JP2003152492A - 多連ノイズ低減フィルター - Google Patents
多連ノイズ低減フィルターInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の多連ノイズ低減フィルターは、実質
的に発生する電磁気的干渉を最小化することにある。 【解決手段】 本発明は、複数個のノイズ低減フィルタ
ーから成る多連ノイズ低減フィルターにおいて、前記複
数個のノイズ低減フィルター２０ａ，２０ｂの各インダ
クタンス部が、第１および第２コイル部２７’ａ，２
７’ｂ，２７”ａ，２７”ｂから形成され、前記第１お
よび第２コイル部２７’ａ，２７’ｂ，２７”ａ，２
７”ｂのうち、一方のコイル部が互いに巻線方向が逆に
なるよう設けられた多連ノイズ低減フィルターを提供す
る。本発明による多連ノイズ低減フィルターは、互いに
異なるインダクタンス部のコイルの間で誘導される相互
インダクタンスによる相互干渉を相殺することによっ
て、フィルター間の電磁気的干渉現象を最小化できる。
さらに、本発明は、前記コイルの間に第１および第２コ
イル間の相互影響を遮断すべく導体層を形成することに
よって正確なインダクタンス値を求め、所望のフィルタ
ー特性を設計できるという利点がある。
的に発生する電磁気的干渉を最小化することにある。 【解決手段】 本発明は、複数個のノイズ低減フィルタ
ーから成る多連ノイズ低減フィルターにおいて、前記複
数個のノイズ低減フィルター２０ａ，２０ｂの各インダ
クタンス部が、第１および第２コイル部２７’ａ，２
７’ｂ，２７”ａ，２７”ｂから形成され、前記第１お
よび第２コイル部２７’ａ，２７’ｂ，２７”ａ，２
７”ｂのうち、一方のコイル部が互いに巻線方向が逆に
なるよう設けられた多連ノイズ低減フィルターを提供す
る。本発明による多連ノイズ低減フィルターは、互いに
異なるインダクタンス部のコイルの間で誘導される相互
インダクタンスによる相互干渉を相殺することによっ
て、フィルター間の電磁気的干渉現象を最小化できる。
さらに、本発明は、前記コイルの間に第１および第２コ
イル間の相互影響を遮断すべく導体層を形成することに
よって正確なインダクタンス値を求め、所望のフィルタ
ー特性を設計できるという利点がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多連ノイズ低減フ
ィルターに関するもので、特にインダクタンス部を２個
のコイル部から形成し、それぞれのコイル部の巻線方向
を異ならせ相互干渉を相殺させることによって、実質的
に発生する電磁気的干渉を最小化せしめる多連ノイズ低
減フィルターに関するものである。
ィルターに関するもので、特にインダクタンス部を２個
のコイル部から形成し、それぞれのコイル部の巻線方向
を異ならせ相互干渉を相殺させることによって、実質的
に発生する電磁気的干渉を最小化せしめる多連ノイズ低
減フィルターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、電子機器の作動の際、その内
部には、様々な形態の電源ノイズまたはクロックパルス
源ノイズなどのような電磁波ノイズが存在する。特に、
移動通信端末機においては、電源周波数が高まるのにつ
れて大きな電磁波ノイズが発生するようになる。
部には、様々な形態の電源ノイズまたはクロックパルス
源ノイズなどのような電磁波ノイズが存在する。特に、
移動通信端末機においては、電源周波数が高まるのにつ
れて大きな電磁波ノイズが発生するようになる。
【０００３】こうした電磁波ノイズは、電子機器内部で
回路電源ラインや信号ラインに沿って回路相互間を伝播
して機器の誤動作を引き起こしたりする。また、電子機
器セットの内部から発生した電源ノイズやクロックパル
ス源ノイズなどはセットの電源供給ラインに沿って他の
電子機器セットに伝播されて他の電子機器セットの正常
な動作に障害を起こしたりする。一方、他の電子機器セ
ットからの電磁波ノイズの流入により当該電子機器セッ
トの正常な動作に障害を起こすこともある。こうした電
磁波ノイズによる障害現象を電磁波障害(Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ-Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ: ＥＭ
Ｉ)という。
回路電源ラインや信号ラインに沿って回路相互間を伝播
して機器の誤動作を引き起こしたりする。また、電子機
器セットの内部から発生した電源ノイズやクロックパル
ス源ノイズなどはセットの電源供給ラインに沿って他の
電子機器セットに伝播されて他の電子機器セットの正常
な動作に障害を起こしたりする。一方、他の電子機器セ
ットからの電磁波ノイズの流入により当該電子機器セッ
トの正常な動作に障害を起こすこともある。こうした電
磁波ノイズによる障害現象を電磁波障害(Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ-Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ: ＥＭ
Ｉ)という。
【０００４】したがって、電子機器の正常なる作動のた
めに、設計の際に電磁波障害を防止すべく電磁波ノイズ
を低減する方案を考慮しなければならない。一般に、電
磁波ノイズを低減する方案として、電子機器の各回路と
回路電源の間、または各回路とクロックパルス源の間な
どにノイズ低減フィルターを挿入する方法が用いられて
いる。
めに、設計の際に電磁波障害を防止すべく電磁波ノイズ
を低減する方案を考慮しなければならない。一般に、電
磁波ノイズを低減する方案として、電子機器の各回路と
回路電源の間、または各回路とクロックパルス源の間な
どにノイズ低減フィルターを挿入する方法が用いられて
いる。
【０００５】最近よく使われているノイズ低減フィルタ
ーとして多連ノイズ低減フィルターが脚光を浴びてい
る。多連ノイズ低減フィルターは、単一チップ内に複数
個のノイズ低減フィルターを内蔵する多連型(ａｒｒａ
ｙ ｔｙｐｅ)から形成される。
ーとして多連ノイズ低減フィルターが脚光を浴びてい
る。多連ノイズ低減フィルターは、単一チップ内に複数
個のノイズ低減フィルターを内蔵する多連型(ａｒｒａ
ｙ ｔｙｐｅ)から形成される。
【０００６】図４(Ａ)は、従来の多連ノイズ低減フィル
ター１１０の概略断面図である。図４(Ａ)に示したよう
に、前記多連ノイズ低減フィルター１１０は２個のノイ
ズ低減フィルター１１０ａ、１１０ｂから成る。各ノイ
ズ低減フィルター１１０ａまたは１１０ｂは、チップ１
１１内の上部と下部にそれぞれ配置された第１および第
２接地電極層１１２、１１３と、前記接地電極層１１
２、１１３それぞれの内側に形成されたキャパシタンス
部１１４ａ、１１５ａまたは１１４ｂ、１１５ｂおよび
コイルパターンで形成されたインダクタンス部１１７ａ
または１１７ｂから成る。前記第１および第２接地電極
層１１２、１１３は、２個のノイズ低減フィルター１１
０ａ、１１０ｂが共有する共通電極の役目を果たす。そ
して、前記チップの正面および背面には、各ノイズ低減
フィルターの入力ポート(図示せず)および出力ポート
(図示せず)が形成されてあり、チップ前面に形成された
入力ポートはインダクタンス部１１７ａ、１１７ｂの一
端と第１キャパシタンス部１１４ａ、１１５ａとに連結
され、チップ背面に形成された出力ポートはインダクタ
ンス部１１７ａ、１１７ｂの他端と第２キャパシタンス
１１４ｂ、１１５ｂとに連結される。
ター１１０の概略断面図である。図４(Ａ)に示したよう
に、前記多連ノイズ低減フィルター１１０は２個のノイ
ズ低減フィルター１１０ａ、１１０ｂから成る。各ノイ
ズ低減フィルター１１０ａまたは１１０ｂは、チップ１
１１内の上部と下部にそれぞれ配置された第１および第
２接地電極層１１２、１１３と、前記接地電極層１１
２、１１３それぞれの内側に形成されたキャパシタンス
部１１４ａ、１１５ａまたは１１４ｂ、１１５ｂおよび
コイルパターンで形成されたインダクタンス部１１７ａ
または１１７ｂから成る。前記第１および第２接地電極
層１１２、１１３は、２個のノイズ低減フィルター１１
０ａ、１１０ｂが共有する共通電極の役目を果たす。そ
して、前記チップの正面および背面には、各ノイズ低減
フィルターの入力ポート(図示せず)および出力ポート
(図示せず)が形成されてあり、チップ前面に形成された
入力ポートはインダクタンス部１１７ａ、１１７ｂの一
端と第１キャパシタンス部１１４ａ、１１５ａとに連結
され、チップ背面に形成された出力ポートはインダクタ
ンス部１１７ａ、１１７ｂの他端と第２キャパシタンス
１１４ｂ、１１５ｂとに連結される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記多連ノ
イズ低減フィルター１１０の配列構造においては、前記
第１および第２インダクタンス部１１７ａ、１１７ｂ
は、チップ１１１の中央部に並んで隣り合うよう形成さ
れるので、相互インダクタンスによる誘導結合が発生し
かねない。すなわち、各ノイズ低減フィルター１１０ａ
または１１０ｂの間で相互電磁気的な干渉現象であるク
ロストーク(ｃｒｏｓｓ-ｔａｌｋ)現象を引き起こしか
ねない。結局、こうした相互干渉からフィルターの間に
望まない影響を及ぼすことでノイズ低減フィルターの誤
動作を引き起こすという問題を抱えていた。
イズ低減フィルター１１０の配列構造においては、前記
第１および第２インダクタンス部１１７ａ、１１７ｂ
は、チップ１１１の中央部に並んで隣り合うよう形成さ
れるので、相互インダクタンスによる誘導結合が発生し
かねない。すなわち、各ノイズ低減フィルター１１０ａ
または１１０ｂの間で相互電磁気的な干渉現象であるク
ロストーク(ｃｒｏｓｓ-ｔａｌｋ)現象を引き起こしか
ねない。結局、こうした相互干渉からフィルターの間に
望まない影響を及ぼすことでノイズ低減フィルターの誤
動作を引き起こすという問題を抱えていた。
【０００８】図４(Ｂ)は、従来の多連ノイズ低減フィル
ターの電磁気的干渉特性を示したグラフである。図４
(Ｂ)において、実線は多連ノイズ低減フィルター内の個
別ノイズ低減フィルターの特性を示し、点線はノイズ低
減フィルターの間で発生する電磁気的干渉特性を示す。
点線で示すように、従来の多連ノイズ低減フィルター
は、ノイズ低減フィルターの相互間にクロストーク現象
を強く現す。これは、先に説明したように、単一チップ
内に配列されたフィルターの間で発生する相互インダク
タンスに起因するものである。結局、こうした相互イン
ダクタンスは、フィルターの間の電磁気的干渉を起こし
多連ノイズ低減フィルターの特性を低下させるという問
題があった。
ターの電磁気的干渉特性を示したグラフである。図４
(Ｂ)において、実線は多連ノイズ低減フィルター内の個
別ノイズ低減フィルターの特性を示し、点線はノイズ低
減フィルターの間で発生する電磁気的干渉特性を示す。
点線で示すように、従来の多連ノイズ低減フィルター
は、ノイズ低減フィルターの相互間にクロストーク現象
を強く現す。これは、先に説明したように、単一チップ
内に配列されたフィルターの間で発生する相互インダク
タンスに起因するものである。結局、こうした相互イン
ダクタンスは、フィルターの間の電磁気的干渉を起こし
多連ノイズ低減フィルターの特性を低下させるという問
題があった。
【０００９】従って、当該技術分野では、それぞれのノ
イズ低減フィルターのインダクタンス部の間で発生しう
るクロストークを効果的に防止できる新たな多連ノイズ
低減フィルターが要望されていた。
イズ低減フィルターのインダクタンス部の間で発生しう
るクロストークを効果的に防止できる新たな多連ノイズ
低減フィルターが要望されていた。
【００１０】本発明は、前記問題を解決すべく案出され
たもので、その目的は、各インダクタンス部を複数個の
コイルから形成し、前記複数個のコイルのうち、一部の
コイルの巻線方向を逆に調節して相互インダクタンスに
よりノイズ低減フィルターのコイルの間で発生する相互
干渉を相殺することにより、電磁気的干渉現象を最小化
するための多連ノイズ低減フィルターを提供することに
ある。
たもので、その目的は、各インダクタンス部を複数個の
コイルから形成し、前記複数個のコイルのうち、一部の
コイルの巻線方向を逆に調節して相互インダクタンスに
よりノイズ低減フィルターのコイルの間で発生する相互
干渉を相殺することにより、電磁気的干渉現象を最小化
するための多連ノイズ低減フィルターを提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、単一チップ内に、略垂直方向に連結され
た第１コイルおよび第２コイルから成るインダクタンス
部と、前記インダクタンス部の上部または下部に配置さ
れた接地部と、前記接地部の上面または下面上に配置さ
れたキャパシタンス部とからそれぞれ形成されており、
前記チップ内に水平方向に配列された複数個のノイズ低
減フィルターを含み、前記インダクタンス部の第２コイ
ルは隣の他のインダクタンス部の第２コイルの逆方向へ
巻線されるよう設けられたことを要旨とする。従って、
ノイズ低減フィルターのコイルの間で発生する相互干渉
を相殺することにより、電磁気的干渉現象を最小化でき
る。
に、本発明は、単一チップ内に、略垂直方向に連結され
た第１コイルおよび第２コイルから成るインダクタンス
部と、前記インダクタンス部の上部または下部に配置さ
れた接地部と、前記接地部の上面または下面上に配置さ
れたキャパシタンス部とからそれぞれ形成されており、
前記チップ内に水平方向に配列された複数個のノイズ低
減フィルターを含み、前記インダクタンス部の第２コイ
ルは隣の他のインダクタンス部の第２コイルの逆方向へ
巻線されるよう設けられたことを要旨とする。従って、
ノイズ低減フィルターのコイルの間で発生する相互干渉
を相殺することにより、電磁気的干渉現象を最小化でき
る。
【００１２】本発明の好ましき実施の形態においては、
前記第１コイルと前記第２コイルのインダクタンス値が
ほぼ同じになるように構成することにより、相互に逆方
向へ巻線されて隣り合ったコイルから発生する相互イン
ダクタンスを効果的に相殺させることができる。さら
に、本発明の他の実施の形態においては、接地部を前記
インダクタンス部の上部に配置される第１接地部と、前
記インダクタンス部の下部に配置される第２接地部とで
構成することもできる。こうした構造では、前記キャパ
シタンスを前記第１接地電極の下部に配置される第１キ
ャパシタンス部と、前記第２接地電極の上部に配置され
る第２キャパシタンス部とで構成することが好ましい。
これと異なって、本発明のさらに他の実施の形態におい
ては、接地部を前記チップ内の上部または下部中一部分
にのみ配置させ、前記キャパシタンス部は前記接地部の
上面に配置された第１キャパシタンス部と、前記第１キ
ャパシタンス部と対向するよう前記接地部の下面に配置
された第２キャパシタンス部とで構成し、パイ(π)型構
造のノイズ低減フィルターを形成することができる。一
方、前記接地部は、複数個のノイズ低減フィルターが共
有する単一層に形成して、複数個のノイズ低減フィルタ
ーのための共通の接地電極として提供することが好まし
い。本発明の最も好ましき実施の形態においては、前記
第１および第２コイルの間に形成されて前記第１および
第２コイルの間の電磁気的影響を遮断するための隔離手
段をさらに具備する。こうした隔離手段としては、前記
第１および第２コイルの連結のための貫通孔を設けた導
体層が好ましい。
前記第１コイルと前記第２コイルのインダクタンス値が
ほぼ同じになるように構成することにより、相互に逆方
向へ巻線されて隣り合ったコイルから発生する相互イン
ダクタンスを効果的に相殺させることができる。さら
に、本発明の他の実施の形態においては、接地部を前記
インダクタンス部の上部に配置される第１接地部と、前
記インダクタンス部の下部に配置される第２接地部とで
構成することもできる。こうした構造では、前記キャパ
シタンスを前記第１接地電極の下部に配置される第１キ
ャパシタンス部と、前記第２接地電極の上部に配置され
る第２キャパシタンス部とで構成することが好ましい。
これと異なって、本発明のさらに他の実施の形態におい
ては、接地部を前記チップ内の上部または下部中一部分
にのみ配置させ、前記キャパシタンス部は前記接地部の
上面に配置された第１キャパシタンス部と、前記第１キ
ャパシタンス部と対向するよう前記接地部の下面に配置
された第２キャパシタンス部とで構成し、パイ(π)型構
造のノイズ低減フィルターを形成することができる。一
方、前記接地部は、複数個のノイズ低減フィルターが共
有する単一層に形成して、複数個のノイズ低減フィルタ
ーのための共通の接地電極として提供することが好まし
い。本発明の最も好ましき実施の形態においては、前記
第１および第２コイルの間に形成されて前記第１および
第２コイルの間の電磁気的影響を遮断するための隔離手
段をさらに具備する。こうした隔離手段としては、前記
第１および第２コイルの連結のための貫通孔を設けた導
体層が好ましい。
【００１３】上記目的を達成するために、違った観点か
ら見ると、本発明は、単一チップ形態から成る多連ノイ
ズ低減フィルターにおいて、前記チップ内で略垂直方向
に連結された第１コイルおよび第２コイルから成り水平
方向に配列される複数個のインダクタンス部と、前記複
数個のインダクタンス部の配列方向によって前記インダ
クタンス部の上部または下部中少なくとも一部に配置さ
れる接地部と、前記複数個のインダクタンス部それぞれ
にほぼ同じ垂直方向で前記接地部の上面または下面上に
配置される複数個のキャパシタンス部とを含み、前記イ
ンダクタンス部の第２コイルは該インダクタンス部の第
１コイルとの電磁気的影響を遮断するための隔離手段を
含み、隣り合った他のインダクタンス部の第２コイルと
逆方向へ巻線されるよう設けられたことを要旨とする。
従って、ノイズ低減フィルターのコイルの間で発生する
相互干渉を相殺することにより、電磁気的干渉現象を最
小化できる。
ら見ると、本発明は、単一チップ形態から成る多連ノイ
ズ低減フィルターにおいて、前記チップ内で略垂直方向
に連結された第１コイルおよび第２コイルから成り水平
方向に配列される複数個のインダクタンス部と、前記複
数個のインダクタンス部の配列方向によって前記インダ
クタンス部の上部または下部中少なくとも一部に配置さ
れる接地部と、前記複数個のインダクタンス部それぞれ
にほぼ同じ垂直方向で前記接地部の上面または下面上に
配置される複数個のキャパシタンス部とを含み、前記イ
ンダクタンス部の第２コイルは該インダクタンス部の第
１コイルとの電磁気的影響を遮断するための隔離手段を
含み、隣り合った他のインダクタンス部の第２コイルと
逆方向へ巻線されるよう設けられたことを要旨とする。
従って、ノイズ低減フィルターのコイルの間で発生する
相互干渉を相殺することにより、電磁気的干渉現象を最
小化できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態による多
連ノイズ低減フィルター２０の概略図である。図１を参
照すると、前記多連ノイズ低減フィルター２０は、一個
のチップ２１内に２個のノイズ低減フィルター２０ａ、
２０ｂを含み、前記ノイズ低減フィルター２０ａ、２０
ｂは、それぞれ第１および第２接地部２２、２３と、前
記第１接地部２２とにその一端が連結されて入力端(図
示せず)にその他端が連結された第１キャパシタンス部
２４ａまたは２４ｂと、前記第２接地部２３にその一端
が連結されて出力端(図示せず)にその他端が連結された
第２キャパシタンス部２５ａまたは２５ｂと、前記入力
端にその一端が連結されて前記出力端にその他端が連結
されたインダクタンス部とから成っている。特に、本発
明においては、前記インダクタンス部はそれぞれ第１コ
イル２７’ａまたは２７'ｂと第２コイル２７"ａまたは
２７"ｂから形成されており、前記第１コイル２７'ａま
たは２７'ｂと、前記第２コイル２７"ａまたは２７"ｂ
の間には電磁気的な隔離手段として導体層（隔離層）２
９ａまたは２９ｂが形成されている。
細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態による多
連ノイズ低減フィルター２０の概略図である。図１を参
照すると、前記多連ノイズ低減フィルター２０は、一個
のチップ２１内に２個のノイズ低減フィルター２０ａ、
２０ｂを含み、前記ノイズ低減フィルター２０ａ、２０
ｂは、それぞれ第１および第２接地部２２、２３と、前
記第１接地部２２とにその一端が連結されて入力端(図
示せず)にその他端が連結された第１キャパシタンス部
２４ａまたは２４ｂと、前記第２接地部２３にその一端
が連結されて出力端(図示せず)にその他端が連結された
第２キャパシタンス部２５ａまたは２５ｂと、前記入力
端にその一端が連結されて前記出力端にその他端が連結
されたインダクタンス部とから成っている。特に、本発
明においては、前記インダクタンス部はそれぞれ第１コ
イル２７’ａまたは２７'ｂと第２コイル２７"ａまたは
２７"ｂから形成されており、前記第１コイル２７'ａま
たは２７'ｂと、前記第２コイル２７"ａまたは２７"ｂ
の間には電磁気的な隔離手段として導体層（隔離層）２
９ａまたは２９ｂが形成されている。
【００１５】図１に示したように、各インダクタンス部
は上下方向に連結された第１および第２コイル２７'
ａ、２７’ｂ及び２７"ａ、２７"ｂから形成される。前
記第１コイル２７'ａは他のインダクタンス部の第１コ
イル２７'ｂと同一な巻線方向で形成されているが、前
記第２コイル２７"ａは他のインダクタンス部の第２コ
イル２７"ｂの巻線方向と逆になるよう形成されてい
る。従って、第２コイル２７"ａ、２７"ｂの間では、第
１コイル２７’ａ、２７’ｂの間で誘導される相互イン
ダクタンスと反対符号を有する相互インダクタンスが誘
導される。こうした構造は、第１コイルの間と第２コイ
ルの間で、互いに反対符号を有する相互インダクタンス
を発生させるので、これを互いに相殺することができ
る。ここで、前記インダクタンス部は、第１および第２
コイルが他のインダクタンス部の第１および第２コイル
とほぼ同じ垂直高さ上に配置することが好ましい。さら
に、前記第１および第２コイルは、互いに同一な電圧が
印加される際に同じインダクタンス値(La)を示すよう具
現することが好ましい。これは、前記第１コイルの間で
誘導される相互インダクタンス(M)と第２コイルの間で
誘導される相互インダクタンス(-M)とを完全に相殺さ
せ、全体として電磁気的干渉を最小化すべく具現するた
めである。
は上下方向に連結された第１および第２コイル２７'
ａ、２７’ｂ及び２７"ａ、２７"ｂから形成される。前
記第１コイル２７'ａは他のインダクタンス部の第１コ
イル２７'ｂと同一な巻線方向で形成されているが、前
記第２コイル２７"ａは他のインダクタンス部の第２コ
イル２７"ｂの巻線方向と逆になるよう形成されてい
る。従って、第２コイル２７"ａ、２７"ｂの間では、第
１コイル２７’ａ、２７’ｂの間で誘導される相互イン
ダクタンスと反対符号を有する相互インダクタンスが誘
導される。こうした構造は、第１コイルの間と第２コイ
ルの間で、互いに反対符号を有する相互インダクタンス
を発生させるので、これを互いに相殺することができ
る。ここで、前記インダクタンス部は、第１および第２
コイルが他のインダクタンス部の第１および第２コイル
とほぼ同じ垂直高さ上に配置することが好ましい。さら
に、前記第１および第２コイルは、互いに同一な電圧が
印加される際に同じインダクタンス値(La)を示すよう具
現することが好ましい。これは、前記第１コイルの間で
誘導される相互インダクタンス(M)と第２コイルの間で
誘導される相互インダクタンス(-M)とを完全に相殺さ
せ、全体として電磁気的干渉を最小化すべく具現するた
めである。
【００１６】しかし、本発明の特徴は、前記インダクタ
ンスを２個のコイルから形成しそれぞれのコイル方向を
調整することによって、反対符号を有する相互インダク
タンスの間の相殺作用から電磁気的干渉を現象させるこ
とにあるので、第１および第２コイルの位置が相互同一
な水平上に配置されなくなれば、第１および第２コイル
が同じインダクタンス値を示さずとも、電磁気的干渉を
最小化するために第１および第２コイルのうち、いずれ
か一つのコイルの方向を異ならせることは、本発明の範
囲に該当するものと言える。さらに、本実施の形態で
は、第１および第２接地部２２、２３を２個のノイズ低
減フィルターの共通電極に構成したが、それぞれのノイ
ズ低減フィルターの接地電極に分割して構成してもよ
い。
ンスを２個のコイルから形成しそれぞれのコイル方向を
調整することによって、反対符号を有する相互インダク
タンスの間の相殺作用から電磁気的干渉を現象させるこ
とにあるので、第１および第２コイルの位置が相互同一
な水平上に配置されなくなれば、第１および第２コイル
が同じインダクタンス値を示さずとも、電磁気的干渉を
最小化するために第１および第２コイルのうち、いずれ
か一つのコイルの方向を異ならせることは、本発明の範
囲に該当するものと言える。さらに、本実施の形態で
は、第１および第２接地部２２、２３を２個のノイズ低
減フィルターの共通電極に構成したが、それぞれのノイ
ズ低減フィルターの接地電極に分割して構成してもよ
い。
【００１７】さらに、本実施の形態では、第１コイルと
第２コイルを電磁気的影響を遮断できる隔離手段である
導体層を形成する。すなわち、前記導体層は、相互の第
１および第２コイル間の影響によるインダクタンス値の
変化を防止する役目を果たす。こうした導体層は、第１
コイルと第２コイルとを連結しながら相互電磁気的な影
響を遮断するための構造であり、第１および第２コイル
の連結のための貫通孔を有する板状導体層を使用するこ
とが好ましい。前記導体層のような隔離手段は下記に詳
しく説明することにする。
第２コイルを電磁気的影響を遮断できる隔離手段である
導体層を形成する。すなわち、前記導体層は、相互の第
１および第２コイル間の影響によるインダクタンス値の
変化を防止する役目を果たす。こうした導体層は、第１
コイルと第２コイルとを連結しながら相互電磁気的な影
響を遮断するための構造であり、第１および第２コイル
の連結のための貫通孔を有する板状導体層を使用するこ
とが好ましい。前記導体層のような隔離手段は下記に詳
しく説明することにする。
【００１８】図２(Ａ)は、本発明の実施の形態による４
個のノイズ低減フィルターを具備した多連ノイズ低減フ
ィルターの概略的な回路図である。図２(Ａ)では、各フ
ィルターのインダクタンス部と該インダクタンス部に含
まれた導体層の役目を説明するために、キャパシタンス
と接地部を省略して図示した。
個のノイズ低減フィルターを具備した多連ノイズ低減フ
ィルターの概略的な回路図である。図２(Ａ)では、各フ
ィルターのインダクタンス部と該インダクタンス部に含
まれた導体層の役目を説明するために、キャパシタンス
と接地部を省略して図示した。
【００１９】図２(Ａ)を参照すると、４個のノイズ低減
フィルター２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄの各インダ
クタンスは、第１および第２コイル(インダクタンスＬ
ａで示す)に分離されて形成されている。本発明におい
て採用されるインダクタンス部のように２個のコイルに
分離してインダクタンス部を形成する場合には、２個の
コイルによる総インダクタンス値を正確に調節し難いと
いう問題がある。すなわち、第１コイルと第２コイルの
各インダクタンス値をＬａとすると、両コイルが同じ方
向に形成された場合は全体のインダクタンス値は２Ｌａ
より大きくなり、互いに巻線方向が異なる場合は全体の
インダクタンス値が２Ｌａより小さくなり、４個のノイ
ズ低減フィルターのインダクタンス部において所望の同
一値で総インダクタンス値を予め設定することが困難で
ある。結局、各ノイズ低減フィルターの特性を正確に予
測して設計することが困難であるという問題が生じる。
フィルター２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄの各インダ
クタンスは、第１および第２コイル(インダクタンスＬ
ａで示す)に分離されて形成されている。本発明におい
て採用されるインダクタンス部のように２個のコイルに
分離してインダクタンス部を形成する場合には、２個の
コイルによる総インダクタンス値を正確に調節し難いと
いう問題がある。すなわち、第１コイルと第２コイルの
各インダクタンス値をＬａとすると、両コイルが同じ方
向に形成された場合は全体のインダクタンス値は２Ｌａ
より大きくなり、互いに巻線方向が異なる場合は全体の
インダクタンス値が２Ｌａより小さくなり、４個のノイ
ズ低減フィルターのインダクタンス部において所望の同
一値で総インダクタンス値を予め設定することが困難で
ある。結局、各ノイズ低減フィルターの特性を正確に予
測して設計することが困難であるという問題が生じる。
【００２０】従って、前記第１および第２コイルの間の
相互コイルによる電磁気的な影響を防止するための導体
層２９を形成することにより、２個のコイルの相互作用
による総インダクタンス値の変化を防止することができ
る。これにより、各インダクタンス部は同一なインダク
タンス値に具現でき、それぞれのインダクタンス部を他
の所望の値で採用する場合には、第１および第２コイル
の各インダクタンス値を選択することで総インダクタン
ス値を容易に調節することができる。
相互コイルによる電磁気的な影響を防止するための導体
層２９を形成することにより、２個のコイルの相互作用
による総インダクタンス値の変化を防止することができ
る。これにより、各インダクタンス部は同一なインダク
タンス値に具現でき、それぞれのインダクタンス部を他
の所望の値で採用する場合には、第１および第２コイル
の各インダクタンス値を選択することで総インダクタン
ス値を容易に調節することができる。
【００２１】図２(Ｂ)および図２(Ｃ)は、各ノイズ低減
フィルターの特性とを示したグラフである。図２(Ｂ)は
図２（Ａ）の第１および第３ノイズ低減フィルターの特
性を示し、図２(Ｃ)は図２（Ａ）の第２および第４ノイ
ズ低減フィルターの特性を示す。第１および第３ノイズ
低減フィルターは、各インダクタンス部の第２コイルが
第１コイルと同じ巻線方向であり、第２および第４ノイ
ズ低減フィルターは、各インダクタンス部の第２コイル
が第１コイルと逆の巻線方向を有する。
フィルターの特性とを示したグラフである。図２(Ｂ)は
図２（Ａ）の第１および第３ノイズ低減フィルターの特
性を示し、図２(Ｃ)は図２（Ａ）の第２および第４ノイ
ズ低減フィルターの特性を示す。第１および第３ノイズ
低減フィルターは、各インダクタンス部の第２コイルが
第１コイルと同じ巻線方向であり、第２および第４ノイ
ズ低減フィルターは、各インダクタンス部の第２コイル
が第１コイルと逆の巻線方向を有する。
【００２２】このような場合、通常、第１および第３ノ
イズ低減フィルターのインダクタンス部の総インダクタ
ンス値は各コイルのインダクタンス値の合計より大きく
なり、第２および第４ノイズ低減フィルターのインダク
タンス部の総インダクタンス値は各コイルのインダクタ
ンス値の合計より小さくなる。しかし、前記実施の形態
では、第１および第２コイルの電磁気的な影響を遮断す
るための導体層を形成することによって、全てのインダ
クタンス部は２個のコイルのインダクタンス合計とほぼ
同じ値を示す。従って、図２(Ｂ)および図２(Ｃ)のよう
に、第２コイルの巻線方向が異なる場合にもほぼ同じロ
ーパス特性を示す。
イズ低減フィルターのインダクタンス部の総インダクタ
ンス値は各コイルのインダクタンス値の合計より大きく
なり、第２および第４ノイズ低減フィルターのインダク
タンス部の総インダクタンス値は各コイルのインダクタ
ンス値の合計より小さくなる。しかし、前記実施の形態
では、第１および第２コイルの電磁気的な影響を遮断す
るための導体層を形成することによって、全てのインダ
クタンス部は２個のコイルのインダクタンス合計とほぼ
同じ値を示す。従って、図２(Ｂ)および図２(Ｃ)のよう
に、第２コイルの巻線方向が異なる場合にもほぼ同じロ
ーパス特性を示す。
【００２３】図３は、本発明の異なる実施の形態による
４個のノイズ低減フィルター４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、
４０ｄを含む多連ノイズ低減フィルター４０の概略図で
ある。図３に示すように、接地電極４２とキャパシタン
ス部４４、４５をチップ４１の下端部分に集中させて具
現することができ、前記接地電極４２は４個のノイズ低
減フィルター４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄに共有さ
れる共通電極として形成されてもよい。このように、前
記接地電極４２を、一つの電極を採用することにより、
２個の接地電極を採用する図１の実施の形態よりも一つ
の接地電極が少なくて済む。従って、製造コストの節減
はもちろん、工程を簡素化できるという利点がある。本
実施の形態において、接地電極４２とキャパシタンス部
４４、４５をチップの上端部分に集中させる方法でも同
じく適用可能である。
４個のノイズ低減フィルター４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、
４０ｄを含む多連ノイズ低減フィルター４０の概略図で
ある。図３に示すように、接地電極４２とキャパシタン
ス部４４、４５をチップ４１の下端部分に集中させて具
現することができ、前記接地電極４２は４個のノイズ低
減フィルター４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄに共有さ
れる共通電極として形成されてもよい。このように、前
記接地電極４２を、一つの電極を採用することにより、
２個の接地電極を採用する図１の実施の形態よりも一つ
の接地電極が少なくて済む。従って、製造コストの節減
はもちろん、工程を簡素化できるという利点がある。本
実施の形態において、接地電極４２とキャパシタンス部
４４、４５をチップの上端部分に集中させる方法でも同
じく適用可能である。
【００２４】図３に示すように、接地電極の上下面上に
それぞれキャパシタンス部が配置されたパイ型ノイズ低
減フィルターから、第１キャパシタンス部と第２キャパ
シタンス部のうち、一つを略した形態に変形することも
できる。このような構造では、同じ特性を具現するため
にそれぞれのノイズ低減フィルターの入力端子または出
力端子のうち、いずれかにのみキャパシタンス部を連結
する構造を取ることが好ましい。
それぞれキャパシタンス部が配置されたパイ型ノイズ低
減フィルターから、第１キャパシタンス部と第２キャパ
シタンス部のうち、一つを略した形態に変形することも
できる。このような構造では、同じ特性を具現するため
にそれぞれのノイズ低減フィルターの入力端子または出
力端子のうち、いずれかにのみキャパシタンス部を連結
する構造を取ることが好ましい。
【００２５】すなわち、一つのキャパシタンス部を採用
したノイズ低減フィルターを具現する場合には、各キャ
パシタンス部を接地電極の上部または下部のうち、いず
れか一部分にのみ配置する際、各キャパシタンスと連結
される入力端子または出力端子の配列を同一位置上に配
列することができるので工程上好ましい。
したノイズ低減フィルターを具現する場合には、各キャ
パシタンス部を接地電極の上部または下部のうち、いず
れか一部分にのみ配置する際、各キャパシタンスと連結
される入力端子または出力端子の配列を同一位置上に配
列することができるので工程上好ましい。
【００２６】以上説明した本発明は、上述した実施の形
態および添付した図面により限定されるものではなく、
添付された請求の範囲により限定される。従って、請求
の範囲に記載された本発明における技術的思想を外れな
い範囲内で多様な形態の置換、変形および変更が可能な
ことは、当技術分野において通常の知識を有する者には
明らかである。
態および添付した図面により限定されるものではなく、
添付された請求の範囲により限定される。従って、請求
の範囲に記載された本発明における技術的思想を外れな
い範囲内で多様な形態の置換、変形および変更が可能な
ことは、当技術分野において通常の知識を有する者には
明らかである。
【００２７】
【発明の効果】上述したとおり、本発明による多連ノイ
ズ低減フィルターは、ノイズ低減フィルターの各インダ
クタンス部を第１および第２コイルで形成し、前記コイ
ルのうち、一部のコイルの巻線方向を逆に構成すること
から、相互インダクタンスによりノイズ低減フィルター
のコイルの間で発生する相互干渉を相殺することができ
る。さらに、本発明は前記コイルの間に第１および第２
コイル間の相互影響を遮断すべく導体層を形成すること
で、相互電磁気的干渉現象を最小化すると共に、正確な
インダクタンス値を具現して所望のフィルター特性を設
計できるという利点がある。
ズ低減フィルターは、ノイズ低減フィルターの各インダ
クタンス部を第１および第２コイルで形成し、前記コイ
ルのうち、一部のコイルの巻線方向を逆に構成すること
から、相互インダクタンスによりノイズ低減フィルター
のコイルの間で発生する相互干渉を相殺することができ
る。さらに、本発明は前記コイルの間に第１および第２
コイル間の相互影響を遮断すべく導体層を形成すること
で、相互電磁気的干渉現象を最小化すると共に、正確な
インダクタンス値を具現して所望のフィルター特性を設
計できるという利点がある。
【図１】本発明における一実施の形態による２個のノイ
ズ低減フィルターをした多連ノイズ低減フィルターの斜
視図である。
ズ低減フィルターをした多連ノイズ低減フィルターの斜
視図である。
【図２】(Ａ)は、本発明における一実施の形態による４
個のノイズ低減フィルターの回路図であり、(Ｂ)および
(Ｃ)は(Ａ)の実施の形態に具現された各ノイズ低減フィ
ルターの特性を示したグラフである。
個のノイズ低減フィルターの回路図であり、(Ｂ)および
(Ｃ)は(Ａ)の実施の形態に具現された各ノイズ低減フィ
ルターの特性を示したグラフである。
【図３】本発明における他の実施の形態による４個のノ
イズ低減フィルターを具備した多連ノイズ低減フィルタ
ーの概略断面図である。
イズ低減フィルターを具備した多連ノイズ低減フィルタ
ーの概略断面図である。
【図４】(Ａ)は、従来の多連ノイズ低減フィルターの概
略断面図であり、(Ｂ)は、従来の多連ノイズ低減フィル
ターの電磁気的干渉特性を示したグラフである。
略断面図であり、(Ｂ)は、従来の多連ノイズ低減フィル
ターの電磁気的干渉特性を示したグラフである。
２０ 多連ノイズ低減フィルター
２０ａ、２０ｂ ノイズ低減フィルター
２２、２３ 第１および第２接地部
２４ａ、２４ｂ 第１キャパシタンス部
２５ａ、２５ｂ 第２キャパシタンス部
２７'ａ、２７'ｂ 第１コイル部
２７"ａ、２７"ｂ 第２コイル部
２９ａ、２９ｂ 隔離層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 張 炳 圭
大韓民国京畿道水原市八達区霊通洞ドンガ
アパート715洞1301号
(72)発明者 李 大 衡
大韓民国ソウル市麻浦区大興洞テヨンアパ
ート104洞902号
(72)発明者 ミン チョル パーク
大韓民国 キュンキ−ド スオン パルダ
ル−ク マエタン−２−ドン 199−19
(72)発明者 朴 文 秀
大韓民国京畿道水原市長安区亭子洞ヒュン
ダイ−コロンアパート584洞1003号
Ｆターム(参考） 5E070 AA05 AB10 CB13
5J024 AA01 CA06 DA04 DA29 DA34
EA08
Claims (9)
- 【請求項１】 単一チップ内に配列された複数個のノイ
ズ低減フィルターを具備した多連ノイズ低減フィルター
において、 前記複数個のノイズ低減フィルターの各フィルターは、 前記チップ内で略垂直方向に連結された第１コイルおよ
び第２コイルから成るインダクタンス部と、 前記インダクタンス部の上部または下部に配置された接
地部と、 前記接地部の上面または下面上に配置されたキャパシタ
ンス部とを含み、 前記インダクタンス部の第２コイルは隣り合う他のイン
ダクタンス部の第２コイルと逆方向へ巻線されるよう形
成されることを特徴とする多連ノイズ低減フィルター。 - 【請求項２】 前記第１コイルと前記第２コイルのイン
ダクタンス値は、ほぼ同じであることを特徴とする請求
項１に記載の多連ノイズ低減フィルター。 - 【請求項３】 前記接地部は、前記インダクタンス部の
上部に配置される第１接地部と、前記インダクタンス部
の下部に配置される第２接地部とから成ることを特徴と
する請求項１に記載の多連ノイズ低減フィルター。 - 【請求項４】 前記キャパシタンス部は、前記第１接地
電極の下部に配置される第１キャパシタンス部と、前記
第２接地電極の上部に配置される第２キャパシタンス部
とから成ることを特徴とする請求項１に記載の多連ノイ
ズ低減フィルター。 - 【請求項５】 前記接地部は、前記チップ内の上部また
は下部のうち、いずれかにのみ配置され、前記キャパシ
タンス部は、前記接地部の上面に配置された第１キャパ
シタンス部と、前記接地部の下面に配置された第２キャ
パシタンス部とから成ることを特徴とする請求項１に記
載の多連ノイズ低減フィルター。 - 【請求項６】 前記接地部は、複数個のノイズ低減フィ
ルターが共有する単一層から成る共通電極であることを
特徴とする請求項１に記載の多連ノイズ低減フィルタ
ー。 - 【請求項７】 前記第１および第２コイルの間に形成さ
れ、前記第１および第２コイルの間の電磁気的影響を遮
断するための隔離手段をさらに含むことを特徴とする請
求項１に記載の多連ノイズ低減フィルター。 - 【請求項８】 前記隔離手段は、前記第１および第２コ
イルの連結のための貫通孔を有する導体層から成ること
を特徴とする請求項７に記載の多連ノイズ低減フィルタ
ー。 - 【請求項９】 単一チップ形態から成る多連ノイズ低減
フィルターにおいて、 前記チップ内で略垂直方向に連結された第１コイルおよ
び第２コイルから成り、水平方向に配列される複数個の
インダクタンス部と、 前記複数個のインダクタンス部の配列方向により、前記
インダクタンス部の上部または下部のうち、少なくとも
一部分に配置される接地部と、 前記複数個のインダクタンス部それぞれに略同じ垂直方
向であって前記接地部の上面または下面上に配置される
複数個のキャパシタンス部とを含み、 前記インダクタンス部は第１コイルと第２コイルの間の
電気的影響を遮断するための隔離手段を含み、前記イン
ダクタンス部の第２コイルは隣り合った他のインダクタ
ンス部の第２コイルと逆方向へ巻線されるよう形成され
たことを特徴とする多連ノイズ低減フィルター。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0068603A KR100423399B1 (ko) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | 다연 노이즈저감 필터 |
| KR2001-68603 | 2001-11-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152492A true JP2003152492A (ja) | 2003-05-23 |
| JP3795405B2 JP3795405B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=19715703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002019771A Expired - Fee Related JP3795405B2 (ja) | 2001-11-05 | 2002-01-29 | 多連ノイズ低減フィルター |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6714101B2 (ja) |
| JP (1) | JP3795405B2 (ja) |
| KR (1) | KR100423399B1 (ja) |
| CN (1) | CN1206808C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012048962A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置および誘導加熱方法 |
| WO2012077498A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 株式会社村田製作所 | 積層帯域通過フィルタ |
| US8422972B2 (en) | 2009-01-28 | 2013-04-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna combining module |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6998938B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-02-14 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | Lumped-element low-pass filter in multi-layered substrate |
| US7002434B2 (en) * | 2004-03-16 | 2006-02-21 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | Lumped-element transmission line in multi-layered substrate |
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