KR20030017695A - 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 - Google Patents

트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20030017695A
KR20030017695A KR1020010050323A KR20010050323A KR20030017695A KR 20030017695 A KR20030017695 A KR 20030017695A KR 1020010050323 A KR1020010050323 A KR 1020010050323A KR 20010050323 A KR20010050323 A KR 20010050323A KR 20030017695 A KR20030017695 A KR 20030017695A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
organic
electrodes
auxiliary
lines
Prior art date
Application number
KR1020010050323A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100404203B1 (ko
Inventor
김창남
김학수
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR10-2001-0050323A priority Critical patent/KR100404203B1/ko
Priority to EP02018441A priority patent/EP1286395A3/en
Priority to US10/223,659 priority patent/US6831405B2/en
Priority to JP2002240550A priority patent/JP2003077684A/ja
Priority to CNB021495483A priority patent/CN1186968C/zh
Publication of KR20030017695A publication Critical patent/KR20030017695A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100404203B1 publication Critical patent/KR100404203B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자를 제공하기 위한 것으로서, 제1전극(투명전극)과 전기적으로 연결되는 보조전극을 세 라인으로 중첩 혹은 중첩하지 않고 형성하여, 즉 데이터신호가 인가되는 라인을 길이 방향이 아닌 폭방향으로 세 라인으로 나누어 인접하는 세 화소가 동시에 스캔되는 구조를 가지도록 하여 스캔라인 수를 줄이고 상기 보조전극이 중첩하는 경우 보조전극과 제1전극 사이에 절연막을 사용함으로써 유기 EL 소자의 개구율을 현격히 높인다.

Description

트리플 스캔 구조의 유기 ＥＬ 소자{organic electroluminescence device of triple scan structure}
본 발명은 유기 EL 소자에 관한 것으로, 특히 평판 디스플레이 패널을 제작할 때 구동칩이 기존방식보다 적게 들고, 개구율이 높은 유기 EL 소자에 관한 것이다.
패시브 매트릭스(passive matrix) 유기 EL 디스플레이 패널에서 고해상도의 패널일수록 픽셀의 수가 많아지고, 이에 따라 스캔 라인 및 데이터 라인의 수가 많아진다.
스캔 라인의 수가 많아지면 한 픽셀이 발광하는 시간이 그만큼 짧아지고, 이에 따라 단위 시간당 발광하는 시간이 짧아지게 되므로 순간 휘도도 그만큼 높아져야 한다.
도1과 같이 양극 스트립을 반으로 나누어 독자적으로 스캔을 하게 함으로써 스캔의 수를 반으로 줄여 발광 효율 및 수명을 좋게 한다.
도2와 같이 양극 스트립을 폭 방향으로 기존 폭 대비 반으로 나누고, 스캔을 기존 스캔 폭 대비 두배의 넓이로 형성하여 스캔수를 반으로 줄인 방식이 있다.
그러나 도1 및 도2와 같은 방식은 데이터가 양쪽으로 나뉘게 됨으로써 데이터용 칩을 양쪽에 모두 사용하게 됨으로써 원가 상승 문제가 발생한다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 유기 EL을 이용하여 평판 디스플레이 패널을 제작할 때 구동 칩이 기존방식보다 적게 들고, 개구율을 증가시키는 유기 EL 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
데이터라인과 연결되는 보조전극을 폭방향으로 셋으로 나누어 스캔라인수를 줄여 한 스캔에 3개의 데이터를 동시에 구동할 수 있어 소자 효율이 향상되고, 상기 데이터라인의 배선을 한쪽으로 뺌으로써 데이터칩수를 줄일 수 있는 유기 EL 소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도1 및 도2는 종래 기술에 따른 유기 EL 소자의 스캔 구동 개념도.
도3a 내지 도3c는 본 발명에 따른 제1 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도에 따른 제조 공정도.
도4 및 도8은 본 발명에 따른 제2실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도.
도5a 내지 도5c, 도9a 내지 도9b는 각각 도4 및 도8의 Ⅰ-Ⅰ', Ⅱ-Ⅱ'방향에 따른 제조 공정도.
도6은 상기 도4의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도.
도7a 내지 도7e는 도6의 Ⅲ-Ⅲ' 방향에 따른 제조 공정도.
도10은 상기 도8의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도.
도11은 상기 도8의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도.
도12는 도11의 Ⅳ-Ⅳ'방향의 단면도.
도13은 도11의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 투명기판
2a, 2b, 2c : 보조전극
3a, 3b, 3c : 화소
4-1, 4-2, 4-3, 4-4 : 절연막
4a : 비아홀
5a, 5b, 5c : 제1전극
6 : 격벽
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 특징은 제1전극 및 제2전극이 교차하는 영역으로 정의되는 다수개의 화소를 갖고 일방향으로 배열된 화소 어레이 중 인접한 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되는 유기 EL 소자에 있어서, 투명기판 상에 상기 일방향으로 배열된 화소 어레이와 수직한 방향으로 하나의 화소 어레이당 세 라인으로 배열되어, 인접한 세 개의 화소가 상기 세 라인에 각각 연결된 보조전극; 상기 보조전극과 연결되도록 상기 인접한 세 개의 화소에 패터닝되어 형성된 제1전극; 상기 제1전극 상부에 위치하는 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 형성되고 상기 제1전극과 교차하여 형성된 제2전극을 포함하여 구성되는데 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 더블 스캔 구조의 유기 EL 소자의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도3a 내지 도3c는 본 발명에 따른 제1 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도에 따른 제조 공정도를 도시하였다.
도3c에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 EL 소자는 제1전극(5) 및 제2전극(미도시)이 교차하는 영역으로 정의되는 다수개의 화소를 갖고, 일방향으로 배열된 화소 어레이 중 인접한 세 개의 화소 어레이가 동시에 스캔 구동된다.
상기와 같은 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자는 투명기판 상에 상기 일방향으로 배열된 화소 어레이와 수직한 방향으로 하나의 화소 어레이당 세 라인으로 배열되어, 인접한 세 개의 화소(3a, 3b, 3c)가 상기 세 라인에 각각 연결된 보조전극; 상기 보조전극(2a, 2b, 2c)과 연결되도록 상기 인접한 세 개의 화소(3a, 3b, 3c)에 패터닝되어 형성된 제1전극(5a, 5b, 5c)과, 상기 제1전극(5a, 5b, 5c) 상부에 위치하는 유기발광층(미도시)과, 상기 유기발광층 상에 형성되고 상기제1전극(5a, 5b, 5c)과 교차하여 형성된 제2전극을 포함하여 구성되는데 있다.
상기 세 라인의 보조전극 중 한 보조전극(2a)은 상기 화소 어레이 중 첫번째에 위치한 화소(3a)를 제어하도록 상기 화소(3a) 및 그를 제어하는 보조전극(2a) 상부에 제1전극(5a) 패턴을 형성하고, 다른 하나의 보조전극(2b)은 상기 화소 어레이 중 두번째에 위치한 화소(3b)를 제어하도록 상기 화소(3b) 및 그를 제어하는 보조전극(2b) 상부에 제1전극(5b) 패턴을 형성하고, 나머지 보조전극(2c)은 상기 화소 어레이 중 세번째에 위치한 화소(3c)를 제어하도록 상기 화소(3c) 및 그를 제어하는 보조전극(2c)과 연결되도록 제1전극(5c) 패턴을 형성한다.
그리고, 상기 제1전극(5a, 5b, 5c) 패턴의 에지 부분을 커버하도록 상기 투명기판 상에 형성된 절연막(4-4)을 더 포함하고, 상기 일방향으로 배열된 세 화소 어레이 당 하나씩 형성되어 상기 세 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되도록 상기 제2전극을 상기 세 화소 어레이 당 전기적으로 격리시키는 격벽(6)을 더 포함하여 구성된다.
상기와 같은 유기 EL 소자의 제조방법은 도3a 내지 도3c를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도3a와 같이 투명기판 상에 한 화소 어레이 당 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)을 형성한다.
도3a의 하단에 도시한 바와 같이, 라인 저항에 따른 상기 보조전극(2a, 2b, 2c)의 배선 폭을 달리 하여 형성하여도 된다. 즉, 가운데 있는 보조전극(2b)의 경우에는 다른 보조전극(2a, 2c) 사이에 배선이 구불구불하게 형성되므로 각 3개의보조전극 저항이 다를수 있으므로 x, y, z의 배선폭은 달리 형성하여도 된다.
이어 도3b와 같이, 상기 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)과 전기적으로 연결되도록 투명 도전성 물질을 패터닝하여 제1전극(5a, 5b, 5c) 패턴을 형성한다.
그리고, 상기 제1전극(5a, 5b, 5c) 패턴의 에지 부분을 커버하도록 상기 투명기판 상에 절연막(4-4)을 형성한다.
이어 일방향으로 배열된 세 화소 어레이가 외부의 스캔라인(미도시)과 연결되어 상기 세 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되도록 제2전극을 상기 세 화소 어레이 당 전기적으로 격리시키는 격벽(6)을 형성하고, 상기 제1전극(5a, 5b, 5c)의 상부에 유기발광층을 형성한다.
즉, 상기 보조전극(2a, 2b, 2c)과 교차하는 방향의 세 화소(3a, 3b, 3c) 어레이당 하나씩 격벽(6)을 형성한 후, 상기 유기 발광층 상에 제2전극(미도시)을 형성한 후, 패시베이션, 인캡슐레이션을 하면 소자가 완성된다.
상기 일방향으로 배열된 화소 어레이 중 인접한 세 개의 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되도록 상기 보조전극(2a, 2b, 2c)과 교차하는 방향의 인접한 세 화소 어레이 당 하나의 스캔라인(미도시)을 연결하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
도4 및 도8은 본 발명에 따른 제2실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도로 보조전극을 적어도 두 개 이상 중첩한 것을 도시하였고, 도5a 내지 도5c, 도9a 내지 도9b는 각각 도4 및 도8의 Ⅰ-Ⅰ', Ⅱ-Ⅱ'방향에 따른 제조 공정도를 도시하였다.
본 발명의 제2실시예는 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c) 중 적어도 두 라인을 중첩하여 형성하는 것이 특징이다.
즉, 제2실시예는 미세 화소를 형성하는 경우 화소의 개구율을 높이기 위해 보조전극을 중첩하여 다층구조로 형성한 것이다.
첫째, 도4는 두 라인의 보조전극을 중첩하여 이층구조의 보조전극을 형성하고, 상기 중첩된 보조전극 사이에 절연막을 더 형성하는 것으로, 상기 제1실시예의 구성과 거의 동일하므로 그 구성은 생략한다.
도4에 도시한 바와 같이, 세 라인의 보조전극 중 부호 2a, 2b의 보조전극을 중첩하고, 상기 중첩되는 두 라인의 보조전극(2a, 2b) 사이에는 절연막(4-1)을 형성하여 두 라인의 보조전극(2a, 2b)을 전기적으로 격리하여 스캔라인 중 해당 스캔라인에 스캔신호가 인가되고 상기 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)에 각각 독립적으로 콘택된 제1전극(5a, 5b, 5c)에 데이터신호가 인가되면 상기 제1전극(5a, 5b, 5c) 상부에 형성된 유기발광층이 발광을 하고, 발광시간은 한 라인의 보조전극을 형성하였을 때보다 3배로 증가된다.
그리고, 상기 두 라인의 보조전극(2a, 2b)을 중첩하여 형성하였기 때문에 제1전극의 형성영역을 확장시켜 화소의 발광효율이 더욱 증가된다.
상기와 같은 유기 EL 소자의 제조방법은 도4, 및 도5a 내지 도5d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도5a와 같이 투명기판(1) 상에 두 라인의 보조전극(2a, 2c)을 형성하고, 상기 두 라인의 보조전극은 스트라이프 패턴 및 스트라이프 패턴과 연결되어 돌출부를 갖도록 형성한다.
이어 도5b와 같이, 상기 보조전극(2a, 2c) 상에 절연막(4-1)을 형성하고, 상기 보조전극(2a) 상부에 형성된 절연막(4-1) 상에 상기 보조전극(2b)을 스트라이프 패턴 및 스트라이프 패턴과 연결되어 돌출부를 갖도록 형성하여 두 보조전극(2a, 2b)을 중첩한다.
이어 도5c와 같이, 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)과 전기적으로 연결되도록 투명 도전성 물질을 패터닝하여 제1전극(5a, 5b, 5c) 패턴을 형성한다.
그리고, 도5d와 같이 상기 제1전극(5a, 5b, 5c) 패턴의 에지 부분을 커버하도록 상기 투명기판 상에 절연막(4-4)을 형성한다.
이어 일방향으로 배열된 세 화소 어레이가 외부의 스캔라인(미도시)과 연결되어 상기 세 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되도록 제2전극을 상기 세 화소 어레이 당 전기적으로 격리시키는 격벽(6)을 형성하고, 상기 제1전극(5a, 5b, 5c)의 상부에 유기발광층을 형성한다.
즉, 상기 보조전극(2a, 2b, 2c)과 교차하는 방향의 세 화소(3a, 3b, 3c) 어레이당 하나씩 격벽(6)을 형성한 후, 상기 유기 발광층 상에 제2전극(미도시)을 형성한 후, 패시베이션, 인캡슐레이션을 하면 소자가 완성된다.
상기 일방향으로 배열된 화소 어레이 중 인접한 세 개의 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되도록 상기 보조전극(2a, 2b, 2c)과 교차하는 방향의 인접한 세 화소 어레이 당 하나의 스캔라인(미도시)을 연결하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
그리고, 도6은 상기 도4의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도를 도시하였고, 도7a 내지 도7e는 도6의 Ⅲ-Ⅲ' 방향에 따른 제조 공정도를 도시하였다.
도6 및 도7c에 도시한 바와 같이, 중첩되는 두 라인의 보조전극(2a, 2b) 사이뿐만 아니라 상기 보조전극(2b) 상부에 절연막(4-2)이 더 형성되는 것으로, 절연막(4-2)을 형성함으로써 더 넓은 면적으로 제1전극(5a, 5b, 5c)을 형성할 수 있다.
도6의 구성은 상기 도4의 구성과 거의 동일하고, 제조 공정 역시 절연막(4-2)을 형성하는 것 이외에 동일하므로 생략한다.
둘째, 도8은 세 라인의 보조전극을 중첩하여 삼층구조의 보조전극을 형성하고, 상기 중첩된 보조전극 사이에 절연막을 더 형성하는 것으로, 상기 제1실시예의 구성과 거의 동일하므로 그 구성은 생략한다.
도8 및 도9a에 도시한 바와 같이, 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)을 모두 중첩하고, 보조전극(2a, 2b, 2c) 사이에는 절연막(4-1, 4-2)을 형성하여 두 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)을 전기적으로 격리하여 스캔라인 중 해당 스캔라인에 스캔신호가 인가되고, 상기 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)에 각각 독립적으로 콘택된 제1전극(5a, 5b, 5c)에 데이터신호가 인가되면 상기 제1전극(5a, 5b, 5c) 상부에 형성된 유기발광층이 발광을 하고, 발광시간은 한 라인의 보조전극을 형성하였을 때보다 3배로 증가된다.
그리고, 상기 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c)을 중첩하여 형성하였기 때문에 제1전극의 형성영역을 확장시켜 화소의 발광효율이 더욱 증가된다.
도10은 상기 도8의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도를 도시하였다.
도10은 상기 도8의 구성과 거의 동일하고, 도10에 도시한 바와 같이, 중첩되는 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c) 사이뿐만 아니라, 상기 보조전극(2c)의 상부에 절연막(4-3)이 더 형성되는 것으로, 절연막(4-3)을 형성함으로써 더 넓은 면적으로 제1전극(5a, 5b, 5c)을 형성할 수 있다.
도11은 상기 도8의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 평면도를 도시하였고, 도12는 상기 도11의 Ⅳ-Ⅳ'방향에 따른 단면도를 도시하였다.
도11은 중첩되는 절연막(4-1, 4-2)이 비아홀(4a)을 갖고 투명기판까지 확장하여 형성되어 상기 제1전극(5a, 5b, 5c)을 상기 비아홀(4a)을 통해 상기 인접한 세 화소(3a, 3b, 3c)에 형성된 보조전극(2a, 2b, 2c)에 콘택시킨다.
도13은 상기 도11의 다른 실시예로, 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자의 단면도를 도시한 것으로, 세 라인의 보조전극(2a, 2b, 2c) 사이뿐만 아니라 상기 보조전극(2c) 상부에 절연막(4-3)이 더 형성되는 것으로, 절연막(4-3)을 형성함으로써 더 넓은 면적으로 제1전극(5a, 5b, 5c)을 형성할 수 있다.
제1, 2, 3 실시예에서, 격벽(6)을 경계로 분리된 제2전극에 전기적으로 연결된 스캔라인에 스캔신호가 인가되고, 상기 제2전극 하부에 제2전극과 교차하여 형성되고 보조전극(2a, 2b, 2c)에 의해 데이터신호가 인가되면, 상기 데이터신호가 보조전극(2a, 2b, 2c)과 전기적으로 연결된 제1전극(5a, 5b, 5c)에 전달되어 해당 화소(3a, 3b, 3c)를 발광시킨다.
한번의 스캔에 의해 3개의 화소(3a, 3b, 3c)가 동시에 발광하므로 발광타임을 두 배로 증가하고, 스캔라인 수가 반으로 줄어든다.
그리고 상기 제1, 제2, 제3 실시예에서 보조전극(2a, 2b, 2c)의 재료는 전도성 물질을 사용하면 되며, 특히 Cr, Mo, Al, Cu 이것의 합금 및 두 개 이상 동시에 사용하는 것도 가능하다. 두께는 0.01~10㎛이고, 선폭은 소자에 따라 다르게 형성할 수 있다.
절연막(4-1, 4-2, 4-3, 4-4)의 재료로는 무기 및 유기 절연막 모두 사용 가능하며, 무기절연막에는 산화계 절연막(oxide류, SiO2)와 질화계 절연막(nitride류, SiNx)가 좋으며, 유기 절연막은 폴리머(특히 polyacryl류, polyimidefb, novolac, polyphenyl, polystylene)면 된다. 또한 절연막의 두께는 0.01~10㎛면 되며, 가시광선에 대하여 흡광도가 낮은 물질이 좋다.
상기 절연막(4-1, 4-2, 4-3, 4-4)의 재료는 동일하거나 다른 물질의 이용가능하다.
상기 절연막(4-4)은 제1전극(5a, 5b, 5c)과 제2전극의 단락을 방지하기 위해 공정 중에 에지부분이 손상되기 쉬운 상기 제1전극(5a, 5b, 5c)의 에지부분을 커버하도록 형성한다.
그리고 상기 제1전극(5a, 5b, 5c)은 투명전극이고, 제2전극은 금속전극이다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자는 다음과 같은 효과가 있다.
보조전극을 길이방향이 아닌 폭방향으로 세 부분으로 나누어 스캔라인 수를 줄이고, 데이터 칩수를 줄이는 방식을 사용함으로써 한 화소가 발광하는 시간을 세배로 증가시켜 화소의 발광효율을 높인다.
또한 제1전극과 전기적으로 연결되는 세 라인의 보조전극 중 적어도 두 라인을 중첩되도록 형성하여, 각 화소가 상기 세 라인의 보조전극에 의해 독립적으로 제어되기 위해 절연막으로 절연시켜 투명기판 상에서 보조전극이 차지하는 면적을 감소시키고, 투명전극인 제1전극을 넓게 형성시켜 그만큼 화소의 개구율을 현격히 증대시켜 화소의 발광효율을 높인다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (7)

  1. 제1전극 및 제2전극이 교차하는 영역으로 정의되는 다수개의 화소를 갖고, 일방향으로 배열된 화소 어레이 중 인접한 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되는 유기 EL 소자에 있어서,
    투명기판 상에 상기 일방향으로 배열된 화소 어레이와 수직한 방향으로 하나의 화소 어레이당 세 라인으로 배열되어, 인접한 세 개의 화소가 상기 세 라인에 각각 연결된 보조전극;
    상기 보조전극과 연결되도록 상기 인접한 세 개의 화소에 패터닝되어 형성된 제1전극;
    상기 제1전극 상부에 위치하는 유기발광층;
    상기 유기발광층 상에 형성되고 상기 제1전극과 교차하여 형성된 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세 라인의 보조전극 중 적어도 두 라인은 중첩되어 형성된 것을 특징으로 하는 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 중첩되는 적어도 두 라인의 보조전극 사이에는 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 중첩되는 적어도 두 라인의 보조전극 상부에 절연막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자.
  5. 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연막은 비아홀을 갖고 상기 투명기판까지 확장하여 형성되어 상기 제1전극을 상기 비아홀을 통해 상기 인접한 세 화소에 형성된 보조전극에 콘택시키는 것을 특징으로 하는 트리플 스캔 구조의 유기 EL 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전극 패턴의 에지 부분을 커버하도록 상기 투명기판 상에 형성된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 더블 스캔 구조의 유기 EL 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 일방향으로 배열된 세 화소 어레이 당 하나씩 형성되어 상기 세 화소 어레이가 동시에 스캔 구동되도록 상기 제2전극을 상기 세 화소 어레이 당 전기적으로 격리시키는 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 더블 스캔 구조의 유기 EL 소자.
KR10-2001-0050323A 2001-08-21 2001-08-21 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 KR100404203B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0050323A KR100404203B1 (ko) 2001-08-21 2001-08-21 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자
EP02018441A EP1286395A3 (en) 2001-08-21 2002-08-16 Organic electroluminescence device
US10/223,659 US6831405B2 (en) 2001-08-21 2002-08-20 Organic electroluminescence device
JP2002240550A JP2003077684A (ja) 2001-08-21 2002-08-21 有機ｅｌ素子
CNB021495483A CN1186968C (zh) 2001-08-21 2002-08-21 有机电致发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0050323A KR100404203B1 (ko) 2001-08-21 2001-08-21 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030017695A true KR20030017695A (ko) 2003-03-04
KR100404203B1 KR100404203B1 (ko) 2003-11-03

Family

ID=19713403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0050323A KR100404203B1 (ko) 2001-08-21 2001-08-21 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6831405B2 (ko)
EP (1) EP1286395A3 (ko)
JP (1) JP2003077684A (ko)
KR (1) KR100404203B1 (ko)
CN (1) CN1186968C (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101102522B1 (ko) * 2008-11-03 2012-01-03 현대중공업 주식회사 변압기용 히트파이프식 냉각장치
US9859344B2 (en) 2015-02-24 2018-01-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US10008556B2 (en) 2016-06-27 2018-06-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496425B1 (ko) * 2003-05-30 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2005216625A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法
KR100682834B1 (ko) * 2004-12-01 2007-02-15 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100687216B1 (ko) * 2004-12-24 2007-02-27 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100701947B1 (ko) * 2005-01-13 2007-03-30 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
JP2008010744A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Canon Inc 表示素子及び表示システム
TW200818981A (en) * 2006-08-30 2008-04-16 Sumitomo Chemical Co Organic electroluminescence device
JP2008181986A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ
RU2457584C2 (ru) * 2007-04-27 2012-07-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
JP5077753B2 (ja) * 2007-11-29 2012-11-21 日本精機株式会社 有機ｅｌパネル
JP2009192981A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Pioneer Electronic Corp 表示制御装置および表示制御方法
KR101758297B1 (ko) * 2010-06-04 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP6892576B2 (ja) * 2017-04-28 2021-06-23 天馬微電子有限公司 表示装置
CN110767675B (zh) * 2018-08-06 2022-06-17 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示屏和显示终端
KR20200102025A (ko) * 2019-02-20 2020-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN210516181U (zh) * 2019-09-29 2020-05-12 昆山国显光电有限公司 透明显示基板及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01283792A (ja) * 1988-05-11 1989-11-15 Sharp Corp カラーｅｌパネル
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5445899A (en) * 1992-12-16 1995-08-29 Westinghouse Norden Systems Corp. Color thin film electroluminescent display
TW364275B (en) * 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
KR100300858B1 (ko) * 1998-02-13 2001-09-26 구자홍 플라즈마 표시패널 및 그 구동방법
JP2000029432A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
KR100267964B1 (ko) * 1998-07-20 2000-10-16 구자홍 유기 이엘(el) 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
JP2001033809A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子
JP2001155867A (ja) * 1999-11-30 2001-06-08 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
US6657396B2 (en) * 2000-01-11 2003-12-02 Sony Corporation Alternating current driven type plasma display device and method for production thereof
JP2001217081A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Sharp Corp 有機発光表示装置
JP2001267085A (ja) * 2000-03-23 2001-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光装置およびその製造方法
US6838819B2 (en) * 2000-06-19 2005-01-04 Lg Electronics Inc. Full color organic EL display panel, manufacturing method thereof and driving circuit thereof
KR100797374B1 (ko) * 2001-06-05 2008-01-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100806891B1 (ko) * 2001-07-10 2008-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101102522B1 (ko) * 2008-11-03 2012-01-03 현대중공업 주식회사 변압기용 히트파이프식 냉각장치
US9859344B2 (en) 2015-02-24 2018-01-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US10090366B2 (en) 2015-02-24 2018-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US10396136B2 (en) 2015-02-24 2019-08-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US10008556B2 (en) 2016-06-27 2018-06-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US10332953B2 (en) 2016-06-27 2019-06-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20030038589A1 (en) 2003-02-27
CN1406102A (zh) 2003-03-26
EP1286395A2 (en) 2003-02-26
EP1286395A3 (en) 2006-10-25
US6831405B2 (en) 2004-12-14
JP2003077684A (ja) 2003-03-14
CN1186968C (zh) 2005-01-26
KR100404203B1 (ko) 2003-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100404203B1 (ko) 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자
KR100404204B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자
JP3917132B2 (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
KR100421879B1 (ko) 더블 스캔 구조의 유기 ｅｌ 표시소자
JP7048292B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
EP3121862A1 (en) Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode display device including the same
KR100434276B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자
JPH0982476A (ja) 有機電界発光素子
JP4639662B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
EP4207982A1 (en) Light emitting display device and method of manufacturing the same
KR100404206B1 (ko) 더블 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
KR100404205B1 (ko) 더블 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
JP7493577B2 (ja) 発光表示装置およびその製造方法
JP7220084B2 (ja) 表示装置
US20230207734A1 (en) Light Emitting Display Device
KR20230103721A (ko) 발광 표시 장치
KR20220005276A (ko) 표시 장치
CN116686090A (zh) 显示装置的制造方法及显示装置
CN112470285A (zh) 柔性显示面板及其制作方法、显示装置及掩膜版
KR20040093171A (ko) 액티브 매트릭스 전계 발광 표시 장치들, 및 이들의 제조
KR20080039729A (ko) 디스플레이 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100929

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee