JP2003203499A - メモリアレイをテストするためのテストアレイおよび方法 - Google Patents

メモリアレイをテストするためのテストアレイおよび方法

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】過度のコスト又は遅延を必要とせずにメモリアレイを正
確にテストするためのテストアレイと方法の提供。 【解決手段】テストアレイ(100,200)は、行導体(110,210)、列
導体(120,220)、及び行導体と列導体の交点に配置され
たメモリセル(130,230)を含む。テストアレイ(100,200)は、電気的
に結合又は連結された行導体(110,210)又は列導体(120,
220)のク゛ルーフ゜(124,214,224)を有し、そのためそれらのク
゛ルーフ゜は共通端子(216,226)を共有する。他の選択された
行導体と列導体は個々の端子(112,122,212,222)を有す
る。この構成において、個々の端子(112,122,212,222)
を有する行導体と列導体の交点に配置されたメモリセル(130,
230)は、テスト装置を使用して測定されるそれらの特性を
有する。行導体又は列導体を互いに連結してク゛ルーフ゜にす
ることにより、テストアレイはテスト装置の接続用端子の数を少
なくし、様々なサイス゛のテストアレイをテストすることが可能にな
る。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本技術分野は、メモリアレイ
をテストするためのテストアレイと方法である。より具
体的には、本技術分野は、過度の時間や費用なしにアレ
イの正確なテストを可能にするテスト方法とアレイであ
る。 【0002】 【従来の技術】交点メモリアレイは、水平方向の行導体
と垂直方向の列導体の交点に配置されたメモリセルを含
む。このメモリセルは、交点メモリアレイにおいて記憶
要素としてはたらき、一般に「1」または「0」の2値
状態を記憶することができる。メモリセル、行導体、列
導体、および他の回路要素は、基板上に配置され得る。
既知の交点メモリアレイの例には、ワンタイムプログラ
マブル(OTP)メモリ、およびリプログラマブルメモ
リなどの不揮発性メモリが含まれる。メモリアレイは、
大量生産の前や新しいメモリアレイの開発段階中などの
多くの環境でテストを必要とする。テストは、メモリセ
ルの抵抗、メモリセル特性の均一性、RH応答、抵抗電
圧特性、および他の特性など、メモリアレイの特性の測
定を含むことができる。 【0003】テストの1つの手法は、ドライバ回路、ス
イッチング回路、および他の周辺回路の完全な統合した
ものを含むフルスケールのメモリアレイテスタを構成す
ることである。「フルスケール」という用語は、テスト
されるべきアレイが、最終的なメモリ製品に含まれるメ
モリセルの数とほぼ同じ数のメモリセルを含むことを示
す。この手法を使用して、メモリセルの状態を選択的に
切り換え、様々な動作条件下でメモリセルの特性を測定
することによって、テストアレイの特性を求めることが
できる。このテスト技術は、テストアレイの特性を求め
るのに有効である場合があるが、周辺回路を含むフルス
ケールテスタの製作は、きわめて高価で時間がかかる。 【0004】アレイをテストするためのもう1つの技術
は、テストアレイ内に周辺回路を完全に組み込んだテス
トアレイを構成することを含む。したがって、アレイ内
の周辺回路を使用してテストアレイの特性をテストする
ことができる。この技術もまた、テスト段階中に完全な
アレイを構成する必要があるため、高価でかつ時間がか
かる。 【0005】メモリアレイをテストするための別の技術
は、最終的なメモリ製品に使用されるメモリアレイより
も規模の小さいテストアレイを構成することである。小
さい規模のテストアレイによる結果は、フルスケールの
メモリアレイの結果の標本として利用される。この技術
は、小規模のテストがフルスケールアレイで生じるロー
ディング効果(loading effect)、整定時間、および他
の現象を再現することができないため、不十分であるか
もしれない。したがって、小規模の試験は、いくつかの
用途に対して十分に正確でない可能性がある。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】したがって、過度のコ
ストまたは遅延を必要とせずにメモリアレイを正確にテ
ストするためのテストアレイと方法が必要とされてい
る。 【0007】 【課題を解決するための手段】第1の態様によれば、テ
ストアレイは、複数の行導体と、複数の列導体と、行導
体と列導体の交点に配置された複数のメモリセルとを含
む。行導体と列導体は、電気的に結合または「連結」さ
れた導体のグループを含むことができる。連結された導
体は、共通端子に結合され得る。また、行導体と列導体
は、個々の端子に接続された導体を含む。個々の端子に
接続された行導体と列導体の交点に配置されたメモリセ
ルは、テスト中にテスト装置によってそれらの特性が測
定され得る。連結された行導体と列導体のグループは、
テスト中、連結された導体に共通の電流または電位が印
加され得る。 【0008】第1の態様によれば、テストアレイの端子
の数は、比較的少なくできる。したがって、テストアレ
イに接続するためのプローブの数が制限または限定され
たテスト装置を使用して、アレイをテストすることがで
きる。行導体および/または列導体を選択的に連結する
ことによって、きわめて大きいテストアレイを、比較的
少数のプローブを有するテスト装置でテストすることが
できる。 【0009】また、第1の態様によれば、テストアレイ
を、過度の費用なしにフルスケールでテストすることが
できる。さらに、テストのためにテストアレイにスイッ
チング回路や他の回路を完全に組み込む必要がない。し
たがって、テストアレイを比較的安価でかつ迅速に組み
立てることができ、新しいアレイの開発の時間とコスト
が削減される。 【0010】また、第1の態様によれば、フルスケール
アレイによってローディング効果、整定時間、および他
の特性がより正確に予測されるので、フルスケールテス
トアレイの使用により、小規模のテストデータよりも信
頼性の高いテストデータが提供される。この特徴は、テ
ストアレイ内の選択されたメモリセルからのテストデー
タが、テストアレイの設計に基づいてフルスケールの最
終製品メモリアレイがどのように動作するのかを確実に
表すのに役立つ。 【0011】第2の態様によれば、テストアレイをテス
トする方法は、選択されたメモリセルと交差する選択さ
れた行導体に入力を印加するステップと、選択されたメ
モリセルと交差する選択された列導体からの出力を測定
するステップと、テストアレイの共通端子に共通入力を
印加するステップとを含む。共通端子はそれぞれ、連結
された列導体のグループに結合される。 【0012】第2の態様によれば、列導体のグループに
共通入力を印加することにより、テストアレイの予想動
作環境をシミュレートすることが可能になる。共通端子
を介して列導体のグループに共通の入力を印加すること
ができるので、テストアレイは、テストアレイをテスト
するために使用されるテスト装置と接続するのに必要な
端子が少なくなる。さらに、このテスト装置は、テスト
アレイ端子との接続に必要なプローブの数が少なくな
る。 【0013】他の態様および利点は、添付図面に関連し
て行われる以下の詳細な説明から明らかになるであろ
う。 【0014】詳細な説明は、同じ参照番号が類似の要素
を指す添付図面を参照する。 【0015】 【発明の実施の形態】好適な実施形態と図面によって、
アレイをテストするためのテストアレイおよび方法を説
明する。 【0016】図1は、第1の実施形態によるテストアレ
イ100の概略図である。テストアレイ100は、複数
の行導体110および列導体120を含む。行導体11
0は、メモリセル130において列導体120と交差す
る。テストアレイ100は、交点メモリアレイであり、
例えば磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)、ヒュ
ーズメモリ、アンチヒューズ(anti-fuse)メモリ、電
荷記憶、マスク読出し専用(マスクROM)メモリ、お
よび他のメモリタイプなど、任意の交点メモリタイプと
することができる。 【0017】テストアレイ100の行導体110は、導
電端子112で終端し、列導体120は、導電端子12
2で終端する。図1において、端子112、122は、
導電パッドとして示されている。しかしながら、テスト
アレイ100に使用するには、どのような形の導電端子
も適している。端子112、122は、テストアレイ1
00をテスト装置(図1には示されず)に結合してメモ
リアレイ100の特性を求めるために使用される。端子
112、122は、アレイ100の基板(図示せず)の
上に配置され得る。図1に示したテストアレイ100
は、q本の行導体110と、p本の列導体120と、p
×q個のメモリセル130を含み、ここで、pとqは整
数である。 【0018】第1の実施形態によれば、テストアレイ1
00の多数の列導体120は、グループ124として互
いに電気的に結合または「連結」され、共通端子126
において共通出力を有する。「グループ」は、例えば、
2本以上の導体からなることができる(例示のため、グ
ループ124内の個々の導体は示されない)。図1で
は、2本の第1の列導体110がそれぞれ個々の端子1
22で終端する。列3〜nの列導体120は、共通端子
126に電気的に結合され、そこで終端する。ここで、
nは整数である。この構成の効果は、テストアレイ10
0のテスト中にテスト装置と接続するための端子の数を
少なくすることである。共通端子は、テストアレイ10
0の基板(図示せず)の上に配置され得る。 【0019】指定された列導体120が共通端子126
を共用しているので、通常、連結された列導体120に
結合されたメモリセル130からテストデータは収集さ
れない。データは、個別端子122を有する列導体12
0と交差するメモリセル130から取得することが理想
的である。したがって、テスタは、テストアレイ100
の特性の統計的に代表的なサンプルを提供するために、
テスト測定で何個のメモリセル130にアクセスできな
ければならないかを決定する。メモリセル130の所望
のサンプル母集団の測定を可能にするために、多数の列
導体120が、個々の導電パッド122で終端するよう
に選択される。残りの列導体120は、グループ124
に連結されてもよい。したがって、個別端子122を有
する列導体120の数は、テストアレイ100のサイ
ズ、および特定の用途に必要な統計サンプル(すなわ
ち、測定のためにアクセス可能なメモリセル130の
数)に依存する。 【0020】共通端子126があるため、例えば、電
位、電流、または他の入力などの共通入力をグループ1
24内の連結された導体120に印加することが可能に
なる。テストアレイ100の予想動作環境をシミュレー
トするために、テスト中に、電位、電流、および他の入
力をグループ124に印加することができる。装置の予
想動作環境は、一般に、テストアレイ100の設計に基
づいて最終製品メモリアレイに予想される条件である。
この特徴は、テストアレイ100内の選択されたメモリ
セル130からのテストデータが、テストアレイ100
の設計に基づくメモリアレイが実際の動作でどのように
はたらくかを確実に表すのに役立つ。 【0021】テストアレイ100から取得されるテスト
測定値により、グループ124と列導体120は、それ
ぞれ1つの端子126、122しか必要ない場合があ
る。例えば、テストアレイ100のテストプロセスが、
選択された列導体120への電位の印加しか含まない場
合、列導体120は、それぞれの端部に端子122、1
26を必要とせず1つの端子122、126だけでよい
場合がある。 【0022】図1において、2つの列導体120は、個
々の端子122で終端し、3〜nの列導体120は、共
通端子126を共用する。p本の列導体120にわたっ
て1,2,3〜n,1,2,3〜n...のパターンが
繰り返す。1,2,3〜n,1,2,3〜n...のパ
ターンは、選択された列導体120を互いに連結する構
成の例であり、他の構成が可能である。1つの可能な代
替の構成は、例えば、1,2〜n,1,2〜n,...
である。 【0023】図1において、テスト中にテスト装置と接
続するための端子の数を少なくするために、選択された
列導体120だけが電気的に結合されている。図2は、
連結された行導体と列導体を有するテストアレイ200
の代替の実施形態を示す。 【0024】図2を参照すると、メモリアレイ200
は、個別端子212で終端するか、あるいはグループ2
14として互いに連結されかつ共通端子216を共用す
る行導体210を含む。同様に、列導体220は、個別
端子222で終端するか、あるいはグループ224とし
て互いに連結されかつ共通端子226を共用する。図2
において、端子212、222、216、226は、導
電パッドとして示されている。しかしながら、テストア
レイ200に使用するには、どのような形の導電端子も
適している。端子212、222、216、226は、
テストアレイ200の基板(図示せず)の上に配置され
得る。 【0025】行導体210は、1本の個別の導体210
とそれに後続する2〜m本の連結された導体210の繰
り返しパターンを含み、行導体210は合計q本であ
る。列導体220は、1本の列導体220とそれに後続
する2〜n本の連結された列導体220の繰り返しパタ
ーンを含み、列導体220は合計p本である。この実施
形態において、m、n、pおよびqは、整数である。 【0026】前述の実施形態によれば、テストアレイ
は、テストプロセス中にテストプローブと接続するため
の端子の数を少なくするために、電気的に結合または互
いに連結された、選択された数の行/列導体を含むこと
ができる。この構成の1つの利点は、様々なサイズのテ
ストアレイを、比較的少ない数のプローブを有するテス
ト装置によりテストできることである。有利な点は、特
定の実験室または他のテスト環境におけるテストアレイ
を、1組の標準化された数の端子のうちの1つに対応す
るように構成することができ、それにより1つのテスト
装置を利用して様々なテストアレイをテストすることが
できる。テストアレイの端子の数は、多数または小数の
行および/または列導体を選択的にグループに連結する
ことによって標準化され得る。 【0027】前述の実施形態に対するもう1つの利点
は、比較的多くのメモリセルを有するテストアレイを正
確にテストすることができることである。言い換えれ
ば、テストアレイをフルサイズでテストすることができ
る。したがって、テストアレイのローディング効果、欠
陥密度、整定時間、および他の特性などの特性は、テス
トアレイ設計に基づいた最終製品のメモリアレイと類似
することになる。さらに、テストアレイをテストするた
めに、スイッチング回路や他の周辺回路を組み込む必要
がない。 【0028】図3と図4を参照して、テストアレイをテ
ストするためのテスト装置10について後述する。図3
は、テスト装置10の概略図であり、図4は、テスト装
置10の試験ボード20の概略図である。 【0029】図3を参照すると、テスト装置10は、試
験ボード20、テスト電子回路12、およびプロセッサ
90を含む。試験ボード20は、導体22によってテス
ト電子回路12に結合される。テスト電子回路12は、
マルチプレクサ30、デコーダ40、読み取り増幅器5
0、読み取り/書き込み制御部60、および電流源70
を含む。プロセッサ90は、I/O装置92を通り、Ad
d線、Data線およびR/W線を介してテスト電子回路1
2に結合される。 【0030】図3において、試験ボード20は、テスト
アレイ100が試験ボード20に取り付けられた状態で
記号により表されているが、本明細書で説明される他の
テストアレイの実施形態もテスト装置10でテストする
ことができる。試験ボード20は、テスト中にテストア
レイ100を支持し、テストアレイ100の行導体11
0と列導体120に入力を提供することができ、行導体
110と列導体120からの出力を受け取ることができ
る導電性プローブを含む。テストアレイ100は、試験
ボード20の選択されたプローブが、テストアレイ10
0の選択された端子と接触するように試験ボード20に
取り付けられる。試験ボード20については、図4に関
連して以下に詳細に説明する。 【0031】テスト装置10は、テストアレイ100の
予想動作環境をシミュレートするために、例えば、連結
された行導体110および列導体120に、電位や電流
などの入力を供給することができる。プロセッサ90
は、試験プロセスを制御し、例えば、中央処理装置から
なることができる。プロセッサ90は、テストアレイ1
00内のメモリセル130をプログラムすることができ
る書き込みモードと、テストアレイ100の特性を測定
することができる読み取りモードのいずかでテスト装置
10を動作させることができる。読み取り/書き込み制
御部60は、テスト電子回路12を読み取りモードと書
き込みモードで制御する。マルチプレクサ30は、行導
体110と列導体120の間で信号を多重化するはたら
きをし、デコーダ40は、マルチプレクサ30との間で
データを復号化する。テストアレイ100からの電流の
大きさなどのデータは、データ線でプロセッサ90に送
られる前に、読み取り増幅器50によって検出される。
電流源70は、テストアレイ100に書き込み電流を供
給するために使用されるプログラム可能な電流源とする
ことができる。また、テスト電子回路12は、電流源7
0が、例えば読み取り電圧や他の入力をテストアレイ1
00に提供することができるように、ディジタル−アナ
ログ変換器や他の変換器を含むことができる。 【0032】図4は、試験ボード20の概略図である。
試験ボード20は、テストアレイの導電端子と接触する
ための複数のプローブ25を含む。プローブ25は、テ
ストアレイが試験ボード20上に配置されたときにテス
トアレイの個別端子と共通端子の両方と接触するように
組26〜29で配列されている。組26〜29はそれぞ
れ、様々なテストアレイ構成に対応するために異なる数
のプローブ25を有することができる。 【0033】各プローブ25は、テスト電子回路12に
至る導体22のうちの1つに接続され得る。コントロー
ラ90は、テスト電子回路12に命令して、特定のプロ
ーブ25に結合された列導体または行導体から出力を受
け取り、あるいは書き込み電圧または電流、あるいは読
み取り電圧または電流などの入力を、特定のプローブ2
5に結合された列導体または行導体に印加することがで
きる。 【0034】テストアレイは、試験ボード20に取り付
ける前に、テストアレイを90度回転させることによっ
て試験ボード20上でいくつかの方向に向けることがで
きる。この機能により、様々な配列の行導体および列導
体をプローブ25の様々な組26〜29に結合すること
ができる。 【0035】前述の実施形態によれば、テストアレイ内
の行導体と列導体を連結して試験ボード20から共通入
力を受け取ることができるので、試験ボード20上のプ
ローブ25の数は、比較的少なくできる。例えば、図4
において、試験ボード20は、組26の16本のプロー
ブと、組28の24本のプローブを含む。組26のプロ
ーブと、組28の対応する(すなわち、真向かいの)プ
ローブは、個別端子を有する列導体に結合され得る。組
26のプローブに対応しない組28のプローブをテスト
アレイ内の共通端子に結合して、例えば、連結された列
導体に等しい電位を印加することができる。 【0036】1つの動作モードにおいて、個別端子を有
する行ラインと列導体の交点に配置された選択されたメ
モリセルが、テスト装置10によって測定される抵抗を
有することができる。このモードにおいて、選択された
メモリセルと交差する行ラインに読み取り電圧を印加す
ることによって読み取り電流が生成され、選択されたメ
モリセルと交差する列導体を、導体22によってテスト
電子回路12に結合することができる。選択されたメモ
リセルと交差する列導体は、個別端子を含む。選択され
たメモリセルに流れる読み取り電流の値は、読み取り増
幅器50によって判定され得る。プロセッサ90は、読
み取り電流値から、選択されたメモリセル130の抵抗
を求めることができる。読み取り操作中に、連結された
導体と個別の導体を含むテストアレイ内の残りの列導体
に電位などの共通入力を印加することができる。 【0037】前述の例において、選択された列導体が連
結されていない場合は、テストアレイのすべての列導体
に電位を提供するために、それぞれの列導体端子の端子
にプローブを接触させることが必要になる。この特徴
は、テストアレイにおける予想動作条件をシミュレート
するために等しい電位または別の共通入力を使用する用
途において特に有利である。 【0038】前述の実施形態によれば、開発プロセスに
おける過度の費用または遅延なしに、テストアレイ内の
任意の導体に共通入力を供給することができる。テスト
アレイは、フルスケールまたはそれに近いものとするこ
とができ、それにより、テストアレイから測定したロー
ディング効果、整定時間、および他の特性を、テストア
レイの設計に基づく最終製品のアレイと類似させること
ができる。 【0039】さらなる利点は、テスト装置10を使用し
て様々なサイズのアレイをテストすることができること
である。選択された数の行導体と列導体を互いに連結す
ることによって、任意のテストアレイに一定数の導電パ
ッドを使用することができる。したがって、一定数また
は制限された数のプローブを有するテスト装置10を使
用して、様々なアレイをテストすることができる。 【0040】本明細書において、「行」と「列」という
用語は、メモリアレイにおける一定の方向を意味してい
ない。さらに、「行」と「列」という用語は、必ずしも
垂直な関係を意味していない。 【0041】試験方法および装置を、その例示的な実施
形態に関して説明してきたが、当業者ならば、本発明の
真の思想および範囲から逸脱することなく本発明の説明
した実施形態に様々な修正を行なうことができるであろ
う。本明細書に使用されている用語および説明は、単な
る例示のために記載されており、限定するつもりではな
い。 【0042】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施形態を示す。 1.テストアレイ(100、200)であって、複数の第1の
導体(120、210、220)であって、前記第1の導体(12
0、210、220)の少なくとも1つのグループ(124、21
4、224)と、端子(122、212、222)に結合された少な
くとも1つの第1の導体(120、210、220)とからな
り、前記グループ(124、214、224)内の前記第1の導
体(120、210、220)が、前記グループ(124、214、22
4)の共通端子(126、216、226)に電気的に結合され
た、複数の第1の導体(120、210、220)と、複数の第
2の導体(110、210、220)と、及び前記第1および第
2の導体の交点に配置された複数のメモリセル(130、2
30)とからなる、テストアレイ(100、200)。 2.第1の導体(120、210、220)の前記少なくとも1
つのグループ(124、214、224)が、第1の導体(120、
210、220)の複数のグループ(124、214、224)からな
り、前記少なくとも1つの第1の導体(120、210、22
0)が、複数の第1の導体(120、210、220)からなる、
上記1のテストアレイ(100、200)。 3.前記複数の第1の導体(120、210、220)が、第1
の導体(120、210、220)のグループ(124、214、224)
と個々の端子(122、212、222)に結合された第1の導
体(120、210、220)との交互の繰り返しパターンから
なる、上記2のテストアレイ(100、200)。 4.前記共通端子(126、216、226)が、前記テストア
レイ(100、200)の基板上に配置される、上記3のテス
トアレイ(100、200)。 5.前記複数の第2の導体(210、220)が、前記第2の
導体(210、220)の少なくとも1つのグループ(214、2
24)であって、前記グループ(214、224)内の前記第2
の導体(210、220)が、前記グループの共通端子(21
6、226)に電気的に結合された、前記第2の導体(21
0、220)の少なくとも1つのグループ(214、224)と、
及び個々の端子(212、222)に結合された少なくとも1
つの第2の導体(210、220)とからなる、上記3のテス
トアレイ(200)。 6.第2の導体(210、220)の前記少なくとも1つのグ
ループ(214、224)が、第2の導体(210、220)の複数
のグループ(214、224)からなり、前記少なくとも1つ
の第2の導体(210、220)が、複数の第2の導体(21
0、220)からなり、前記共通端子(216、226)が、前記
テストアレイ(200)の基板の上に配置される、上記5
のテストアレイ(200)。 7.複数の第1の導体(120、210、220)と、複数の第
2の導体(110、210、220)と、前記第1と第2の導体
(110、210、220)との交点に配置された複数のメモリ
セル(130、230)とを含むアレイ(100、200)をテスト
する方法であって、前記第2の導体(110、210、220)
のうちの選択された1つに入力を印加するステップであ
って、前記選択された第2の導体(110、210、220)
が、選択されたメモリセル(130、230)と交差する、ス
テップと、選択された第1の導体(120、210、220)か
らの出力を測定するステップであって、前記選択された
第2の導体(110、210、220)が、前記選択されたメモ
リセル(130、230)と交差する、ステップと、及び前記
テストアレイの少なくとも1つの共通端子(126、216、
226)に共通入力を加えるステップであって、前記複数
の第1の導体(120、210、220)のグループ(124、21
4、224)が、少なくとも1つの共通端子(126、216、22
6)に結合された、ステップとからなる、方法。 8.前記共通入力を加えるステップが、複数の共通端子
(126、216、226)に共通入力を加えることを含み、各
共通端子(126、216、226)が、第1の導体(120、21
0、220)の対応するグループに結合される、上記7の方
法。 9.前記出力を測定するステップが、電流値を測定する
ことを含む、上記8の方法。 10.前記入力を加えるステップが、電位を印加するこ
とを含む、上記9の方法。 【0043】 【発明の効果】本発明によれば、開発プロセスにおける
過度の費用または遅延なしに、テストアレイ内の任意の
導体に共通入力を供給することが可能になる。テストア
レイは、フルスケールまたはそれに近いものとすること
ができ、それにより、テストアレイから測定したローデ
ィング効果、整定時間、および他の特性を、テストアレ
イの設計に基づく最終製品のアレイと類似させることが
できる。また、本発明によるテスト装置を使用すること
により、様々なサイズのアレイをテストすることも可能
になる。
【図面の簡単な説明】 【図1】第1の実施形態によるテストアレイの概略図で
ある。 【図2】第2の実施形態によるテストアレイの概略図で
ある。 【図3】テスト装置の概略図である。 【図4】図3に示したテスト装置の試験ボードの概略図
である。 【符号の説明】 100、200 テストアレイ 110、210 行導体 120、220 列導体 112、122、212、222 端子 124、214、224 グループ 126、216、226 共通端子 130、230 メモリセル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G132 AA08 AC09 AE08 AE11 AE27 AF10 AG00 AH00 AJ00 AL05 AL09 4M106 AA01 AA02 AA04 AD01 BA01 5L106 DD00 DD33 GG02

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】テストアレイ(100、200)であって、 複数の第1の導体(120、210、220)であって、前記第
    1の導体(120、210、220)の少なくとも1つのグルー
    プ(124、214、224)と、端子(122、212、222)に結合
    された少なくとも1つの第1の導体(120、210、220)
    とからなり、前記グループ(124、214、224)内の前記
    第1の導体(120、210、220)が、前記グループ(124、
    214、224)の共通端子(126、216、226)に電気的に結
    合された、複数の第1の導体(120、210、220)と、 複数の第2の導体(110、210、220)と、及び前記第1
    および第2の導体の交点に配置された複数のメモリセル
    (130、230)とからなる、テストアレイ(100、200)。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030218896A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Pon Harry Q Combined memory
US6978407B2 (en) * 2003-05-27 2005-12-20 Lsi Logic Corporation Method and architecture for detecting random and systematic transistor degradation for transistor reliability evaluation in high-density memory
US7085183B2 (en) * 2004-07-13 2006-08-01 Headway Technologies, Inc. Adaptive algorithm for MRAM manufacturing
US20070014307A1 (en) * 2005-07-14 2007-01-18 Yahoo! Inc. Content router forwarding
CN101458968B (zh) * 2007-12-13 2010-11-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置
US8526254B2 (en) * 2008-04-03 2013-09-03 Sidense Corp. Test cells for an unprogrammed OTP memory array
US8868820B2 (en) * 2011-10-31 2014-10-21 Microsemi SoC Corporation RAM block designed for efficient ganging
US8750031B2 (en) * 2011-12-16 2014-06-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Test structures, methods of manufacturing thereof, test methods, and MRAM arrays
CN112767989A (zh) * 2021-01-06 2021-05-07 波平方科技(杭州)有限公司 新型存储器测试结构

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2629213B2 (ja) * 1987-11-13 1997-07-09 松下電器産業株式会社 アクティブマトリックスアレイの検査方法および検査装置
DE3937187A1 (de) * 1989-11-08 1991-05-16 Philips Patentverwaltung Verfahren zum herstellen von integrierten schaltungen sowie integrierte schaltung
US5083697A (en) * 1990-02-14 1992-01-28 Difrancesco Louis Particle-enhanced joining of metal surfaces
US5107459A (en) * 1990-04-20 1992-04-21 International Business Machines Corporation Stacked bit-line architecture for high density cross-point memory cell array
JPH05144293A (ja) * 1991-11-20 1993-06-11 Sony Corp 半導体メモリーteg及び半導体メモリー回路の検査方法
US5952838A (en) * 1995-06-21 1999-09-14 Sony Corporation Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures
JPH0991998A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Nittetsu Semiconductor Kk 半導体記憶装置
US5764569A (en) * 1996-09-24 1998-06-09 Altera Corporation Test structure and method to characterize charge gain in a non-volatile memory
US5794175A (en) * 1997-09-09 1998-08-11 Teradyne, Inc. Low cost, highly parallel memory tester
JPH11120797A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Toshiba Microelectronics Corp 強誘電体メモリ及びそのスクリーニング方法
US6018484A (en) * 1998-10-30 2000-01-25 Stmicroelectronics, Inc. Method and apparatus for testing random access memory devices
US6456525B1 (en) * 2000-09-15 2002-09-24 Hewlett-Packard Company Short-tolerant resistive cross point array
US6552409B2 (en) * 2001-06-05 2003-04-22 Hewlett-Packard Development Company, Lp Techniques for addressing cross-point diode memory arrays

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689841B1 (ko) 2006-02-13 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 레벨링 알고리듬 및 관련된 장치

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