JP4037728B2 - メモリアレイをテストするためのテストアレイおよび方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本技術分野は、メモリアレイをテストするためのテストアレイと方法である。より具体的には、本技術分野は、過度の時間や費用なしにアレイの正確なテストを可能にするテスト方法とアレイである。
【0002】
【従来の技術】
交点メモリアレイは、水平方向の行導体と垂直方向の列導体の交点に配置されたメモリセルを含む。このメモリセルは、交点メモリアレイにおいて記憶要素としてはたらき、一般に「1」または「0」の2値状態を記憶することができる。メモリセル、行導体、列導体、および他の回路要素は、基板上に配置され得る。既知の交点メモリアレイの例には、ワンタイムプログラマブル(OTP)メモリ、およびリプログラマブルメモリなどの不揮発性メモリが含まれる。メモリアレイは、大量生産の前や新しいメモリアレイの開発段階中などの多くの環境でテストを必要とする。テストは、メモリセルの抵抗、メモリセル特性の均一性、RH応答、抵抗電圧特性、および他の特性など、メモリアレイの特性の測定を含むことができる。
【0003】
テストの1つの手法は、ドライバ回路、スイッチング回路、および他の周辺回路の完全な統合したものを含むフルスケールのメモリアレイテスタを構成することである。「フルスケール」という用語は、テストされるべきアレイが、最終的なメモリ製品に含まれるメモリセルの数とほぼ同じ数のメモリセルを含むことを示す。この手法を使用して、メモリセルの状態を選択的に切り換え、様々な動作条件下でメモリセルの特性を測定することによって、テストアレイの特性を求めることができる。このテスト技術は、テストアレイの特性を求めるのに有効である場合があるが、周辺回路を含むフルスケールテスタの製作は、きわめて高価で時間がかかる。
【0004】
アレイをテストするためのもう1つの技術は、テストアレイ内に周辺回路を完全に組み込んだテストアレイを構成することを含む。したがって、アレイ内の周辺回路を使用してテストアレイの特性をテストすることができる。この技術もまた、テスト段階中に完全なアレイを構成する必要があるため、高価でかつ時間がかかる。
【0005】
メモリアレイをテストするための別の技術は、最終的なメモリ製品に使用されるメモリアレイよりも規模の小さいテストアレイを構成することである。小さい規模のテストアレイによる結果は、フルスケールのメモリアレイの結果の標本として利用される。この技術は、小規模のテストがフルスケールアレイで生じるローディング効果(loading effect)、整定時間、および他の現象を再現することができないため、不十分であるかもしれない。したがって、小規模の試験は、いくつかの用途に対して十分に正確でない可能性がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、過度のコストまたは遅延を必要とせずにメモリアレイを正確にテストするためのテストアレイと方法が必要とされている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
第1の態様によれば、テストアレイは、複数の行導体と、複数の列導体と、行導体と列導体の交点に配置された複数のメモリセルとを含む。行導体と列導体は、電気的に結合または「連結」された導体のグループを含むことができる。連結された導体は、共通端子に結合され得る。また、行導体と列導体は、個々の端子に接続された導体を含む。個々の端子に接続された行導体と列導体の交点に配置されたメモリセルは、テスト中にテスト装置によってそれらの特性が測定され得る。連結された行導体と列導体のグループは、テスト中、連結された導体に共通の電流または電位が印加され得る。
【0008】
第1の態様によれば、テストアレイの端子の数は、比較的少なくできる。したがって、テストアレイに接続するためのプローブの数が制限または限定されたテスト装置を使用して、アレイをテストすることができる。行導体および/または列導体を選択的に連結することによって、きわめて大きいテストアレイを、比較的少数のプローブを有するテスト装置でテストすることができる。
【0009】
また、第1の態様によれば、テストアレイを、過度の費用なしにフルスケールでテストすることができる。さらに、テストのためにテストアレイにスイッチング回路や他の回路を完全に組み込む必要がない。したがって、テストアレイを比較的安価でかつ迅速に組み立てることができ、新しいアレイの開発の時間とコストが削減される。
【0010】
また、第1の態様によれば、フルスケールアレイによってローディング効果、整定時間、および他の特性がより正確に予測されるので、フルスケールテストアレイの使用により、小規模のテストデータよりも信頼性の高いテストデータが提供される。この特徴は、テストアレイ内の選択されたメモリセルからのテストデータが、テストアレイの設計に基づいてフルスケールの最終製品メモリアレイがどのように動作するのかを確実に表すのに役立つ。
【0011】
第2の態様によれば、テストアレイをテストする方法は、選択されたメモリセルと交差する選択された行導体に入力を印加するステップと、選択されたメモリセルと交差する選択された列導体からの出力を測定するステップと、テストアレイの共通端子に共通入力を印加するステップとを含む。共通端子はそれぞれ、連結された列導体のグループに結合される。
【0012】
第2の態様によれば、列導体のグループに共通入力を印加することにより、テストアレイの予想動作環境をシミュレートすることが可能になる。共通端子を介して列導体のグループに共通の入力を印加することができるので、テストアレイは、テストアレイをテストするために使用されるテスト装置と接続するのに必要な端子が少なくなる。さらに、このテスト装置は、テストアレイ端子との接続に必要なプローブの数が少なくなる。
【0013】
他の態様および利点は、添付図面に関連して行われる以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【0014】
詳細な説明は、同じ参照番号が類似の要素を指す添付図面を参照する。
【0015】
【発明の実施の形態】
好適な実施形態と図面によって、アレイをテストするためのテストアレイおよび方法を説明する。
【0016】
図1は、第1の実施形態によるテストアレイ100の概略図である。テストアレイ100は、複数の行導体110および列導体120を含む。行導体110は、メモリセル130において列導体120と交差する。テストアレイ100は、交点メモリアレイであり、例えば磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)、ヒューズメモリ、アンチヒューズ(anti-fuse)メモリ、電荷記憶、マスク読出し専用(マスクROM)メモリ、および他のメモリタイプなど、任意の交点メモリタイプとすることができる。
【0017】
テストアレイ100の行導体110は、導電端子112で終端し、列導体120は、導電端子122で終端する。図1において、端子112、122は、導電パッドとして示されている。しかしながら、テストアレイ100に使用するには、どのような形の導電端子も適している。端子112、122は、テストアレイ100をテスト装置(図1には示されず)に結合してメモリアレイ100の特性を求めるために使用される。端子112、122は、アレイ100の基板(図示せず)の上に配置され得る。図1に示したテストアレイ100は、q本の行導体110と、p本の列導体120と、p×q個のメモリセル130を含み、ここで、pとqは整数である。
【0018】
第1の実施形態によれば、テストアレイ100の多数の列導体120は、グループ124として互いに電気的に結合または「連結」され、共通端子126において共通出力を有する。「グループ」は、例えば、2本以上の導体からなることができる(例示のため、グループ124内の個々の導体は示されない)。図1では、2本の第1の列導体110がそれぞれ個々の端子122で終端する。列3〜nの列導体120は、共通端子126に電気的に結合され、そこで終端する。ここで、nは整数である。この構成の効果は、テストアレイ100のテスト中にテスト装置と接続するための端子の数を少なくすることである。共通端子は、テストアレイ100の基板(図示せず)の上に配置され得る。
【0019】
指定された列導体120が共通端子126を共用しているので、通常、連結された列導体120に結合されたメモリセル130からテストデータは収集されない。データは、個別端子122を有する列導体120と交差するメモリセル130から取得することが理想的である。したがって、テスタは、テストアレイ100の特性の統計的に代表的なサンプルを提供するために、テスト測定で何個のメモリセル130にアクセスできなければならないかを決定する。メモリセル130の所望のサンプル母集団の測定を可能にするために、多数の列導体120が、個々の導電パッド122で終端するように選択される。残りの列導体120は、グループ124に連結されてもよい。したがって、個別端子122を有する列導体120の数は、テストアレイ100のサイズ、および特定の用途に必要な統計サンプル(すなわち、測定のためにアクセス可能なメモリセル130の数)に依存する。
【0020】
共通端子126があるため、例えば、電位、電流、または他の入力などの共通入力をグループ124内の連結された導体120に印加することが可能になる。テストアレイ100の予想動作環境をシミュレートするために、テスト中に、電位、電流、および他の入力をグループ124に印加することができる。装置の予想動作環境は、一般に、テストアレイ100の設計に基づいて最終製品メモリアレイに予想される条件である。この特徴は、テストアレイ100内の選択されたメモリセル130からのテストデータが、テストアレイ100の設計に基づくメモリアレイが実際の動作でどのようにはたらくかを確実に表すのに役立つ。
【0021】
テストアレイ100から取得されるテスト測定値により、グループ124と列導体120は、それぞれ1つの端子126、122しか必要ない場合がある。例えば、テストアレイ100のテストプロセスが、選択された列導体120への電位の印加しか含まない場合、列導体120は、それぞれの端部に端子122、126を必要とせず1つの端子122、126だけでよい場合がある。
【0022】
図1において、2つの列導体120は、個々の端子122で終端し、3〜nの列導体120は、共通端子126を共用する。p本の列導体120にわたって1,2,3〜n,1,2,3〜n...のパターンが繰り返す。1,2,3〜n,1,2,3〜n...のパターンは、選択された列導体120を互いに連結する構成の例であり、他の構成が可能である。1つの可能な代替の構成は、例えば、1,2〜n,1,2〜n,...である。
【0023】
図1において、テスト中にテスト装置と接続するための端子の数を少なくするために、選択された列導体120だけが電気的に結合されている。図2は、連結された行導体と列導体を有するテストアレイ200の代替の実施形態を示す。
【0024】
図2を参照すると、メモリアレイ200は、個別端子212で終端するか、あるいはグループ214として互いに連結されかつ共通端子216を共用する行導体210を含む。同様に、列導体220は、個別端子222で終端するか、あるいはグループ224として互いに連結されかつ共通端子226を共用する。図2において、端子212、222、216、226は、導電パッドとして示されている。しかしながら、テストアレイ200に使用するには、どのような形の導電端子も適している。端子212、222、216、226は、テストアレイ200の基板(図示せず)の上に配置され得る。
【0025】
行導体210は、1本の個別の導体210とそれに後続する2〜m本の連結された導体210の繰り返しパターンを含み、行導体210は合計q本である。列導体220は、1本の列導体220とそれに後続する2〜n本の連結された列導体220の繰り返しパターンを含み、列導体220は合計p本である。この実施形態において、m、n、pおよびqは、整数である。
【0026】
前述の実施形態によれば、テストアレイは、テストプロセス中にテストプローブと接続するための端子の数を少なくするために、電気的に結合または互いに連結された、選択された数の行/列導体を含むことができる。この構成の1つの利点は、様々なサイズのテストアレイを、比較的少ない数のプローブを有するテスト装置によりテストできることである。有利な点は、特定の実験室または他のテスト環境におけるテストアレイを、1組の標準化された数の端子のうちの1つに対応するように構成することができ、それにより1つのテスト装置を利用して様々なテストアレイをテストすることができる。テストアレイの端子の数は、多数または小数の行および/または列導体を選択的にグループに連結することによって標準化され得る。
【0027】
前述の実施形態に対するもう1つの利点は、比較的多くのメモリセルを有するテストアレイを正確にテストすることができることである。言い換えれば、テストアレイをフルサイズでテストすることができる。したがって、テストアレイのローディング効果、欠陥密度、整定時間、および他の特性などの特性は、テストアレイ設計に基づいた最終製品のメモリアレイと類似することになる。さらに、テストアレイをテストするために、スイッチング回路や他の周辺回路を組み込む必要がない。
【0028】
図3と図4を参照して、テストアレイをテストするためのテスト装置10について後述する。図3は、テスト装置10の概略図であり、図4は、テスト装置10の試験ボード20の概略図である。
【0029】
図3を参照すると、テスト装置10は、試験ボード20、テスト電子回路12、およびプロセッサ90を含む。試験ボード20は、導体22によってテスト電子回路12に結合される。テスト電子回路12は、マルチプレクサ30、デコーダ40、読み取り増幅器50、読み取り/書き込み制御部60、および電流源70を含む。プロセッサ90は、I/O装置92を通り、Add線、Data線およびR/W線を介してテスト電子回路12に結合される。
【0030】
図3において、試験ボード20は、テストアレイ100が試験ボード20に取り付けられた状態で記号により表されているが、本明細書で説明される他のテストアレイの実施形態もテスト装置10でテストすることができる。試験ボード20は、テスト中にテストアレイ100を支持し、テストアレイ100の行導体110と列導体120に入力を提供することができ、行導体110と列導体120からの出力を受け取ることができる導電性プローブを含む。テストアレイ100は、試験ボード20の選択されたプローブが、テストアレイ100の選択された端子と接触するように試験ボード20に取り付けられる。試験ボード20については、図4に関連して以下に詳細に説明する。
【0031】
テスト装置10は、テストアレイ100の予想動作環境をシミュレートするために、例えば、連結された行導体110および列導体120に、電位や電流などの入力を供給することができる。プロセッサ90は、試験プロセスを制御し、例えば、中央処理装置からなることができる。プロセッサ90は、テストアレイ100内のメモリセル130をプログラムすることができる書き込みモードと、テストアレイ100の特性を測定することができる読み取りモードのいずかでテスト装置10を動作させることができる。読み取り/書き込み制御部60は、テスト電子回路12を読み取りモードと書き込みモードで制御する。マルチプレクサ30は、行導体110と列導体120の間で信号を多重化するはたらきをし、デコーダ40は、マルチプレクサ30との間でデータを復号化する。テストアレイ100からの電流の大きさなどのデータは、データ線でプロセッサ90に送られる前に、読み取り増幅器50によって検出される。電流源70は、テストアレイ100に書き込み電流を供給するために使用されるプログラム可能な電流源とすることができる。また、テスト電子回路12は、電流源70が、例えば読み取り電圧や他の入力をテストアレイ100に提供することができるように、ディジタル−アナログ変換器や他の変換器を含むことができる。
【0032】
図4は、試験ボード20の概略図である。試験ボード20は、テストアレイの導電端子と接触するための複数のプローブ25を含む。プローブ25は、テストアレイが試験ボード20上に配置されたときにテストアレイの個別端子と共通端子の両方と接触するように組26〜29で配列されている。組26〜29はそれぞれ、様々なテストアレイ構成に対応するために異なる数のプローブ25を有することができる。
【0033】
各プローブ25は、テスト電子回路12に至る導体22のうちの1つに接続され得る。コントローラ90は、テスト電子回路12に命令して、特定のプローブ25に結合された列導体または行導体から出力を受け取り、あるいは書き込み電圧または電流、あるいは読み取り電圧または電流などの入力を、特定のプローブ25に結合された列導体または行導体に印加することができる。
【0034】
テストアレイは、試験ボード20に取り付ける前に、テストアレイを90度回転させることによって試験ボード20上でいくつかの方向に向けることができる。この機能により、様々な配列の行導体および列導体をプローブ25の様々な組26〜29に結合することができる。
【0035】
前述の実施形態によれば、テストアレイ内の行導体と列導体を連結して試験ボード20から共通入力を受け取ることができるので、試験ボード20上のプローブ25の数は、比較的少なくできる。例えば、図4において、試験ボード20は、組26の16本のプローブと、組28の24本のプローブを含む。組26のプローブと、組28の対応する(すなわち、真向かいの)プローブは、個別端子を有する列導体に結合され得る。組26のプローブに対応しない組28のプローブをテストアレイ内の共通端子に結合して、例えば、連結された列導体に等しい電位を印加することができる。
【0036】
1つの動作モードにおいて、個別端子を有する行ラインと列導体の交点に配置された選択されたメモリセルが、テスト装置10によって測定される抵抗を有することができる。このモードにおいて、選択されたメモリセルと交差する行ラインに読み取り電圧を印加することによって読み取り電流が生成され、選択されたメモリセルと交差する列導体を、導体22によってテスト電子回路12に結合することができる。選択されたメモリセルと交差する列導体は、個別端子を含む。選択されたメモリセルに流れる読み取り電流の値は、読み取り増幅器50によって判定され得る。プロセッサ90は、読み取り電流値から、選択されたメモリセル130の抵抗を求めることができる。読み取り操作中に、連結された導体と個別の導体を含むテストアレイ内の残りの列導体に電位などの共通入力を印加することができる。
【0037】
前述の例において、選択された列導体が連結されていない場合は、テストアレイのすべての列導体に電位を提供するために、それぞれの列導体端子の端子にプローブを接触させることが必要になる。この特徴は、テストアレイにおける予想動作条件をシミュレートするために等しい電位または別の共通入力を使用する用途において特に有利である。
【0038】
前述の実施形態によれば、開発プロセスにおける過度の費用または遅延なしに、テストアレイ内の任意の導体に共通入力を供給することができる。テストアレイは、フルスケールまたはそれに近いものとすることができ、それにより、テストアレイから測定したローディング効果、整定時間、および他の特性を、テストアレイの設計に基づく最終製品のアレイと類似させることができる。
【0039】
さらなる利点は、テスト装置10を使用して様々なサイズのアレイをテストすることができることである。選択された数の行導体と列導体を互いに連結することによって、任意のテストアレイに一定数の導電パッドを使用することができる。したがって、一定数または制限された数のプローブを有するテスト装置10を使用して、様々なアレイをテストすることができる。
【0040】
本明細書において、「行」と「列」という用語は、メモリアレイにおける一定の方向を意味していない。さらに、「行」と「列」という用語は、必ずしも垂直な関係を意味していない。
【0041】
試験方法および装置を、その例示的な実施形態に関して説明してきたが、当業者ならば、本発明の真の思想および範囲から逸脱することなく本発明の説明した実施形態に様々な修正を行なうことができるであろう。本明細書に使用されている用語および説明は、単なる例示のために記載されており、限定するつもりではない。
【0042】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施形態を示す。
1.テストアレイ(100、200)であって、
複数の第1の導体(120、210、220)であって、前記第1の導体(120、210、220)の少なくとも1つのグループ(124、214、224)と、端子(122、212、222)に結合された少なくとも1つの第1の導体(120、210、220)とからなり、前記グループ(124、214、224)内の前記第1の導体(120、210、220)が、前記グループ(124、214、224)の共通端子(126、216、226)に電気的に結合された、複数の第1の導体(120、210、220)と、
複数の第2の導体(110、210、220)と、及び
前記第1および第2の導体の交点に配置された複数のメモリセル(130、230)とからなる、テストアレイ(100、200)。
2.第1の導体(120、210、220)の前記少なくとも1つのグループ(124、214、224)が、第1の導体(120、210、220)の複数のグループ(124、214、224)からなり、前記少なくとも1つの第1の導体(120、210、220)が、複数の第1の導体(120、210、220)からなる、上記1のテストアレイ(100、200)。
3.前記複数の第1の導体(120、210、220)が、第1の導体(120、210、220)のグループ(124、214、224)と個々の端子(122、212、222)に結合された第1の導体(120、210、220)との交互の繰り返しパターンからなる、上記2のテストアレイ(100、200)。
4.前記共通端子(126、216、226)が、前記テストアレイ(100、200)の基板上に配置される、上記3のテストアレイ(100、200)。
5.前記複数の第2の導体(210、220)が、
前記第2の導体(210、220)の少なくとも1つのグループ(214、224)であって、前記グループ(214、224)内の前記第2の導体(210、220)が、前記グループの共通端子(216、226)に電気的に結合された、前記第2の導体(210、220)の少なくとも1つのグループ(214、224)と、及び
個々の端子(212、222)に結合された少なくとも1つの第2の導体(210、220)とからなる、上記3のテストアレイ(200)。
6.第2の導体(210、220)の前記少なくとも1つのグループ(214、224)が、第2の導体(210、220)の複数のグループ(214、224)からなり、前記少なくとも1つの第2の導体(210、220)が、複数の第2の導体(210、220)からなり、前記共通端子(216、226)が、前記テストアレイ(200)の基板の上に配置される、上記5のテストアレイ(200)。
7.複数の第1の導体(120、210、220)と、複数の第2の導体(110、210、220)と、前記第1と第2の導体(110、210、220)との交点に配置された複数のメモリセル(130、230)とを含むアレイ(100、200)をテストする方法であって、
前記第2の導体(110、210、220)のうちの選択された1つに入力を印加するステップであって、前記選択された第2の導体(110、210、220)が、選択されたメモリセル(130、230)と交差する、ステップと、
選択された第1の導体(120、210、220)からの出力を測定するステップであって、前記選択された第2の導体(110、210、220)が、前記選択されたメモリセル(130、230)と交差する、ステップと、及び
前記テストアレイの少なくとも1つの共通端子(126、216、226)に共通入力を加えるステップであって、前記複数の第1の導体(120、210、220)のグループ(124、214、224)が、少なくとも1つの共通端子(126、216、226)に結合された、ステップとからなる、方法。
8.前記共通入力を加えるステップが、
複数の共通端子(126、216、226)に共通入力を加えることを含み、各共通端子(126、216、226)が、第1の導体(120、210、220)の対応するグループに結合される、上記7の方法。
9.前記出力を測定するステップが、
電流値を測定することを含む、上記8の方法。
10.前記入力を加えるステップが、
電位を印加することを含む、上記9の方法。
【0043】
【発明の効果】
本発明によれば、開発プロセスにおける過度の費用または遅延なしに、テストアレイ内の任意の導体に共通入力を供給することが可能になる。テストアレイは、フルスケールまたはそれに近いものとすることができ、それにより、テストアレイから測定したローディング効果、整定時間、および他の特性を、テストアレイの設計に基づく最終製品のアレイと類似させることができる。また、本発明によるテスト装置を使用することにより、様々なサイズのアレイをテストすることも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態によるテストアレイの概略図である。
【図2】第2の実施形態によるテストアレイの概略図である。
【図3】テスト装置の概略図である。
【図4】図3に示したテスト装置の試験ボードの概略図である。
【符号の説明】
100、200 テストアレイ
110、210 行導体
120、220 列導体
112、122、212、222 端子
124、214、224 グループ
126、216、226 共通端子
130、230 メモリセル
Claims (3)
- 複数の第1の導体と、
前記複数の第1の導体とそれぞれ交差する複数の第2の導体と、
前記第1の導体および前記第2の導体の交点に配置されたメモリセルと、
前記複数の第1の導体のなかの一つの導体の終端に接続された第1導体用個別端子と、
前記複数の第1の導体のなかの少なくとも2つ以上の導体の終端が接続された第1導体用共通端子と、を有し、
前記第1導体用共通端子に接続された少なくとも2つ以上の前記第1の導体を1グループとして、当該1グループとなった少なくとも2つ以上の前記第1の導体と前記第1導体用個別端子に接続された前記第1の導体とが繰り返し配列されている、テストアレイ。 - さらに、前記複数の第2の導体のなかの一つの導体の終端に接続された第2導体用個別端子と、
前記複数の第2の導体のなかの少なくとも2つ以上の導体の終端が接続された第2導体用共通端子と、を有し、
前記第2導体用共通端子に接続された少なくとも2つ以上の前記第2の導体を一グループとして、当該1グループとなった少なくとも2つ以上の前記第2の導体と前記第2導体用個別端子に接続された前記第2の導体が繰り返し配列されている、請求項1記載のテストアレイ。 - 請求項1または2記載のテストアレイを使用したメモリセルアレイのテスト方法であって、
選択するメモリセルと交差する第2導体用個別端子に入力を印加してメモリセルを選択するステップと、
当該選択されたメモリセルと交差する第1の導体からの出力を測定するステップと、
第1導体用共通端子に入力を印加するステップと、
を有する、メモリセルアレイのテスト方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/983697 | 2001-10-25 | ||
US09/983,697 US6639859B2 (en) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | Test array and method for testing memory arrays |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003203499A JP2003203499A (ja) | 2003-07-18 |
JP2003203499A5 JP2003203499A5 (ja) | 2005-05-12 |
JP4037728B2 true JP4037728B2 (ja) | 2008-01-23 |
Family
ID=25530063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002290178A Expired - Fee Related JP4037728B2 (ja) | 2001-10-25 | 2002-10-02 | メモリアレイをテストするためのテストアレイおよび方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6639859B2 (ja) |
EP (1) | EP1308965A3 (ja) |
JP (1) | JP4037728B2 (ja) |
KR (1) | KR100935645B1 (ja) |
CN (1) | CN1414619A (ja) |
TW (1) | TW564433B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030218896A1 (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Pon Harry Q | Combined memory |
US6978407B2 (en) * | 2003-05-27 | 2005-12-20 | Lsi Logic Corporation | Method and architecture for detecting random and systematic transistor degradation for transistor reliability evaluation in high-density memory |
US7085183B2 (en) * | 2004-07-13 | 2006-08-01 | Headway Technologies, Inc. | Adaptive algorithm for MRAM manufacturing |
US20070014307A1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Yahoo! Inc. | Content router forwarding |
KR100689841B1 (ko) | 2006-02-13 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치용 레벨링 알고리듬 및 관련된 장치 |
CN101458968B (zh) * | 2007-12-13 | 2010-11-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置 |
US8526254B2 (en) * | 2008-04-03 | 2013-09-03 | Sidense Corp. | Test cells for an unprogrammed OTP memory array |
US8868820B2 (en) * | 2011-10-31 | 2014-10-21 | Microsemi SoC Corporation | RAM block designed for efficient ganging |
US8750031B2 (en) * | 2011-12-16 | 2014-06-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Test structures, methods of manufacturing thereof, test methods, and MRAM arrays |
CN112767989A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-07 | 波平方科技(杭州)有限公司 | 新型存储器测试结构 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2629213B2 (ja) * | 1987-11-13 | 1997-07-09 | 松下電器産業株式会社 | アクティブマトリックスアレイの検査方法および検査装置 |
DE3937187A1 (de) * | 1989-11-08 | 1991-05-16 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zum herstellen von integrierten schaltungen sowie integrierte schaltung |
US5083697A (en) * | 1990-02-14 | 1992-01-28 | Difrancesco Louis | Particle-enhanced joining of metal surfaces |
US5107459A (en) * | 1990-04-20 | 1992-04-21 | International Business Machines Corporation | Stacked bit-line architecture for high density cross-point memory cell array |
JPH05144293A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Sony Corp | 半導体メモリーteg及び半導体メモリー回路の検査方法 |
US5952838A (en) * | 1995-06-21 | 1999-09-14 | Sony Corporation | Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures |
JPH0991998A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体記憶装置 |
US5764569A (en) * | 1996-09-24 | 1998-06-09 | Altera Corporation | Test structure and method to characterize charge gain in a non-volatile memory |
US5794175A (en) * | 1997-09-09 | 1998-08-11 | Teradyne, Inc. | Low cost, highly parallel memory tester |
JPH11120797A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Toshiba Microelectronics Corp | 強誘電体メモリ及びそのスクリーニング方法 |
US6018484A (en) * | 1998-10-30 | 2000-01-25 | Stmicroelectronics, Inc. | Method and apparatus for testing random access memory devices |
US6456525B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-09-24 | Hewlett-Packard Company | Short-tolerant resistive cross point array |
US6552409B2 (en) * | 2001-06-05 | 2003-04-22 | Hewlett-Packard Development Company, Lp | Techniques for addressing cross-point diode memory arrays |
-
2001
- 2001-10-25 US US09/983,697 patent/US6639859B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-29 TW TW091119697A patent/TW564433B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-02 JP JP2002290178A patent/JP4037728B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-18 EP EP02257238A patent/EP1308965A3/en not_active Withdrawn
- 2002-10-24 KR KR1020020065107A patent/KR100935645B1/ko active IP Right Grant
- 2002-10-25 CN CN02147054A patent/CN1414619A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6639859B2 (en) | 2003-10-28 |
KR100935645B1 (ko) | 2010-01-07 |
EP1308965A2 (en) | 2003-05-07 |
US20030081477A1 (en) | 2003-05-01 |
CN1414619A (zh) | 2003-04-30 |
JP2003203499A (ja) | 2003-07-18 |
EP1308965A3 (en) | 2004-09-22 |
KR20030034012A (ko) | 2003-05-01 |
TW564433B (en) | 2003-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040625 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071009 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4037728 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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