JP2003167357A - 微細レジストパターン形成方法 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サーマルフロープロセスに適合した単位温度
当りのレジストパターンサイズの変化量が小さく、得ら
れるレジストホールパターンサイズの面内均一性が高
く、かつ断面形状の優れたレジストパターンを形成させ
る。 【解決手段】 基板上に設けたポジ型レジスト膜に、選
択的露光処理及び現像処理を順次施して形成させて得た
レジストパターンにサーマルフロー処理を行って微小化
させるレジストパターン形成方法において、（イ）前記
ポジ型レジストとして、（Ａ）酸によりアルカリに対す
る溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射によ
り酸を発生する化合物、（Ｃ）加熱により樹脂成分
（Ａ）と反応して架橋を形成する少なくとも２個のビニ
ルエーテル基を有する化合物、及び（Ｄ）有機アミンか
らなるポジ型レジスト組成物を用い、及び（ロ）前記サ
ーマルフロー処理を１００〜２００℃の温度範囲内で２
回又はそれ以上加熱することにより行い、かつ、後の加
熱温度は前の加熱温度と同一又はそれよりも高く選ぶ。
当りのレジストパターンサイズの変化量が小さく、得ら
れるレジストホールパターンサイズの面内均一性が高
く、かつ断面形状の優れたレジストパターンを形成させ
る。 【解決手段】 基板上に設けたポジ型レジスト膜に、選
択的露光処理及び現像処理を順次施して形成させて得た
レジストパターンにサーマルフロー処理を行って微小化
させるレジストパターン形成方法において、（イ）前記
ポジ型レジストとして、（Ａ）酸によりアルカリに対す
る溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射によ
り酸を発生する化合物、（Ｃ）加熱により樹脂成分
（Ａ）と反応して架橋を形成する少なくとも２個のビニ
ルエーテル基を有する化合物、及び（Ｄ）有機アミンか
らなるポジ型レジスト組成物を用い、及び（ロ）前記サ
ーマルフロー処理を１００〜２００℃の温度範囲内で２
回又はそれ以上加熱することにより行い、かつ、後の加
熱温度は前の加熱温度と同一又はそれよりも高く選ぶ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サーマルフロープ
ロセスを用いて微小化させる微細レジストパターンの作
成方法についての改良、さらに詳しくいえば、サーマル
フローの際の単位温度当りのレジストパターンの寸法変
化を小さくし、レジストパターンサイズのコントロール
を高精度で行いうるように改良した方法に関するもので
ある。
ロセスを用いて微小化させる微細レジストパターンの作
成方法についての改良、さらに詳しくいえば、サーマル
フローの際の単位温度当りのレジストパターンの寸法変
化を小さくし、レジストパターンサイズのコントロール
を高精度で行いうるように改良した方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩのような半導体デバイスや
ＬＣＤのような液晶デバイスの製造には、光のような放
射線を用いたリソグラフィ技術が利用されているが、こ
の場合、その解像力は、使用する放射線の波長と投影光
学系の開口数（ＮＡ）により左右される。
ＬＣＤのような液晶デバイスの製造には、光のような放
射線を用いたリソグラフィ技術が利用されているが、こ
の場合、その解像力は、使用する放射線の波長と投影光
学系の開口数（ＮＡ）により左右される。
【０００３】そして、近年、デバイスの微細化への要求
が高まるに従って、使用する放射線は、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）からＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）やＡ
ｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）へと短波長化す
る方向に進んでおり、それに伴って投影光学系の開口数
を大きくするための研究がなされているが、開口数を大
きくしても焦点深度が小さくなるため、開口数の拡大に
よる解像力にも限度がある。
が高まるに従って、使用する放射線は、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）からＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）やＡ
ｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）へと短波長化す
る方向に進んでおり、それに伴って投影光学系の開口数
を大きくするための研究がなされているが、開口数を大
きくしても焦点深度が小さくなるため、開口数の拡大に
よる解像力にも限度がある。
【０００４】一方、リソグラフィ法におけるレジストパ
ターンの微細化手段として、最近、レジスト膜に像形成
露光及び現像処理を施したのち、得られたレジストパタ
ーンを加熱処理してフローさせ、現像後のレジストパタ
ーンサイズより小さいサイズのレジストパターンを形成
させる、いわゆるサーマルフロープロセスが提案されて
いる（特開２０００−１８８２５０号公報、特開２００
０−３５６８５０号公報）。
ターンの微細化手段として、最近、レジスト膜に像形成
露光及び現像処理を施したのち、得られたレジストパタ
ーンを加熱処理してフローさせ、現像後のレジストパタ
ーンサイズより小さいサイズのレジストパターンを形成
させる、いわゆるサーマルフロープロセスが提案されて
いる（特開２０００−１８８２５０号公報、特開２００
０−３５６８５０号公報）。
【０００５】このサーマルフロープロセスは既存のレジ
スト材料を用いて微細化することができるという長所を
有するが、現像後のレジストパターンを熱でフローさせ
るため、単位温度当りのレジストパターンサイズの変化
量を厳密にコントロールしなければならないため、これ
に適合した性質をもつレジスト組成物が必要となる。
スト材料を用いて微細化することができるという長所を
有するが、現像後のレジストパターンを熱でフローさせ
るため、単位温度当りのレジストパターンサイズの変化
量を厳密にコントロールしなければならないため、これ
に適合した性質をもつレジスト組成物が必要となる。
【０００６】このようなものとして、これまで少なくと
も２個のビニルエーテル基を有する化合物を配合した化
学増幅型ポジ型レジスト組成物が提案されているが（特
開平９−２７４３２０号公報）、このものは解像性が向
上するという長所がある反面、パターンの断面形状がテ
ーパー状になるという欠点がある。
も２個のビニルエーテル基を有する化合物を配合した化
学増幅型ポジ型レジスト組成物が提案されているが（特
開平９−２７４３２０号公報）、このものは解像性が向
上するという長所がある反面、パターンの断面形状がテ
ーパー状になるという欠点がある。
【０００７】その後、サーマルフロープロセスを適用す
る際の単位温度当りのレジストパターンサイズの変化量
をコントロールするとともに、ハーフトーン位相シフト
マスクを用いたリソグラフィ法によりレジストパターン
を形成する際に生じるディンプルを抑制しうる微細レジ
ストホールパターン形成方法として、（Ａ）酸によりア
ルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射
線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）加熱により
樹脂成分（Ａ）と反応して架橋を形成する少なくとも２
個のビニルエーテル基を有する化合物及び（Ｄ）有機ア
ミンからなるポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレ
ジスト膜を形成させ、このレジスト膜にハーフトーン位
相シフトマスクを介して放射線を照射後、アルカリ現像
して得たレジストパターンを加熱し、レジストパターン
サイズを縮小させる方法が提案されたが（特願２０００
−３５３５０９号）、この方法によっても、サーマルフ
ローの際の単位温度当りのレジストパターン寸法変化量
を厳しく抑制し、しかも良好な断面形状をもつレジスト
パターンを得ることや１枚の基板上に形成される複数の
ホールレジストパターンがサーマルフローの際に加熱誤
差によりホールサイズにバラツキを生じることを抑制す
ることは困難であった。
る際の単位温度当りのレジストパターンサイズの変化量
をコントロールするとともに、ハーフトーン位相シフト
マスクを用いたリソグラフィ法によりレジストパターン
を形成する際に生じるディンプルを抑制しうる微細レジ
ストホールパターン形成方法として、（Ａ）酸によりア
ルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射
線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）加熱により
樹脂成分（Ａ）と反応して架橋を形成する少なくとも２
個のビニルエーテル基を有する化合物及び（Ｄ）有機ア
ミンからなるポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレ
ジスト膜を形成させ、このレジスト膜にハーフトーン位
相シフトマスクを介して放射線を照射後、アルカリ現像
して得たレジストパターンを加熱し、レジストパターン
サイズを縮小させる方法が提案されたが（特願２０００
−３５３５０９号）、この方法によっても、サーマルフ
ローの際の単位温度当りのレジストパターン寸法変化量
を厳しく抑制し、しかも良好な断面形状をもつレジスト
パターンを得ることや１枚の基板上に形成される複数の
ホールレジストパターンがサーマルフローの際に加熱誤
差によりホールサイズにバラツキを生じることを抑制す
ることは困難であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情のもとで、サーマルフロープロセスに適合した単位温
度当りのレジストパターンサイズの変化量が小さく、得
られるレジストホールパターンサイズの面内均一性が高
く、かつ断面形状の優れたレジストパターンを形成させ
ることを目的としてなされたものである。
情のもとで、サーマルフロープロセスに適合した単位温
度当りのレジストパターンサイズの変化量が小さく、得
られるレジストホールパターンサイズの面内均一性が高
く、かつ断面形状の優れたレジストパターンを形成させ
ることを目的としてなされたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、サーマル
フロープロセスを用いて微細レジストパターンを形成さ
せる方法について種々研究を重ねた結果、特定の化学増
幅型ポジ型レジスト組成物を用いるとともにサーマルフ
ロー処理を複数回の加熱で行うことにより、サーマルフ
ローの際の単位温度当りのレジストパターン寸法変化を
小さくして、レジストパターンサイズの厳密なコントロ
ールを可能にし、トレンチ又はホール形状が均一で、レ
ジストパターンの断面形状の良好な微細レジストパター
ンを製造し得ることを見出し、この知見に基づいて、本
発明をなすに至った。
フロープロセスを用いて微細レジストパターンを形成さ
せる方法について種々研究を重ねた結果、特定の化学増
幅型ポジ型レジスト組成物を用いるとともにサーマルフ
ロー処理を複数回の加熱で行うことにより、サーマルフ
ローの際の単位温度当りのレジストパターン寸法変化を
小さくして、レジストパターンサイズの厳密なコントロ
ールを可能にし、トレンチ又はホール形状が均一で、レ
ジストパターンの断面形状の良好な微細レジストパター
ンを製造し得ることを見出し、この知見に基づいて、本
発明をなすに至った。
【００１０】すなわち、本発明は、基板上に設けたポジ
型レジスト膜に、選択的露光処理及び現像処理を順次施
して形成させて得たレジストパターンにサーマルフロー
処理を行って微小化させるレジストパターン形成方法に
おいて、（イ）前記ポジ型レジストとして、（Ａ）酸に
よりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、
（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）
加熱により樹脂成分（Ａ）と反応して架橋を形成する少
なくとも２個のビニルエーテル基を有する化合物、及び
（Ｄ）有機アミンからなるポジ型レジスト組成物を用い
ること、及び（ロ）前記サーマルフロー処理を１００〜
２００℃の温度範囲内で２回又はそれ以上加熱すること
により行い、かつ、後の加熱温度は前の加熱温度と同一
又はそれよりも高く選ぶことを特徴とする微細レジスト
パターン形成方法を提供するものである。
型レジスト膜に、選択的露光処理及び現像処理を順次施
して形成させて得たレジストパターンにサーマルフロー
処理を行って微小化させるレジストパターン形成方法に
おいて、（イ）前記ポジ型レジストとして、（Ａ）酸に
よりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、
（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）
加熱により樹脂成分（Ａ）と反応して架橋を形成する少
なくとも２個のビニルエーテル基を有する化合物、及び
（Ｄ）有機アミンからなるポジ型レジスト組成物を用い
ること、及び（ロ）前記サーマルフロー処理を１００〜
２００℃の温度範囲内で２回又はそれ以上加熱すること
により行い、かつ、後の加熱温度は前の加熱温度と同一
又はそれよりも高く選ぶことを特徴とする微細レジスト
パターン形成方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明方法においては、基板上の
ポジ型レジスト膜の形成に、（Ａ）酸によりアルカリに
対する溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射
により酸を発生する化合物、（Ｃ）加熱により樹脂成分
（Ａ）と反応して架橋を形成する少なくとも２個のビニ
ルエーテル基を有する化合物、及び（Ｄ）有機アミンか
らなるポジ型レジスト組成物を用いることが必要であ
る。
ポジ型レジスト膜の形成に、（Ａ）酸によりアルカリに
対する溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射
により酸を発生する化合物、（Ｃ）加熱により樹脂成分
（Ａ）と反応して架橋を形成する少なくとも２個のビニ
ルエーテル基を有する化合物、及び（Ｄ）有機アミンか
らなるポジ型レジスト組成物を用いることが必要であ
る。
【００１２】この（Ａ）成分の酸の作用によりアルカリ
に対する溶解性が増大する樹脂の例としては、水酸基の
水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン
単位を含むヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル
基の水素原子が酸解離性基で置換されたアクリル酸又は
メタクリル酸単位とヒドロキシスチレン単位を含む共重
合体などのＫｒＦ用ポジレジストで用いられている公知
の樹脂、酸解離性基を有する多環式炭化水素基を主鎖又
は側鎖に有する非芳香族性樹脂のようなＡｒＦ用ポジレ
ジストに用いられている公知の樹脂などを挙げることが
できるが、特に低温ベーク用のＫｒＦエキシマレーザー
用レジストとしては、水酸基の水素原子が酸解離性基で
置換されたヒドロキシスチレン単位とヒドロキシスチレ
ン単位を含む共重合体が好ましい。なお、前記のヒドロ
キシスチレン単位は、ヒドロキシ‐α‐メチルスチレン
単位であってもよい。
に対する溶解性が増大する樹脂の例としては、水酸基の
水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン
単位を含むヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル
基の水素原子が酸解離性基で置換されたアクリル酸又は
メタクリル酸単位とヒドロキシスチレン単位を含む共重
合体などのＫｒＦ用ポジレジストで用いられている公知
の樹脂、酸解離性基を有する多環式炭化水素基を主鎖又
は側鎖に有する非芳香族性樹脂のようなＡｒＦ用ポジレ
ジストに用いられている公知の樹脂などを挙げることが
できるが、特に低温ベーク用のＫｒＦエキシマレーザー
用レジストとしては、水酸基の水素原子が酸解離性基で
置換されたヒドロキシスチレン単位とヒドロキシスチレ
ン単位を含む共重合体が好ましい。なお、前記のヒドロ
キシスチレン単位は、ヒドロキシ‐α‐メチルスチレン
単位であってもよい。
【００１３】この酸解離性溶解抑制基で水酸基の水素原
子が置換されたヒドロキシスチレン単位又は同様に置換
されたヒドロキシ‐α‐メチルスチレン単位により、露
光部では放射線の照射により発生した酸の作用により溶
解抑制基が脱離し、フェノール性水酸基に変化する。こ
のようにして、露光前はアルカリ不溶性であった樹脂が
露光後はアルカリ可溶性に変化する。
子が置換されたヒドロキシスチレン単位又は同様に置換
されたヒドロキシ‐α‐メチルスチレン単位により、露
光部では放射線の照射により発生した酸の作用により溶
解抑制基が脱離し、フェノール性水酸基に変化する。こ
のようにして、露光前はアルカリ不溶性であった樹脂が
露光後はアルカリ可溶性に変化する。
【００１４】ヒドロキシスチレン又はヒドロキシα‐メ
チルスチレン単位は、アルカリ可溶性を付与するもので
ある。ヒドロキシル基の位置はｏ‐位、ｍ‐位、ｐ‐位
のいずれでもよいが、容易に入手可能で低価格であるこ
とからｐ‐位が最も好ましい。
チルスチレン単位は、アルカリ可溶性を付与するもので
ある。ヒドロキシル基の位置はｏ‐位、ｍ‐位、ｐ‐位
のいずれでもよいが、容易に入手可能で低価格であるこ
とからｐ‐位が最も好ましい。
【００１５】前記の酸解離性溶解抑制基としては、これ
まで化学増幅型のＫｒＦ用又はＡｒＦ用レジスト中の酸
の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する成分に
おいて、酸解離性溶解抑制基として提案されているもの
の中から任意に選ぶことができる。これらの中で第三級
アルキルオキシカルボニル基、第三級アルキルオキシカ
ルボニルアルキル基、第三級アルキル基、環状エーテル
基、アルコキシアルキル基、１‐アルキルモノシクロア
ルキル基及び２‐アルキルポリシクロアルキル基の中か
ら選択される少なくとも１種が好ましい。
まで化学増幅型のＫｒＦ用又はＡｒＦ用レジスト中の酸
の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する成分に
おいて、酸解離性溶解抑制基として提案されているもの
の中から任意に選ぶことができる。これらの中で第三級
アルキルオキシカルボニル基、第三級アルキルオキシカ
ルボニルアルキル基、第三級アルキル基、環状エーテル
基、アルコキシアルキル基、１‐アルキルモノシクロア
ルキル基及び２‐アルキルポリシクロアルキル基の中か
ら選択される少なくとも１種が好ましい。
【００１６】第三級アルキルオキシカルボニル基の例と
しては、ｔｅｒｔ‐ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒ
ｔ‐アミルオキシカルボニル基などを、第三級アルキル
オキシカルボニルアルキル基の例としては、ｔｅｒｔ‐
ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ‐ブチルオ
キシカルボニルエチル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカル
ボニルメチル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニルエ
チル基などを、第三級アルキル基の例としては、ｔｅｒ
ｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐アミル基などを、環状エーテ
ル基の例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒ
ドロフラニル基などを、アルコキシアルキル基の例とし
ては、１‐エトキシエチル基、１‐メトキシプロピル基
などを、１‐アルキルモノシクロアルキル基の例として
は、１‐メチルシクロヘキシル基、１‐エチルシクロヘ
キシル基のような第三級炭素原子に結合する２個のアル
キル基が連結して１つの環状基を形成する１‐低級アル
キルシクロヘキシル基を、２‐アルキルポリシクロアル
キル基の例としては、２‐メチルアダマンチル基、２‐
エチルアダマンチル基のような第三級炭素原子に結合す
る２個のアルキル基が連結して多環式炭化水素基を形成
する２‐低級アルキルアダマンチル基などを挙げること
ができる。
しては、ｔｅｒｔ‐ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒ
ｔ‐アミルオキシカルボニル基などを、第三級アルキル
オキシカルボニルアルキル基の例としては、ｔｅｒｔ‐
ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ‐ブチルオ
キシカルボニルエチル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカル
ボニルメチル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニルエ
チル基などを、第三級アルキル基の例としては、ｔｅｒ
ｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐アミル基などを、環状エーテ
ル基の例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒ
ドロフラニル基などを、アルコキシアルキル基の例とし
ては、１‐エトキシエチル基、１‐メトキシプロピル基
などを、１‐アルキルモノシクロアルキル基の例として
は、１‐メチルシクロヘキシル基、１‐エチルシクロヘ
キシル基のような第三級炭素原子に結合する２個のアル
キル基が連結して１つの環状基を形成する１‐低級アル
キルシクロヘキシル基を、２‐アルキルポリシクロアル
キル基の例としては、２‐メチルアダマンチル基、２‐
エチルアダマンチル基のような第三級炭素原子に結合す
る２個のアルキル基が連結して多環式炭化水素基を形成
する２‐低級アルキルアダマンチル基などを挙げること
ができる。
【００１７】特に、質量平均分子量２０００〜３０００
０で分散度１．０〜６．０の範囲のポリヒドロキシスチ
レンであって、その中に存在する水酸基の１０〜６０％
の水素原子がｔｅｒｔ‐ブチルオキシカルボニル基、ｔ
ｅｒｔ‐ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ‐
ブチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラ
ニル基、１‐エトキシエチル基及び１‐メトキシプロピ
ル基の中から選ばれる酸解離性基で置換されたヒドロキ
シスチレン共重合体が好適である。
０で分散度１．０〜６．０の範囲のポリヒドロキシスチ
レンであって、その中に存在する水酸基の１０〜６０％
の水素原子がｔｅｒｔ‐ブチルオキシカルボニル基、ｔ
ｅｒｔ‐ブチルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ‐
ブチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラ
ニル基、１‐エトキシエチル基及び１‐メトキシプロピ
ル基の中から選ばれる酸解離性基で置換されたヒドロキ
シスチレン共重合体が好適である。
【００１８】中でも、解像性、レジストパターン形状に
優れることから、（Ａ）成分として（ａ1）ｔｅｒｔ‐
ブチルオキシカルボニルオキシスチレン単位１０〜６０
モル％、好ましくは１０〜５０モル％を含む、質量平均
分子量２０００〜３００００、好ましくは５０００〜２
５０００、分散度１．０〜６．０、好ましくは１．０〜
４．０のヒドロキシスチレン共重合体と、（ａ2）アル
コキシアルキルオキシスチレン単位１０〜６０モル％、
好ましくは１０〜５０モル％を含む、質量平均分子量２
０００〜３００００、好ましくは５０００〜２５００
０、分散度１．０〜６．０、好ましくは１．０〜４．０
のヒドロキシスチレン共重合体との質量比１０：９０な
いし９０：１０、好ましくは１０：９０ないし５０：５
０の範囲の混合物が好ましい。
優れることから、（Ａ）成分として（ａ1）ｔｅｒｔ‐
ブチルオキシカルボニルオキシスチレン単位１０〜６０
モル％、好ましくは１０〜５０モル％を含む、質量平均
分子量２０００〜３００００、好ましくは５０００〜２
５０００、分散度１．０〜６．０、好ましくは１．０〜
４．０のヒドロキシスチレン共重合体と、（ａ2）アル
コキシアルキルオキシスチレン単位１０〜６０モル％、
好ましくは１０〜５０モル％を含む、質量平均分子量２
０００〜３００００、好ましくは５０００〜２５００
０、分散度１．０〜６．０、好ましくは１．０〜４．０
のヒドロキシスチレン共重合体との質量比１０：９０な
いし９０：１０、好ましくは１０：９０ないし５０：５
０の範囲の混合物が好ましい。
【００１９】また、（ａ3）テトラヒドロピラニルオキ
シスチレン単位１０〜６０モル％、好ましくは１０〜５
０モル％を含む、質量平均分子量２０００〜３０００
０、好ましくは５０００〜２５０００、分散度１．０〜
６．０、好ましくは１．０〜４．０のヒドロキシスチレ
ン共重合体と、上記の（ａ2）の共重合体との質量比が
１０：９０ないし９０：１０、好ましくは１０：９０な
いし５０：５０の範囲の混合物も適している。
シスチレン単位１０〜６０モル％、好ましくは１０〜５
０モル％を含む、質量平均分子量２０００〜３０００
０、好ましくは５０００〜２５０００、分散度１．０〜
６．０、好ましくは１．０〜４．０のヒドロキシスチレ
ン共重合体と、上記の（ａ2）の共重合体との質量比が
１０：９０ないし９０：１０、好ましくは１０：９０な
いし５０：５０の範囲の混合物も適している。
【００２０】また、（ａ4）ｔｅｒｔ‐ブトキシスチレ
ン単位１０〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％
を含む、質量平均分子量２０００〜３００００、好まし
くは５０００〜２５０００、分散度１．０〜６．０、好
ましくは１．０〜４．０のヒドロキシスチレン共重合体
と、上記の（ａ2）の共重合体との質量比が１０：９０
ないし９０：１０、好ましくは１０：９０ないし５０：
５０の範囲の混合物も適している。
ン単位１０〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％
を含む、質量平均分子量２０００〜３００００、好まし
くは５０００〜２５０００、分散度１．０〜６．０、好
ましくは１．０〜４．０のヒドロキシスチレン共重合体
と、上記の（ａ2）の共重合体との質量比が１０：９０
ないし９０：１０、好ましくは１０：９０ないし５０：
５０の範囲の混合物も適している。
【００２１】また、高温ベーク用のＫｒＦエキシマレー
ザー用レジストの（Ａ）成分としては、カルボキシル基
の水素原子が酸解離性基で置換されたアクリル酸又はメ
タクリル酸とヒドロキシスチレン単位を含む共重合体が
好ましい。この（Ａ）成分における酸解離性基は前記し
たものから選択されるが、特にはｔｅｒｔ‐ブチル基の
ような第三級アルキル基、１‐メチルシクロヘキシル
基、１‐エチルシクロヘキシル基のような１‐低級アル
キルシクロヘキシル基、２‐メチルアダマンチル基、２
‐エチルアダマンチル基のような２‐低級アルキルポリ
シクロアルキル基が好ましい。
ザー用レジストの（Ａ）成分としては、カルボキシル基
の水素原子が酸解離性基で置換されたアクリル酸又はメ
タクリル酸とヒドロキシスチレン単位を含む共重合体が
好ましい。この（Ａ）成分における酸解離性基は前記し
たものから選択されるが、特にはｔｅｒｔ‐ブチル基の
ような第三級アルキル基、１‐メチルシクロヘキシル
基、１‐エチルシクロヘキシル基のような１‐低級アル
キルシクロヘキシル基、２‐メチルアダマンチル基、２
‐エチルアダマンチル基のような２‐低級アルキルポリ
シクロアルキル基が好ましい。
【００２２】中でも、解像性、レジストパターン形状及
び耐エッチング性に優れることから、質量平均分子量２
０００〜３００００、好ましくは５０００〜２５００
０、分散度１．０〜６．０、好ましくは１．０〜４．０
のヒドロキシスチレン単位４０〜８０モル％、好ましく
は５０〜７０モル％、スチレン単位１０〜４０モル％、
好ましくは１５〜３０モル％及び酸解離性基で置換され
たアクリル酸又はメタクリル酸単位２〜３０モル％、好
ましくは５〜２０モル％の範囲が好ましい。前記のヒド
ロキシスチレン単位とスチレン単位はヒドロキシ‐α‐
メチルスチレン単位とα‐メチルスチレン単位であって
もよい。
び耐エッチング性に優れることから、質量平均分子量２
０００〜３００００、好ましくは５０００〜２５００
０、分散度１．０〜６．０、好ましくは１．０〜４．０
のヒドロキシスチレン単位４０〜８０モル％、好ましく
は５０〜７０モル％、スチレン単位１０〜４０モル％、
好ましくは１５〜３０モル％及び酸解離性基で置換され
たアクリル酸又はメタクリル酸単位２〜３０モル％、好
ましくは５〜２０モル％の範囲が好ましい。前記のヒド
ロキシスチレン単位とスチレン単位はヒドロキシ‐α‐
メチルスチレン単位とα‐メチルスチレン単位であって
もよい。
【００２３】なお、低温ベーク用とは、プレベーク及び
後加熱露光（ＰＥＢ）の温度がそれぞれ９０〜１２０
℃、好ましくは９０〜１１０℃の間であり、高温ベーク
用とは、プレベーク及び後加熱露光（ＰＥＢ）の温度が
それぞれ１１０〜１５０℃、好ましくは１２０〜１４０
℃の間から選択される温度で施されるものである。
後加熱露光（ＰＥＢ）の温度がそれぞれ９０〜１２０
℃、好ましくは９０〜１１０℃の間であり、高温ベーク
用とは、プレベーク及び後加熱露光（ＰＥＢ）の温度が
それぞれ１１０〜１５０℃、好ましくは１２０〜１４０
℃の間から選択される温度で施されるものである。
【００２４】次に（Ｂ）成分の放射線の照射により酸を
発生する化合物としては、これまで化学増幅型ポジ型レ
ジスト組成物において酸発生剤として用いられていた公
知の化合物の中から任意に選ぶことができ、特に制限は
ない。このような酸発生剤としては、例えばジアゾメタ
ン類、ニトロベンジル誘導体類、スルホン酸エステル
類、オニウム塩類、ベンゾイントシレート類、ハロゲン
含有トリアジン化合物類、シアノ基含有オキシムスルホ
ネート化合物類などが挙げられるが、これらの中でジア
ゾメタン類及び炭素数１〜１５のハロゲノアルキルスル
ホン酸をアニオンとするオニウム塩類が好適である。
発生する化合物としては、これまで化学増幅型ポジ型レ
ジスト組成物において酸発生剤として用いられていた公
知の化合物の中から任意に選ぶことができ、特に制限は
ない。このような酸発生剤としては、例えばジアゾメタ
ン類、ニトロベンジル誘導体類、スルホン酸エステル
類、オニウム塩類、ベンゾイントシレート類、ハロゲン
含有トリアジン化合物類、シアノ基含有オキシムスルホ
ネート化合物類などが挙げられるが、これらの中でジア
ゾメタン類及び炭素数１〜１５のハロゲノアルキルスル
ホン酸をアニオンとするオニウム塩類が好適である。
【００２５】このジアゾメタン類の例としては、ビス
（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，
１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン
などがあり、炭素数１〜１５のハロゲノアルキルスルホ
ン酸をアニオンとするオニウム塩類の例としては、ジフ
ェニルヨードニウム−トリフルオロメタンスルホネート
又はノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４‐メト
キシフェニル）ヨードニウム−トリフルオロメタンスル
ホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、ビス
（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨードニウム−トリ
フルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウム−トリフルオロ
メタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネー
ト、（４‐メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム
−トリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブ
タンスルホネート、（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）
ジフェニルスルホニウム−トリフルオロメタンスルホネ
ート又はノナフルオロブタンスルホネートなどがある。
（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，
１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス
（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン
などがあり、炭素数１〜１５のハロゲノアルキルスルホ
ン酸をアニオンとするオニウム塩類の例としては、ジフ
ェニルヨードニウム−トリフルオロメタンスルホネート
又はノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４‐メト
キシフェニル）ヨードニウム−トリフルオロメタンスル
ホネート又はノナフルオロブタンスルホネート、ビス
（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨードニウム−トリ
フルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブタンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウム−トリフルオロ
メタンスルホネート又はノナフルオロブタンスルホネー
ト、（４‐メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム
−トリフルオロメタンスルホネート又はノナフルオロブ
タンスルホネート、（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）
ジフェニルスルホニウム−トリフルオロメタンスルホネ
ート又はノナフルオロブタンスルホネートなどがある。
【００２６】この（Ｂ）成分の酸発生剤は、単独で用い
てもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。その
含有量は、前記（Ａ）成分１００質量部に対し、通常１
〜２０質量部の範囲で選ばれる。この酸発生剤が１質量
部未満では像形成ができにくいし、２０質量部を超える
と均一な溶液とならず、保存安定性が低下する。
てもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。その
含有量は、前記（Ａ）成分１００質量部に対し、通常１
〜２０質量部の範囲で選ばれる。この酸発生剤が１質量
部未満では像形成ができにくいし、２０質量部を超える
と均一な溶液とならず、保存安定性が低下する。
【００２７】本発明においては、（Ｃ）成分として架橋
性の少なくとも２個のビニルエーテル基を有する化合物
を含有させることが必要であるが、このものはレジスト
基板上に塗布し、乾燥してレジスト膜を形成する際、基
材樹脂成分と熱架橋するものであればよく、特に制限は
ない。特に好ましいのは（Ｃ）成分は、アルキレングリ
コールやジアルキレングリコール、トリアルキレングリ
コールなどのポリオキシアルキレングリコールやトリメ
チロールプロパン、ペンタエリトリット、ペンタグリコ
ールなどの多価アルコールの少なくとも２個の水酸基を
ビニルエーテル基で置換した化合物である。
性の少なくとも２個のビニルエーテル基を有する化合物
を含有させることが必要であるが、このものはレジスト
基板上に塗布し、乾燥してレジスト膜を形成する際、基
材樹脂成分と熱架橋するものであればよく、特に制限は
ない。特に好ましいのは（Ｃ）成分は、アルキレングリ
コールやジアルキレングリコール、トリアルキレングリ
コールなどのポリオキシアルキレングリコールやトリメ
チロールプロパン、ペンタエリトリット、ペンタグリコ
ールなどの多価アルコールの少なくとも２個の水酸基を
ビニルエーテル基で置換した化合物である。
【００２８】このようなものとしては、例えば、エチレ
ングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコール
ジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエ
ーテル、１，４‐ブタンジオールジビニルエーテル、テ
トラメチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチ
レングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコ
ールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビ
ニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテ
ル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４‐シク
ロヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレン
グリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジ
ビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエー
テル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルな
どを挙げることができる。これらの中で特に好ましいの
はシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルのよう
な脂環式基を有するアルキレングリコールのジビニルエ
ーテルである。
ングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコール
ジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエ
ーテル、１，４‐ブタンジオールジビニルエーテル、テ
トラメチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチ
レングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコ
ールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビ
ニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテ
ル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４‐シク
ロヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレン
グリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジ
ビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエー
テル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルな
どを挙げることができる。これらの中で特に好ましいの
はシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルのよう
な脂環式基を有するアルキレングリコールのジビニルエ
ーテルである。
【００２９】この（Ｃ）成分の架橋性の少なくとも２個
のビニルエーテル基を有する化合物は、前記（Ａ）成分
１００質量部に対し、通常０．１〜２５質量部の範囲で
選ばれ、好ましくは１〜１５質量部である。これらは単
独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
のビニルエーテル基を有する化合物は、前記（Ａ）成分
１００質量部に対し、通常０．１〜２５質量部の範囲で
選ばれ、好ましくは１〜１５質量部である。これらは単
独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
【００３０】（イ）工程で用いるポジ型レジスト組成物
の（Ｄ）成分の有機アミンは、（Ｃ）成分が架橋性であ
るため、ポジ型レジスト組成物を溶液として塩基性と
し、安定化させるために配合されるもので、第二級又は
第三級脂肪族アミンが好ましい。このようなものとして
は、例えばジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリ‐ｎ‐プロピルアミ
ン、トリイソプロピルアミン、トリ‐ｎ‐ブチルアミ
ン、トリイソブチルアミン、トリ‐ｔｅｒｔ‐ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、トリブタノールアミンなどがある。
これらの中で好ましいのは、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、トリブタノールアミンなどのジアル
カノールアミン又はトリアルカノールアミンである。
の（Ｄ）成分の有機アミンは、（Ｃ）成分が架橋性であ
るため、ポジ型レジスト組成物を溶液として塩基性と
し、安定化させるために配合されるもので、第二級又は
第三級脂肪族アミンが好ましい。このようなものとして
は、例えばジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリ‐ｎ‐プロピルアミ
ン、トリイソプロピルアミン、トリ‐ｎ‐ブチルアミ
ン、トリイソブチルアミン、トリ‐ｔｅｒｔ‐ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、トリブタノールアミンなどがある。
これらの中で好ましいのは、ジエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、トリブタノールアミンなどのジアル
カノールアミン又はトリアルカノールアミンである。
【００３１】この（Ｄ）成分の有機アミンは、前記
（Ａ）成分１００質量部に対し、通常０．０１〜１質量
部、好ましくは０．０５〜０．７質量部の範囲で用いら
れる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合し
て用いてもよい。
（Ａ）成分１００質量部に対し、通常０．０１〜１質量
部、好ましくは０．０５〜０．７質量部の範囲で用いら
れる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合し
て用いてもよい。
【００３２】このポジ型レジスト組成物は、その使用に
当って、上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いる
のが好ましい。この際用いる溶剤の例としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイ
ソアミルケトン、２‐ヘプタノンなどのケトン類や、エ
チレングリコール、エチレングリコールモノアセテー
ト、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノ
アセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコ
ールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジ
プロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエー
テル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モ
ノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価
アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンなどの環式
エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることができ
る。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して
用いてもよい。
当って、上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いる
のが好ましい。この際用いる溶剤の例としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイ
ソアミルケトン、２‐ヘプタノンなどのケトン類や、エ
チレングリコール、エチレングリコールモノアセテー
ト、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノ
アセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコ
ールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジ
プロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエー
テル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モ
ノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価
アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンなどの環式
エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロ
ピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることができ
る。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して
用いてもよい。
【００３３】この組成物には、さらに所望により混和性
のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するため
の付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤な
どの慣用されているものを添加含有させることができ
る。
のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するため
の付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤な
どの慣用されているものを添加含有させることができ
る。
【００３４】本発明方法においては、所望に応じ、基板
とレジスト膜の間に無機又は有機系反射防止膜を設ける
ことができる。これにより解像性が一段と向上し、設け
られた各種薄膜（ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＰＳＧなど）が基
板の影響を受けることにより、不良なレジストパターン
形状をもたらす、いわゆる基板依存性が抑制される。こ
の無機反射防止膜としてはＳｉＯＮなどが、有機反射防
止膜としては、ＳＷＫシリーズ（東京応化工業社製）、
ＤＵＶシリーズ（ブリューワサイエンス社製）、ＡＲシ
リーズ（シップレー社製）などが挙げられる。
とレジスト膜の間に無機又は有機系反射防止膜を設ける
ことができる。これにより解像性が一段と向上し、設け
られた各種薄膜（ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＰＳＧなど）が基
板の影響を受けることにより、不良なレジストパターン
形状をもたらす、いわゆる基板依存性が抑制される。こ
の無機反射防止膜としてはＳｉＯＮなどが、有機反射防
止膜としては、ＳＷＫシリーズ（東京応化工業社製）、
ＤＵＶシリーズ（ブリューワサイエンス社製）、ＡＲシ
リーズ（シップレー社製）などが挙げられる。
【００３５】次に、本発明方法において、基板上にポジ
型レジスト膜を設けるのは、公知のレジストパターン形
成方法と同様にして行うことができる。すなわち、シリ
コンウエーハのような支持体上に、又は必要に応じ反射
防止膜を設けた支持体上に、該レジスト組成物の溶液を
スピンナーなどで塗布し、乾燥してレジスト膜とする。
型レジスト膜を設けるのは、公知のレジストパターン形
成方法と同様にして行うことができる。すなわち、シリ
コンウエーハのような支持体上に、又は必要に応じ反射
防止膜を設けた支持体上に、該レジスト組成物の溶液を
スピンナーなどで塗布し、乾燥してレジスト膜とする。
【００３６】次に、本発明方法における選択的露光処理
及び現像処理は、これまで知られている通常のレジスト
パターン形成の場合と全く同様にして行うことができ
る。すなわち、選択的露光処理は、ポジ型レジスト膜に
所定のパターンマスクを通して放射線を照射する。この
放射線としては、例えば紫外線、ＡｒＦエキシマレーザ
ー、ＫｒＦエキシマレーザーなどが用いられる。このよ
うにして選択的露光処理により、潜像が形成されたなら
ば、露光後のポジ型レジスト膜を加熱処理したのち、
０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液のようなアルカリ性水溶液を用いて露光部分
を洗い去り現像する。
及び現像処理は、これまで知られている通常のレジスト
パターン形成の場合と全く同様にして行うことができ
る。すなわち、選択的露光処理は、ポジ型レジスト膜に
所定のパターンマスクを通して放射線を照射する。この
放射線としては、例えば紫外線、ＡｒＦエキシマレーザ
ー、ＫｒＦエキシマレーザーなどが用いられる。このよ
うにして選択的露光処理により、潜像が形成されたなら
ば、露光後のポジ型レジスト膜を加熱処理したのち、
０．１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液のようなアルカリ性水溶液を用いて露光部分
を洗い去り現像する。
【００３７】本発明においては、このようにして現像処
理して得たレジストパターンにサーマルフロー処理を施
すことが必要である。このサーマルフロー処理は、２回
又はそれ以上、好ましくは２回又は３回加熱することに
よって行われる。この場合、回数を多くした方が単位温
度当りのレジストパターンサイズの変化量が小さくなる
ため好ましいが、回数が増えると工程数が増えるためス
ループットが悪化する。この加熱は、１００〜２００
℃、好ましくは１１０〜１８０℃の範囲から選択され、
第２回目以降の加熱は第１回目の加熱と同温度又はそれ
以上とする必要がある。
理して得たレジストパターンにサーマルフロー処理を施
すことが必要である。このサーマルフロー処理は、２回
又はそれ以上、好ましくは２回又は３回加熱することに
よって行われる。この場合、回数を多くした方が単位温
度当りのレジストパターンサイズの変化量が小さくなる
ため好ましいが、回数が増えると工程数が増えるためス
ループットが悪化する。この加熱は、１００〜２００
℃、好ましくは１１０〜１８０℃の範囲から選択され、
第２回目以降の加熱は第１回目の加熱と同温度又はそれ
以上とする必要がある。
【００３８】本発明方法において加熱を２回以上行うの
は、最初の加熱で、ポジ型レジスト中の（Ｃ）成分によ
る架橋形成を行って、形成されたレジスト膜のガラス転
移温度（Ｔｇ）を高くし、第２回目以降の加熱で目的と
するレジストパターンサイズの縮小を行わせるためであ
る。
は、最初の加熱で、ポジ型レジスト中の（Ｃ）成分によ
る架橋形成を行って、形成されたレジスト膜のガラス転
移温度（Ｔｇ）を高くし、第２回目以降の加熱で目的と
するレジストパターンサイズの縮小を行わせるためであ
る。
【００３９】このように、第１回目の加熱により形成さ
れたレジスト膜は熱変化量が小さいものへ変化するた
め、第２回目以降の加熱では、単位温度当りのレジスト
パターン寸法変化量が小さくなる。同時にこれらの加熱
によりレジストパターンの断面形状を現像後はテーパー
形状であっても矩形に近づけることができる。第１回目
の加熱だけで目的とするレジストパターンまで縮小させ
るとレジストパターンサイズの変化量が大きく、得られ
たレジストパターンサイズの面内の均一性が悪化する。
好適な加熱温度は、レジスト膜の組成に依存するが、そ
れぞれ独立して１１０〜１８０℃の範囲内である。
れたレジスト膜は熱変化量が小さいものへ変化するた
め、第２回目以降の加熱では、単位温度当りのレジスト
パターン寸法変化量が小さくなる。同時にこれらの加熱
によりレジストパターンの断面形状を現像後はテーパー
形状であっても矩形に近づけることができる。第１回目
の加熱だけで目的とするレジストパターンまで縮小させ
るとレジストパターンサイズの変化量が大きく、得られ
たレジストパターンサイズの面内の均一性が悪化する。
好適な加熱温度は、レジスト膜の組成に依存するが、そ
れぞれ独立して１１０〜１８０℃の範囲内である。
【００４０】本発明方法の好適な実施態様は、（Ａ）成
分として一部の水酸基の水素原子がｔｅｒｔ‐ブトキシ
カルボニル基で置換されたポリヒドロキシスチレンと一
部の水酸基の水素原子が１‐エトキシエチル基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレンとの混合物又は一部の水酸
基の水素原子がテトラヒドロピラニル基で置換されたポ
リヒドロキシスチレンと一部の水酸基の水素原子が１‐
エトキシエチル基で置換されたポリヒドロキシスチレン
との混合物を用い、かつサーマルフロ処理を１２０〜１
５０℃の範囲における第１回加熱と１３０〜１６０℃の
範囲における第２回加熱により行った場合である。
分として一部の水酸基の水素原子がｔｅｒｔ‐ブトキシ
カルボニル基で置換されたポリヒドロキシスチレンと一
部の水酸基の水素原子が１‐エトキシエチル基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレンとの混合物又は一部の水酸
基の水素原子がテトラヒドロピラニル基で置換されたポ
リヒドロキシスチレンと一部の水酸基の水素原子が１‐
エトキシエチル基で置換されたポリヒドロキシスチレン
との混合物を用い、かつサーマルフロ処理を１２０〜１
５０℃の範囲における第１回加熱と１３０〜１６０℃の
範囲における第２回加熱により行った場合である。
【００４１】この場合の加熱時間は、スループットに支
障がなく、所望のレジストパターンサイズが得られる範
囲であればよく、特に制限はないが、通常の半導体素子
の製造ライン工程から判断すれば、各加熱ごとに３０〜
２７０秒、好ましくは６０〜１２０秒程度である。
障がなく、所望のレジストパターンサイズが得られる範
囲であればよく、特に制限はないが、通常の半導体素子
の製造ライン工程から判断すれば、各加熱ごとに３０〜
２７０秒、好ましくは６０〜１２０秒程度である。
【００４２】本発明方法における単位温度当りのレジス
トパターン寸法変化量は、以下のようにして求められ
る。すなわち、現像後、例えば２００ｎｍのレジストパ
ターンを有するウエーハを１０枚準備し、１２４〜１４
０℃まで２℃刻み（９ポイント）の各温度で９０秒間加
熱する。それにより各温度でレジストパターンがそれぞ
れ縮小する。その温度と縮小したレジストパターンサイ
ズの関係をレジストパターンの寸法変化量を縦軸に、温
度変化を横軸とし、グラフ化する。その後、ターゲット
のレジストパターンサイズ、例えば１５０ｎｍ近辺で、
レジストパターンの変化量（ｎｍ）をそれに対応する温
度変化量（℃）で除すことにより算出できる。レジスト
膜厚は、１０００ｎｍ以下であれば、寸法変化量にあま
り大きな影響は与えない。このレジスト膜厚としては１
０００ｎｍ以下、特に４００〜８５０ｎｍが好ましい。
薄くなるほど、解像性が高くなり、またフローレートも
２〜１５ｎｍ／℃の範囲内となる傾向があるので、レジ
スト膜厚は薄い方が好ましい。
トパターン寸法変化量は、以下のようにして求められ
る。すなわち、現像後、例えば２００ｎｍのレジストパ
ターンを有するウエーハを１０枚準備し、１２４〜１４
０℃まで２℃刻み（９ポイント）の各温度で９０秒間加
熱する。それにより各温度でレジストパターンがそれぞ
れ縮小する。その温度と縮小したレジストパターンサイ
ズの関係をレジストパターンの寸法変化量を縦軸に、温
度変化を横軸とし、グラフ化する。その後、ターゲット
のレジストパターンサイズ、例えば１５０ｎｍ近辺で、
レジストパターンの変化量（ｎｍ）をそれに対応する温
度変化量（℃）で除すことにより算出できる。レジスト
膜厚は、１０００ｎｍ以下であれば、寸法変化量にあま
り大きな影響は与えない。このレジスト膜厚としては１
０００ｎｍ以下、特に４００〜８５０ｎｍが好ましい。
薄くなるほど、解像性が高くなり、またフローレートも
２〜１５ｎｍ／℃の範囲内となる傾向があるので、レジ
スト膜厚は薄い方が好ましい。
【００４３】本発明方法においては、第１回目の熱によ
るレジストパターン寸法変化量を１５ｎｍ／℃以下、第
２回目以降の加熱によるレジストパターン寸法変化量を
３〜１０ｎｍ／℃になるように選んで行うのが好まし
い。
るレジストパターン寸法変化量を１５ｎｍ／℃以下、第
２回目以降の加熱によるレジストパターン寸法変化量を
３〜１０ｎｍ／℃になるように選んで行うのが好まし
い。
【００４４】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定される
ものではない。なお、各例中に示すポジ型レジスト組成
物の諸物性は以下の方法により求めたものである。
明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定される
ものではない。なお、各例中に示すポジ型レジスト組成
物の諸物性は以下の方法により求めたものである。
【００４５】（１）感度：調製したレジスト組成物をス
ピンナーを用いて反射防止膜ＳＷＫ−ＥＸ２（東京応化
工業株式会社社製）が１２０ｎｍの膜厚に設けられたシ
リコンウエーハ上に塗布し、これをホットプレート上で
９０℃、９０秒間乾燥して膜厚５００ｎｍのレジスト膜
を得た。この膜に縮小投影露光装置ＦＰＡ−３０００Ｅ
Ｘ３（キャノン社製）を用いて、ハーフトーン位相シフ
トマスクを介してＫｒＦエキシマレーザーを１ｍＪ／ｃ
ｍ2ずつドーズ量を加え露光したのち、１１０℃、９０
秒間の後加熱露光（ＰＥＢ）を行い、２．３８質量％テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃に
て６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、現
像後の露光部の膜厚が０となる最小露光時間を感度とし
てｍＪ／ｃｍ2（エネルギー量）単位で測定した。
ピンナーを用いて反射防止膜ＳＷＫ−ＥＸ２（東京応化
工業株式会社社製）が１２０ｎｍの膜厚に設けられたシ
リコンウエーハ上に塗布し、これをホットプレート上で
９０℃、９０秒間乾燥して膜厚５００ｎｍのレジスト膜
を得た。この膜に縮小投影露光装置ＦＰＡ−３０００Ｅ
Ｘ３（キャノン社製）を用いて、ハーフトーン位相シフ
トマスクを介してＫｒＦエキシマレーザーを１ｍＪ／ｃ
ｍ2ずつドーズ量を加え露光したのち、１１０℃、９０
秒間の後加熱露光（ＰＥＢ）を行い、２．３８質量％テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃に
て６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、現
像後の露光部の膜厚が０となる最小露光時間を感度とし
てｍＪ／ｃｍ2（エネルギー量）単位で測定した。
【００４６】（２）レジストパターン形状１（現像直
後）：上記（１）と同様の操作により得た口径２５０ｎ
ｍのレジストホールパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）により観察し、その形状を、基板底部まで垂直なホ
ールパターンをＡ、テーパー形状をＢとして評価した。
後）：上記（１）と同様の操作により得た口径２５０ｎ
ｍのレジストホールパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）により観察し、その形状を、基板底部まで垂直なホ
ールパターンをＡ、テーパー形状をＢとして評価した。
【００４７】（３）レジストパターン形状２（サーマル
フロー後）：上記（１）と同様の操作により得た口径２
５０ｎｍのレジストホールパターンをサーマルフロー処
理した後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察し、
その形状を、基板底部まで垂直なホールパターンをＡ、
不良なパターンをＢとして評価した。
フロー後）：上記（１）と同様の操作により得た口径２
５０ｎｍのレジストホールパターンをサーマルフロー処
理した後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察し、
その形状を、基板底部まで垂直なホールパターンをＡ、
不良なパターンをＢとして評価した。
【００４８】（４）解像度：上記（１）と同様の操作に
より得たレジストホールパターンの限界解像度（ｎｍ）
を調べた。
より得たレジストホールパターンの限界解像度（ｎｍ）
を調べた。
【００４９】（５）サーマルフロー特性：上記（１）と
同様の操作により得た口径２００ｎｍのレジストホール
パターンに表１に示す第１の加熱ないし第３の加熱処理
を施し、１２０ｎｍまで縮小させた。このようにして形
成した１２０ｎｍのレジストパターンのフローレート
（１℃当りのレジストパターンサイズの変化量）をｎｍ
／℃で測定し、以下の基準で評価した。 ◎：５ｎｍ／℃未満 ○：５ｎｍ／℃以上１０ｎｍ／℃未満 ×：１０ｎｍ／℃以上
同様の操作により得た口径２００ｎｍのレジストホール
パターンに表１に示す第１の加熱ないし第３の加熱処理
を施し、１２０ｎｍまで縮小させた。このようにして形
成した１２０ｎｍのレジストパターンのフローレート
（１℃当りのレジストパターンサイズの変化量）をｎｍ
／℃で測定し、以下の基準で評価した。 ◎：５ｎｍ／℃未満 ○：５ｎｍ／℃以上１０ｎｍ／℃未満 ×：１０ｎｍ／℃以上
【００５０】実施例１
水酸基の３９％の水素原子が１‐エトキシエチル基で置
換された質量平均分子量１０，０００、分散度１．２の
ポリヒドロキシスチレン７５質量部と、水酸基の３６％
の水素原子がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基で置換さ
れた質量平均分子量１０，０００、分散度１．２のポリ
ヒドロキシスチレン２５質量部の混合物に、ビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン５質量部、１，４
‐シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル５質量
部、トリエタノールアミン０．２質量部及びフッ素シリ
コーン系界面活性剤０．０５質量部を加え、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート４９０質量部
に溶解し、孔径２００ｎｍのメンブランフィルターを用
いてろ過し、ポジ型レジスト組成物を調製した。
換された質量平均分子量１０，０００、分散度１．２の
ポリヒドロキシスチレン７５質量部と、水酸基の３６％
の水素原子がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基で置換さ
れた質量平均分子量１０，０００、分散度１．２のポリ
ヒドロキシスチレン２５質量部の混合物に、ビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン５質量部、１，４
‐シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル５質量
部、トリエタノールアミン０．２質量部及びフッ素シリ
コーン系界面活性剤０．０５質量部を加え、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート４９０質量部
に溶解し、孔径２００ｎｍのメンブランフィルターを用
いてろ過し、ポジ型レジスト組成物を調製した。
【００５１】次に膜厚１２０ｎｍの反射防止膜（東京応
化工業社製，「ＳＷＫ−ＥＸ２」）を設けたシリコンウ
エーハ（径２００ｍｍ、厚さ０．７２ｍｍ）の表面に、
スピンナーを用いて上記のポジ型レジスト組成物を塗布
し、ホットプレート上に載置し、９０℃で９０秒間乾燥
することにより膜厚５００ｎｍのレジスト膜を形成させ
た。このようにして得たレジスト膜について、感度、レ
ジストパターン形状、解像度を評価したのち、さらに縮
小投影露光装置（キャノン社製，「ＦＰＡ−３０００Ｅ
Ｘ３」）を用い、ハーフトーン位相シフトマスクを介し
てＫｒＦエキシマレーザー光を照射後、１１０℃で９０
秒間後加熱露光（ＰＥＢ）を行ったのち、２３℃に保っ
た２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液に６０秒間浸せきして現像し、３０秒間水洗す
ることにより口径２５０ｎｍのレジストホールパターン
を得た。次いで、このようにして得たレジストホールパ
ターンを先ず１４０℃で９０秒、続いて１５０℃で９０
秒加熱するサーマルフロー処理に付した。これにより縮
小したレジストホールパターンのサーマルフロー処理前
後のレジストパターン形状を、先に評価したレジスト膜
の諸物性とともに表１に示す。
化工業社製，「ＳＷＫ−ＥＸ２」）を設けたシリコンウ
エーハ（径２００ｍｍ、厚さ０．７２ｍｍ）の表面に、
スピンナーを用いて上記のポジ型レジスト組成物を塗布
し、ホットプレート上に載置し、９０℃で９０秒間乾燥
することにより膜厚５００ｎｍのレジスト膜を形成させ
た。このようにして得たレジスト膜について、感度、レ
ジストパターン形状、解像度を評価したのち、さらに縮
小投影露光装置（キャノン社製，「ＦＰＡ−３０００Ｅ
Ｘ３」）を用い、ハーフトーン位相シフトマスクを介し
てＫｒＦエキシマレーザー光を照射後、１１０℃で９０
秒間後加熱露光（ＰＥＢ）を行ったのち、２３℃に保っ
た２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液に６０秒間浸せきして現像し、３０秒間水洗す
ることにより口径２５０ｎｍのレジストホールパターン
を得た。次いで、このようにして得たレジストホールパ
ターンを先ず１４０℃で９０秒、続いて１５０℃で９０
秒加熱するサーマルフロー処理に付した。これにより縮
小したレジストホールパターンのサーマルフロー処理前
後のレジストパターン形状を、先に評価したレジスト膜
の諸物性とともに表１に示す。
【００５２】実施例２
実施例１のポジ型レジスト組成物に、酸発生剤としてト
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例１と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例１と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
【００５３】実施例３
実施例１において、水酸基の３６％の水素原子がｔｅｒ
ｔ‐ブトキシカルボニル基で置換された質量平均分子量
１０，０００、分散度１．２のポリヒドロキシスチレン
を用いずに、水酸基の３９％の水素原子が１‐エトキシ
エチル基で置換された質量平均分子量１０，０００、分
散度１．２のポリヒドロキシスチレンのみを１００質量
部用いたこと以外は実施例１と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製し、これを用いて実施例１と同様にして
レジストパターンを形成したのち、先ず１４０℃で９０
秒、次いで１４０℃で９０秒加熱するサーマルフロー処
理を行って微細レジストパターンを得た。この場合の諸
物性を表１に示す。
ｔ‐ブトキシカルボニル基で置換された質量平均分子量
１０，０００、分散度１．２のポリヒドロキシスチレン
を用いずに、水酸基の３９％の水素原子が１‐エトキシ
エチル基で置換された質量平均分子量１０，０００、分
散度１．２のポリヒドロキシスチレンのみを１００質量
部用いたこと以外は実施例１と同様にしてポジ型レジス
ト組成物を調製し、これを用いて実施例１と同様にして
レジストパターンを形成したのち、先ず１４０℃で９０
秒、次いで１４０℃で９０秒加熱するサーマルフロー処
理を行って微細レジストパターンを得た。この場合の諸
物性を表１に示す。
【００５４】実施例４
実施例３のポジ型レジスト組成物に、酸発生剤としてト
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例３と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例３と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
【００５５】実施例５
実施例１における樹脂混合物に代りに、水酸基の３９％
の水素原子が１‐エトキシエチル基で置換された質量平
均分子量１０，０００，分散度１．２のポリヒドロキシ
スチレン７０質量部、水酸基の３０％の水素原子がテト
ラヒドロピラニル基で置換された質量平均分子量１０，
０００、分散度１．２のポリヒドロキシスチレン３０質
量部の混合物を用いた以外は実施例１と同様にしてポジ
型レジスト組成物を調製した。このものについての特性
を表１に示す。次に、このようにして得たポジ型レジス
ト組成物を用い、実施例１と同様にしてレジストホール
パターンを形成させのち、先ず１３０℃で９０秒、次い
で１５０℃で９０秒加熱するサーマルフロー処理を行う
ことにより微細レジストパターンを得た。この場合の諸
物性を表１に示す。
の水素原子が１‐エトキシエチル基で置換された質量平
均分子量１０，０００，分散度１．２のポリヒドロキシ
スチレン７０質量部、水酸基の３０％の水素原子がテト
ラヒドロピラニル基で置換された質量平均分子量１０，
０００、分散度１．２のポリヒドロキシスチレン３０質
量部の混合物を用いた以外は実施例１と同様にしてポジ
型レジスト組成物を調製した。このものについての特性
を表１に示す。次に、このようにして得たポジ型レジス
ト組成物を用い、実施例１と同様にしてレジストホール
パターンを形成させのち、先ず１３０℃で９０秒、次い
で１５０℃で９０秒加熱するサーマルフロー処理を行う
ことにより微細レジストパターンを得た。この場合の諸
物性を表１に示す。
【００５６】実施例６
実施例５のポジ型レジスト組成物に、酸発生剤としてト
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例５と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例５と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
【００５７】実施例７
実施例１における樹脂混合物の代りに、水酸基の３９％
の水素原子が１‐エトキシエチル基で置換された質量平
均分子量１０，０００、分散度１．２のポリヒドロキシ
スチレン７５質量部、水酸基の３０％の水素原子がｔｅ
ｒｔ‐ブチル基で置換された質量平均分子量１０，００
０、分散度１．２のポリヒドロキシスチレン２５質量部
の混合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ポジ型
レジスト組成物を調製した。このものについての特性を
表１に示す。次に、このようにして得たポジ型レジスト
組成物を用い、実施例１と同様にしてレジストホールパ
ターンを形成させのち、先ず１４０℃で９０秒、次いで
１５０℃で９０秒加熱するサーマルフロー処理を行うこ
とにより微細レジストパターンを得た。この場合の諸物
性を表１に示す。
の水素原子が１‐エトキシエチル基で置換された質量平
均分子量１０，０００、分散度１．２のポリヒドロキシ
スチレン７５質量部、水酸基の３０％の水素原子がｔｅ
ｒｔ‐ブチル基で置換された質量平均分子量１０，００
０、分散度１．２のポリヒドロキシスチレン２５質量部
の混合物を用いた以外は実施例１と同様にして、ポジ型
レジスト組成物を調製した。このものについての特性を
表１に示す。次に、このようにして得たポジ型レジスト
組成物を用い、実施例１と同様にしてレジストホールパ
ターンを形成させのち、先ず１４０℃で９０秒、次いで
１５０℃で９０秒加熱するサーマルフロー処理を行うこ
とにより微細レジストパターンを得た。この場合の諸物
性を表１に示す。
【００５８】実施例８
実施例７のポジ型レジスト組成物に、酸発生剤としてト
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例７と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
リフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト２質量部を追加したものを用いる以外は、実施例７と
同様にして処理し、微細レジストパターンを形成した。
この場合の諸物性を表１に示す。
【００５９】実施例９
実施例１におけるサーマルフロー処理を、１４０℃で９
０秒、１４５℃で９０秒及び１５０℃で９０秒加熱する
ことに変えた以外は、実施例１と同様にして微細レジス
トパターンを得た。この場合の諸物性を表１に示す。
０秒、１４５℃で９０秒及び１５０℃で９０秒加熱する
ことに変えた以外は、実施例１と同様にして微細レジス
トパターンを得た。この場合の諸物性を表１に示す。
【００６０】比較例１
実施例１におけるサーマルフロー処理を、１４０℃で９
０秒加熱することに変えた以外は、実施例１と同様にし
て微細レジストパターンを得た。この場合の諸物性を表
１に示す。
０秒加熱することに変えた以外は、実施例１と同様にし
て微細レジストパターンを得た。この場合の諸物性を表
１に示す。
【００６１】比較例２
実施例１において、シクロヘキサンジメタノールジビニ
ルエーテルを用いなかったこと以外は実施例１と同様に
してポジ型レジスト組成物を調製した。、このものを用
い、実施例１と同様にして得た微細レジストパターンの
諸物性を表１に示す。
ルエーテルを用いなかったこと以外は実施例１と同様に
してポジ型レジスト組成物を調製した。、このものを用
い、実施例１と同様にして得た微細レジストパターンの
諸物性を表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
【発明の効果】本発明方法によると、単位温度当りのレ
ジストパターンサイズの変化量を小さくすることができ
るので、パターンサイズの面内均一性が高く、かつ断面
形状の優れた微細レジストパターンを形成させることが
できる。
ジストパターンサイズの変化量を小さくすることができ
るので、パターンサイズの面内均一性が高く、かつ断面
形状の優れた微細レジストパターンを形成させることが
できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 増島 正宏
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東
京応化工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AA18 AB16 AC04
AC08 AD03 BE00 BE10 BG00
BH04 CC17 FA29
2H096 AA25 BA11 EA04 GA08 HA01
5F046 LA18
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に設けたポジ型レジスト膜に、選
択的露光処理及び現像処理を順次施して形成させて得た
レジストパターンにサーマルフロー処理を行って微小化
させるレジストパターン形成方法において、（イ）前記
ポジ型レジストとして、（Ａ）酸によりアルカリに対す
る溶解性が増大する樹脂成分、（Ｂ）放射線の照射によ
り酸を発生する化合物、（Ｃ）加熱により樹脂成分
（Ａ）と反応して架橋を形成する少なくとも２個のビニ
ルエーテル基を有する化合物、及び（Ｄ）有機アミンか
らなるポジ型レジスト組成物を用いること、及び（ロ）
前記サーマルフロー処理を１００〜２００℃の温度範囲
内で２回又はそれ以上加熱することにより行い、かつ、
後の加熱温度は前の加熱温度と同一又はそれよりも高く
選ぶことを特徴とする微細レジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 （イ）における（Ｃ）成分及び（Ｄ）成
分の含有量が、（Ａ）成分１００質量部当り、（Ｃ）成
分０．１〜２５質量部、（Ｄ）成分０．０１〜１質量部
である請求項１記載の微細レジストパターン形成方法。 - 【請求項３】 （ロ）における毎回の加熱時間を３０〜
２７０秒間とする請求項１又は２記載の微細レジストパ
ターン形成方法。 - 【請求項４】 加熱による単位温度当りのレジストパタ
ーン寸法変化量を、第１回目が１５ｎｍ／℃以下、第２
回目以降が３〜１０ｎｍ／℃になるように抑制して行う
請求項１、２又は３記載の微細レジストパターン形成方
法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001369110A JP4057807B2 (ja) | 2001-12-03 | 2001-12-03 | 微細レジストパターン形成方法 |
| US10/497,016 US20050037291A1 (en) | 2001-12-03 | 2002-12-02 | Method for forming fine resist pattern |
| TW091134956A TW200300873A (en) | 2001-12-03 | 2002-12-02 | Method for forming fine resist pattern |
| AU2002354158A AU2002354158A1 (en) | 2001-12-03 | 2002-12-02 | Method for forming fine resist pattern |
| KR1020020075797A KR100943546B1 (ko) | 2001-12-03 | 2002-12-02 | 미세 레지스트 패턴 형성 방법 |
| CNB02824026XA CN1277157C (zh) | 2001-12-03 | 2002-12-02 | 形成精细抗蚀图形的方法 |
| PCT/JP2002/012604 WO2003048865A1 (fr) | 2001-12-03 | 2002-12-02 | Procede de formation d'un motif de reserve fin |
Applications Claiming Priority (1)
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