JP2003331736A - プラズマディスプレイ装置とその製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイ装置とその製造方法

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JP2003331736A
JP2003331736A JP2002132672A JP2002132672A JP2003331736A JP 2003331736 A JP2003331736 A JP 2003331736A JP 2002132672 A JP2002132672 A JP 2002132672A JP 2002132672 A JP2002132672 A JP 2002132672A JP 2003331736 A JP2003331736 A JP 2003331736A
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秀隆 東野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 AC−PDPの列電極、行電極を金属3層構
造で形成して製造するとき、中間層の膜厚が大きいと、
上層が庇状になって迫り出す傾向を抑え、電極間の異常
放電を解消できる長寿命で信頼性に優れたPDPを提供
すること。 【解決手段】 列電極を形成する一方の透明絶縁基板上
に第1の耐熱性金属層203を形成する工程と、第1の
耐熱性金属層203にめっきにより低抵抗金属層220
を形成する工程と、低抵抗金属層220上にめっきによ
り第2の耐熱性金属層221を形成して前面板を作製
し、行電極を形成する他方の透明絶縁基板上に第1の耐
熱性金属層203を形成する工程と、第1の耐熱性金属
層203上にめっきにより低抵抗金属層を形成する工程
と、低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
を形成する工程と、第2の耐熱性金属層を被覆するよう
に透明電極を形成して背面板を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の画素を有
し、画素単位で発光する自発光型のマトリックス型表示
装置に関し、特に動画、静止画や映像を表示するための
高精細プラズマディスプレイパネル(PDPとも呼ぶ)
を用いたプラズマディスプレイ装置とその製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、大型の平板型表示装置(フラット
パネルディスプレイとも呼ぶ)として希ガス放電による
紫外線で蛍光体を励起発光させて画像・映像表示に利用
するPDPの開発が加速しており、コンピューター等に
代表される情報処理装置の表示機器として、あるいは大
型のテレビジョン受信機や公衆表示用モニターとしての
社会的要望が増大している。
【0003】各種の平板型表示装置の中でも、PDPは
当初から対角1m以上の製品を目標に開発されてきた。
PDPの製造方法は厚膜印刷技術が用いられている。同
じ平板型表示装置である液晶表示装置の製造に用いられ
ている半導体製造技術から派生した方法を用いていない
等、現状のPDPの製造方法は必ずしも最善のものが用
いられているというわけではないが、最適を目指して次
々と新しい技術が開発されてきている。
【0004】PDPには交流駆動方式と直流駆動方式が
あるが、ここでは一般的な交流駆動方式のPDP(AC
−PDPとも呼ぶ)の構造を図10に示した。AC−P
DPにも各種の方式があるが、図10(a)は面放電型
と呼ばれる方式の構造を1例として、その一部を立体的
に描いた斜視図で示している。PDPは、ガラス製の前
面板1、背面板2にそれぞれ行電極、列電極が直交配置
され、画素(ピクセル)となる行・列両電極の交点およ
び両基板間にある隔壁により放電空間3を形成する構造
となっている。
【0005】面放電型のAC−PDPでは図10(a)
に示したように、前面板1には、前面ガラス基板10上
に放電の維持信号を入力するための維持電極13および
順次表示用の走査信号を入力するための走査電極14が
それぞれ対をなして平行に複数形成されて行電極を構成
し、これら行電極上に放電による壁電荷を形成するため
の透明な誘電体層11、さらにその上にMgOからなる
保護膜12が形成されている。また、隣り合う維持電極
13と走査電極14対間に、表示面のコントラストを高
めるため、遮光層となるブラックマトリックス15を必
要に応じて形成することもある。
【0006】図10(b)は、前面板1の前面ガラス基
板10に形成される各構成要素の詳細構造をA−A’断
面で示した部分断面図である。行電極である維持電極1
3および走査電極14は、透明電極100と透明電極1
00上に形成されるバス電極となる導電体層101から
構成されている。また、表示面のコントラストを高める
ため、導電体層101の下層に黒色層102を設けて維
持電極13および走査電極14を形成することもある
が、ここではブラックマトリックス15とともに詳しい
説明を省略する。
【0007】一方、図10(c)は、図10(a)の背
面板2において背面ガラス基板16に形成される各構成
要素部材のB−B’断面における詳細構造を示す部分断
面図である。背面板2には、背面ガラス基板16上に複
数の表示データ信号を入力するための列電極となるアド
レス電極(データ電極とも呼ぶ)19が、前面板1の行
電極を構成する維持電極13および走査電極14とそれ
ぞれ交差する方向に複数形成されている。アドレス電極
19の上にやはり放電による壁電荷を形成するための下
地誘電体層17、さらにその上にアドレス電極19と平
行して隔壁18が形成され、隔壁18上には赤、青、緑
に発光する蛍光体層20が設けられている。
【0008】そして、前面板1と背面板2とをフリット
ガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせ
てパネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった
後、放電ガスとしてNe、Xe等を主体とする希ガスを
封入して、放電空間3が形成されたPDPパネルを作製
する。完成したPDPパネルには、バス電極である走査
電極14と維持電極13および列電極とに電気信号を供
給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライ
バICが搭載されたCОB(Chip on Boar
d)すなわちプリント基板をFPC(Flexible
Print Circuit)等を用いて接続し、そ
の後は支持体またはキャビネット内に上記のPDPパネ
ルを取り付け、制御信号回路や電源回路を組み込んで表
示装置として完成する。維持電極13および走査電極1
4、アドレス電極19に所定の信号の電圧パルスを印加
することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放
出し、その紫外線により隔壁18上に設けられた蛍光体
層20が可視光を励起発光し、情報を表示することがで
きる。必要に応じてチューナ等が内蔵されれば、それは
PDPテレビと称される。
【0009】PDPパネルでは、行電極である走査電極
14と維持電極13の低抵抗化のために付加されるバス
電極となる導電体層101と列電極であるアドレス電極
19の2種類の金属配線パターンが必要である。バス電
極には大きなピーク電流を流す必要があり、かつ、蛍光
体層20からの光取出し効率を高くするためにパターン
幅は小さくなければならない。また、バス電極はパネル
表示面の外光反射特性に大きく寄与する。一方、アドレ
ス電極19に関してはバス電極程の低抵抗化も黒色化の
必要もないため、プロセス上の制約は少ない。
【0010】このような背景の下、前面板1の行電極で
あり、バス電極となる導電体層101の金属配線パター
ン材としては低抵抗性を重視して、銀系合金または安価
な銅を活用するためにCr−Cu−Crの3層構造のい
ずれかを採用しているが、ここでは本発明においても採
用している、後者の3層構造の電極構成と製造方法につ
いて説明する。図11は図10(b)と同様に、前面板
1のA−A’断面図を用いて、前面板1上に電極を形成
する製造工程に関して順次示している。なお、前面板1
の製造工程において、電極等の各構成要素を前面ガラス
基板10の上に配置形成していくので、図11以降の図
面では前面板1が図10(b)とは上下が逆転した配置
で示していることを断っておく。
【0011】まず、図11(a)に示したように所定の
板厚の例えばソーダライム系の前面ガラス基板10上に
スパッタ蒸着等による真空製膜装置を用いて所定の膜厚
で透明導電層を被着し、微細加工技術により表示電極と
なる透明電極100を形成する。透明導電層用材料に
は、ITО(Indium−Tin Oxide)を使
用し、0.1μm程度の膜厚で形成することが多い。
【0012】次に、図11(b)に示したように同じく
スパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて、第1Cr層1
03、Cu層104、第2Cr層105の順番に各金属
導体層をそれぞれ所定の膜厚で3層製膜する。各金属層
の膜厚は、例えば、第1Cr層103、第2Cr層10
5が0.1μm程度、Cu層104が2〜4μm程度で
形成することが多い。
【0013】続いて、前面ガラス基板10の全面に感光
性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いた紫外線の選択照
射と現像によりバス電極となる行電極に対応したレジス
トパターン106を得る。その後、レジストパターン1
06をマスクとして所定のCr食刻液を用いて上層の第
2Cr層105を選択的に除去して図11(c)に示し
たように、第2Cr電極層105aを残し、Cu層10
4を露出する。
【0014】引き続き、図11(d)に示したようにレ
ジストパターン106と上層の第2Cr電極層105a
をマスクとして所定の銅食刻液を用いて露出したCu層
104を選択的に除去してCu電極層104aを残し
て、下層の第1Cr層103を露出する。
【0015】さらに、図11(e)に示したようにレジ
ストパターン106と中間に残された第2Cr電極層1
05a、Cu電極層104aをマスクとして再び所定の
Cr食刻液を用いて下層の第1Cr層103を選択的に
除去して下地である透明電極100と前面ガラス基板1
0を露出させる。
【0016】最後に、図11(f)に示したように剥離
液を用いて3層の各金属導体層の食刻に用いたレジスト
パターン106を除去し、純水を用いて十分に各食刻液
等の薬液成分を除去してから前面板1を乾燥し、特に図
示はしていないが次工程で透明絶縁体からなる誘電体層
11とMgOからなる保護膜12を形成する。
【0017】一方、背面板2は、背面ガラス基板16上
に直接第1Cr層、Cu層、第2Cr層からなる3層構
成の列電極となるアドレス電極19が形成され、さらに
(白色)絶縁体からなる誘電体層17の形成工程、隔壁
(リブ)18の形成工程、蛍光体層20の塗布、形成工
程の順を経て製造される。ただ、アドレス電極19の電
極構成に関しては、透明電極は不要であるが、前面板1
の行電極となるバス電極と同じであり、前面板1のバス
電極との差異は抵抗値が高くてもよいので3層構成の中
間層のCu層の膜厚を、例えば1〜2μm程度に薄くし
てもよい。以上説明したような、銀系合金を使用せずに
安価なCu(銅)を用いたCr−Cu−Crの金属3層
構造で列電極、行電極を形成してAC−PDPを製造す
る方法が知られている(例:特開昭52−70749号
公報)。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】Cr−Cu−Crの金
属3層構造で列電極、行電極を形成してAC−PDPを
製造する場合、薬剤液(食刻液あるいはエッチャント)
を用いてこのような多層膜を上層から下層に向かって順
次食刻(エッチング)すると、上層部の薄膜パターンが
マスクとして下層の薄膜が食刻されるので、断面形状で
は上層部の薄膜パターンが庇状になって迫り出してしま
うのが一般的である。特に上記のAC−PDPの列およ
び行電極を金属3層構造で形成する場合のように、中間
層と上、下層の膜厚差が大きい場合には、この上層部の
薄膜パターンが庇状になって迫り出す傾向が著しい。上
記AC−PDPでは第1Cr層、Cu層、第2Cr層の
3層構成で下層の第1Cr層を食刻するとき、上層の第
2Cr層も除去してその傾向を抑制しようとしている
が、いずれにせよ中間層のCu層の膜厚が大きいのでC
u層の断面形状は前面または、背面ガラス基板から離れ
るほど、垂直性が増すことは避けられない。このような
状態になると、その後に形成される誘電体層(白色絶縁
体からなる誘電体層および透明絶縁体からなる誘電体
層)のエッジ部における絶縁耐圧の低下が生じ、PDP
パネルとしては異常放電の原因となるという課題があっ
た。また、Cr層で覆われていない、すなわちCu層の
露出部分が広いと上記の誘電体層の形成のときに誘電体
層形成用材料に含まれる低融点ガラスとの望ましくはな
い反応が生じやすくなる等の課題もある。
【0019】一方、半導体やTFT液晶の分野ではガス
を用いた反応性食刻(エッチング)によって多層膜の断
面形状が連続的になるようなテーパ制御を既に実施し、
対策をしている。しかしながら、PDPの分野では前面
および背面ガラス基板の大きさが前出の半導体やTFT
液晶の分野で用いられるものよりも大きいことと、また
PDPの生産規模もまだ大きくないため、現時点では一
辺が1mを越えるようなPDP用のガラス基板を処理で
きるドライエッチング装置は市販されていないのが実情
である。たとえ開発されたとしても、膜厚2〜5μm程
度はあるCu層薄膜のドライエッチングは、処理時間だ
けでなく、反応生成物によるパーティクルの発生等の新
たな解決課題を誘発するおそれもあり、期待されるほど
の性能を実現できるか否かは不透明である。
【0020】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、PDPあるいはプラズマディスプレイ
装置の列および行電極をCr層からなる上下層に比べC
u層の中間層が厚い金属3層構造で形成する場合の、電
極形成工程で上層部の薄膜パターンが庇状になって迫り
出す傾向を抑え、その後に形成される誘電体層のエッジ
部における絶縁耐圧の低下を防止し、結果として電極間
の異常放電を解消できる長寿命で信頼性に優れたPDP
を提供できる製造方法とともに、中間層となるCu層の
露出面積の増大を抑え、誘電体層の形成時に誘電体層形
成用材料に含まれる低融点ガラスとの反応を抑制し、さ
らに、電極の断面形状が上に向かって細くなるような選
択的製膜を可能とし、製造工程における工数の削減と開
口率の一定化を可能にして表示品位を向上させたPDP
あるいはプラズマディスプレイ装置を提供できる製造方
法を提案するものである。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイ装置は、一方の透明絶縁基板に、複数配置された
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有し、行電極および列電極のうち少なく
とも一方の電極は、第1の耐熱金性属層上に形成された
低抵抗金属層と、この低抵抗金属層上に形成された第2
の耐熱性金属層とからなる構成を有する。この構成によ
り、列電極の断面形状が庇状になることは回避されて列
電極上に絶縁層を形成するに当たり、絶縁層にピンホー
ルやクラックの発生が低減して画像欠陥が減少する。ま
た、低抵抗金属層と絶縁層との反応は第2の耐熱性金属
層で阻止されて所定の性能を有する絶縁層が得られ、画
像品質が安定する。さらに、第2の耐熱性金属層に反射
率の高い金属層を採用して発光輝度を上げることも可能
である。
【0022】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
は、行電極および列電極のうち少なくとも一方の電極
は、低抵抗金属層の断面形状が台形形状をなし、第2の
耐熱性金属層は第1の耐熱性金属層と低抵抗金属層を覆
うように形成された構成を有する。この構成により、列
電極の断面形状が台形となるので列電極上に絶縁層を形
成するに当たり、誘電体層にピンホールやクラックが発
生するおそれは皆無となり画像欠陥が減少する。また、
低抵抗金属層と絶縁層との反応は第2の耐熱性金属層で
阻止されて所定の性能を有する絶縁層が得られ、画像品
質が安定する。さらに、第2の耐熱性金属層に反射率の
高い金属層を採用することも容易である。また、バス電
極となる行電極の断面形状が台形であるので、行電極上
に表示電極となる透明導電層を形成することが可能とな
る。
【0023】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
は、行電極および列電極のうちの少なくとも一方の電極
は、低抵抗金属層の断面形状が台形形状をなし、第2の
耐熱性金属層は低抵抗金属層上に形成した構成を有す
る。この構成により、列電極とバス電極となる行電極の
いずれも断面形状が台形なので、これらの電極の上に形
成される誘電体層や誘電体層にピンホールやクラックが
発生することはなくなり、異常放電のない安定した表示
画像が得られる。また、列電極の第2の耐熱性金属層に
反射率の高い金属層を採用して表示輝度を上げることも
可能である。バス電極となる行電極の場合、断面形状が
台形であるので、バス電極上に表示電極となる透明導電
層を形成することが可能となる。
【0024】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
は、行電極は、表示電極となる透明導電層と透明導電層
上に導電体で形成されたバス電極とからなり、バス電極
が表示電極に対して自己整合的に形成された構成を有す
る。この構成により、いずれも断面形状が台形をした列
電極とバス電極となる行電極の上に誘電体層を形成する
ので、誘電体層層にピンホールやクラックが発生するこ
とはなくなり、異常放電のない安定した表示画像が得ら
れるという作用に加えて、表示電極の大きさが画像表示
部内で均一となり均質な表示画像が得られる。
【0025】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
は、行電極が、対をなす第1の電極および第2の電極の
うちいずれか一方もしくは双方それぞれを複数本に細分
化して構成し、かつ細分化したそれぞれの電極単位内は
細線で接続されている。この構成により、細分化した電
極構造は、透明電極がなくてもよく、透明電極形成の工
数を削減できて、より安価にPDPを提供することが可
能となり、細分化した電極の側面のカールが抑制される
ので、絶縁耐圧の低下が抑制できて、安定動作に極めて
有効とすることができる。
【0026】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置された
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置を作製
する製造方法において、列電極を形成する透明絶縁基板
上に第1の耐熱性金属層を形成する工程と、第1の耐熱
性金属層にめっきにより低抵抗金属層を形成する工程
と、低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
を形成する工程とを有する。この方法により、第1の耐
熱性金属層に低抵抗金属層と第2の耐熱性金属層とがめ
っきにより順次形成されていくので、これらの積層の断
面形状に庇が発生することは皆無である。
【0027】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置された
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置を作製
する製造方法において、行電極を形成する透明絶縁基板
上に第1の耐熱性金属層を形成する工程と、第1の耐熱
性金属層上にめっきにより低抵抗金属層を形成する工程
と、低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
を形成する工程と、第2の耐熱性金属層を被覆するよう
に透明導電性を有する表示電極を形成する工程とを有す
る。この方法により、第1の耐熱性金属層に低抵抗金属
層と第2の耐熱性金属層とがめっきにより順次形成され
ていくので、これらの積層の断面形状に庇が発生するこ
とは皆無であり、これらの積層を含んで透明導電性の表
示電極を形成することが可能となる。
【0028】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置された
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置を作製
する製造方法において、列電極を形成する透明絶縁基板
上に第1の耐熱性金属層を形成する工程と、透明絶縁基
板に第1の耐熱性金属層を形成した上にネガ型の感光性
樹脂を塗布する工程と、透明絶縁基板の感光性樹脂を塗
布した側の裏面から紫外線を照射する工程と、現像によ
って第1の耐熱性金属層上に断面形状が台形をした空間
を形成して、第1の耐熱性金属層を選択的に露出させる
工程と、第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状
が台形の低抵抗金属層を形成する工程と、感光性樹脂を
除去する工程と、第1の耐熱性金属層の側面と低抵抗金
属層の側面および上面とにめっきにより第2の耐熱性金
属層を形成する工程とを有する。この方法により、第1
の耐熱性金属層上にその断面形状が台形の低抵抗金属層
がめっきにより形成され、さらにこれらの金属層上に第
2の耐熱性金属層が再びめっきにより順次形成されてい
くので、これらの積層の断面形状は台形を保つことが容
易である。
【0029】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置された
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の製造
方法において、行電極を形成する透明絶縁基板上に第1
の耐熱性金属層を形成する工程と、透明絶縁基板に第1
の耐熱性金属層を形成した上にネガ型の感光性樹脂を塗
布する工程と、透明絶縁基板の感光性樹脂を塗布した側
の裏面から紫外線を照射する工程と、現像によって第1
の耐熱性金属層上に断面形状が台形をした空間を形成し
て、第1の耐熱性金属層を選択的に露出させる工程と、
第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台形の
低抵抗金属層を形成する工程と、感光性樹脂を除去する
工程と、第1の耐熱性金属層の側面と低抵抗金属層の側
面および上面とにめっきにより第2の耐熱性金属層を形
成する工程と、第2の耐熱性金属層を被覆するように透
明導電性を有する表示電極を形成する工程とを有する。
この方法により、第1の耐熱性金属層にその断面形状が
台形の低抵抗金属層がめっきにより形成され、さらにこ
れらの金属層上に第2の耐熱性金属層が再びめっきによ
り順次形成されていくので、これらの積層の断面形状は
台形を保つことが容易であり、これらの積層を含んで透
明導電性の表示電極を形成しても段切れが生じない。
【0030】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置された
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の製造
方法において、列電極を形成する透明絶縁基板上に第1
の耐熱性金属層を形成する工程と、透明絶縁基板に第1
の耐熱性金属層を形成した上にネガ型の感光性樹脂を塗
布する工程と、透明絶縁基板の感光性樹脂を塗布した側
の裏面から紫外線を照射する工程と、現像によって第1
の耐熱性金属層上に断面形状が台形をした空間を形成し
て、第1の耐熱性金属層を選択的に露出させる工程と、
第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台形の
低抵抗金属層を形成する工程と、低抵抗金属層上にめっ
きにより第2の耐熱性金属層を形成する工程と、感光性
樹脂を除去する工程とを有する。この方法により、第1
の耐熱性金属層にその断面形状が台形の低抵抗金属層が
めっきにより形成され、さらに台形の低抵抗金属層上に
第2の耐熱性金属層が再びめっきにより順次形成されて
いくので、これらの積層の断面形状は台形となる。
【0031】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置された
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置を作製
する製造方法において、行電極を形成する透明絶縁基板
上に第1の耐熱性金属層を形成する工程と、透明絶縁基
板に第1の耐熱性金属層を形成した上にネガ型の感光性
樹脂を塗布する工程と、透明絶縁基板の感光性樹脂を塗
布した側の裏面から紫外線を照射する工程と、現像によ
って第1の耐熱性金属層上に断面形状が台形をした空間
を形成して、第1の耐熱性金属層を選択的に露出させる
工程と、第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状
が台形の低抵抗金属層を形成する工程と、低抵抗金属層
上にめっきにより第2の耐熱性金属層を形成する工程
と、感光性樹脂を除去する工程と、第1の耐熱性金属層
と低抵抗金属層および第2の耐熱性金属層よりなる積層
を被覆するように透明導電性を有した表示電極を形成す
る工程とを有する。この方法により、第1の耐熱性金属
層パターン上にその断面形状が台形の低抵抗金属層がめ
っきにより形成され、さらに台形の低抵抗金属層上に第
2の耐熱性金属層が再びめっきにより順次形成されてい
くので、これらの積層の断面形状は台形となる。従って
これらの積層を含んで透明導電性を有した表示電極を形
成しても段切れが生じない。
【0032】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置されて
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置を作製
する製造方法において、列電極を形成する透明絶縁基板
上に透明導電層よりなる表示電極を形成する工程と、表
示電極上に第1の耐熱性金属層を形成する工程と、透明
絶縁基板の表示電極上に第1の耐熱性金属層を形成した
上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、透明絶縁基
板の感光性樹脂を塗布した側の裏面から紫外線を照射す
る工程と、現像によって第1の耐熱性金属層上に断面形
状が台形をした空間を形成して、第1の耐熱性金属層を
選択的に露出させる工程と、第1の耐熱性金属層上にめ
っきにより断面形状が台形の低抵抗金属層を形成する工
程と、低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属
層を形成する工程と、感光性樹脂を除去する工程とを有
する。この方法により、透明導電性の表示電極を含ん
で、その断面形状が台形の第1の耐熱性金属層と低抵抗
金属層と第2の耐熱性金属層との積層よりなるバス電極
となる行電極が得られる。
【0033】また、本発明のプラズマディスプレイ装置
の製造方法は、一方の透明絶縁基板に、複数配置されて
対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
の透明絶縁基板に、行電極に交差するように複数配置さ
れた列電極とを有するプラズマディスプレイ装置を作製
する製造方法において、行電極を形成する透明絶縁基板
上に透明導電層と第1の耐熱性金属層とを被着する工程
と、透明導電層から形成される表示電極に対応して、行
電極を形成する領域の膜厚が厚い感光性樹脂パターンを
第1の耐熱性金属層上に形成する工程と、感光性樹脂パ
ターンをマスクとして第1の耐熱性金属層と透明導電層
とを選択的に除去する工程と、感光性樹脂パターンの膜
厚を減じて第1の耐熱性金属層を露出する工程と、膜厚
を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして第1の
耐熱性金属層を選択的に除去して透明導電層を露出する
工程と、感光性樹脂パターンを除去する工程と、透明絶
縁基板の表示電極上に第1の耐熱性金属層を形成した上
にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、透明絶縁基板
のネガ型の感光性樹脂を塗布した側の裏面から紫外線を
照射する工程と、現像によって第1の耐熱性金属層上に
断面形状が台形をした空間を形成して、第1の耐熱性金
属層を選択的に露出させる工程と、第1の耐熱性金属層
上にめっきにより断面形状が台形の低抵抗金属層を形成
する工程と、低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱
性金属層を形成する工程と、ネガ型の感光性樹脂を除去
する工程とを有する。この方法により、透明導電性の表
示電極を含んで、その断面形状が台形の第1の耐熱性金
属層と低抵抗金属層と第2の耐熱性金属層との積層より
なるバス電極となる行電極が自己整合的に得られる。ま
た、写真食刻の工程数も削減される。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1〜図8を参照して詳しく説明する。図1〜図8
において、先に説明した図10と同一部材には同じ符号
を付している。
【0035】(第1の実施の形態)図1は本発明の第1
の実施の形態におけるPDPの背面板2の断面図によ
り、AC−PDPの構造およびその製造工程を説明した
ものである。第1の実施の形態のPDPの背面板2の製
造工程においては、まず背面ガラス基板16上にスパッ
タ蒸着等の真空製膜装置を用いて例えば膜厚0.1μm
程度の第1の耐熱性金属層203を形成する。第1の耐
熱性金属層203を形成する材料にはCr(クロム)、
Ta(タンタル)、Ti(チタン)等の高融点金属ある
いは高融点金属の合金をすることが望ましい。ここでは
従来のPDPパネルと同様にCrを選択した。そして、
写真食刻を利用した微細加工技術により図1(a)に示
したように背面ガラス基板16上に列電極となるアドレ
ス電極パターンに対応させて選択的に残して第1の耐熱
性金属層203を形成する。
【0036】次に、電解めっきあるいは無電解めっき等
の電着技術を用いて図1(b)に示したように第1の耐
熱性金属層203上に例えば膜厚2μm程度の低抵抗金
属層220を形成する。めっき可能な低抵抗金属として
はAu(金)、Pt(白金)、Ag(銀)、Cu(銅)
等が挙げられるが、工程作業の安全性と金、白金は高価
であることから、銀または銅が最適である。なお、めっ
きに当たり、第1の耐熱性金属層203のパターンは全
て電気的に並列または直列に接続されている必要がある
が、簡易的には背面ガラス基板16の周辺部で幅広の金
属製のクリップ等で挟持してもよく、精度高く行なうの
であれば背面ガラス基板16の周辺部に全ての第1の耐
熱性金属層203パターンを並列に接続する補助パター
ンを形成しておき、パネル化後にレーザ等の高エネルギ
ビームを収束照射して蒸散させて接続を解除することも
できる。多面取り対応で複数個のPDPが面付けされて
いるのであれば、マザーガラス基板の切断時に並列接続
を解除することも可能であるが、液晶表示装置の静電気
対策あるいは陽極酸化に適応させるために開発された技
術を利用した方法も可能である。
【0037】続いて、再びめっき技術を用いて図1
(c)に示したように低抵抗金属層220上に例えば膜
厚0.1μmの第2の耐熱性金属層221を形成する。
めっき可能な第2の耐熱性金属層221としてはCr
(クロム)、Ni(ニッケル)、Pt(白金)が挙げら
れるが、安価でめっき工程の管理が比較的容易な従来の
PDPに用いた材料と同じCrを選択することが無難で
好ましい。また列電極からの反射光を表示に寄与させて
輝度向上が望めることから、高価なPtを選択してもよ
い。
【0038】このようにして得られた第1の耐熱性金属
層(Cr)203上にCuまたはAgを用いて形成され
た低抵抗金属層220と低抵抗金属層220上にCrま
たはPtを用いて形成された第2の耐熱性金属層221
とからなる三層積層構造を列電極であるアドレス電極1
9とし、引き続き(白色)絶縁体からなる誘電体層17
を画像表示部に形成し、隔壁(リブ)18を形成し、隔
壁18の内壁に蛍光体層20を形成することで、背面板
2の作製が終了する。
【0039】図2は本発明の第1の実施の形態における
PDPの前面板1の断面図により、AC−PDPの構造
およびその製造工程説明したものである。PDPの前面
板1の製造工程においては、まず前面ガラス基板10上
に図2(a)に示したように、背面板2と同様に第1の
耐熱性金属層(Cr)203上にCuまたはAgを用い
て形成された低抵抗金属層420と低抵抗金属層420
上にCrまたはPtを用いて形成された第2の耐熱性金
属層421との積層からなるバス電極となる行電極であ
る走査電極14、維持電極13を形成する。ただし、C
uまたはAgを用いて形成する中間層となる低抵抗金属
層420の膜厚は3〜5μm程度に厚く設計して抵抗値
を下げ、発熱等を抑える必要がある。
【0040】次に、前面ガラス基板10上にスパッタ蒸
着等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程
度の透明導電層として、例えばITO(Indium−
Tin−Oxide)を被着し、写真食刻を利用した微
細加工技術により、図2(b)に示したようにバス電極
となる行電極である走査電極14と維持電極13を含ん
で表示電極となる透明電極100を選択的に形成する。
ITOの食刻(エッチング)に当たり、下地は前面ガラ
ス基板10と第2の耐熱性金属層421(CrまたはP
t)であって、耐薬品性が高く、豊富な選択肢があるI
TOの食刻液(エッチャント)から状況に応じて最適な
ものを選べばよい。引き続き、透明絶縁体からなる誘電
体層11とMgOで保護膜12を画像表示部内に形成し
て前面板1の作製が完了する。
【0041】最後に、一連の製造工程を経て作製した前
面板1と背面板2とをフリットガラス等のシール材を用
いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱し
ながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてXe
(キセノン)を主成分とする不活性ガスを封入して本発
明の第1の実施の形態におけるPDPパネルの製造工程
が終了する。
【0042】以上説明したように、本発明の第1の実施
の形態におけるPDPは、前面板と背面板の電極を金属
導電体膜の三層積層構造とし、最下層を写真食刻利用に
よる微細加工技術で形成した後、中間層と最上層がめっ
き技術を利用して電着形成されているので、製造設備に
高価な蒸着装置ではなく、めっき設備を利用でき、製造
工程の工数を増大させることがない。また、めっき技術
による電極の電着形成は必要な場所を限定して電極を形
成できるので、材料の利用効率が非常に高い製造技術と
なる。また形成された電極は上層の電極が下層の電極よ
りも迫り出して庇形状になることがなく、後で形成され
る誘電体層のエッジ部における絶縁耐圧の低下を防止し
安定した放電が得られるAC−PDPを実現できること
となる。
【0043】なお、本発明の第1の実施の形態において
は、背面板と前面板双方の電極形成をめっき技術による
電着形成を利用して製造した例で説明したが、本発明の
第1の実施の形態はこれに限定されるものではなく、背
面板あるいは前面板のいずれか一方のみの電極形成をめ
っき技術による電着形成により製造したものを用いてパ
ネル化してPDPとしても、上記の効果が得られること
はいうまでもない。ただ、両基板とも電極形成をめっき
技術による電着形成を利用して製造したほうがより大き
い効果が得られることは確かである。
【0044】(第2の実施の形態)本発明の第1の実施
の形態では第1の耐熱性金属層203上に低抵抗金属層
220と第2の耐熱性金属層221とをめっき技術によ
る電着を利用して連続的に形成するため、低抵抗金属層
220が露出することはなく、絶縁体からなる誘電体層
(白色絶縁体からなる誘電体層17と透明絶縁体からな
る誘電体層11)形成時に誘電体層と低抵抗金属層22
0とが反応することは回避されており、低抵抗金属層2
20に耐熱性の低い銀系合金を用いることが容易となる
効果も有している。しかしながら、その断面形状は庇が
できたり逆テーパ状になることはないものの、背面ガラ
ス基板16あるいは前面ガラス基板10と積層パターン
とのなす角度が大きくなることは避けられず、特に、低
抵抗金属層220の膜厚が大きいとその傾向は一層強く
なるという新たな課題が生じてくる。そこで、新たな課
題であるガラス基板と上記積層パターンとのなす角度が
大きくなる傾向を抑制するために、別の製造技術を考案
して、導入した。以下に、新たに考案して導入したAC
−PDPの電極製造技術を第2の実施の形態として説明
する。
【0045】図3は本発明の第2の実施の形態における
背面板2の断面図により、構成された構造およびその製
造工程を説明したものである。本発明の第2の実施の形
態のPDPの背面板2の製造工程においては、まず背面
ガラス基板16上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用
いて例えば膜厚0.1μm程度の第1の耐熱性金属層2
03を形成する。第1の耐熱性金属層203を形成する
材料にはCr(クロム)、Ta(タンタル)、Ti(チ
タン)等の高融点金属あるいは高融点金属の合金を使用
することが望ましい。ここでは従来のPDPパネルと同
様にCrを選択した。そして、写真食刻を利用した微細
加工技術により図3(a)に示したように背面ガラス基
板16上に列電極となるアドレス電極パターンに対応さ
せて選択的に残して第1の耐熱性金属層203を形成す
る。
【0046】次に、背面ガラス基板16上にネガ型の感
光性樹脂50を低抵抗金属層220の膜厚よりも1μm
程度厚く、例えば3μmの膜厚で塗布し、プリベークし
て溶剤を蒸発させた後、図3(b)に示したように背面
ガラス基板16の裏面より紫外線51を照射する。この
とき、適切な露光量よりも過度となる露光量を与えるこ
とが留意点である。
【0047】そうすると現像後には図3(c)に示した
ように列電極パターンエッジからの回り込みにより列電
極パターン(第1の耐熱性金属層203)上に台形の空
間52を形成することができる。好ましくは紫外線51
に基本となる垂直入射成分に加えて適当な斜め成分を付
与すると露光時間に関して不要な長時間化を回避するこ
とが可能となる。その後、必要に応じてポストベークを
行ない感光性樹脂53の耐薬品性を強化すればよい。
【0048】続いて、めっき技術を用いて図3(d)に
示したように列電極となるアドレス電極パターン(第1
の耐熱性金属層203)上に例えば膜厚2μmの低抵抗
金属層520を形成する。めっき技術による電着が可能
な低抵抗金属層520の形成用材料としては第1の実施
の形態において先述したように銀または銅が最適であ
る。このとき、低抵抗金属層520は台形の空間52を
埋めるように成長していくので、低抵抗金属層520の
断面も台形となる。
【0049】引き続き、感光性樹脂53を剥離液等で除
去した後、再びめっき技術を用いて図3(e)に示した
ように第1の耐熱性金属層203の側面と台形の低抵抗
金属層520の側面と上面とに例えば膜厚0.1μmの
第2の耐熱性金属層521を形成する。めっき技術によ
り電着可能な第2の耐熱性金属層521を形成するため
の材料としてはCr、Ni、Pt(白金)が挙げられる
が、安価でめっき工程の管理が比較的容易な従来のPD
Pに用いた材料と同じCrを選択することが無難で好ま
しい。また列電極からの反射光を表示に寄与させて輝度
向上が望めることから、Ptを選択してもよいことは第
1の実施の形態と変らない。
【0050】このようにして得られた第1の耐熱性金属
層(Cr)203上にCuまたはAgを用いて形成され
た台形の低抵抗金属層520と、第1の耐熱性金属層2
03の側面と台形の低抵抗金属層520の側面と上面と
にCrまたはPtを用いて形成された第2の耐熱性金属
層521とからなる三層積層構造を列電極であるアドレ
ス電極19とし、引き続き(白色)絶縁体からなる誘電
体層17を画像表示部に形成し、隔壁(リブ)18を形
成し、隔壁18の内壁に蛍光体層20を形成すること
で、背面板2の作製が終了する。
【0051】また、図4は本発明の第2の実施の形態に
おける前面板1の断面図により、AC−PDPの構造お
よびその製造工程を説明したものである。第2の実施の
形態でも第1の実施の形態と同様に、PDPの前面板1
の製造工程においては、まず前面ガラス基板10上に図
4(a)に示したように、第1の耐熱性金属層(Cr)
203上にCuまたはAgを用いて形成された台形の低
抵抗金属層620と、第1の耐熱性金属層203の側面
と台形の低抵抗金属層620の側面と上面とにCrまた
はPtを用いて形成された第2の耐熱性金属層621と
の積層からなるバス電極となる行電極である走査電極1
4、維持電極13を形成する。ただし、CuまたはAg
を用いて形成した中間層となる低抵抗金属層620の膜
厚は3〜5μm程度に厚く設計して抵抗値を下げ、発熱
等を抑える必要がある。また、低抵抗金属層620の断
面形状を台形にするために、ネガ型の感光性樹脂50の
厚みもこれに比例して厚くして用いる必要があるのはい
うまでもないことである。
【0052】次に、前面ガラス基板10上にスパッタ蒸
着等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程
度の透明導電層として、例えばITO(Indium−
Tin−Oxide)を被着し、写真食刻を利用した微
細加工技術により、図4(b)に示したようにバス電極
となる走査電極14、維持電極13を含んで表示電極と
なる透明電極100を選択的に形成する。引き続き、透
明絶縁体からなる誘電体層11とMgOで保護膜12を
画像表示部内に形成して前面板1の作製が完了する。
【0053】最後に、一連の製造工程を経て作製した前
面板1と背面板2とをフリットガラス等のシール材を用
いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱し
ながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてXe
(キセノン)を主成分とする不活性ガスを封入して本発
明の第2の実施の形態におけるPDPパネルの製造工程
が終了する。
【0054】以上説明したように、本発明の第2の実施
の形態におけるPDPは、背面板の製造工程において、
バス電極となる列電極の第1の耐熱性金属層を形成した
背面ガラス基板上に、ネガ型の感光性樹脂を低抵抗金属
層の膜厚よりも厚く塗布し、背面ガラス基板の裏面より
適切な露光量よりも過度となる露光量の紫外線を照射す
るという裏面露光技術を適用して、電極パターンエッジ
からの回り込みにより列電極パターン上に台形の空間を
形成した上で、Crで形成した第1の耐熱性金属層から
なる列電極パターン上に、めっき技術を用いた電着によ
りAgまたはCuを用いて断面が台形形状の低抵抗金属
層を形成し、その後に感光性樹脂を剥離液等で除去して
から、再びめっき技術を用いて第1の耐熱性金属層の側
面、および、台形の低抵抗金属層の側面と上面とにC
r、Ni、Pt等の材料で第2の耐熱性金属層を形成し
て3層構造の列電極としている。それゆえ、この新たに
考案した製造技術により、低抵抗金属層は耐熱性金属層
で被覆されて露出することなく、絶縁体からなる誘電体
層の形成時に誘電体層と低抵抗金属層が反応することが
回避るとともに背面ガラス基板と形成した電極の積層パ
ターン、特に膜厚が大きい低抵抗金属層とのなす角度が
大きくなるという傾向を抑制することが可能となり、背
面板の終工程で形成される誘電体層のエッジ部における
絶縁耐圧の低下を防止し安定した放電が得られるAC−
PDPを実現できる。
【0055】(第3の実施の形態)本発明の第2の実施
の形態では第1の耐熱性金属層(Cr)203上にめっ
き技術を利用した電着によりCuまたはAgを使用して
断面形状が台形の低抵抗金属層620を選択的に形成し
た後、第1の耐熱性金属層203の側面と台形の低抵抗
金属層620の側面と上面とにCrまたはPtを使用し
て第2の耐熱性金属層621をめっき技術を利用した電
着により連続的に形成するため、第1の実施の形態と同
様に低抵抗金属層620が露出することはなく、絶縁体
からなる誘電体層(白色絶縁絶縁体からなる誘電体層1
7と透明絶縁体からなる誘電体層11)形成時に誘電体
層と低抵抗金属層620とが反応することは回避されて
おり、低抵抗金属層620に耐熱性の低い銀系合金を用
いることが容易となる効果を有することを説明した。し
かしながら、その断面形状は台形で絶縁層形成が容易と
なるものの、第1の耐熱性金属層203の側面に形成さ
れる第2の耐熱性金属層621のガラス基板への密着性
が弱く、その後に続く絶縁層形成工程でときとしてわず
かな膜剥離を起こすことがあるという別の新たな課題が
生じる。そこで別の新たな課題である第1の耐熱性金属
層203の側面に形成される第2の耐熱性金属層621
のガラス基板への密着性が弱く、その後に続く絶縁層形
成工程でときとしてわずかな膜剥離を起こす傾向を抑制
するために、第2の耐熱性金属層の形成時期を変更する
というさらに別の製造技術を考案して、この別の新たな
課題を回避する対策としている。以下に、さらに別に考
案して導入したAC−PDPの電極製造技術を第3の実
施の形態として説明する。
【0056】図5は第3の実施の形態における背面板2
の断面図により、構成された構造およびその製造工程を
説明したものである。
【0057】本発明の第3の実施の形態のPDPの背面
板2の製造工程においては、図5(a)〜(c)に示し
たように、列電極パターンエッジからの回り込みにより
列電極パターン(第1の耐熱性金属層203)上に台形
の空間52を形成するまでは、図3(a)〜(c)に示
したような第2の実施の形態と同一の製造工程進行させ
るので、詳しい説明は省略する。
【0058】図5(c)の工程に続いて、めっき技術に
よる電着形成法を用いて列電極となるアドレス電極パタ
ーンに対応させて、台形の空間52内にある第1の耐熱
性金属層203上に例えば膜厚2μm程度の低抵抗金属
層720を形成する。その後、再びめっきによる電着形
成法技術を用いて図5(d)に示したように台形の低抵
抗金属層720の上面に例えば膜厚0.1μm程度の第
2の耐熱性金属層721を形成する。
【0059】引き続き、図5(e)に示したように感光
性樹脂53を剥離液等で除去した後、第1の耐熱性金属
層(Cr)203上にCuまたはAgを用いて形成され
た台形の低抵抗金属層720と、台形の低抵抗金属層7
20の上面にCrまたはPtを用いて形成された第2の
耐熱性金属層721とからなる三層積層構造を列電極で
あるアドレス電極19とし、引き続き(白色)絶縁体か
らなる誘電体層17を画像表示部に形成し、隔壁(リ
ブ)18を形成し、隔壁18の内壁に蛍光体層20を形
成することで、背面板2の作製が終了する。
【0060】また、図6は本発明の第3の実施の形態に
おける前面板1の断面図により、AC−PDPの構造お
よびその製造工程を説明したものである。第3の実施の
形態でも、第1、第2の実施の形態と同様に、PDPの
前面板1の製造工程においては、まず前面ガラス基板1
0上に図6(a)に示したように背面板2の場合と同様
に第1の耐熱性金属層(Cr)203上にCuまたはA
gを用いて形成された台形の低抵抗金属層820と、台
形の低抵抗金属層820の上面にCrまたはPtを用い
て形成された第2の耐熱性金属層821との積層からな
るバス電極となる行電極である走査電極14、維持電極
13を形成する。
【0061】次に、前面ガラス基板10上にスパッタ蒸
着等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程
度の透明導電層として、例えばITO(Indium−
Tin−Oxide)を被着し、写真食刻を利用した微
細加工技術により、図6(b)に示したようにバス電極
となる走査電極14、維持電極13を含んで表示電極と
なる透明電極100を選択的に形成する。ITOの食刻
に当たり、下地は前面ガラス基板10と第1の耐熱性金
属層(Cr)203とCuまたはAgで形成された低抵
抗金属層820とCrまたはPtを用いて形成された第
2の耐熱性金属層821であるので、低抵抗金属層82
0にAgを用いた場合には対薬品性が弱いのでITOの
食刻液(エッチャント)としては蓚酸等の酸性度の弱い
ものが望ましい。
【0062】引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層1
1とMgO保護膜12を画像表示部内に形成して前面板
1の作製が完了する。
【0063】最後に、一連の製造工程を経て作製した前
面板1と背面板2とをフリットガラス等のシール材を用
いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱し
ながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてXe
(キセノン)を主成分とする不活性ガスを封入して本発
明の第3の実施の形態におけるPDPパネルの製造工程
が終了する。
【0064】以上説明したように、本発明の第3の実施
の形態におけるPDPは、背面板の製造工程において、
背面露光技術とめっき技術による電着とを利用して台形
形状の低抵抗金属層電極を形成する工程までは第2の実
施の形態と同じである。その後は第2の実施の形態と異
なって、感光性樹脂を剥離せずに残したまま、再びめっ
き技術を用いて台形形状の低抵抗金属層の上にCr、N
i、Pt等の材料で第2の耐熱性金属層を形成し、最後
に感光性樹脂を剥離液等で除去して3層構造の列電極と
している。それゆえ、この第3の実施の形態における背
面板の製造工程は、背面ガラス基板と形成した電極の積
層パターン、特に膜厚が大きい低抵抗金属層とのなす角
度が大きくなるという傾向を抑制することに加え、第2
の実施の形態の3層構造の列電極のように、第1の耐熱
性金属層と低抵抗金属層の側面に第2の耐熱性金属層が
形成されることがなく、電極層膜の剥離を起こすことは
有り得ず、信頼性の高いAC−PDPを実現できること
となる。
【0065】(第4の実施の形態)本発明の第1〜第3
の実施の形態では、前面および背面ガラス基板上にCu
またはAgを用いて形成した低抵抗金属層をCrまたは
Ptを用いて第2の耐熱性金属層で覆うようにめっきに
よる電着技術を利用して形成しており、例えば前面板で
前面ガラス基板上に導電性の表示電極が存在するような
場合には適用できないし、バス電極となる行電極にあた
る走査電極14と維持電極13の断面形状が台形であっ
ても、それらの膜厚が大きいためにそれらの電極を含ん
で形成される表示電極となる透明電極100のカバレー
ジが悪いと透明電極100が段切れを起こすおそれがあ
り、透明電極100の製膜方法にはかなりの制約が課せ
られるというさらにまた別の課題が生じてくる。そこ
で、前面ガラス基板上に導電性の表示電極が存在する場
合でも、また表示電極のカバレージが悪くて表示電極と
なる透明電極100が段切れを起こす傾向を緩和するた
めに、既に説明した半導体等の製造工程でも利用されて
いる裏面露光技術を導入するとともに、第2の耐熱性金
属層の形成時期を変更するという新たな製造方法を考案
して、表示電極上にバス電極となる行電極にあたる走査
電極14と維持電極13を形成することを可能ならし
め、この課題を回避する対策とした。以下に、さらに別
に考案して新たに導入したAC−PDPの電極製造技術
を第4の実施の形態として説明する。
【0066】図7は本発明の第4の実施の形態における
前面板1の断面図により、AC−PDPの構造およびそ
の製造工程を説明したものである。本発明の第4の実施
の形態では、第1〜第3の実施の形態におけるPDPの
前面板1の製造工程とは異なり、まず前面板1となる前
面ガラス基板10上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を
用いて膜厚0.1〜0.3μm程度の透明導電層とし
て、例えばITO(Indium−Tin−Oxid
e)を被着し、写真食刻を利用した微細加工技術によ
り、図7(a)に示したように表示電極となる透明電極
100を選択的に形成する。下地がガラスなので対薬品
性が高く、ITOの食刻液(エッチャント)としては蓚
酸や沃化水素水のような酸性度の弱いものに限定される
ことはなく、希釈王水や塩酸と塩化第二鉄との混合液を
使用することも可能である。
【0067】次に、図7(b)に示したように透明導電
層からなって表示電極となる透明電極100が形成され
た前面ガラス基板10上に、バス電極となる行電極であ
る走査電極14と維持電極13の各パターンに対応した
第1の耐熱金性属層(Cr)203のパターンを、同じ
ように写真食刻を利用した微細加工技術により選択的に
形成する。
【0068】続いて、透明電極100、第1の耐熱金性
属層(Cr)203が形成された前面ガラス基板10上
にネガ型の感光性樹脂50を低抵抗金属層の膜厚よりも
1μm程度厚く、例えば5μmの膜厚で塗布し、プリベ
ークして溶剤を蒸発させた後、図7(c)に示したよう
に前面ガラス基板10の裏面より紫外線51を照射す
る。適切な露光量よりも過度となる露光量を与える必要
性は既に第2および第3の実施の形態に述べた通りであ
る。
【0069】そうすると現像後には図7(d)に示した
ようにバス電極となる行電極のパターンエッジからの回
り込みによりバス電極上に台形の空間92を形成するこ
とができる。裏面露光にあたり表示電極は透明導電層で
形成された透明電極100であるので裏面露光の障害に
はならない。その後、必要に応じてポストベークを行な
い感光性樹脂53の耐薬品性を強化すればよい。
【0070】引き続き図7(e)に示すように、めっき
技術を用いてバス電極として形成した第1の耐熱性金属
層(Cr)203のパターン上に例えば膜厚3〜4μm
程度の低抵抗金属層920をCuまたはAgを用いて形
成する。めっき技術により電着可能な低抵抗金属として
は先述したようにAgまたはCuが最適である。このと
き、低抵抗金属層920は台形の空間92を埋めるよう
に成長していくので、低抵抗金属層920の断面は必然
的に台形となる。さらに再びめっき技術を用いて図7
(e)に示したように台形のAgまたはCuを用いて形
成した低抵抗金属層920の上面に例えば膜厚0.1μ
mの第2の耐熱性金属層921を形成する。めっき技術
により電着可能な第2の耐熱性金属層921の形成用材
料としてはCr、Ni、Pt(白金)が挙げられるが、
安価でめっき工程の管理が比較的容易な従来のPDPに
用いた材料と同じCrを選択することが無難で好まし
い。
【0071】第2の耐熱性金属層921をめっき技術に
より電着形成後、剥離液等を用いて感光性樹脂53を除
去すると、図7(f)に示したように第1の耐熱性金属
層203(Cr)上に形成された断面形状が台形の低抵
抗金属層(CuまたはAg)920と、低抵抗金属層9
20の上面に形成された第2の耐熱性金属層(Crまた
はPt)921との3層積層構造のバス電極となる行電
極にあたる走査電極14と維持電極13が得られる。
【0072】引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層1
1とMgOで保護膜12を画像表示部内に形成して前面
板1の作製が完了する。
【0073】最後に、上記の一連の製造工程を経て作製
した前面板1と別途作製した背面板2とをフリットガラ
ス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパ
ネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放
電ガスとしてXe(キセノン)を主成分とする不活性ガ
スを封入して本発明の第4の実施の形態におけるPDP
パネルの製造工程が終了する。
【0074】以上説明したように、本発明の第4の実施
の形態におけるPDPは、これまでの実施の形態で説明
した前面板の製造工程とは異なり、まず前面板となる前
面ガラス基板上に表示電極となる透明電極と、その上に
バス電極となる行電極にあたる走査電極と維持電極に対
応した第1の耐熱金性属層(Cr)を選択的に形成して
いる。その後、第3の実施の形態における背面板の製造
工程と同様に、ネガ型の感光性樹脂を用いた裏面露光技
術と、めっき技術による電着とを利用して台形形状の低
抵抗金属層電極を形成したうえで、再びめっき技術を用
いて台形形状の低抵抗金属層の上にCr、Ni、Pt等
の材料で第2の耐熱性金属層を形成し、最後に感光性樹
脂を剥離液等で除去して3層構造の列電極としている。
それゆえ、この第4の実施の形態における前面板の製造
工程は、ガラス基板上に導電性の表示電極が存在する場
合でも、裏面露光技術とめっき技術による電着とを利用
してバス電極を形成できるとともに、表示電極のカバレ
ージが悪くて表示電極となる透明電極が段切れを起こす
傾向を緩和することが可能になり、信頼性の高いAC−
PDPを実現できることとなる。
【0075】(第5の実施の形態)本発明の第1〜第4
の実施の形態における前面板1の作製には、透明導電層
で形成する表示電極(透明電極100)の成膜工程と、
バス電極となる行電極(走査電極14と維持電極13)
の形成工程とで2回の写真食刻工程が必要である。マス
ク合わせに伴いこれらの電極パターンのずれが表示電極
(透明電極100)の大きさを変化させることになるの
で、できるだけマスク合わせ精度は高い方が望ましい。
しかし、現実にはマスクの精度、露光機の合焦精度やガ
ラス基板の膨張係数、熱収縮係数等が影響してくるの
で、マスク合わせにより5μm程度の精度誤差が結果と
して生ずることになる。そこで、本発明の第5の実施の
形態においては、ハーフトーン露光技術を導入、適用し
て、誤差の要因となる写真食刻工程の削減を図り、マス
ク合わせ精度の向上を目指すものである。以下に、ハー
フトーン露光技術を適用したAC−PDPの電極製造方
法を第5の実施の形態として説明する。
【0076】図8は第5の実施の形態における前面板1
の断面図により、AC−PDPの構造およびその製造工
程を説明したものである。本発明の第5の実施の形態で
は、まず図8(a)に示したように前面ガラス基板10
上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いてITО(I
ndiun−Tin−Oxide)で膜厚0.2μm程
度の透明導電層135と、例えばCrで膜厚0.1μm
程度の第1の耐熱性金属層203とを順次被着形成す
る。
【0077】次に、前面ガラス基板10の全面に例えば
3μm程度の膜厚の感光性樹脂を塗布し、次いで、図8
(b)に示したように、表示電極部に対応するパターン
の膜厚がバス電極部に対応するパターンの膜厚と比べて
半分程度の厚さのレジストパターン140となるよう
に、ハーフトーン露光マスクを用いた紫外線の選択照射
と現像により形成する。ハーフトーン露光マスクは露光
機の解像力以下のスリットや開口部をフォトマスク上の
Crパターンに形成することにより得られる。第5の実
施の形態におけるPDPの前面板1の製造工程の場合
は、バス電極に対応した領域がCrべたパターンである
ので、表示電極に対応した領域はフォトマスク上のCr
スリットパターンであればよい。なお、感光性樹脂とし
ては露光量が少ない領域のレジストの対薬品性を考慮す
ると、明らかにポジ型の方が望ましい。
【0078】続いて、レジストパターン140をマスク
として、Crで形成した第1の耐熱性金属層203を選
択的に食刻除去して透明導電層135を露出させ、引き
続き食刻剤を変更して透明導電層135も選択的に食刻
除去して透明電極100を形成し、図8(c)に示した
ようにガラス表面層を露出させる。
【0079】引き続き、レジストパターン140を減圧
下あるいは大気圧下の酸素プラズマ等に放置することに
よりその膜厚を減少させて、図8(d)に示したように
表示電極である透明電極100の領域上のCrで形成し
た第1の耐熱性金属層203を露出する。
【0080】そして、バス電極領域に残ったレジストパ
ターン141をマスクとして再び表示電極である透明電
極100の領域上のCrで形成した第1の耐熱性金属層
203を選択的に食刻除去して図8(e)に示したよう
に透明導電層135よりなる表示電極である透明電極1
00を露出する。
【0081】さらに、図8(f)に示したように剥離液
等を用いてレジストパターン141を除去した後は、第
4の実施の形態における図7(c)〜図7(e)で説明
したのと同様の製造工程を経て、図8(g)に示したよ
うに第1の耐熱性金属層(Cr)203上にCuまたは
Agで台形の低抵抗金属層920、台形の低抵抗金属層
920の上面にCrまたはPtで第2の耐熱性金属層9
21とを順次形成して、3層積層構造のバス電極となる
行電極(走査電極14と維持電極13)が得られる。
【0082】引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層1
1とMgOで保護膜12を画像表示部内に形成して前面
板1の作製が完了する。
【0083】最後に、上記の一連の製造工程を経て作製
した前面板1と別途作製した背面板2とをフリットガラ
ス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパ
ネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放
電ガスとしてXe(キセノン)を主成分とする不活性ガ
スを封入して本発明の第5の実施の形態におけるPDP
パネルの製造工程が終了する。
【0084】以上説明したように、本発明の第5の実施
の形態におけるPDPの製造方法は、その前面板の製造
工程において、ハーフトーン露光技術を導入、適用して
いるので、誤差の要因となる写真食刻工程の削減が可能
となり、マスク合わせ精度の向上が図られていることに
加え、前面ガラス基板上に導電性の表示電極が存在する
場合でも、裏面露光技術とめっき技術による電着とを利
用してバス電極を形成でき、表示電極のカバレージが悪
くて表示電極となる透明電極が段切れを起こす傾向を緩
和することが可能になって、表示精度を向上させた高精
細で信頼性の高いAC−PDPを実現できることとな
る。
【0085】なお、これまで説明した第1〜第5の実施
の形態で説明した表面板1では、バス電極となる行電極
(走査電極14と維持電極13)は所定の幅を有する1
本の金属線パターンであったが、図9に示すように、こ
れを細分化して、例えば走査電極14が分割電極901
〜904で構成されて、それらが接続部905で接続さ
れた構造とし、維持電極13も同様な構造とし、いわゆ
るライン・アンド・スペース化して複数本の平行で同電
位に接続された金属線パターンにより構成した分割電極
構造としても本発明は有効であることはいうまでもな
い。特に分割電極構造では、透明電極がなくてもよく、
透明電極形成の工数を削減できて、より安価にPDPを
提供することが可能となる。さらに本発明の電極構成お
よび製造方法が分割電極構造を有するPDPに適用され
れば、従来の公知技術により製造された電極側面では庇
状になり絶縁耐圧の低下の発生確率が非分割電極構造の
ものよりも多くなるが、各金属層パターンの側面の数が
その電極の分割数分に応じて多くなり、分割電極が台形
構造となり、分割電極側面のカールが抑制されるので、
絶縁耐圧の低下が抑制できて、安定動作のAC−PDP
を実現するのに極めて有効な方法となる。
【0086】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のプラズマデ
ィスプレイ装置およびその製造方法は、第1の耐熱性金
属層、低抵抗金属層、および第2の耐熱性金属層との3
層積層構造であるバス電極となる行電極または列電極の
形成に当たり、本発明では低抵抗金属層と第2の耐熱性
金属層とをめっき技術を用いた電着により形成するた
め、高価な真空製膜装置を必要としないだけでなく、材
料利用効率が著しく向上する。また、めっき技術は薬液
を用いた製膜技術であるのでガラス基板上に付着した異
物やダスト・パーティクルの影響を受けにくく、製造歩
留も向上するという格別の効果が得られる。
【0087】さらにバス電極となる行電極と列電極の断
面形状がめっきの際の電着条件または裏面露光の照射条
件で決定されるので、変動する要因が少ないだけでな
く、電極断面の形状が逆テーパ状になることは皆無であ
る。この結果、これらの電極の上に形成される誘電体層
のカバレージが良好となり、ピンホールの発生も無く、
従って安定した放電が得られ、表示画像の品質も向上す
る。さらにはバス電極の上に表示電極を形成することも
可能とするものである。
【0088】加えてハーフトーン露光技術を用いること
で、写真食刻工程の回数が削減されて製造における工数
の削減が可能になるのみならず、表示電極の大きさが均
一となって、表示画像の品質もさらに向上する。そし
て、表示電極とバス電極とが自己整合的に形成されるの
で、電極パターンの精細化が向上し、高精細化も容易と
なる等、数多くの優れた効果が得られることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c)は本発明の第1の実施の形態に
おける背面板製造工程を各工程における背面板拡大断面
図により説明する図
【図2】(a)、(b)は本発明の第1の実施の形態に
おける前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面
図により説明する図
【図3】(a)〜(e)は本発明の第2の実施の形態に
おける背面板製造工程を各工程における背面板拡大断面
図により説明する図
【図4】(a)、(b)は本発明の第2の実施の形態に
おける前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面
図により説明する図
【図5】(a)〜(e)は本発明の第3の実施の形態に
おける背面板製造工程を各工程における背面板拡大断面
図により説明する図
【図6】(a)、(b)は本発明の第3の実施の形態に
おける前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面
図により説明する図
【図7】(a)〜(f)は本発明の第4の実施の形態に
おける前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面
図により説明する図
【図8】(a)〜(g)は本発明の第5の実施の形態に
おける前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面
図により説明する図
【図9】本発明におけるAC−PDP前面板における分
割電極の構造を説明する拡大平面図
【図10】(a)はAC−PDPの構造を説明する組み
立て斜視図 (b)はAC−PDP前面板のA−A’部分拡大断面図 (c)はAC−PDP背面板のB−B’部分拡大断面図
【図11】(a)〜(f)はAC−PDPの前面板製造
工程を各工程における前面板拡大断面図により説明する
【符号の説明】
1 前面板 2 背面板 3 放電空間 10 前面ガラス基板 11,17 誘電体層 12 保護膜 13 維持電極 14 走査電極 15 ブラックマトリックス 16 背面ガラス基板 18 隔壁(リブ) 19 アドレス電極(データ電極) 20 蛍光体層 203 第1の耐熱性金属層 220 低抵抗金属層 221 第2の耐熱性金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5C027 AA03 AA10 5C040 FA01 FA02 FA04 GB03 GB14 GC05 GC18 GC19 JA07 JA08 JA15 KB11 MA23 MA24 MA26

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の透明絶縁基板に、複数配置された
    対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
    の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数配
    置された列電極とを有し、 前記行電極および列電極のうち少なくとも一方の電極
    は、第1の耐熱性金属層上に形成された低抵抗金属層
    と、この低抵抗金属層上に形成された第2の耐熱性金属
    層とから構成したことを特徴とするプラズマディスプレ
    イ装置。
  2. 【請求項2】 前記行電極および列電極のうち少なくと
    も一方の電極は、低抵抗金属層の断面形状が台形形状を
    なし、第2の耐熱性金属層は第1の耐熱性金属層と前記
    低抵抗金属層を覆うように形成したものであることを特
    徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。
  3. 【請求項3】 前記行電極および列電極のうち少なくと
    も一方の電極は、低抵抗金属層の断面形状が台形形状を
    なし、第2の耐熱性金属層は前記低抵抗金属層上に形成
    したものであることを特徴とする請求項1に記載のプラ
    ズマディスプレイ装置。
  4. 【請求項4】 前記行電極は、表示電極となる透明導電
    層と前記透明導電層上に導電体で形成されたバス電極と
    からなり、 前記バス電極が表示電極に対して自己整合的に形成され
    ていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディ
    スプレイ装置。
  5. 【請求項5】 前記行電極は、対をなす第1の電極およ
    び第2の電極のうちいずれか一方もしくは双方それぞれ
    を複数本に細分化して構成し、かつ細分化したそれぞれ
    の電極単位内は細線で接続されていることを特徴とする
    請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置。
  6. 【請求項6】 一方の透明絶縁基板に、複数配置された
    対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
    の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数配
    置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の
    製造方法において、 前記列電極を形成する透明絶縁基板上に第1の耐熱性金
    属層を形成する工程と、 前記第1の耐熱性金属層にめっきにより低抵抗金属層を
    形成する工程と、 前記低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
    を形成する工程とを有することを特徴とするプラズマデ
    ィスプレイ装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 一方の透明絶縁基板に、複数配置された
    対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
    の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数配
    置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の
    製造方法において、 前記行電極を形成する透明絶縁基板上に第1の耐熱性金
    属層を形成する工程と、 前記第1の耐熱性金属層上にめっきにより低抵抗金属層
    を形成する工程と、 前記低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
    を形成する工程と、 前記第2の耐熱性金属層を被覆するように透明導電性を
    有する表示電極を形成する工程とを備えたことを特徴と
    するプラズマディスプレイ装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 一方の透明絶縁基板に、複数配置された
    対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
    の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数配
    置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の
    製造方法において、 前記列電極を形成する透明絶縁基板上に第1の耐熱性金
    属層を形成する工程と、 前記透明絶縁基板に第1の耐熱性金属層を形成した上に
    ネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、 前記透明絶縁基板の前記感光性樹脂を塗布した側の裏面
    から紫外線を照射する工程と、 現像によって前記第1の耐熱性金属層上に断面形状が台
    形をした空間を形成して、前記第1の耐熱性金属層を選
    択的に露出させる工程と、 前記第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台
    形の低抵抗金属層を形成する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、 前記第1の耐熱性金属層の側面と前記低抵抗金属層の側
    面および上面とにめっきにより第2の耐熱性金属層を形
    成する工程とを備えたことを特徴とするプラズマディス
    プレイ装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 一方の透明絶縁基板に、複数配置された
    対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他方
    の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数配
    置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の
    製造方法において、 前記行電極を形成する透明絶縁基板上に第1の耐熱性金
    属層を形成する工程と、 前記透明絶縁基板に第1の耐熱性金属層を形成した上に
    ネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、 前記透明絶縁基板の前記感光性樹脂を塗布した側の裏面
    から紫外線を照射する工程と、 現像によって前記第1の耐熱性金属層上に断面形状が台
    形をした空間を形成して、前記第1の耐熱性金属層を選
    択的に露出させる工程と、 前記第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台
    形の低抵抗金属層を形成する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、 前記第1の耐熱性金属層の側面と前記低抵抗金属層の側
    面および上面とにめっきにより第2の耐熱性金属層を形
    成する工程と、 前記第2の耐熱性金属層を被覆するように透明導電性を
    有する表示電極を形成する工程とを備えたことを特徴と
    するプラズマディスプレイ装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 一方の透明絶縁基板に、複数配置され
    た対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他
    方の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数
    配置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置
    の製造方法において、 前記列電極を形成する透明絶縁基板上に第1の耐熱性金
    属層を形成する工程と、 前記透明絶縁基板に第1の耐熱性金属層を形成した上に
    ネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、 前記透明絶縁基板の前記感光性樹脂を塗布した側の裏面
    から紫外線を照射する工程と、 現像によって前記第1の耐熱性金属層上に断面形状が台
    形をした空間を形成して、前記第1の耐熱性金属層を選
    択的に露出させる工程と、 前記第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台
    形の低抵抗金属層を形成する工程と、 前記低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
    を形成する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程とを備えたことを特徴と
    するプラズマディスプレイ装置の製造方法。
  11. 【請求項11】 一方の透明絶縁基板に、複数配置され
    た対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他
    方の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数
    配置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置
    の製造方法において、 前記行電極を形成する透明絶縁基板上に第1の耐熱性金
    属層を形成する工程と、 前記透明絶縁基板に第1の耐熱性金属層を形成した上に
    ネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、 前記透明絶縁基板の前記感光性樹脂を塗布した側の裏面
    から紫外線を照射する工程と、 現像によって前記第1の耐熱性金属層上に断面形状が台
    形をした空間を形成して、前記第1の耐熱性金属層を選
    択的に露出させる工程と、 前記第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台
    形の低抵抗金属層を形成する工程と、 前記低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
    を形成する工程と、前記感光性樹脂を除去する工程と、 前記第1の耐熱性金属層と低抵抗金属層および第2の耐
    熱性金属層よりなる積層を被覆するように透明導電性を
    有する表示電極を形成する工程とを備えたことを特徴と
    するプラズマディスプレイ装置の製造方法。
  12. 【請求項12】 一方の透明絶縁基板に、複数配置され
    た対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他
    方の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数
    配置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置
    の製造方法において、 前記列電極を形成する透明絶縁基板上に透明導電層より
    なる表示電極を形成する工程と、 前記表示電極上に第1の耐熱性金属層を形成する工程
    と、 前記透明絶縁基板の前記表示電極上に前記第1の耐熱性
    金属層を形成した上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工
    程と、 前記透明絶縁基板の前記感光性樹脂を塗布した側の裏面
    から紫外線を照射する工程と、 現像によって前記第1の耐熱性金属層上に断面形状が台
    形をした空間を形成して、前記第1の耐熱性金属層を選
    択的に露出させる工程と、 前記第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台
    形の低抵抗金属層を形成する工程と、 前記低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
    を形成する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程とを備えたことを特徴と
    するプラズマディスプレイ装置の製造方法。
  13. 【請求項13】 一方の透明絶縁基板に、複数配置され
    た対をなす第1および第2の電極からなる行電極と、他
    方の透明絶縁基板に、前記行電極に交差するように複数
    配置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置
    の製造方法において、 前記行電極を形成する透明絶縁基板上に透明導電層と第
    1の耐熱性金属層とを被着する工程と、 前記透明導電層から形成される表示電極に対応して、前
    記行電極を形成する領域の膜厚が厚い感光性樹脂パター
    ンを第1の耐熱性金属層上に形成する工程と、 前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記第1の耐熱
    性金属層と前記透明導電層とを選択的に除去する工程
    と、 前記感光性樹脂パターンの膜厚を減じて前記第1の耐熱
    性金属層を露出する工程と、 膜厚を減ぜられた前記感光性樹脂パターンをマスクとし
    て前記第1の耐熱性金属層を選択的に除去して前記透明
    導電層を露出する工程と、 前記感光性樹脂パターンを除去する工程と、 前記透明絶縁基板の前記表示電極上に第1の耐熱性金属
    層を形成した上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程
    と、 前記透明絶縁基板の前記ネガ型の感光性樹脂を塗布した
    側の裏面から紫外線を照射する工程と、 現像によって前記第1の耐熱性金属層上に断面形状が台
    形をした空間を形成して、前記第1の耐熱性金属層を選
    択的に露出させる工程と、 前記第1の耐熱性金属層上にめっきにより断面形状が台
    形の低抵抗金属層を形成する工程と、 前記低抵抗金属層上にめっきにより第2の耐熱性金属層
    を形成する工程と、 前記ネガ型の感光性樹脂を除去する工程とを備えたこと
    を特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120379A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Noritake Co Ltd 表示装置の黒色導電膜
WO2006068153A1 (ja) * 2004-12-22 2006-06-29 Asahi Glass Co., Ltd. パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路
WO2006070649A1 (ja) * 2004-12-27 2006-07-06 Asahi Glass Co., Ltd. パターン形成方法および電子回路
WO2006070648A1 (ja) * 2004-12-27 2006-07-06 Asahi Glass Co., Ltd. パターン形成方法および電子回路
WO2010001575A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR100987106B1 (ko) * 2008-07-24 2010-10-11 성균관대학교산학협력단 중간층 형성을 통한 선택적 도금을 이용한 멀티레이어 기판제조방법
CN113614911A (zh) * 2019-03-26 2021-11-05 三菱综合材料株式会社 绝缘电路基板

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120379A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Noritake Co Ltd 表示装置の黒色導電膜
WO2006068153A1 (ja) * 2004-12-22 2006-06-29 Asahi Glass Co., Ltd. パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路
WO2006070649A1 (ja) * 2004-12-27 2006-07-06 Asahi Glass Co., Ltd. パターン形成方法および電子回路
WO2006070648A1 (ja) * 2004-12-27 2006-07-06 Asahi Glass Co., Ltd. パターン形成方法および電子回路
WO2010001575A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR100987106B1 (ko) * 2008-07-24 2010-10-11 성균관대학교산학협력단 중간층 형성을 통한 선택적 도금을 이용한 멀티레이어 기판제조방법
CN113614911A (zh) * 2019-03-26 2021-11-05 三菱综合材料株式会社 绝缘电路基板
US12108528B2 (en) 2019-03-26 2024-10-01 Mitsubishi Materials Corporation Insulating circuit board

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