを特徴とする。
成された透明電極であることを特徴とする。
【００１１】好ましくは、３本の補助電極ラインの中２
本の補助電極ラインが一平面に形成され、その形成され
た補助電極ライン上に第２絶縁膜を形成し、その第２絶
縁膜上に２本の補助電極ラインの何れか１本と残りの補
助電極ラインとを重畳して形成することを特徴とする。
本の補助電極ラインが一平面に形成され、その形成され
た補助電極ライン上に第２絶縁膜を形成し、その第２絶
縁膜上に２本の補助電極ラインの何れか１本と残りの補
助電極ラインとを重畳して形成することを特徴とする。
【００１２】好ましくは、重畳して形成した補助電極上
に第３絶縁膜を更に形成することを特徴とする。
に第３絶縁膜を更に形成することを特徴とする。
【００１３】好ましくは、３本の補助電極ラインの中第
１補助電極ラインが形成され、その第１補助電極ライン
上に第２絶縁膜を形成し、その第２絶縁膜上に第２補助
電極ラインを重畳して形成し、第２補助電極ライン上に
第３絶縁膜を形成し、第３絶縁膜上に再び第３補助電極
ラインを重畳して形成することを特徴とする。
１補助電極ラインが形成され、その第１補助電極ライン
上に第２絶縁膜を形成し、その第２絶縁膜上に第２補助
電極ラインを重畳して形成し、第２補助電極ライン上に
第３絶縁膜を形成し、第３絶縁膜上に再び第３補助電極
ラインを重畳して形成することを特徴とする。
【００１４】好ましくは、第３補助電極ライン上に第４
絶縁膜を更に形成することを特徴とする。
絶縁膜を更に形成することを特徴とする。
【００１５】補助電極ラインの幅が互いに等しいか等し
くなくても良い。
くなくても良い。
【００１６】好ましくは、データ電極ライン上に第１絶
縁膜を更に形成することを特徴とする。
縁膜を更に形成することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるダブルスキャ
ン構造の有機ＥＬ素子の好ましい実施形態を添付の図面
に基づいて説明する。
ン構造の有機ＥＬ素子の好ましい実施形態を添付の図面
に基づいて説明する。
【００１８】図３ａ〜図３ｃは本発明による第１実施形
態で、トリプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図に
よる製造工程図を示す。図３ｃに示すように、本発明に
よる有機ＥＬ素子はデータ電極ラインとなる第１電極５
とスキャン電極である第２電極が交差する領域に設けら
れる多数の画素を有し、一方向に配列された画素のうち
隣接した三つを一つの画素グループとし、その画素グル
ープが１本のスキャンラインに連結され、同時に駆動さ
れる。尚、データ電極ラインとは従来のデータラインを
意味し、主電極ラインとは画素に対応してパターニング
して形成させた第１電極とそれに接続した補助電極の並
びを意味する。本実施形態においては１本のデータ電極
ラインに３本の主電極ラインが属することになる。
態で、トリプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図に
よる製造工程図を示す。図３ｃに示すように、本発明に
よる有機ＥＬ素子はデータ電極ラインとなる第１電極５
とスキャン電極である第２電極が交差する領域に設けら
れる多数の画素を有し、一方向に配列された画素のうち
隣接した三つを一つの画素グループとし、その画素グル
ープが１本のスキャンラインに連結され、同時に駆動さ
れる。尚、データ電極ラインとは従来のデータラインを
意味し、主電極ラインとは画素に対応してパターニング
して形成させた第１電極とそれに接続した補助電極の並
びを意味する。本実施形態においては１本のデータ電極
ラインに３本の主電極ラインが属することになる。
【００１９】上記のようなトリプルスキャン構造の有機
ＥＬ素子においては、透明基板上に、一方向に一つの画
素グループ当たり少なくとも３本のラインとして配列さ
れる補助電極が形成され、各補助電極には一つの画素グ
ループの隣接した画素３ａ，３ｂ，３ｃのそれぞれが接
続されている。それぞれの画素３ａ，３ｂ，３ｃに対応
させてパターニングして形成された第１電極５ａ，５
ｂ，５ｃをそれぞれの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃに接続
するように設け、その第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上に
有機発光層（図示せず）を設けると共に、その有機発光
層上に、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃと交差して形成され
た第２電極とを備えている。本実施形態はこの第２電極
即ちスキャン電極は三つの画素からなる画素グループに
１本の割合で配置されている。すなわち、第２電極は図
の縦方向に配置されるが、三つの画素からなる画素グル
ープをカバーするだけの幅を持っている。
ＥＬ素子においては、透明基板上に、一方向に一つの画
素グループ当たり少なくとも３本のラインとして配列さ
れる補助電極が形成され、各補助電極には一つの画素グ
ループの隣接した画素３ａ，３ｂ，３ｃのそれぞれが接
続されている。それぞれの画素３ａ，３ｂ，３ｃに対応
させてパターニングして形成された第１電極５ａ，５
ｂ，５ｃをそれぞれの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃに接続
するように設け、その第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上に
有機発光層（図示せず）を設けると共に、その有機発光
層上に、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃと交差して形成され
た第２電極とを備えている。本実施形態はこの第２電極
即ちスキャン電極は三つの画素からなる画素グループに
１本の割合で配置されている。すなわち、第２電極は図
の縦方向に配置されるが、三つの画素からなる画素グル
ープをカバーするだけの幅を持っている。
【００２０】３本のラインの補助電極の一つ２ａは、画
素グループの中一番目に位置した画素３ａを制御するよ
うに第１電極５ａパターンに接続され、他の補助電極２
ｂは、画素グループの中二番目に位置した画素グループ
３ｂを制御するように第１電極５ｂパターンに接続さ
れ、残りの補助電極２ｃは画素グループの中三番目に位
置した画素グループ３ｃを制御するように、第１電極５
ｃパターンに接続されている。
素グループの中一番目に位置した画素３ａを制御するよ
うに第１電極５ａパターンに接続され、他の補助電極２
ｂは、画素グループの中二番目に位置した画素グループ
３ｂを制御するように第１電極５ｂパターンに接続さ
れ、残りの補助電極２ｃは画素グループの中三番目に位
置した画素グループ３ｃを制御するように、第１電極５
ｃパターンに接続されている。
【００２１】そして、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃパター
ンのエッジ部分をカバーするように透明基板上に形成さ
れた絶縁膜４−４をも備えている。さらに、一方向に配
列された三つの画素グループ毎にその並びと直交するよ
うに形成され、隣接した三つの画素グループが１本のス
キャンラインで同時に駆動されるように第２電極を三つ
の画素グループ毎に電気的に隔離させる隔壁６を備えて
いる。
ンのエッジ部分をカバーするように透明基板上に形成さ
れた絶縁膜４−４をも備えている。さらに、一方向に配
列された三つの画素グループ毎にその並びと直交するよ
うに形成され、隣接した三つの画素グループが１本のス
キャンラインで同時に駆動されるように第２電極を三つ
の画素グループ毎に電気的に隔離させる隔壁６を備えて
いる。
【００２２】以下、上記のような有機ＥＬ素子の製造方
法を図３ａ〜図３ｃを参照して説明する。
法を図３ａ〜図３ｃを参照して説明する。
【００２３】図３ａのように、透明基板上に一つの画素
グループ当たり少なくとも３本のラインの補助電極２
ａ，２ｂ，２ｃを形成する。この際、真ん中の第２補助
電極２ｂの一部は第１補助電極２ａから離して所定の間
隔を隔てて隣り合い、他の一部は第３補助電極２ｃから
離して所定の間隔を隔てて隣り合うようにする。即ち、
第２補助電極２ｂはジグザグ状のラインとして形成され
ている。
グループ当たり少なくとも３本のラインの補助電極２
ａ，２ｂ，２ｃを形成する。この際、真ん中の第２補助
電極２ｂの一部は第１補助電極２ａから離して所定の間
隔を隔てて隣り合い、他の一部は第３補助電極２ｃから
離して所定の間隔を隔てて隣り合うようにする。即ち、
第２補助電極２ｂはジグザグ状のラインとして形成され
ている。
【００２４】従って、この実施形態の場合、補助電極ラ
イン２ｂは他のラインに比べて長くなり抵抗差が生じる
ので、それを補うように補助電極２ａ，２ｂ，２ｃの配
線幅ｘ，ｙ，ｚを異なるようにして形成しても良い。
イン２ｂは他のラインに比べて長くなり抵抗差が生じる
ので、それを補うように補助電極２ａ，２ｂ，２ｃの配
線幅ｘ，ｙ，ｚを異なるようにして形成しても良い。
【００２５】次いで、図３ｂのように、３本のラインの
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃと電気的に連結されるように
透明な導電性物質をパターニングして、第１電極５ａ，
５ｂ，５ｃのパターンを形成する。その際、第１電極５
ａは補助電極２ａと、第１電極５ｂは補助電極２ｂと、
最後の第１電極５ｃは補助電極２ｃと電気的に連結され
るようにする。そして、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃパタ
ーンのエッジ部分をカバーするよう透明基板上に絶縁膜
４−４を形成する。
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃと電気的に連結されるように
透明な導電性物質をパターニングして、第１電極５ａ，
５ｂ，５ｃのパターンを形成する。その際、第１電極５
ａは補助電極２ａと、第１電極５ｂは補助電極２ｂと、
最後の第１電極５ｃは補助電極２ｃと電気的に連結され
るようにする。そして、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃパタ
ーンのエッジ部分をカバーするよう透明基板上に絶縁膜
４−４を形成する。
【００２６】次いで、一方向に配列された三つの画素グ
ループが外部の１本のスキャンライン（図示せず）と連
結され、三つの画素グループを同時に駆動するように、
第２電極を画素グループごとに電気的に隔離させる隔壁
６を形成し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上にそれぞれ
有機発光層を形成する。
ループが外部の１本のスキャンライン（図示せず）と連
結され、三つの画素グループを同時に駆動するように、
第２電極を画素グループごとに電気的に隔離させる隔壁
６を形成し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上にそれぞれ
有機発光層を形成する。
【００２７】即ち、三つの画素３ａ，３ｂ，３ｃからな
るグループ毎に補助電極２ａ，２ｂ，２ｃと交差する方
向に隔壁６を形成し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上部
に有機発光層を形成し、その有機発光層上に第２電極
（図示せず）を形成した後、パシベーション、エンキャ
ップレーション(encapsulation)を行うと素子が完成す
る。
るグループ毎に補助電極２ａ，２ｂ，２ｃと交差する方
向に隔壁６を形成し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上部
に有機発光層を形成し、その有機発光層上に第２電極
（図示せず）を形成した後、パシベーション、エンキャ
ップレーション(encapsulation)を行うと素子が完成す
る。
【００２８】さらに、図示しないスキャンラインを画素
グループごとにそれらに含まれる画素が一緒に駆動され
るように形成する。
グループごとにそれらに含まれる画素が一緒に駆動され
るように形成する。
【００２９】図４及び図８は本発明による第２実施形態
であり、トリプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図
であり、３本の補助電極の少なくとも２本以上絶縁材を
介在させて重ねて形成するようにした例であり、図５ａ
〜図５ｃ及び，図９ａ〜図９ｂはそれぞれ図４及び図８
のＩ−Ｉ’，II−II’方向に沿った製造工程図を示す。
であり、トリプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図
であり、３本の補助電極の少なくとも２本以上絶縁材を
介在させて重ねて形成するようにした例であり、図５ａ
〜図５ｃ及び，図９ａ〜図９ｂはそれぞれ図４及び図８
のＩ−Ｉ’，II−II’方向に沿った製造工程図を示す。
【００３０】本発明の第２実施形態は３本のラインの補
助電極２ａ，２ｂ，２ｃのうち少なくとも２本のライン
を重畳して形成することが特徴である。即ち、第２実施
形態では、微細画素を形成する場合、画素の開口率を高
めるために補助電極を重畳して多層構造に形成してい
る。この際、多層の補助電極は同一の幅及び太さを持
ち、上下に重畳される。
助電極２ａ，２ｂ，２ｃのうち少なくとも２本のライン
を重畳して形成することが特徴である。即ち、第２実施
形態では、微細画素を形成する場合、画素の開口率を高
めるために補助電極を重畳して多層構造に形成してい
る。この際、多層の補助電極は同一の幅及び太さを持
ち、上下に重畳される。
【００３１】図４は２本の補助電極２ａ、２ｂを重畳し
て２層構造の補助電極を形成し、重畳した補助電極の間
に絶縁膜を更に形成したものであって、それ以外第１実
施形態の構成とほぼ同様であるので、その構成の説明は
省略する。
て２層構造の補助電極を形成し、重畳した補助電極の間
に絶縁膜を更に形成したものであって、それ以外第１実
施形態の構成とほぼ同様であるので、その構成の説明は
省略する。
【００３２】図４に示すように、３本のラインの補助電
極のうち２ａ，２ｂの補助電極を重畳し、その重畳する
２本のラインの補助電極２ａ，２ｂの間に絶縁膜４−１
を形成して、２本のラインの補助電極２ａ，２ｂを電気
的に隔離する。多数のスキャンラインのうち特定のスキ
ャンラインにスキャン信号が印加され、３本のラインの
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃにそれぞれ独立的に接触され
た第１電極５ａ，５ｂ，５ｃにデータ信号が印加される
と、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃのデータ信号が印加され
た第１電極の上に形成された有機発光層が発光する。こ
のとき、発光時間は１ラインの補助電極を形成した時よ
り３倍に増加する。なお、この実施形態では補助電極と
第１電極との接続は図４に示すように、それぞれの補助
電極を直線状に配置し、それぞれからそれぞれの画素の
縁に沿って直角方向に突出部を形成させ、その連結部で
第１電極に接続する。その際、絶縁膜が介在することに
なるがその絶縁膜を突出部の部分では除去して電気的に
接続させる。また、後述のようにビアホールを形成させ
てそのビアホールを利用して電気的に接続するようにし
てもよい。２本のラインの補助電極２ａ，２ｂを重畳し
て形成したので、第１電極の形成領域を拡張させること
ができ、画素の発光効率が更に増加する。
極のうち２ａ，２ｂの補助電極を重畳し、その重畳する
２本のラインの補助電極２ａ，２ｂの間に絶縁膜４−１
を形成して、２本のラインの補助電極２ａ，２ｂを電気
的に隔離する。多数のスキャンラインのうち特定のスキ
ャンラインにスキャン信号が印加され、３本のラインの
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃにそれぞれ独立的に接触され
た第１電極５ａ，５ｂ，５ｃにデータ信号が印加される
と、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃのデータ信号が印加され
た第１電極の上に形成された有機発光層が発光する。こ
のとき、発光時間は１ラインの補助電極を形成した時よ
り３倍に増加する。なお、この実施形態では補助電極と
第１電極との接続は図４に示すように、それぞれの補助
電極を直線状に配置し、それぞれからそれぞれの画素の
縁に沿って直角方向に突出部を形成させ、その連結部で
第１電極に接続する。その際、絶縁膜が介在することに
なるがその絶縁膜を突出部の部分では除去して電気的に
接続させる。また、後述のようにビアホールを形成させ
てそのビアホールを利用して電気的に接続するようにし
てもよい。２本のラインの補助電極２ａ，２ｂを重畳し
て形成したので、第１電極の形成領域を拡張させること
ができ、画素の発光効率が更に増加する。
【００３３】以下、かかる有機ＥＬ素子の製造方法を図
４，及び図５ａ〜図５ｄを参照して説明する。
４，及び図５ａ〜図５ｄを参照して説明する。
【００３４】図５ａのように、透明基板１上に２本のラ
インの補助電極２ａ，２ｃを形成する。２本のラインの
補助電極２ａ，２ｃはストライプパターンであり、かつ
そのストライプパターンと連結され突出部を有するよう
に形成する。
インの補助電極２ａ，２ｃを形成する。２本のラインの
補助電極２ａ，２ｃはストライプパターンであり、かつ
そのストライプパターンと連結され突出部を有するよう
に形成する。
【００３５】次いで、図５ｂのように、補助電極２ａ，
２ｃの上に絶縁膜４−１を形成し、補助電極２ａの上に
形成された絶縁膜４−１上にさらに補助電極２ｂを直線
状、すなわちストライプパターン及び、ストライプパタ
ーンと連結された突出部を有するように形成して、２つ
の補助電極２ａ，２ｂを重畳する。
２ｃの上に絶縁膜４−１を形成し、補助電極２ａの上に
形成された絶縁膜４−１上にさらに補助電極２ｂを直線
状、すなわちストライプパターン及び、ストライプパタ
ーンと連結された突出部を有するように形成して、２つ
の補助電極２ａ，２ｂを重畳する。
【００３６】次いで、図５ｃのように、３本のラインの
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃとその突出部で電気的に連結
されるように透明な導電性物質をパターニングして第１
電極５ａ，５ｂ，５ｃのパターンを形成する。そして、
図５ｄのように、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃパターンの
エッジ部分をカバーするように透明基板上に絶縁膜４−
４を形成する。
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃとその突出部で電気的に連結
されるように透明な導電性物質をパターニングして第１
電極５ａ，５ｂ，５ｃのパターンを形成する。そして、
図５ｄのように、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃパターンの
エッジ部分をカバーするように透明基板上に絶縁膜４−
４を形成する。
【００３７】次いで、一方向に配列された三つの画素グ
ループが外部の１本のスキャンライン（図示せず）と連
結され、三つの画素グループが同時にスキャン駆動され
るように、第２電極を画素グループ毎に電気的に隔離さ
せる隔壁６を形成し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上部
に有機発光層を形成する。即ち、三つの画素３ａ，３
ｂ，３ｃからなるグループ毎に一つずつ補助電極２ａ，
２ｂ，２ｃと交差する方向に隔壁６を形成した後、有機
発光層上に第２電極（図示せず）を形成し、パシベーシ
ョン、エンキャップレーションを行うとディスプレイ素
子が完成する。
ループが外部の１本のスキャンライン（図示せず）と連
結され、三つの画素グループが同時にスキャン駆動され
るように、第２電極を画素グループ毎に電気的に隔離さ
せる隔壁６を形成し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上部
に有機発光層を形成する。即ち、三つの画素３ａ，３
ｂ，３ｃからなるグループ毎に一つずつ補助電極２ａ，
２ｂ，２ｃと交差する方向に隔壁６を形成した後、有機
発光層上に第２電極（図示せず）を形成し、パシベーシ
ョン、エンキャップレーションを行うとディスプレイ素
子が完成する。
【００３８】一方向に配列された画素グループのうち隣
接した三つの画素グループが１本のスキャンラインに連
結され同時に駆動されるように、補助電極２ａ，２ｂ，
２ｃと交差する方向の隣接した三つの画素グループ当た
り１本のスキャンライン（図示せず）を連結する段階を
更に備えている。
接した三つの画素グループが１本のスキャンラインに連
結され同時に駆動されるように、補助電極２ａ，２ｂ，
２ｃと交差する方向の隣接した三つの画素グループ当た
り１本のスキャンライン（図示せず）を連結する段階を
更に備えている。
【００３９】図６は図４の他の実施形態であり、トリプ
ルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図を示し、図７ａ
〜図７ｅは図６のIII−III’方向に沿った製造工程を示
す。この実施形態は、図６及び図７ｅに示すように、重
畳する２本のラインの補助電極２ａ，２ｂの間だけでな
く、補助電極２ｂの上部に絶縁膜４−２が更に形成され
るものであって、絶縁膜４−２を形成することにより、
更に広い面積で第１電極５ａ，５ｂ，５ｃを形成するこ
とができる。図６の他の構成は図４の構成とほぼ同様で
あり、製造工程においても絶縁膜４−２を形成すること
外は同様であるので省略する。
ルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図を示し、図７ａ
〜図７ｅは図６のIII−III’方向に沿った製造工程を示
す。この実施形態は、図６及び図７ｅに示すように、重
畳する２本のラインの補助電極２ａ，２ｂの間だけでな
く、補助電極２ｂの上部に絶縁膜４−２が更に形成され
るものであって、絶縁膜４−２を形成することにより、
更に広い面積で第１電極５ａ，５ｂ，５ｃを形成するこ
とができる。図６の他の構成は図４の構成とほぼ同様で
あり、製造工程においても絶縁膜４−２を形成すること
外は同様であるので省略する。
【００４０】図８は３本のラインの補助電極を全て重畳
して３層構造の補助電極を形成し、重畳した補助電極の
間に絶縁膜を更に形成するもので、第１実施形態の構成
とほぼ同様であるのでその詳細な構成は省略する。
して３層構造の補助電極を形成し、重畳した補助電極の
間に絶縁膜を更に形成するもので、第１実施形態の構成
とほぼ同様であるのでその詳細な構成は省略する。
【００４１】図８及び図９ａに示すように、３本のライ
ンの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃを共に重畳する。補助電
極２ａ，２ｂ，２ｃの間には絶縁膜４−１，４−２を形
成して、３本のラインの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃを電
気的に隔離する。多数のスキャンラインのうち特定のス
キャンラインにスキャン信号が印加され、３本のライン
の補助電極２ａ，２ｂ，２ｃにそれぞれ独立的に接触さ
れた第１電極５ａ，５ｂ，５ｃにデータ信号が印加され
ると、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上に形成された有機
発光層が発光する。発光時間は１ラインの補助電極を形
成した時より３倍に増加する。
ンの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃを共に重畳する。補助電
極２ａ，２ｂ，２ｃの間には絶縁膜４−１，４−２を形
成して、３本のラインの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃを電
気的に隔離する。多数のスキャンラインのうち特定のス
キャンラインにスキャン信号が印加され、３本のライン
の補助電極２ａ，２ｂ，２ｃにそれぞれ独立的に接触さ
れた第１電極５ａ，５ｂ，５ｃにデータ信号が印加され
ると、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃの上に形成された有機
発光層が発光する。発光時間は１ラインの補助電極を形
成した時より３倍に増加する。
【００４２】そして、３本のラインの補助電極２ａ，２
ｂ，２ｃを重畳して形成したので、第１電極５ａ，５
ｂ，５ｃの形成領域を拡張させ、画素の発光効率が更に
増加する。
ｂ，２ｃを重畳して形成したので、第１電極５ａ，５
ｂ，５ｃの形成領域を拡張させ、画素の発光効率が更に
増加する。
【００４３】図１０は図８の他の実施形態であって、ト
リプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図を示す。図
１０は図８の構成とほぼ同様であり、図１０に示すよう
に、重畳した３本のラインの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃ
の間だけでなく、補助電極２ｃの上部に絶縁膜４−３が
更に形成されるものであって、絶縁膜４−３を形成する
ことにより、更に広い面積で第１電極５ａ，５ｂ，５ｃ
を形成することができる。
リプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図を示す。図
１０は図８の構成とほぼ同様であり、図１０に示すよう
に、重畳した３本のラインの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃ
の間だけでなく、補助電極２ｃの上部に絶縁膜４−３が
更に形成されるものであって、絶縁膜４−３を形成する
ことにより、更に広い面積で第１電極５ａ，５ｂ，５ｃ
を形成することができる。
【００４４】図１１は図８の他の実施形態であり、トリ
プルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図を示し、図１
２は図１１のIV−IV’方向に沿った断面図を示す。図１
１は重畳する絶縁膜４−１，４−２がビアホール４ａを
有し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃをビアホール４ａを通
して隣接した三つの画素３ａ，３ｂ，３ｃに形成された
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃに接触させる。
プルスキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図を示し、図１
２は図１１のIV−IV’方向に沿った断面図を示す。図１
１は重畳する絶縁膜４−１，４−２がビアホール４ａを
有し、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃをビアホール４ａを通
して隣接した三つの画素３ａ，３ｂ，３ｃに形成された
補助電極２ａ，２ｂ，２ｃに接触させる。
【００４５】図１３は図１１の他の実施形態であり、ト
リプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の断面図を示すもの
であって、３本のラインの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃの
間だけでなく、補助電極２ｃの上部に絶縁膜４−３が更
に形成されるもので、絶縁膜４−３を形成することによ
り、更に広い面積で第１電極５ａ，５ｂ，５ｃを形成す
ることができる。
リプルスキャン構造の有機ＥＬ素子の断面図を示すもの
であって、３本のラインの補助電極２ａ，２ｂ，２ｃの
間だけでなく、補助電極２ｃの上部に絶縁膜４−３が更
に形成されるもので、絶縁膜４−３を形成することによ
り、更に広い面積で第１電極５ａ，５ｂ，５ｃを形成す
ることができる。
【００４６】第１，２、３実施形態で、隔壁６を境界に
分離された第２電極に電気的に連結されたスキャンライ
ンにスキャン信号が印加され、第２電極の下部に第２電
極と交差して形成される補助電極２ａ，２ｂ，２ｃにデ
ータ信号が印加されると、データ信号が印加された補助
電極２ａ，２ｂ，２ｃと電気的に連結された第１電極５
ａ，５ｂ，５ｃへデータ信号が伝達され、対応する画素
３ａ，３ｂ，３ｃを発光させる。
分離された第２電極に電気的に連結されたスキャンライ
ンにスキャン信号が印加され、第２電極の下部に第２電
極と交差して形成される補助電極２ａ，２ｂ，２ｃにデ
ータ信号が印加されると、データ信号が印加された補助
電極２ａ，２ｂ，２ｃと電気的に連結された第１電極５
ａ，５ｂ，５ｃへデータ信号が伝達され、対応する画素
３ａ，３ｂ，３ｃを発光させる。
【００４７】一回のスキャンによって三つの画素３ａ，
３ｂ，３ｃが同時に発光するので、発光時間を３倍に増
加させることができ、スキャンラインの数は１／３に減
る。そして、第１，第２，第３実施形態において補助電
極２ａ，２ｂ，２ｃの材料は電導性物質を使用すれば好
ましく、特に、Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｕの合金、或いは
２つ以上を同時に使用することも可能である。厚さは
０．０１〜１０μｍであり、線幅は素子によって異なる
ように形成できる。
３ｂ，３ｃが同時に発光するので、発光時間を３倍に増
加させることができ、スキャンラインの数は１／３に減
る。そして、第１，第２，第３実施形態において補助電
極２ａ，２ｂ，２ｃの材料は電導性物質を使用すれば好
ましく、特に、Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｕの合金、或いは
２つ以上を同時に使用することも可能である。厚さは
０．０１〜１０μｍであり、線幅は素子によって異なる
ように形成できる。
【００４８】絶縁膜４−１，４−２，４−３，４−４の
材料としては無機及び有機絶縁膜共に使用可能であり、
無機絶縁膜として酸化系絶縁膜（ｏｘｉｄｅ類、ＳｉＯ
２）と窒化系絶縁膜（ｎｉｔｒｉｄｅ類、ＳｉＮｘ）が
好ましく、有機絶縁膜としてはポリマー（特に、ｐｏｌ
ｙａｃｒｙｌ類、ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ類，ｎｏｖｏｌａ
ｃ，ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）
であれば良い。また、絶縁膜の厚さは０．０１〜１０μ
ｍであれば良く、可視光線に対して吸光度の低い物質が
好ましい。
材料としては無機及び有機絶縁膜共に使用可能であり、
無機絶縁膜として酸化系絶縁膜（ｏｘｉｄｅ類、ＳｉＯ
２）と窒化系絶縁膜（ｎｉｔｒｉｄｅ類、ＳｉＮｘ）が
好ましく、有機絶縁膜としてはポリマー（特に、ｐｏｌ
ｙａｃｒｙｌ類、ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ類，ｎｏｖｏｌａ
ｃ，ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）
であれば良い。また、絶縁膜の厚さは０．０１〜１０μ
ｍであれば良く、可視光線に対して吸光度の低い物質が
好ましい。
【００４９】絶縁膜（４−１，４−２，４−３，４−
４）の材料は同一であるか異なる物質の使用が可能であ
る。絶縁膜４−４は第１電極５ａ，５ｂ，５ｃと第２電
極の段落を防止するため、工程中に損傷しやすい第１電
極５ａ，５ｂ，５ｃのエッジ部分をカバーするように形
成する。そして、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃは透明電極
であり、第２電極は金属電極である。
４）の材料は同一であるか異なる物質の使用が可能であ
る。絶縁膜４−４は第１電極５ａ，５ｂ，５ｃと第２電
極の段落を防止するため、工程中に損傷しやすい第１電
極５ａ，５ｂ，５ｃのエッジ部分をカバーするように形
成する。そして、第１電極５ａ，５ｂ，５ｃは透明電極
であり、第２電極は金属電極である。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるトリ
プルスキャン構造の有機ＥＬ素子は次のような効果があ
る。
プルスキャン構造の有機ＥＬ素子は次のような効果があ
る。
【００５１】画素の１列の並びに補助電極を三の部分に
分けてて配置し、三つの画素に共通にスキャンラインを
配置したので、スキャンラインの数を減らし、データチ
ップの数を減らすことができ、１画素の発光時間を３倍
に増加させ、画素の発光効率を高めることができた。ま
た、第１電極と電気的に連結される３本のラインからな
る補助電極のうち少なくとも２本のラインを重畳するよ
うにし、各画素グループが３本のラインの補助電極によ
って独立的に制御されるように補助電極を絶縁膜に絶縁
させる方法により、透明基板上で補助電極の占める面積
を減少させ、且つ透明電極の第１電極を広く形成させ、
その分画素の開口率を増大させることができ、画素の発
光効率を高めることができる。
分けてて配置し、三つの画素に共通にスキャンラインを
配置したので、スキャンラインの数を減らし、データチ
ップの数を減らすことができ、１画素の発光時間を３倍
に増加させ、画素の発光効率を高めることができた。ま
た、第１電極と電気的に連結される３本のラインからな
る補助電極のうち少なくとも２本のラインを重畳するよ
うにし、各画素グループが３本のラインの補助電極によ
って独立的に制御されるように補助電極を絶縁膜に絶縁
させる方法により、透明基板上で補助電極の占める面積
を減少させ、且つ透明電極の第１電極を広く形成させ、
その分画素の開口率を増大させることができ、画素の発
光効率を高めることができる。
【図１】従来技術による有機ＥＬ素子のスキャン駆動概
念図。
念図。
【図２】従来技術による有機ＥＬ素子のスキャン駆動概
念図。
念図。
【図３ａ】本発明による第１実施形態であり、トリプル
スキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図による製造工程
図。
スキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図による製造工程
図。
【図３ｂ】本発明による第１実施形態であり、トリプル
スキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図による製造工程
図。
スキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図による製造工程
図。
【図３ｃ】本発明による第１実施形態であり、トリプル
スキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図による製造工程
図。
スキャン構造の有機ＥＬ素子の平面図による製造工程
図。
【図４】本発明による第２実施形態であり、トリプルス
キャン構造の有機ＥＬ素子の平面図。
キャン構造の有機ＥＬ素子の平面図。
【図５】図４及び図８のＩ−Ｉ’，II−II’方向に沿っ
た製造工程図。
た製造工程図。
【図６】図４の他の実施形態であり、トリプルスキャン
構造の有機ＥＬ素子の平面図。
構造の有機ＥＬ素子の平面図。
【図７ａ】図６のIII−III’方向に沿った製造工程図。
【図７ｂ】図６のIII−III’方向に沿った製造工程図。
【図７ｃ】図６のIII−III’方向に沿った製造工程図。
【図７ｄ】図６のIII−III’方向に沿った製造工程図。
【図７ｅ】図６のIII−III’方向に沿った製造工程図。
【図８】本発明による第２実施形態であり、トリプルス
キャン構造の有機ＥＬ素子の平面図。
キャン構造の有機ＥＬ素子の平面図。
【図９】図４及び図８のＩ−Ｉ’，II−II’方向に沿っ
た製造工程図。
た製造工程図。
【図１０】図８の他の実施形態であり、トリプルスキャ
ン構造の有機ＥＬ素子の断面図。
ン構造の有機ＥＬ素子の断面図。
【図１１】図８の他の実施形態であり、トリプルスキャ
ン構造の有機ＥＬ素子の平面図。
ン構造の有機ＥＬ素子の平面図。
【図１２】図１１のIV−IV’方向の断面図。
【図１３】図１１の他の実施形態であり、トリプルスキ
ャン構造の有機ＥＬ素子の断面図。
ャン構造の有機ＥＬ素子の断面図。
１：透明基板
２ａ，２ｂ，２ｃ：補助電極
３ａ，３ｂ，３ｃ：画素
４−１，４−２，４−３，４−４：絶縁膜
４ａ：ビアホール
５ａ，５ｂ，５ｃ：第１電極
６：隔壁
フロントページの続き
(72)発明者 キム，ハク・ス
大韓民国・ソウル・カンブック−ク・ミア
７−ドン・（番地なし）・エスケイ ブ
カンサンシテイ アパートメント・143−
903
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 BA06 CB01 CC00 DB03
EA00
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に形成された多数のデータ電極ラ
インと、そのデータ電極ラインに直交する多数のスキャ
ン電極ラインと、前記電極の間に形成された有機発光層
とからなる有機ＥＬ素子であって、 各データ電極ラインが三を一つのグループとして三に分
離してパターニングされ、同時に三つの画素をスキャン
するようにした有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記各データ電極ラインはスキャン電極
方向と直交する方向にそれぞれ形成される３本の補助電
極ラインと、 前記補助電極に連結され、それぞれの画素を駆動するよ
うに形成される主電極ラインとからなることを特徴とす
る請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記補助電極ラインは、Ｃｒ，Ｍｏ，Ａ
ｌ，Ｃｕなどの電導性材料であるか、この中２つ以上の
化合物であることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ
素子。 - 【請求項４】 前記電極パターンはＩＴＯより形成され
た透明電極であることを特徴とする請求項２記載の有機
ＥＬ素子。 - 【請求項５】 前記３本の補助電極ラインの中２本の補
助電極ラインが同一平面に形成され、これらの補助電極
ライン上に第２絶縁膜を形成し、その第２絶縁膜の上に
前記２本の補助電極ラインの中何れか１本と重なるよう
に残りの補助電極ラインを形成することを特徴とする請
求項２記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 前記重畳して形成した補助電極上に第３
絶縁膜を更に形成することを特徴とする請求項５記載の
有機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 前記３本の補助電極ラインの中第１補助
電極ラインが形成され、その第１補助電極ライン上に第
２絶縁膜を形成し、その第２絶縁膜上に第２補助電極ラ
インを重畳して形成し、前記第２補助電極ライン上に第
３絶縁膜を形成し、前記第３絶縁膜上に再び第３補助電
極ラインを重畳して形成することを特徴とする請求項２
記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項８】 前記第３補助電極ライン上に第４絶縁膜
を更に形成することを特徴とする請求項７記載の有機Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項９】 前記補助電極ラインの幅が互いに等しい
か不等であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ
素子。 - 【請求項１０】 前記データ電極ライン上に第１絶縁膜
を更に形成することを特徴とする請求項１記載の有機Ｅ
Ｌ素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2001-50323 | 2001-08-21 | ||
| KR10-2001-0050323A KR100404203B1 (ko) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003077684A true JP2003077684A (ja) | 2003-03-14 |
Family
ID=19713403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002240550A Pending JP2003077684A (ja) | 2001-08-21 | 2002-08-21 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6831405B2 (ja) |
| EP (1) | EP1286395A3 (ja) |
| JP (1) | JP2003077684A (ja) |
| KR (1) | KR100404203B1 (ja) |
| CN (1) | CN1186968C (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005216625A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 |
| WO2009069397A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Nippon Seiki Co., Ltd. | 有機ｅｌパネル |
| JP2009192981A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Pioneer Electronic Corp | 表示制御装置および表示制御方法 |
| JP2010525539A (ja) * | 2007-04-27 | 2010-07-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 陽極酸化したメタライゼーションを伴う発光デバイス |
| JP2012014168A (ja) * | 2010-06-04 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
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