JP2006185915A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機電界発光素子は、アノード電極層10,20、該アノード電極層等と交差するように配置されたカソード電極層、1つのカソード電極層と2つのアノード電極層が交差する各交差部に形成された有機物層3、及び第1交差部の第1アノード電極層10とそれに隣接した第2交差部の第2アノード電極層20に駆動信号をそれぞれ供給する多層構造を含む。
【選択図】図4f
Description
有機電界発光素子は、透明基板1上に配列されたアノード電極層2、アノード電極層2上に形成された有機電界発光層3(以下、「有機EL層」という。)、有機EL層3上に形成されたカソード電極層4で構成される。
その後、アノード電極層2を横切る形で、多数の隔壁5を形成した後、隔壁5を含む全体構造の上部に、有機EL層3とカソード電極層4を順次に形成する。
また、本発明の目的は、パネルの大きさを増加させなくても、単位面積当たりの発光領域の数を増加できる構造を有する有機電界発光素子及びその製造方法を提供することにある。
続いて、第1のITO層列10に属する第1のITO層12の第1金属ラインM12と第2のITO層列20に属する第2のITO層21の第2金属ラインM21を同一領域に形成する。以下では、前記金属ラインが形成された同一領域を「配線部」と定義する。
続いて、絶縁膜50上に第2データライン21Bを形成する(図4d)。そして、第2データライン21Bは、第2のITO層21と連結される。
続いて、図3に示すように、絶縁膜上に金属電極層を分離するための隔壁をITO層列10、20、30及び40を横切る形で形成する。以後、図4fに示されるように、全体構造上部に、有機物層3と金属層4(例えば、カソード電極層)を順次に形成する。従って、本発明に係る有機電界発光素子の製造方法が完了する。
12 第1のITO層
21 第2のITO層
50 絶縁膜
100 基板
12B 第1データライン
21B 第2データライン
M12 第1金属ライン
M21 第2金属ライン
Claims (20)
- アノード電極層と、
該アノード電極層の上部または下部に配置されるカソード電極層と、
1つのカソード電極層が2つのアノード電極層の上部または下部に配置される部分に形成される有機物層と、
2つのデータラインを含み、該第1データラインは、前記少なくとも2つのアノード電極層の第1アノード電極層に駆動信号を供給し、第2データラインは、前記2つのアノード電極層の第2アノード電極層に駆動信号を供給する多層構造と、を含み、
前記第1,第2データラインは、前記多層構造の別の層に位置することを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記第1データラインは、前記多層構造の交差部で、前記第2データラインの上部または下部に配置することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1,第2アノード電極層は、前記有機電界発光素子上で相互間に隣接して位置することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1,第2アノード電極層間に絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1データラインの上部に配置される第1金属ラインをさらに含み、前記絶縁層は、前記第1金属ラインの上部に配置されることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1データラインの幅は、前記第1金属ラインの幅と実質的に同一であることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2データラインは、前記絶縁層の上部に配置されることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記絶縁層は、前記第2アノード電極層の上部に部分的に配置されることを特徴とする請求項5に有機電界発光素子。
- 前記第2データラインは、前記絶縁層の上部に配置されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2データラインの上部に配置された第2金属ラインをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2金属ラインの幅は、前記第1金属ラインの幅と実質的に同一であることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子。
- アノード電極層と、
アノード電極層の上部または下部に配置されるカソード電極層と、
1つのカソード電極層が少なくとも2つのアノード電極層の上部または下部に配置される部分に形成される有機物層と、
少なくとも2つのデータラインを含み、第1データラインは、前記少なくとも2つのアノード電極層の第1アノード電極層に駆動信号を供給し、第2データラインは、前記少なくとも2つのアノード電極層の第2アノード電極層に駆動信号を供給する多層構造と、を含み、
前記第1,第2データラインは、前記多層構造の別の層に位置することを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記第1,第2アノード電極層は、前記有機電界発光素子上で相互間に隣接して位置し、前記第1,第2アノード電極層間に位置した絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1データラインの上部に配置された第1金属ラインをさらに含み、前記絶縁層は前記第1金属ラインの上部に配置されたことを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2データラインは、前記絶縁層の上部に配置され、前記第2データラインの上部に配置された第2金属ラインをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2金属ラインの幅は、前記第1金属ラインの幅と実質的に同一であることを特徴とする請求項15に記載の有機電界発光素子。
- アノード電極層を形成する段階、
アノード電極層上に有機物層を形成する段階、
有機物層上にカソード電極層を形成し、カソード電極層のそれぞれは少なくとも2つのアノード電極層の上部に配置されるか、または下部に配置される段階、及び
少なくとも2つのデータラインを含み、第1データラインは少なくとも2つのアノード電極層の第1アノード電極層に駆動信号を供給し、第2データラインは少なくとも2つのアノード電極層の第2アノード電極層に駆動信号を供給する多層構造を形成する段階を含み、
前記第1,第2データラインは、多層構造の別の層に位置することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第1,第2アノード電極層間に位置した絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 第1データラインの上部に配置される第1金属ラインを形成する段階をさらに含み、絶縁層は第1金属ラインの上部に配置されることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 絶縁層の上部に配置される第2データラインを形成する段階と、
第2データラインの上部に配置される第2金属ラインを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の有機電界発光素子の製造方法。
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